JP2001118511A - プラズマ画像スクリーン - Google Patents
プラズマ画像スクリーンInfo
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
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- H01J61/40—Devices for influencing the colour or wavelength of the light by light filters; by coloured coatings in or on the envelope
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- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
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- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J2211/44—Optical arrangements or shielding arrangements, e.g. filters or lenses
- H01J2211/442—Light reflecting means; Anti-reflection means
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- Electromagnetism (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 輝度が改善されたプラズマ画像スクリーンを
提供する。 【解決手段】 前側プレート（１）上に、プラズマ放出
波長域（１４５〜２００ｎｍ）において高い反射性を有
すると共に仮死波長域において高い光透過性を有するＵ
Ｖ光反射層（８）を設ける。前側プレート（１）はガラ
スプレート（３）を具え、その上に誘電体層（４）及び
保護層（５）を形成する。ＵＶ光反射層（８）は、前側
プレート（１）に向けて放出されたＵＶ光を蛍光体層
（１０）に向けて反射する。ＵＶ光反射層（８）の光学
特性は、２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有
する有機粒子及び０．５μｍ〜５μｍの膜厚により実現
され、或いは１０ｎｍｊ２００ｎｍとの間の粒子直径を
有する無機粒子の凝集塊及び０．２〜１０μｍの膜厚に
より達成される。 【００００】
提供する。 【解決手段】 前側プレート（１）上に、プラズマ放出
波長域（１４５〜２００ｎｍ）において高い反射性を有
すると共に仮死波長域において高い光透過性を有するＵ
Ｖ光反射層（８）を設ける。前側プレート（１）はガラ
スプレート（３）を具え、その上に誘電体層（４）及び
保護層（５）を形成する。ＵＶ光反射層（８）は、前側
プレート（１）に向けて放出されたＵＶ光を蛍光体層
（１０）に向けて反射する。ＵＶ光反射層（８）の光学
特性は、２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有
する有機粒子及び０．５μｍ〜５μｍの膜厚により実現
され、或いは１０ｎｍｊ２００ｎｍとの間の粒子直径を
有する無機粒子の凝集塊及び０．２〜１０μｍの膜厚に
より達成される。 【００００】
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ガラスプレートを有
し、このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形成さ
れている前側プレートと、後側プレートと、前記前プレ
ートと後側との間に形成される共に隔壁により分離され
ているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート及び
後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複数の
電極とを具えるプラズマ画像スクリーンに関するもので
ある。
し、このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形成さ
れている前側プレートと、後側プレートと、前記前プレ
ートと後側との間に形成される共に隔壁により分離され
ているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート及び
後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複数の
電極とを具えるプラズマ画像スクリーンに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ画像スクリーンは、小型な構造
で高解像度のカラー画像を形成することができる。プラ
ズマ画像スクリーンは、ガスが充填されている密封した
ガラスセルを具え、電極はグリッド構造を有している。
電圧が印加されると、ガス放電が発生し、これにより紫
外域の光が放出される。このＵＶ光は蛍光体により可視
光に変換され、ガラスセルの前側スクリーンを経て観客
に向けて放射する。
で高解像度のカラー画像を形成することができる。プラ
ズマ画像スクリーンは、ガスが充填されている密封した
ガラスセルを具え、電極はグリッド構造を有している。
電圧が印加されると、ガス放電が発生し、これにより紫
外域の光が放出される。このＵＶ光は蛍光体により可視
光に変換され、ガラスセルの前側スクリーンを経て観客
に向けて放射する。
【０００３】原理的にプラズマ画像スクリーンは２つの
形式、すなわちマトリックス型とコプレナ型とに分類さ
れる。マトリックス型の装置において、ガス放電は前側
プレートの電極と後側プレートの電極との交点において
発生及び維持される。コプレナ型の装置において、ガス
放電は前側プレート上の電極間で維持され、いわゆる後
側プレートのアドレス電極との交点で発生する。この場
合、アドレス電極は蛍光層の下側に存在する。このコプ
レナ型の装置においては、ガス放電により発生したＵＶ
光のうち半分の光が前側プレートに入射し、前側プレー
トに存在する層で吸収される。この効果はＵＶ光の一部
に対して増強される。この理由は、ＵＶ光がガス空間で
再吸収されガス原子が基底状態からより高いエネルギー
レベルに励起されるからである。この光はその後再び放
出されるが、オリジナルの方向から発散するため、蛍光
層に向けて進行した光が前側プレートに入射してしま
う。
形式、すなわちマトリックス型とコプレナ型とに分類さ
れる。マトリックス型の装置において、ガス放電は前側
プレートの電極と後側プレートの電極との交点において
発生及び維持される。コプレナ型の装置において、ガス
放電は前側プレート上の電極間で維持され、いわゆる後
側プレートのアドレス電極との交点で発生する。この場
合、アドレス電極は蛍光層の下側に存在する。このコプ
レナ型の装置においては、ガス放電により発生したＵＶ
光のうち半分の光が前側プレートに入射し、前側プレー
トに存在する層で吸収される。この効果はＵＶ光の一部
に対して増強される。この理由は、ＵＶ光がガス空間で
再吸収されガス原子が基底状態からより高いエネルギー
レベルに励起されるからである。この光はその後再び放
出されるが、オリジナルの方向から発散するため、蛍光
層に向けて進行した光が前側プレートに入射してしま
う。
【０００４】プラズマ画像スクリーンの輝度はＵＶ光が
蛍光体を励起する効率に強く依存する。輝度を増強する
ことは、ＩＥＥＪ，１９９８，ＥＰ９８−６１において
記載されており、そのプラズマ画像スクリーンにおいて
は、前側プレートは誘電体層及び放電電極だけでなくＵ
Ｖ光反射層をも有している。前側プレートの同様な構造
は、ＩＤＷ，１９９８，５３９−５４２において同一の
著者により記載されている。この既知のプラズマ画像ス
クリーンにおいては、前側プレートはＭｇＯの保護層を
具え、ＵＶ光反射層が誘電体層と保護層との間に存在し
ている。いずれの場合においても、この層は蛍光体に向
けて前側プレートの方向に放出されたＵＶ光を反射する
役割を果たしている。
蛍光体を励起する効率に強く依存する。輝度を増強する
ことは、ＩＥＥＪ，１９９８，ＥＰ９８−６１において
記載されており、そのプラズマ画像スクリーンにおいて
は、前側プレートは誘電体層及び放電電極だけでなくＵ
Ｖ光反射層をも有している。前側プレートの同様な構造
は、ＩＤＷ，１９９８，５３９−５４２において同一の
著者により記載されている。この既知のプラズマ画像ス
クリーンにおいては、前側プレートはＭｇＯの保護層を
具え、ＵＶ光反射層が誘電体層と保護層との間に存在し
ている。いずれの場合においても、この層は蛍光体に向
けて前側プレートの方向に放出されたＵＶ光を反射する
役割を果たしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、コプ
レナ型の装置においては、ガス放電により発生したＵＶ
光の全てが蛍光層に入射しないため、発光効率を一層高
めることが強く要請されている。従って、本発明の目的
は、改良された輝度を有するプラズマ画像スクリーンを
提供することにある。
レナ型の装置においては、ガス放電により発生したＵＶ
光の全てが蛍光層に入射しないため、発光効率を一層高
めることが強く要請されている。従って、本発明の目的
は、改良された輝度を有するプラズマ画像スクリーンを
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決する手段】上記の目的は、ガラスプレート
を有し、このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形
成されている前側プレートと、後側プレートと、前記前
プレートと後側との間に形成される共に隔壁により分離
されているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート
及び後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複
数の電極とを具えるプラズマ画像スクリーンにおいて、
前記保護層にＵＶ光反射層が形成されていることを特徴
とするプラズマ画像スクリーンにより達成される。
を有し、このガラスプレートに誘電体層及び保護層が形
成されている前側プレートと、後側プレートと、前記前
プレートと後側との間に形成される共に隔壁により分離
されているガス充填プラズマセルと、前記前側プレート
及び後側プレートに設けられ、コロナ放電を発生する複
数の電極とを具えるプラズマ画像スクリーンにおいて、
前記保護層にＵＶ光反射層が形成されていることを特徴
とするプラズマ画像スクリーンにより達成される。
【０００７】ＩＤＷ，１９９８，５３９−５４２に記載
の前側プレートとは異なり、本発明のＵＶ光反射層は誘
電体層と保護層との間に存在しない。この構成を採用す
ることにより、ＵＶ光は保護層を透過せず前側プレート
の下側面で直接反射する利点がある。このように構成す
ることにより、保護層におけるＵＶ光の吸収が回避され
る。本発明によるプラズマ画像スクリーンの保護層は、
ＩＥＥＪ，１９９８，ＥＰ９８−６１に記載のプラズマ
スクリーンと比較して、高放電開始電圧並びにプラズマ
放電に必要な温度及びプラズマ放電中に生ずる熱から隣
接する層を保護する付加的な利点がある。
の前側プレートとは異なり、本発明のＵＶ光反射層は誘
電体層と保護層との間に存在しない。この構成を採用す
ることにより、ＵＶ光は保護層を透過せず前側プレート
の下側面で直接反射する利点がある。このように構成す
ることにより、保護層におけるＵＶ光の吸収が回避され
る。本発明によるプラズマ画像スクリーンの保護層は、
ＩＥＥＪ，１９９８，ＥＰ９８−６１に記載のプラズマ
スクリーンと比較して、高放電開始電圧並びにプラズマ
放電に必要な温度及びプラズマ放電中に生ずる熱から隣
接する層を保護する付加的な利点がある。
【０００８】ＵＶ光反射層が、ＬｉＯのような組成Ｍ２
Ｏの酸化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＰａのグ
ループから選択した場合の組成ＭＯの酸化物、又はＭを
Ｂ，Ａｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した
場合の組成Ｍ２Ｏ３の酸化物、又はＭをＳｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆのグループから選択した場合
の組成Ｍ２Ｏの酸化物、Ｍ’をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及び
Ｂａのグループから選択し、Ｍ”をＡｌ，Ｓｃ，Ｙおよ
びＬａのグループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”２Ｏ
４の酸化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ及び
Ａｇのグループから選択した場合の組成ＭＦのフッ化
物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，及びＰｂのグループから選択した場合の組成ＭＦ２
のフッ化物、又はＭをＬａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｙｂ，及びＬｕから選択した場合の組成ＭＦ３のフッ化
物、又はＭ’をＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグル
ープから選択し、Ｍ”をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａの
グループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”Ｆ３のフッ化
物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグルー
プから選択した場合の組成Ｍ３Ｐ０４のフォスフェート
類、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループか
ら選択した場合に組成Ｍ３（ＰＯ４）２のフォスフェー
ト類、又はＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合
の組成ＭＰＯ４のフォスフェート類、又はＭをＴｉ，Ｚ
ｒ，及びＨＦのグループから選択した場合の組成Ｍ
３（ＰＯ４） ４のフォスフェート類、又は３と９との間
の鎖長Ｍを有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓ
のグループから選択した場合にｘ＝１とし、ＭをＭｇ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグル
ープから選択した場合にｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓ
ｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬ
ｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３とし、Ｍを
Ｔｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にＸ
＝１／４とした場合に、組成（ＭＸＰＯ３）nを有する
メタフォスフェート類、又は１０１と１０６との間の鎖
長を有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグル
ープから選択した場合Ｘ＝１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから
選択した場合ｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌ
ａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグルー
プから選択した場合にｘ＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈ
ｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にｘ＝１／４
とした場合に組成（ＭＸＰＯ３）nを有するポリフォス
フェート類、又は、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣ
ｓのグループから選択した場合に組成ＭＨ２ＰＯ４の１
次フォスフェート類、又はＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、又はダイ
ヤモンドを含むことが好適である。
Ｏの酸化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＰａのグ
ループから選択した場合の組成ＭＯの酸化物、又はＭを
Ｂ，Ａｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した
場合の組成Ｍ２Ｏ３の酸化物、又はＭをＳｉ，Ｇｅ，Ｓ
ｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆのグループから選択した場合
の組成Ｍ２Ｏの酸化物、Ｍ’をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及び
Ｂａのグループから選択し、Ｍ”をＡｌ，Ｓｃ，Ｙおよ
びＬａのグループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”２Ｏ
４の酸化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ及び
Ａｇのグループから選択した場合の組成ＭＦのフッ化
物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，及びＰｂのグループから選択した場合の組成ＭＦ２
のフッ化物、又はＭをＬａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，
Ｙｂ，及びＬｕから選択した場合の組成ＭＦ３のフッ化
物、又はＭ’をＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグル
ープから選択し、Ｍ”をＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａの
グループから選択した場合の組成Ｍ’Ｍ”Ｆ３のフッ化
物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグルー
プから選択した場合の組成Ｍ３Ｐ０４のフォスフェート
類、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＢａのグループか
ら選択した場合に組成Ｍ３（ＰＯ４）２のフォスフェー
ト類、又はＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅ
ｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合
の組成ＭＰＯ４のフォスフェート類、又はＭをＴｉ，Ｚ
ｒ，及びＨＦのグループから選択した場合の組成Ｍ
３（ＰＯ４） ４のフォスフェート類、又は３と９との間
の鎖長Ｍを有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓ
のグループから選択した場合にｘ＝１とし、ＭをＭｇ，
Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグル
ープから選択した場合にｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓ
ｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬ
ｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３とし、Ｍを
Ｔｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にＸ
＝１／４とした場合に、組成（ＭＸＰＯ３）nを有する
メタフォスフェート類、又は１０１と１０６との間の鎖
長を有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグル
ープから選択した場合Ｘ＝１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから
選択した場合ｘ＝１／２とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌ
ａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグルー
プから選択した場合にｘ＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈ
ｆ，及びＺｒのグループから選択した場合にｘ＝１／４
とした場合に組成（ＭＸＰＯ３）nを有するポリフォス
フェート類、又は、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣ
ｓのグループから選択した場合に組成ＭＨ２ＰＯ４の１
次フォスフェート類、又はＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、又はダイ
ヤモンドを含むことが好適である。
【０００９】これらの組成の粒子は１４７〜７００ｎｍ
の波長域においてほとんど吸収せず又は僅かな吸収しか
示さず、しかもプラズマ画像スクリーンの製造中に生ず
る高温度に対しても耐久性を有している。さらに、これ
らの粒子は１０ｎｍと５００ｎｍと間の粒子直径を有す
る粒子として製造することができる。
の波長域においてほとんど吸収せず又は僅かな吸収しか
示さず、しかもプラズマ画像スクリーンの製造中に生ず
る高温度に対しても耐久性を有している。さらに、これ
らの粒子は１０ｎｍと５００ｎｍと間の粒子直径を有す
る粒子として製造することができる。
【００１０】ＵＶ光反射層は、２００ｎｍと５００ｎｍ
との間の粒子直径を有する粒子で構成することができ
る。
との間の粒子直径を有する粒子で構成することができ
る。
【００１１】このような直径の粒子は、ＵＶ波長域にお
いて可視波長域よりも一層大きな光散乱性を示す。この
実施例においては、ＵＶ光反射層は０．５〜５μｍの厚
さを有することが好適である。
いて可視波長域よりも一層大きな光散乱性を示す。この
実施例においては、ＵＶ光反射層は０．５〜５μｍの厚
さを有することが好適である。
【００１２】個々の粒子の散乱性及びその波長依存性に
加えて、散乱性粒子層の厚さも重要な役割を果たす。す
なわち、強い散乱性を有していない粒子層であっても、
その膜厚が厚い場合その層の反射性が高くなるからであ
る。２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有する
粒子を用い、これら粒子から０．５〜５μｍの膜厚の層
を形成することにより、プラズマ放出の波長域で強く反
射すると共に蛍光体から放出された可視光を透過させる
ＵＶ光反射層が得られる。
加えて、散乱性粒子層の厚さも重要な役割を果たす。す
なわち、強い散乱性を有していない粒子層であっても、
その膜厚が厚い場合その層の反射性が高くなるからであ
る。２００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒子直径を有する
粒子を用い、これら粒子から０．５〜５μｍの膜厚の層
を形成することにより、プラズマ放出の波長域で強く反
射すると共に蛍光体から放出された可視光を透過させる
ＵＶ光反射層が得られる。
【００１３】ＵＶ光反射層が１０ｎｍと２００ｎｍとの
間の粒子直径を有する粒子の凝集塊を有することも好適
である。
間の粒子直径を有する粒子の凝集塊を有することも好適
である。
【００１４】１０ｎｍと２００ｎｍとの間の粒子直径を
有する粒子はＵＶ光に対して散乱性を有していないの
で、このような粒子で構成される層は反射性を示さな
い。しかしながら、これらの粒子が１００ｎｍよりも大
きな凝集塊を形成する方策を講じられれば、この層は、
光学的にはあたかも大きな粒子で構成される層のように
作用する。光と凝集塊との間の相互作用は、凝集塊のサ
イズ及び凝集塊を形成する粒子の直径の両方により決定
される。凝集塊の密度及び屈折率の変化も反射の波長依
存性に作用する。この実施例においては、ＵＶ光反射層
は０．２〜１０μｍの厚さを有することが好適である。
有する粒子はＵＶ光に対して散乱性を有していないの
で、このような粒子で構成される層は反射性を示さな
い。しかしながら、これらの粒子が１００ｎｍよりも大
きな凝集塊を形成する方策を講じられれば、この層は、
光学的にはあたかも大きな粒子で構成される層のように
作用する。光と凝集塊との間の相互作用は、凝集塊のサ
イズ及び凝集塊を形成する粒子の直径の両方により決定
される。凝集塊の密度及び屈折率の変化も反射の波長依
存性に作用する。この実施例においては、ＵＶ光反射層
は０．２〜１０μｍの厚さを有することが好適である。
【００１５】さらに、ＵＶ光反射層は保護層を全体とし
て又は部分的に覆うことが好ましい。保護層をＵＶ光反
射層により部分的に覆うことにより、輝度が相当改善さ
れる。これは、通常ＭｇＯで構成される保護層がその一
部だけが覆われている場合、プラズマ放電に対して有益
である。この理由は、プラズマを発生させるために必要
な電圧がＭｇＯ層により低下するからである。
て又は部分的に覆うことが好ましい。保護層をＵＶ光反
射層により部分的に覆うことにより、輝度が相当改善さ
れる。これは、通常ＭｇＯで構成される保護層がその一
部だけが覆われている場合、プラズマ放電に対して有益
である。この理由は、プラズマを発生させるために必要
な電圧がＭｇＯ層により低下するからである。
【００１６】以下、図面及び実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１において、平面型のＡＣプラ
ズマ画像スクリーンのプラズマセルは、前側プレート１
及び後側プレート２を具える。前側プレート１はガラス
プレート３を具え、このガラスプレート上に誘電体層４
が形成され、その上に保護層５を形成する。保護層５は
好ましくはＭｇＯで作り、誘電体層４は例えばＰｂＯを
含むガラスで作ることができる。ガラスプレート３上に
平行なストライプ状の放電電極６，７を形成し、これら
電極は誘電体層４により覆う。放電電極６，７は、例え
ば金属又はＩＴＯで作る。紫外域の放射１２を反射し可
視光１４を透過する紫外光反射層８を保護層５上に形成
する。後側プレート２はガラスで構成され、このガラス
プレート２上に例えばＡｇの平行てストライプ状のアド
レス電極１１を放電電極６，７と直交するように形成す
る。これらアドレス電極は、基本色である赤、緑、又は
青のうちの１つの色お蛍光体層１０で覆う。個々の蛍光
体層１０は、好ましくは誘電体材料で構成され所謂バリ
ャである区画壁１３により分離する。
ズマ画像スクリーンのプラズマセルは、前側プレート１
及び後側プレート２を具える。前側プレート１はガラス
プレート３を具え、このガラスプレート上に誘電体層４
が形成され、その上に保護層５を形成する。保護層５は
好ましくはＭｇＯで作り、誘電体層４は例えばＰｂＯを
含むガラスで作ることができる。ガラスプレート３上に
平行なストライプ状の放電電極６，７を形成し、これら
電極は誘電体層４により覆う。放電電極６，７は、例え
ば金属又はＩＴＯで作る。紫外域の放射１２を反射し可
視光１４を透過する紫外光反射層８を保護層５上に形成
する。後側プレート２はガラスで構成され、このガラス
プレート２上に例えばＡｇの平行てストライプ状のアド
レス電極１１を放電電極６，７と直交するように形成す
る。これらアドレス電極は、基本色である赤、緑、又は
青のうちの１つの色お蛍光体層１０で覆う。個々の蛍光
体層１０は、好ましくは誘電体材料で構成され所謂バリ
ャである区画壁１３により分離する。
【００１８】好ましくは、例えばＨｅ、Ｎｅ、Ｘｅ、又
はＫｒのようなき希ガスの混合体であるガスが放電キャ
ビィティ内及び放電電極６と７との間に存在する。これ
ら放電電極は、交互に一方の電極をカソードと他方の電
極をアノードとする。面放電が生ずると、放電電極６と
７間との間のプラズマ空間内に存在する放電経路に沿っ
て電荷が流れるので、プラズマ空間にプラズマが形成さ
れ、ガスの組成に応じてＵＶ域特にＶＵＶ域の放射１２
が発生する。このＵＶ放射１２は蛍光層１０を発光レベ
ルに励起するので、３つの基本カラーの可視光１４が放
出され、前側プレートを経て外部に出射し、画像スクリ
ーンに発光画素が形成される。
はＫｒのようなき希ガスの混合体であるガスが放電キャ
ビィティ内及び放電電極６と７との間に存在する。これ
ら放電電極は、交互に一方の電極をカソードと他方の電
極をアノードとする。面放電が生ずると、放電電極６と
７間との間のプラズマ空間内に存在する放電経路に沿っ
て電荷が流れるので、プラズマ空間にプラズマが形成さ
れ、ガスの組成に応じてＵＶ域特にＶＵＶ域の放射１２
が発生する。このＵＶ放射１２は蛍光層１０を発光レベ
ルに励起するので、３つの基本カラーの可視光１４が放
出され、前側プレートを経て外部に出射し、画像スクリ
ーンに発光画素が形成される。
【００１９】ＡＣプラズマ画像スクリーンの透明放出電
極６，７上に存在する誘電体層４は、導電性材料の放電
電極６，７間に直接放電が生ずるのを阻止するように、
つまり放電中にアークが形成されるのを阻止するように
作用する。
極６，７上に存在する誘電体層４は、導電性材料の放電
電極６，７間に直接放電が生ずるのを阻止するように、
つまり放電中にアークが形成されるのを阻止するように
作用する。
【００２０】ＵＶ光反射層８を有する前側プレート１を
製造するため、初めに放電電極６，７をガラスプレート
３上に気相堆積処理により形成し、ガラスプレートの大
きさは所望の画像スクリーンサイズに対応させる。次
に、誘電体層４を形成し、この誘電体層４上に保護層５
を形成する。
製造するため、初めに放電電極６，７をガラスプレート
３上に気相堆積処理により形成し、ガラスプレートの大
きさは所望の画像スクリーンサイズに対応させる。次
に、誘電体層４を形成し、この誘電体層４上に保護層５
を形成する。
【００２１】所望の粒径を有する粒子の懸濁液ＵＶ光反
射層８用に用意する。用いることができる粒子は、例え
ば種々のメイングループ金属又はサブグループ金属の酸
化物、フッ化物、メタフォスフェート類、又はポリフォ
スフェート類である。用いられる酸化物は、例えば、Ｌ
ｉ２Ｏのような第１のメイングループの酸化物、Ｍｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，及びＢａＯのような第２のメイン
グループの酸化物、例えばＢ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３のよ
うな第３のメイングループの酸化物、Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２
Ｏ３及びＬａ２Ｏ３のような第３のサブグループの酸化
物、例えばＳｉＯ ２及びＬａ２Ｏ３のような第３のサブ
グループの酸化物、例えばＳｉＯ２，ＧｅＯ２及びＳｎ
Ｏ２のような第４のメイングループの酸化物、Ｔｉ
Ｏ２，ＺｒＯ２及びＧｆＯ２のような第４のサブグルー
プの酸化物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４，ＣａＡｌ２Ｏ４又は
ＢａＡｌ２Ｏ４のような混合酸化物とすることができ
る。用いられるフッ化物は、例えばＬｉＦ，ＮａＦ，Ｋ
Ｆ，ＲｂＦ及びＣ３Ｆのような第１のメイングループの
フッ化物、ＡｇＦのような第１のサブグループのフッ化
物、ＭｇＦ２，ＳｒＦ２及びＢａＦ２のような第２のメ
イングループのフッ化物、ＳｎＦ２及びＰｂＦ２のよう
な第４のメイングループのフッ化物、ＣｕＦ２のような
第１のサブグループのフッ化物、ＺｎＦ２のような第２
のサブグループのフッ化物、ＬａＦ３，ＰｒＦ３，Ｓｍ
Ｆ３，ＥｕＦ３，ＧｄＦ３，ＹｂＦ３及びＬｕＦ３のよ
うなランタニドのフッ化物、又はＬｉＭｇＦ３及びＫＭ
ｇＦ３のような混合フッ化物とすることができる。用い
られるフォスフェート類は、例えば、ＬｉＰＯ４，Ｎａ
３ＰＯ４，ＫＰＯ４，ＲｂＰＯ４及びＣｓ３ＰＯ４のよ
うな第１のメイングループのフォスフェート類、Ｍｇ３
（ＰＯ４）２，Ｓｒ３（ＰＯ４） ２又はＢａ３（Ｐ
Ｏ４）２のような第２のメイングループのフォスフェー
ト類、ＡｌＰＯ４のような第３のメイングループのフォ
スフェート類、ＳｃＰＯ４，ＹＰＯ４及びＬａＰＯ４の
ような第３のサブグループのフォスフェート類、ＬａＰ
Ｏ４，ＰｒＰＯ４，ＳｍＰＯ４，ＥｕＰＯ４，ＧｄＰＯ
４，ＹｂＰＯ４及びＬｕＰＯ４のようなランタニドのフ
ォスフェート類、又はＴｉ３（ＰＯ４），Ｚｒ３（ＰＯ
４）４，及びＨｆ３（ＰＯ４）４のような第４のサブグ
ループのフォスフェート類とすることができる。３と９
との間の鎖長ｎを有するメタフォスフェート類は、例え
ばＬｉ３（ＰＯ３）３，Ｎａ３（ＰＯ４）３，Ｋ３（Ｐ
Ｏ３）３，Ｒｂ３（ＰＯ３）３及びＣｓ３（ＰＯ３）３
のような第１のメイングループのメタフォスフェート
類、Ｍｇ（ＰＯ３）２，Ｃａ（ＰＯ３）２，Ｓｒ（ＰＯ
３）２及びＢａ（ＰＯ３）２のような第２のメイングル
ープのメタフォスフェート類、Ａｌ（ＰＯ３）３のよう
な第３のメイングループのメタフォスフェート類、Ｓｃ
（ＰＯ３）３，Ｙ（ＰＯ３）３及びＬａ（ＰＯ３）３の
ような第３のサブグループのフタフォスフェート類、Ｔ
ｉ３（ＰＯ３）４，Ｚｒ３（ＰＯ３）４及びＨｆ ３（Ｐ
Ｏ３）４のような第４のサブグループのメタフォスフェ
ート類、又はＺｎ（ＰＯ３）２とすることができる。用
いられるポリフォスフェート類は、例えば１０１と１０
６との間の鎖長及び用いる金属の酸化値に応じて０．２
５と１との間の値ｘを有するＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃ
ｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ
ｂ又はＬｕのポリフォスフェート類とすることができ
る。これら全てのポリフォスフェート類において、金属
カチオンは部分的にプロトンで置換することができる。
或いは、例えばＫＨ２ＰＯ４，ＮａＨ２ＰＯ４及びＮＨ
４Ｈ２ＰＯ４のようなフォスフェート類又はダイアモン
ドをＵＶ光反射層８として用いることができる。
射層８用に用意する。用いることができる粒子は、例え
ば種々のメイングループ金属又はサブグループ金属の酸
化物、フッ化物、メタフォスフェート類、又はポリフォ
スフェート類である。用いられる酸化物は、例えば、Ｌ
ｉ２Ｏのような第１のメイングループの酸化物、Ｍｇ
Ｏ，ＣａＯ，ＳｒＯ，及びＢａＯのような第２のメイン
グループの酸化物、例えばＢ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３のよ
うな第３のメイングループの酸化物、Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２
Ｏ３及びＬａ２Ｏ３のような第３のサブグループの酸化
物、例えばＳｉＯ ２及びＬａ２Ｏ３のような第３のサブ
グループの酸化物、例えばＳｉＯ２，ＧｅＯ２及びＳｎ
Ｏ２のような第４のメイングループの酸化物、Ｔｉ
Ｏ２，ＺｒＯ２及びＧｆＯ２のような第４のサブグルー
プの酸化物、又はＭｇＡｌ２Ｏ４，ＣａＡｌ２Ｏ４又は
ＢａＡｌ２Ｏ４のような混合酸化物とすることができ
る。用いられるフッ化物は、例えばＬｉＦ，ＮａＦ，Ｋ
Ｆ，ＲｂＦ及びＣ３Ｆのような第１のメイングループの
フッ化物、ＡｇＦのような第１のサブグループのフッ化
物、ＭｇＦ２，ＳｒＦ２及びＢａＦ２のような第２のメ
イングループのフッ化物、ＳｎＦ２及びＰｂＦ２のよう
な第４のメイングループのフッ化物、ＣｕＦ２のような
第１のサブグループのフッ化物、ＺｎＦ２のような第２
のサブグループのフッ化物、ＬａＦ３，ＰｒＦ３，Ｓｍ
Ｆ３，ＥｕＦ３，ＧｄＦ３，ＹｂＦ３及びＬｕＦ３のよ
うなランタニドのフッ化物、又はＬｉＭｇＦ３及びＫＭ
ｇＦ３のような混合フッ化物とすることができる。用い
られるフォスフェート類は、例えば、ＬｉＰＯ４，Ｎａ
３ＰＯ４，ＫＰＯ４，ＲｂＰＯ４及びＣｓ３ＰＯ４のよ
うな第１のメイングループのフォスフェート類、Ｍｇ３
（ＰＯ４）２，Ｓｒ３（ＰＯ４） ２又はＢａ３（Ｐ
Ｏ４）２のような第２のメイングループのフォスフェー
ト類、ＡｌＰＯ４のような第３のメイングループのフォ
スフェート類、ＳｃＰＯ４，ＹＰＯ４及びＬａＰＯ４の
ような第３のサブグループのフォスフェート類、ＬａＰ
Ｏ４，ＰｒＰＯ４，ＳｍＰＯ４，ＥｕＰＯ４，ＧｄＰＯ
４，ＹｂＰＯ４及びＬｕＰＯ４のようなランタニドのフ
ォスフェート類、又はＴｉ３（ＰＯ４），Ｚｒ３（ＰＯ
４）４，及びＨｆ３（ＰＯ４）４のような第４のサブグ
ループのフォスフェート類とすることができる。３と９
との間の鎖長ｎを有するメタフォスフェート類は、例え
ばＬｉ３（ＰＯ３）３，Ｎａ３（ＰＯ４）３，Ｋ３（Ｐ
Ｏ３）３，Ｒｂ３（ＰＯ３）３及びＣｓ３（ＰＯ３）３
のような第１のメイングループのメタフォスフェート
類、Ｍｇ（ＰＯ３）２，Ｃａ（ＰＯ３）２，Ｓｒ（ＰＯ
３）２及びＢａ（ＰＯ３）２のような第２のメイングル
ープのメタフォスフェート類、Ａｌ（ＰＯ３）３のよう
な第３のメイングループのメタフォスフェート類、Ｓｃ
（ＰＯ３）３，Ｙ（ＰＯ３）３及びＬａ（ＰＯ３）３の
ような第３のサブグループのフタフォスフェート類、Ｔ
ｉ３（ＰＯ３）４，Ｚｒ３（ＰＯ３）４及びＨｆ ３（Ｐ
Ｏ３）４のような第４のサブグループのメタフォスフェ
ート類、又はＺｎ（ＰＯ３）２とすることができる。用
いられるポリフォスフェート類は、例えば１０１と１０
６との間の鎖長及び用いる金属の酸化値に応じて０．２
５と１との間の値ｘを有するＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃ
ｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ
ｂ又はＬｕのポリフォスフェート類とすることができ
る。これら全てのポリフォスフェート類において、金属
カチオンは部分的にプロトンで置換することができる。
或いは、例えばＫＨ２ＰＯ４，ＮａＨ２ＰＯ４及びＮＨ
４Ｈ２ＰＯ４のようなフォスフェート類又はダイアモン
ドをＵＶ光反射層８として用いることができる。
【００２２】或いは、懸濁液は本発明による粒子の前駆
物質を含むことができ、これら前駆物質は熱処理により
所望の粒子に変換することができる。従って、例えばＭ
ｇ（ＰＯ）２を含む懸濁液は、保護層５上に形成した
後、ＭｇＯ層に熱的に変換する個とができる。
物質を含むことができ、これら前駆物質は熱処理により
所望の粒子に変換することができる。従って、例えばＭ
ｇ（ＰＯ）２を含む懸濁液は、保護層５上に形成した
後、ＭｇＯ層に熱的に変換する個とができる。
【００２３】好ましくは、懸濁液は水溶液として用意す
る。例えば、用いられる粉末が水と化学的に反応する場
合、又は水に溶解する場合、無機溶剤を用いることが必
要である。
る。例えば、用いられる粉末が水と化学的に反応する場
合、又は水に溶解する場合、無機溶剤を用いることが必
要である。
【００２４】懸濁液の用意は、材料及び粒子径に応じて
種々の方法により行われる。粒子は適当な前駆物質から
合成することも可能である。別の方法として、粒子を直
接用いることも可能である。
種々の方法により行われる。粒子は適当な前駆物質から
合成することも可能である。別の方法として、粒子を直
接用いることも可能である。
【００２５】懸濁液を用意するに際し、前駆物質から粒
子を形成するために金属塩類を水に溶解する。金属塩は
ＭＸｎ・ｙＨ２Ｏの組成を有し、ここでＭは例えばＬ
ｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｃ，
Ａｌ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｔ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｌｕ
及び２ｎのグループから選択した１つの金属又は数個の
金属とする。Ｘ例えばＮＯ ３ −，ＲＯ−，−Ｏ２−ＣＯ
２ −の１つ又は数個のアニオンとし、ｙは零に等しいか
又はそれ以上の数とし、ｎは金属カチオンＭｎ＋の酸化
値に基づく１と４との間の整数とする。用いるアルコキ
シＲＯ−は、例えばプロポキサイド及びブトキシサイド
とすることができる。
子を形成するために金属塩類を水に溶解する。金属塩は
ＭＸｎ・ｙＨ２Ｏの組成を有し、ここでＭは例えばＬ
ｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂｃ，
Ａｌ，Ｓｃ，Ｌａ，Ｔ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａ
ｇ，Ｐｂ，Ｃｕ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，Ｌｕ
及び２ｎのグループから選択した１つの金属又は数個の
金属とする。Ｘ例えばＮＯ ３ −，ＲＯ−，−Ｏ２−ＣＯ
２ −の１つ又は数個のアニオンとし、ｙは零に等しいか
又はそれ以上の数とし、ｎは金属カチオンＭｎ＋の酸化
値に基づく１と４との間の整数とする。用いるアルコキ
シＲＯ−は、例えばプロポキサイド及びブトキシサイド
とすることができる。
【００２６】例えば酢酸の添加による酸処理、苛性ソー
ダ液の添加のようなアルカリ処理によるリフロー処理に
おける加熱により、或いはアンモニアガスの導入及び／
又は所望の補足的イオンの添加のような熱処理により２
００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒径の本発明による粒子
が得られる。補足的イオンは塩の形態で金属塩水溶液に
添加され、この補足的なイオンは例えばＮＨ４Ｆのよう
なアンモニウム塩、ナトリウムメタフォスフェート類の
又は長鎖ポリフォスフェート類の様なようなフォスフェ
ート類とすることができる。このようにして得られた懸
濁液は関連する増粘剤及び／又は分散剤と共に混合す
る。
ダ液の添加のようなアルカリ処理によるリフロー処理に
おける加熱により、或いはアンモニアガスの導入及び／
又は所望の補足的イオンの添加のような熱処理により２
００ｎｍと５００ｎｍとの間の粒径の本発明による粒子
が得られる。補足的イオンは塩の形態で金属塩水溶液に
添加され、この補足的なイオンは例えばＮＨ４Ｆのよう
なアンモニウム塩、ナトリウムメタフォスフェート類の
又は長鎖ポリフォスフェート類の様なようなフォスフェ
ート類とすることができる。このようにして得られた懸
濁液は関連する増粘剤及び／又は分散剤と共に混合す
る。
【００２７】変形例として、例えば２００ｎｍと５００
ｎｍとの間の粒径のＬｉ２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＢａＯ，Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２
Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＧｅＯ２，ＳｎＯ，Ｔｉ
Ｏ２，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２又はＭｇＡｌ２Ｏ４の粒子を
水溶液に直接懸濁し、関連する増粘剤及び／又は分散剤
と共に混合することができる。
ｎｍとの間の粒径のＬｉ２Ｏ，ＭｇＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＢａＯ，Ｂ２Ｏ３，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｙ２
Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＧｅＯ２，ＳｎＯ，Ｔｉ
Ｏ２，ＺｒＯ２，ＨｆＯ２又はＭｇＡｌ２Ｏ４の粒子を
水溶液に直接懸濁し、関連する増粘剤及び／又は分散剤
と共に混合することができる。
【００２８】用いられる粒子が２００ｎｍ以下の平均粒
子直径を有する場合、これらの粒子は制御された態様で
凝集する。このため、当該粒子の粉末を液相に分散し、
この液相は好ましくは水溶液とする。この液相は分散さ
れた粒子のコロイド安定性を制御する添加物も含む。用
いる添加物は、例えば静電的又は立体的分散剤、又はア
ンモニウムハライド、有機アンモニウム塩又は酢酸塩、
クエン酸塩、修酸塩及び硝酸塩のような有機酸塩のよう
な電解質とすることができる。
子直径を有する場合、これらの粒子は制御された態様で
凝集する。このため、当該粒子の粉末を液相に分散し、
この液相は好ましくは水溶液とする。この液相は分散さ
れた粒子のコロイド安定性を制御する添加物も含む。用
いる添加物は、例えば静電的又は立体的分散剤、又はア
ンモニウムハライド、有機アンモニウム塩又は酢酸塩、
クエン酸塩、修酸塩及び硝酸塩のような有機酸塩のよう
な電解質とすることができる。
【００２９】これらの粒子は、ボールミル中での攪拌機
付き又は攪拌機なしでの混合、ディソルバ中での攪拌、
ウルトラトラックス（ultraturrax ）装置，超音波浴又
は超音波ソノトロードにおける剪断による分散により混
合する。分散力により粉末の凝集がこわれ、規定された
凝集サイズが得られる。
付き又は攪拌機なしでの混合、ディソルバ中での攪拌、
ウルトラトラックス（ultraturrax ）装置，超音波浴又
は超音波ソノトロードにおける剪断による分散により混
合する。分散力により粉末の凝集がこわれ、規定された
凝集サイズが得られる。
【００３０】さらに４懸濁液は、当該懸濁液の流動特性
を変成しチキソトロピック性を与える添加物と共に混合
する。この目的のために用いる添加物は、関連する増粘
剤又は全分散コロイダル物質として作用するポリビニル
アルコール，ポリアクリレート誘導体のような少量の有
機可溶性ポリマとすることができる。
を変成しチキソトロピック性を与える添加物と共に混合
する。この目的のために用いる添加物は、関連する増粘
剤又は全分散コロイダル物質として作用するポリビニル
アルコール，ポリアクリレート誘導体のような少量の有
機可溶性ポリマとすることができる。
【００３１】約１０ｎｍの粒径の極めて微細な粒子コロ
イドも用いて凝集を制御すことができ、この水溶液中の
コロイドは用いる粒子の表面電荷とは反対の表面電荷を
呈する
イドも用いて凝集を制御すことができ、この水溶液中の
コロイドは用いる粒子の表面電荷とは反対の表面電荷を
呈する
【００３２】これら種々の方法により得られた懸濁液は
種々の処理により前側プレート１の保護層５上に形成す
ることができる。スピンコーティング、メニスカスコー
ティング、又はブレードコーティングにより連続した層
を形成することができる。構造的な層が望まれる場合、
シルクスクリーンプリンティング又はフレクソ（fiexo
）プリンティングのようなプリント処理を用いること
ができる。
種々の処理により前側プレート１の保護層５上に形成す
ることができる。スピンコーティング、メニスカスコー
ティング、又はブレードコーティングにより連続した層
を形成することができる。構造的な層が望まれる場合、
シルクスクリーンプリンティング又はフレクソ（fiexo
）プリンティングのようなプリント処理を用いること
ができる。
【００３３】このようにして形成した層は、エァーフロ
ー、赤外線放射又はこれらの組合せにより処理して乾燥
することができる。収縮により層中にクラックが生ずる
のを防止するため、乾燥処理は十分にゆっくり行う。こ
の層は加熱による後処理を行って、電解物、分散剤又は
ポリマのような添加物を除去する。これらの添加物は４
５０°Ｃで加熱することにより残留物を生ずることなく
除去される。ある場合においては、６００°Ｃの温度を
用いてポリマを全熱分解する必要がある。用意された懸
濁液が本発明による粒子の前駆物質を含む場合、その変
換も熱処理中に行われる。
ー、赤外線放射又はこれらの組合せにより処理して乾燥
することができる。収縮により層中にクラックが生ずる
のを防止するため、乾燥処理は十分にゆっくり行う。こ
の層は加熱による後処理を行って、電解物、分散剤又は
ポリマのような添加物を除去する。これらの添加物は４
５０°Ｃで加熱することにより残留物を生ずることなく
除去される。ある場合においては、６００°Ｃの温度を
用いてポリマを全熱分解する必要がある。用意された懸
濁液が本発明による粒子の前駆物質を含む場合、その変
換も熱処理中に行われる。
【００３４】次に、例えば赤、緑及び青の３原色のうち
の１つである蛍光層１０で覆われているアドレス電極を
有する後側プレート２及び希ガスの混合体共に前側プレ
ート１を用いてＡＣ画像スクリーンを製造する。
の１つである蛍光層１０で覆われているアドレス電極を
有する後側プレート２及び希ガスの混合体共に前側プレ
ート１を用いてＡＣ画像スクリーンを製造する。
【００３５】好ましくは、プラズマセルがＡＣ電圧によ
り励起され放電電極６，７が誘電体層４により覆われて
いるＡＣプラズマ画像スクリーンにＵＶ光反射層８を用
いる。一方、原理的に、ＵＶ光反射層は、放電電極６，
７が誘電体層４により覆われていないＤＣプラズマ画像
スクリーンにも用いることができる。
り励起され放電電極６，７が誘電体層４により覆われて
いるＡＣプラズマ画像スクリーンにＵＶ光反射層８を用
いる。一方、原理的に、ＵＶ光反射層は、放電電極６，
７が誘電体層４により覆われていないＤＣプラズマ画像
スクリーンにも用いることができる。
【００３６】図２は１０ｎｍと１１０ｎｍとの間の粒子
直径及び３μｍの層厚さを有するＳｉＯ２から成る本発
明によるＵＶ光反射層の反射特性を示す。この層の反射
率の最大値は１７０ｎｍの範囲にある。これは特に有益
である。この理由は、キセノン放電のＵＶ放射の大部分
は１７２ｎｍで放出されるからである。このＵＶ光反射
層の反射率は、可視光に対応する波長域において明らか
に一層低くなっている。
直径及び３μｍの層厚さを有するＳｉＯ２から成る本発
明によるＵＶ光反射層の反射特性を示す。この層の反射
率の最大値は１７０ｎｍの範囲にある。これは特に有益
である。この理由は、キセノン放電のＵＶ放射の大部分
は１７２ｎｍで放出されるからである。このＵＶ光反射
層の反射率は、可視光に対応する波長域において明らか
に一層低くなっている。
【００３７】以下、実際に本発明をいかに実施するかを
例示して本発明を詳細に説明する。
例示して本発明を詳細に説明する。
【００３８】実施例１ ４時間にわたってＮＨ３を導入することにより１００ｍ
ｌのＨ２Ｏに４ｇのＭｇ（ＮＯ３）２ ・６Ｈ２Ｏを溶
解した溶液のｐＨ値を１１．０に設定した。これによ
り、３５０ｎｍの平均粒子直径のコロイダルＭｇ（Ｏ
Ｈ）２ の粒子が形成された。この懸濁液を１０ｍｌの
１０％顔料分散剤溶液及び１０ｍｌの１０％増粘剤溶液
と共に攪拌器のもとで混合した。スピンコーティングに
より前側プレート１の保護層５上にＭｇ（ＯＨ）２ 粒
子の層を形成した。尚、この前側プレートはガラスプレ
ート３、ＰｂＯ含有ガラスの誘電体層４、ＭｇＯの保護
層５、及びＩＴＯから成る２個の放電電極６，７を具え
る。次に、前側プレート１全体を乾燥し、４５０℃で２
時間の後処理を行ない、Ｍｇ（ＯＨ）２ をＭｇＯに変
成した。このＭｇＯのＵＶ光反射層８の層厚は１．５μ
ｍであった。次に、この前側プレート１を用いてプラズ
マ画像スクリーンを組み立てた。このスクリーンは良好
に増強された輝度を示した。
ｌのＨ２Ｏに４ｇのＭｇ（ＮＯ３）２ ・６Ｈ２Ｏを溶
解した溶液のｐＨ値を１１．０に設定した。これによ
り、３５０ｎｍの平均粒子直径のコロイダルＭｇ（Ｏ
Ｈ）２ の粒子が形成された。この懸濁液を１０ｍｌの
１０％顔料分散剤溶液及び１０ｍｌの１０％増粘剤溶液
と共に攪拌器のもとで混合した。スピンコーティングに
より前側プレート１の保護層５上にＭｇ（ＯＨ）２ 粒
子の層を形成した。尚、この前側プレートはガラスプレ
ート３、ＰｂＯ含有ガラスの誘電体層４、ＭｇＯの保護
層５、及びＩＴＯから成る２個の放電電極６，７を具え
る。次に、前側プレート１全体を乾燥し、４５０℃で２
時間の後処理を行ない、Ｍｇ（ＯＨ）２ をＭｇＯに変
成した。このＭｇＯのＵＶ光反射層８の層厚は１．５μ
ｍであった。次に、この前側プレート１を用いてプラズ
マ画像スクリーンを組み立てた。このスクリーンは良好
に増強された輝度を示した。
【００３９】実施例２ ２００ｎｍの平均粒子直径を有するＳｉＯ２粒子の１０
％コロイダル懸濁液１００ｍｌを、１０％顔料分散剤溶
液１０ｍｌと１０％の関連の増粘剤溶液２０ｍｌと共に
混合した。混合物全体も混合した。ＳｉＯ２粒子層を、
スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上
にＵＶ光反射層８として形成した。この前側プレート
は、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５、及び２
個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有
ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放
電電極６，７はＩＴＯで構成した。この前側プレート１
全体を乾燥し、４５０℃で２時間の後処理を行った。こ
のＳｉＯ２のＵＶ光反射層８の層厚は０．５μｍであっ
た。次に、この前側プレート１を用いてプラズマ画像ス
クリーンを組み立て、増強された輝度を示すスクリーン
が得られた。
％コロイダル懸濁液１００ｍｌを、１０％顔料分散剤溶
液１０ｍｌと１０％の関連の増粘剤溶液２０ｍｌと共に
混合した。混合物全体も混合した。ＳｉＯ２粒子層を、
スピンコーティングにより前側プレート１の保護層５上
にＵＶ光反射層８として形成した。この前側プレート
は、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５、及び２
個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有
ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放
電電極６，７はＩＴＯで構成した。この前側プレート１
全体を乾燥し、４５０℃で２時間の後処理を行った。こ
のＳｉＯ２のＵＶ光反射層８の層厚は０．５μｍであっ
た。次に、この前側プレート１を用いてプラズマ画像ス
クリーンを組み立て、増強された輝度を示すスクリーン
が得られた。
【００４０】実施例３ 前もって７０℃に加熱した１５０ｍｌのＨ２Ｏに１０ｇ
のアルミニウムイソプロピレートを添加した。この混合
物をリフロー処理として２時間加熱し、その後０．５ｍ
ｌの氷酢酸を混合した。次に、この混合物をリフロー処
理として１０時間加熱した。３００ｎｍの平均粒径のＡ
ｌ２Ｏ３粒子を含む懸濁液が得られた。１０％の増粘剤
溶液１０ｍｌを添加した後、得られた懸濁液をラフに混
合した。スピンコーティングにより、前側プレート１の
保護層５上にＡｌ２Ｏ３粒子層をＵＶ光反射層８として
形成した。この前側プレートはガラスプレート３、Ｐｂ
Ｏ含有ガラスの誘電体層４、ＭｇＯの保護層５、及び２
個ＩＴＯの放電電極６，７を有している。この前側プレ
ート１全体を乾燥し、４５０℃２時間の後処理を行っ
た。このＡｌ２Ｏ３のＵＶ光反射層８の層厚は０．８μ
ｍであった。この前側プレート１を用いて増強された輝
度を示すプラズマ画像スクリーンを組み立てた。
のアルミニウムイソプロピレートを添加した。この混合
物をリフロー処理として２時間加熱し、その後０．５ｍ
ｌの氷酢酸を混合した。次に、この混合物をリフロー処
理として１０時間加熱した。３００ｎｍの平均粒径のＡ
ｌ２Ｏ３粒子を含む懸濁液が得られた。１０％の増粘剤
溶液１０ｍｌを添加した後、得られた懸濁液をラフに混
合した。スピンコーティングにより、前側プレート１の
保護層５上にＡｌ２Ｏ３粒子層をＵＶ光反射層８として
形成した。この前側プレートはガラスプレート３、Ｐｂ
Ｏ含有ガラスの誘電体層４、ＭｇＯの保護層５、及び２
個ＩＴＯの放電電極６，７を有している。この前側プレ
ート１全体を乾燥し、４５０℃２時間の後処理を行っ
た。このＡｌ２Ｏ３のＵＶ光反射層８の層厚は０．８μ
ｍであった。この前側プレート１を用いて増強された輝
度を示すプラズマ画像スクリーンを組み立てた。
【００４１】実施例４ ４ｇのＭｇ（ＮＯ３ ）２ ・Ｈ２ Ｏと１．２ｇのＮ
Ｈ４ Ｆとを１００ｍｌのＨ２ Ｏに溶解した溶液を２
Ｍの苛性ソーダを添加することにより７．５のｐＨ値に
設定した。このｐＨ値はＮＨ３ を４時間導入すること
により１１．０まで上昇した。平均４００ｎｍの粒子直
径を有するＭＧＦ２ 粒子が形成された。得られた懸濁
液は、１０％の顔料分散剤溶液１０ｍｌ及び１０％の増
粘剤溶液１０ｍｌと混合した。スピンコーティングによ
り前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８として
ＭＧＦ２ 粒子層を形成した。この前側プレートは、ガ
ラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電
電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで
構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極
６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１全体を乾燥
し、４５０°Ｃで２時間後処理を行った。ＭｇＦ２ の
ＵＶ光反射層８の層厚は１．０μｍであった。次に、こ
の前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み
立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
Ｈ４ Ｆとを１００ｍｌのＨ２ Ｏに溶解した溶液を２
Ｍの苛性ソーダを添加することにより７．５のｐＨ値に
設定した。このｐＨ値はＮＨ３ を４時間導入すること
により１１．０まで上昇した。平均４００ｎｍの粒子直
径を有するＭＧＦ２ 粒子が形成された。得られた懸濁
液は、１０％の顔料分散剤溶液１０ｍｌ及び１０％の増
粘剤溶液１０ｍｌと混合した。スピンコーティングによ
り前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反射層８として
ＭＧＦ２ 粒子層を形成した。この前側プレートは、ガ
ラスプレート３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電
電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで
構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極
６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１全体を乾燥
し、４５０°Ｃで２時間後処理を行った。ＭｇＦ２ の
ＵＶ光反射層８の層厚は１．０μｍであった。次に、こ
の前側プレートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み
立て、輝度が増強されたスクリーンが得られた。
【００４２】実施例５ ５０ｍｌのＨ２ Ｏに２．０ｇのＣａ（ＮＯ３ ）２
・４Ｈ２ Ｏに溶解した溶液のｐＨ値を２Ｍの苛性ソー
ダを添加することにより７．５に設定した。この溶液
を、５０ｍｌのＨ２ Ｏに１．７ｇのソーダメタフォス
フェート（グロームス塩）を溶解した溶液中にゆっくり
滴下した。１時間攪拌した後、粒子径が２７０ｎｍから
２９０ｎｍのカルシウムフォスフェート粒子が存在する
懸濁液が得られた。この懸濁液は、１０％の顔料分散剤
溶液１０ｍｌと共に攪拌しながら混合した。スピンコー
ティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反
射層８としてＭＧＦ２ 粒子層を形成した。この前側プ
レートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及
び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ
含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個
の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１
全体を乾燥し、４５０°Ｃで２時間後処理を行った。Ｃ
ａ（ＰＯ４ ）２ のＵＶ光反射層８の層厚は０．７μ
ｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ
画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリー
ンが得られた。
・４Ｈ２ Ｏに溶解した溶液のｐＨ値を２Ｍの苛性ソー
ダを添加することにより７．５に設定した。この溶液
を、５０ｍｌのＨ２ Ｏに１．７ｇのソーダメタフォス
フェート（グロームス塩）を溶解した溶液中にゆっくり
滴下した。１時間攪拌した後、粒子径が２７０ｎｍから
２９０ｎｍのカルシウムフォスフェート粒子が存在する
懸濁液が得られた。この懸濁液は、１０％の顔料分散剤
溶液１０ｍｌと共に攪拌しながら混合した。スピンコー
ティングにより前側プレート１の保護層５上にＵＶ光反
射層８としてＭＧＦ２ 粒子層を形成した。この前側プ
レートは、ガラスプレート３、誘電体層４、保護層５及
び２個の放電電極６，７を具える。誘電体層４はＰｂＯ
含有ガラスで構成し、保護層５はＭｇＯで構成し、２個
の放電電極６，７はＩＴＯで構成した。前側プレート１
全体を乾燥し、４５０°Ｃで２時間後処理を行った。Ｃ
ａ（ＰＯ４ ）２ のＵＶ光反射層８の層厚は０．７μ
ｍであった。次に、この前側プレートを用いてプラズマ
画像スクリーンを組み立て、輝度が増強されたスクリー
ンが得られた。
【００４３】実施例６ 火炎熱分解により用意され、２００ｎｍ又はそれ以下の
粒子径を有する１５０ｇのＡｌ２ Ｏ３ を、５００ｍ
ｌの蒸留水に溶解した０．００５モルの酢酸アンモニウ
ム溶液中で攪拌機を用いて攪拌した。上述したものから
得られた懸濁液を超音波ソノトロードで１５分間処理し
た。この懸濁液に、４．７％のポリビニルアルコールの
水溶液２５ｍｌを攪拌しながら混合した。次に、この懸
濁液を濾過した。
粒子径を有する１５０ｇのＡｌ２ Ｏ３ を、５００ｍ
ｌの蒸留水に溶解した０．００５モルの酢酸アンモニウ
ム溶液中で攪拌機を用いて攪拌した。上述したものから
得られた懸濁液を超音波ソノトロードで１５分間処理し
た。この懸濁液に、４．７％のポリビニルアルコールの
水溶液２５ｍｌを攪拌しながら混合した。次に、この懸
濁液を濾過した。
【００４４】スピンコーティングにより前側プレート１
の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＡｌ２ Ｏ３ 粒
子の層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレー
ト３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７
を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保
護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴ
Ｏで構成した。前側プレート１を乾燥し、４５０°Ｃで
２時間の熱後処理を行った。Ａｌ２ Ｏ３ のＵＶ光反
射層８の層厚は２．０μｍであった。次に、この前側プ
レートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝
度が増強されたスクリーンが得られた。
の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＡｌ２ Ｏ３ 粒
子の層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレー
ト３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７
を具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保
護層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴ
Ｏで構成した。前側プレート１を乾燥し、４５０°Ｃで
２時間の熱後処理を行った。Ａｌ２ Ｏ３ のＵＶ光反
射層８の層厚は２．０μｍであった。次に、この前側プ
レートを用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝
度が増強されたスクリーンが得られた。
【００４５】実施例７ ４００ｇの蒸留水に２１．４ｍｇの塩化アンモニウムを
溶解した溶液を室温で攪拌し、１０ｎｍと１００ｎｍと
の間の粒子径を有する２００ｇの発熱性の珪酸とゆっく
り混合した。この添加が終了した後、得られた懸濁液を
超音波浴に６０分間配置し、その間に連続的に攪拌し
た。攪拌の後、この懸濁液に、アンモニアガスにより
９．５のｐＨ値に設定された関連する増粘剤の１％の水
溶性ポリマ溶液５．０ｍｌ混合した。このようにして得
られた懸濁液を濾過した。
溶解した溶液を室温で攪拌し、１０ｎｍと１００ｎｍと
の間の粒子径を有する２００ｇの発熱性の珪酸とゆっく
り混合した。この添加が終了した後、得られた懸濁液を
超音波浴に６０分間配置し、その間に連続的に攪拌し
た。攪拌の後、この懸濁液に、アンモニアガスにより
９．５のｐＨ値に設定された関連する増粘剤の１％の水
溶性ポリマ溶液５．０ｍｌ混合した。このようにして得
られた懸濁液を濾過した。
【００４６】スピンコーティングにより前側プレート１
の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＳｉＯ２ 粒子の
層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート
３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を
具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護
層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯ
で構成した。前側プレート１を乾燥し、４５０°Ｃで２
時間の熱後処理を行った。ＳｉＯ２ のＵＶ光反射層８
の層厚は３．０μｍであった。次に、この前側プレート
を用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増
強されたスクリーンが得られた。
の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＳｉＯ２ 粒子の
層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート
３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を
具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護
層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯ
で構成した。前側プレート１を乾燥し、４５０°Ｃで２
時間の熱後処理を行った。ＳｉＯ２ のＵＶ光反射層８
の層厚は３．０μｍであった。次に、この前側プレート
を用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増
強されたスクリーンが得られた。
【００４７】さらに、この懸濁液をスピンコーティング
により清浄にされた石英プレート上にコートした。乾燥
炉内で乾燥し４５０°Ｃの空気中で後処理した後、３．
０μｍの膜厚の透明なＳｉＯ２ 層が得られた。このＳ
ｉＯ２ 層の反射率を１００ｎｍから６００ｎｍの波長
の関数として図２に示す。
により清浄にされた石英プレート上にコートした。乾燥
炉内で乾燥し４５０°Ｃの空気中で後処理した後、３．
０μｍの膜厚の透明なＳｉＯ２ 層が得られた。このＳ
ｉＯ２ 層の反射率を１００ｎｍから６００ｎｍの波長
の関数として図２に示す。
【００４８】実施例８ 蒸留水中の０．００３モルのフッ化アンモニア２５０ｇ
の溶液を室温で攪拌機を用いて攪拌し、１００ｇの２０
ｎｍの粒子径のアモルファスＳｉＯ２ をゆっくり混合
した。この添加が終了した後、得られた懸濁液を超音波
攪拌ロッドを用いて１０分間処理した。攪拌中、この懸
濁液に粒子径が１０ｎｍと２０ｎｍとの間の十分に分散
した発熱性珪酸の１０％水溶液を５０ｍｌ混合した。こ
の攪拌中に当該懸濁液に３３ｇのポリアクリルアミドの
水溶液を添加した。次に、得られた懸濁液を濾過した。
の溶液を室温で攪拌機を用いて攪拌し、１００ｇの２０
ｎｍの粒子径のアモルファスＳｉＯ２ をゆっくり混合
した。この添加が終了した後、得られた懸濁液を超音波
攪拌ロッドを用いて１０分間処理した。攪拌中、この懸
濁液に粒子径が１０ｎｍと２０ｎｍとの間の十分に分散
した発熱性珪酸の１０％水溶液を５０ｍｌ混合した。こ
の攪拌中に当該懸濁液に３３ｇのポリアクリルアミドの
水溶液を添加した。次に、得られた懸濁液を濾過した。
【００４９】スピンコーティングにより前側プレート１
の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＳｉＯ２ 粒子の
層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート
３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を
具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護
層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯ
で構成した。前側プレート１を乾燥し、４９０°Ｃで２
時間の熱後処理を行った。ＳｉＯ２ のＵＶ光反射層８
の層厚は２．５μｍであった。次に、この前側プレート
を用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増
強されたスクリーンが得られた。
の保護層５上にＵＶ光反射層８としてＳｉＯ２ 粒子の
層を形成した。この前側プレートは、ガラスプレート
３、誘電体層４、保護層５及び２個の放電電極６，７を
具える。誘電体層４はＰｂＯ含有ガラスで構成し、保護
層５はＭｇＯで構成し、２個の放電電極６，７はＩＴＯ
で構成した。前側プレート１を乾燥し、４９０°Ｃで２
時間の熱後処理を行った。ＳｉＯ２ のＵＶ光反射層８
の層厚は２．５μｍであった。次に、この前側プレート
を用いてプラズマ画像スクリーンを組み立て、輝度が増
強されたスクリーンが得られた。
【図１】単一プレートセルの構造及び動作原理を示す線
図である。
図である。
【図２】本発明によるＵＶ光反射層の反射特性を示すグ
ラフである。
ラフである。
１ 前側プレート ２ 後側プレート ３ ガラスプレート ４ 誘電体層 ５ 保護層 ６ 放電電極 ７ 放電電極 ８ ＵＶ光反射層 １０ 蛍光層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ (72)発明者 ヴォルフガング ビュッセルト ドイツ国 52159 ルートゲン イェーガ ースプファート ３ (72)発明者 ハラルト グレーザー ドイツ国 52064 アーヘン マリア テ レシア アレー 89 (72)発明者 クラウス フェルトマン ドイツ国 52066 アーヘン ハウプトシ ュトラーセ 59
Claims (7)
- 【請求項１】 ガラスプレートを有し、このガラスプレ
ートに誘電体層及び保護層が形成されている前側プレー
トと、後側プレートと、前記前プレートと後側との間に
形成される共に隔壁により分離されているガス充填プラ
ズマセルと、前記前側プレート及び後側プレートに設け
られ、コロナ放電を発生する複数の電極とを具えるプラ
ズマ画像スクリーンにおいて、前記保護層にＵＶ光反射
層が形成されていることを特徴とするプラズマ画像スク
リーン。 - 【請求項２】 前記ＵＶ光反射層が、ＬｉＯのような組
成Ｍ２Ｏの酸化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及びＰ
ａのグループから選択した場合の組成ＭＯの酸化物、又
はＭをＢ，Ａｌ，Ｓｃ，ＹおよびＬａのグループから選
択した場合の組成Ｍ２Ｏ３の酸化物、又はＭをＳｉ，Ｇ
ｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ，及びＨｆのグループから選択し
た場合の組成Ｍ２Ｏの酸化物、Ｍ’をＭｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，及びＢａのグループから選択し、Ｍ”をＡｌ，Ｓ
ｃ，ＹおよびＬａのグループから選択した場合の組成
Ｍ’Ｍ”２Ｏ４の酸化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒ
ｂ，Ｃｓ及びＡｇのグループから選択した場合の組成Ｍ
Ｆのフッ化物、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓ
ｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及びＰｂのグループから選択した場合
の組成ＭＦ２のフッ化物、又はＭをＬａ，Ｐｒ，Ｓｍ，
Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕから選択した場合の組成Ｍ
Ｆ３のフッ化物、又はＭ’をＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，及
びＣｓのグループから選択し、Ｍ”をＭｇ，Ｃａ，Ｓ
ｒ，及びＢａのグループから選択した場合の組成Ｍ’
Ｍ”Ｆ３のフッ化物、又はＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，
及びＣｓのグループから選択した場合の組成Ｍ３Ｐ０４
のフォスフェート類、又はＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，及び
Ｂａのグループから選択した場合に組成Ｍ３（ＰＯ４）
２のフォスフェート類、又はＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌ
ａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグルー
プから選択した場合の組成ＭＰＯ４のフォスフェート
類、又はＭをＴｉ，Ｚｒ，及びＨＦのグループから選択
した場合の組成Ｍ３（ＰＯ４）４のフォスフェート類、
又は３と９との間の鎖長Ｍを有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，
Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合にｘ＝
１とし、ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，及びＰｂのグループから選択した場合にｘ＝１／２
とし、ＭをＡｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，
Ｇｄ，Ｙｂ，及びＬｕのグループから選択した場合にｘ
＝１／３とし、ＭをＴｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループか
ら選択した場合にＸ＝１／４とした場合に、組成（ＭＸ
ＰＯ３）nを有するメタフォスフェート類、又は１０１
と１０６との間の鎖長を有し、ＭをＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒ
ｂ，及びＣｓのグループから選択した場合Ｘ＝１とし、
ＭをＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ｚｎ，及び
Ｐｂのグループから選択した場合ｘ＝１／２とし、Ｍを
Ａｌ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｙ
ｂ，及びＬｕのグループから選択した場合にｘ＝１／３
とし、ＭをＴｉ，Ｈｆ，及びＺｒのグループから選択し
た場合にｘ＝１／４とした場合に組成（ＭＸＰＯ３）n
を有するポリフォスフェート類、又は、ＭをＬｉ，Ｎ
ａ，Ｋ，Ｒｂ，及びＣｓのグループから選択した場合に
組成ＭＨ２ＰＯ４の１次フォスフェート類、又はＮＨ４
Ｈ２ＰＯ４、又はダイヤモンドを含むことを特徴とする
請求項１に記載のプラズマ画像スクリーン。 - 【請求項３】 前記ＵＶ光反射層が、２００ｎｍと５０
０ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子を含むことを特徴
とする請求項１に記載のプラズマ画像スクリーン。 - 【請求項４】 前記ＵＶ光反射層が、０．５μｍから５
μｍの厚さを有することを特徴とする請求項３に記載の
プラズマ画像スクリーン。 - 【請求項５】 前記ＵＶ光反射層が、１０ｎｍと２００
ｎｍとの間の粒子直径を有する粒子の凝集を塊含むこと
を特徴とする請求項１に記載のプラズマ画像スクリー
ン。 - 【請求項６】 前記ＵＶ光反射層が、０．２μｍから１
０μｍの厚さを有することを特徴とする請求項５に記載
のプラズマ画像スクリーン。 - 【請求項７】 前記ＵＶ光反射層が、前記保護層を部分
的に又は完全に覆うことを特徴とする請求項１に記載の
プラズマ画像スクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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| DE19944202A DE19944202A1 (de) | 1999-09-15 | 1999-09-15 | Plasmabildschirm mit UV-Licht reflektierender Frontplattenbeschichtung |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001118511A true JP2001118511A (ja) | 2001-04-27 |
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Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000279626A Expired - Fee Related JP4808307B2 (ja) | 1999-09-15 | 2000-09-14 | プラズマ画像スクリーン |
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|---|---|
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| EP (1) | EP1085554B1 (ja) |
| JP (1) | JP4808307B2 (ja) |
| KR (1) | KR20010030389A (ja) |
| DE (2) | DE19944202A1 (ja) |
| TW (1) | TW472274B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2007141483A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
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| WO2009066424A1 (ja) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Panasonic Corporation | プラズマディスプレイパネル |
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