JP5332874B2 - 希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置 - Google Patents

希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置 Download PDF

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本発明は、希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置に係り、特に、発光輝度が高く色純度の良い希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置に関する。
希土類燐バナジン酸塩蛍光体などの真空紫外線励起蛍光体は、プラズマディスプレイ(以下PDPとする)表示装置、希ガス放電ランプ等の発光デバイス(真空紫外線励起発光装置)に用いられている。PDPは、図1及び図2に示すように、2枚のガラス板に挟まれた密閉ガス空間を隔壁で区切り、表示セル(放電セル)と呼ばれる微小な放電空間をマトリックス状に配置したものであり、各表示セルには赤、青、緑に発光する蛍光体が塗布されており、放電で発生する真空紫外線で励起され発光する。また、希ガス放電ランプは、ガラス管内壁に赤、青、緑に発光する蛍光体を混合した3色混合蛍光体が塗布されており、希ガス放電によって発生する真空紫外線で励起され発光する。
このような発光デバイスの赤色発光蛍光体として、YBO:Eu等の希土類ホウ酸塩蛍光体やY(P,V)O:Eu等の希土類燐バナジン酸塩蛍光体などが用いられているが、さらなる発光輝度の向上が求められている。例えば、希土類燐バナジン酸塩蛍光体について特公昭57−352号公報などに開示されているが、発光輝度が十分でなく改良が必要であった。
特公昭57−352号公報
一方、PDP表示装置においては、パネル輝度だけでなく色再現範囲の拡大も要求されるため、使用する蛍光体には発光輝度だけでなく色純度の向上が求められる。上記赤色発光蛍光体のうち、希土類燐バナジン酸塩蛍光体は、希土類ホウ酸塩蛍光体に比べて、PDP表示装置のカラーフィルター(図7参照)で吸収させる593nm付近の発光成分が少ないため色純度が良いものの、さらなる色純度の向上が求められている。そのためには、希土類燐バナジン酸塩蛍光体の593nm付近にある発光ピーク強度をできるだけ小さくする必要がある。従って、発光輝度が高く色純度の良い希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得るためには、619nm付近にある主発光ピーク強度をできるだけ大きくし、593nm付近にある発光ピーク強度をできるだけ小さくする必要がある。
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、発光輝度が高く色純度の良い希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を提供することである。
上記目的を達成するために本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、特定の組成を有する希土類燐バナジン酸塩蛍光体は発光輝度が高く色純度が良いことを新たに見いだし本発明を完成させるに至った。
(1)本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体は、一般式が次式で表されることを特徴とする。
(Ln1−aEu)(P1−b―c)O・dA
(但し、LnはY、Gd、La及びLuから選択される少なくとも1種の元素、MはGe、Pb、Ga及びBiから選択される少なくとも1種の元素、AはLi、Na及びKから選択される少なくとも1種の元素、0.005≦a≦0.2、0.1≦b≦0.5、0<c≦0.1、0≦d≦0.0005)
(2)本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体は、(1)に記載の希土類燐バナジン酸塩蛍光体であって、前記蛍光体の平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であることを特徴とする。
(3)本発明の真空紫外線励起発光装置は、(1)又は(2)に記載の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を具備することを特徴とする。
(4)本発明のプラズマディスプレイ表示装置は、所定距離離間して略平行に位置する前面基板及び背面基板と、前記前面基板及び背面基板により放電空間を形成する複数個の隔壁と、該隔壁間に形成されるアドレス電極と、該アドレス電極と対向し交差する複数の表示電極と、前記アドレス電極と前記表示電極の交差点に形成される複数個の放電セルと、該放電セル内面の少なくとも一部に形成される蛍光体層と、前記前面基板と背面基板間の放電空間に密封されてなる放電気体とを含むプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ表示装置であって、前記蛍光体層は(1)又は(2)に記載の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を有する蛍光体層であることを特徴とする。
本発明の蛍光体は、発光輝度が高く色純度の良い希土類燐バナジン酸塩蛍光体であり、本発明の蛍光体を用いることによって、パネル輝度が高く色再現範囲の広いPDP表示装置を提供することができる。
PDPの模式図である。 PDPの断面図である。 本発明の蛍光体の発光輝度(%)とc値との関係を示す図である。 本発明の蛍光体の(593nm/619nm)ピーク強度比とc値との関係を示す図である。 本発明の蛍光体の発光輝度(%)とd値との関係を示す図である。 比較例1の蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 カラーフィルターの反射スペクトルを示す図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を例示するものであって、本発明は希土類燐バナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を以下のものに特定しない。
ここで、本発明の一実施の形態に係る希土類燐バナジン酸塩蛍光体について詳細に説明する。蛍光体原料として、イットリウム、ガドリニウム、ランタン及びルテチウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物と、ユウロピウム化合物と、リン化合物と、バナジウム化合物と、ゲルマニウム、鉛、ガリウム及びビスマスから選択される少なくとも1種の元素の化合物と、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物を所定の割合で混合し、原料混合物を得る。この原料混合物をルツボに充填後、炉内に入れ、大気中1000〜1600℃で焼成する。冷却後、焼成品を湿式で分散処理した後、分離乾燥して本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。
イットリウム、ガドリニウム、ランタン及びルテチウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物と、ユウロピウム化合物と、ゲルマニウム、鉛、ガリウム及びビスマスから選択される少なくとも1種の元素の化合物については、酸化物又は熱分解により酸化物となる化合物が好ましく用いられる。例えば、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シュウ酸塩などの高温で分解し酸化物となる化合物が好ましい。また、これらの元素を含む共沈物やこれを仮焼して得られる酸化物を用いることもできる。リン化合物とバナジウム化合物については、酸化物、リン酸塩、バナジン酸塩などが好ましく、例えば、リン酸、リン酸アンモニウム、五酸化バナジウム、バナジン酸アンモニウムなどの化合物が好ましく用いられる。リチウム、ナトリウム及びカリウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物については、これらのアルカリ金属の炭酸塩、硝酸塩、ハロゲン化物などが好ましく、例えば、炭酸カリウム、塩化カリウム、フッ化カリウムなどの化合物が好ましい。
原料のうち、イットリウム、ガドリニウム、ランタン及びルテチウムから選択される少なくとも1種の元素化合物と、ユウロピウム化合物と、ゲルマニウム、鉛、ガリウム及びビスマスから選択される少なくとも1種の元素の化合物と、リン化合物と、バナジウム化合物については、下記一般式で表される割合で混合するが、リチウム、ナトリウム及びカリウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物については、融点が蛍光体の焼成温度よりも低く、焼成時に一部蒸発するため、下記一般式で表される割合よりも過剰に添加し混合する。このアルカリ金属化合物の添加量は、蛍光体1molに対してアルカリ金属として0.001〜0.05mol(0.1〜5mol%)の範囲が好ましい。
上記割合で原料をボールミル、V型混合機などを用いて混合した後、アルミナ、石英、炭化珪素などのルツボに充填し、大気中1000〜1600℃で2〜12時間焼成することが好ましい。焼成温度が1000℃より低いと反応が進まず、1600℃より高いと焼結が過剰に進んで分散処理が困難となる。焼成温度は1200〜1600℃の範囲がより好ましく、1300〜1500℃の範囲がさらに好ましい。
このようにして、一般式が次式で表される本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得ることができる。
(Ln1−aEu)(P1−b―c)O・dA
(但し、LnはY、Gd、La及びLuから選択される少なくとも1種の元素、MはGe、Pb、Ga及びBiから選択される少なくとも1種の元素、AはLi、Na及びKから選択される少なくとも1種の元素、0.005≦a≦0.2、0.1≦b≦0.5、0<c≦0.1、0≦d≦0.0005)
この一般式において、Eu量のa値は、0.005≦a≦0.2の範囲が好ましい。a値が0.005より小さいと蛍光体の発光輝度が低く、また、a値が0.2より大きくても濃度消光により発光輝度が低下する。0.01≦a≦0.1の範囲がより好ましい。V量のb値は、0.1≦b≦0.5の範囲が好ましく、0.2≦b≦0.4の範囲がより好ましい。b値がこの範囲において蛍光体の発光輝度が高くなる。M量のc値は0<c≦0.01の範囲が好ましく、0.0001≦c≦0.005の範囲がより好ましく、0.001≦c≦0.004の範囲がさらに好ましい。c値がこの範囲において、蛍光体の619nm付近にある主発光ピーク強度が大きくなり、593nm付近にある発光ピーク強度が小さくなって、発光輝度と色純度が向上する。A量のd値は、0≦d≦0.0005が好ましく、0<d≦0.0004の範囲がより好ましく、0.000001≦d≦0.0003の範囲がさらに好ましい。d値がこの範囲において、蛍光体の619nm付近にある主発光ピーク強度と697nm付近にある発光ピーク強度が大きくなり、発光輝度が向上する。
本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体は、粒子形状が多面体であって、平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であり、且つ分散度が0.35〜0.80の範囲にある。ここで、平均粒径は空気透過法によるフィッシャー・サブ・シーブ・サイザー(F.S.S.S)を用いて測定した値であり、一次粒子の大きさを示す。中央粒径は電気抵抗法のコールターマルチサイザーII(コールター社製)を用いて測定し、50%粒子径(体積基準)を示す。この場合、粒子が強く凝集していると一次粒子にまで分散させることは難しく、凝集した二次粒子が測定にかかる。
平均粒径は0.5〜6.0μmの範囲が好ましく、1.0〜3.5μmの範囲がより好ましい。平均粒径が0.5μmより小さくても、逆に、6.0μmより大きくても、真空紫外線励起発光装置に用いた場合、発光特性が低下する。平均粒径が0.5μmより小さいと蛍光体の発光効率が低く、6.0μmより大きいと蛍光体粒子の表面積が小さくなって真空紫外線励起による発光輝度が低下することによる。真空紫外線が到達するのは粒子表面から浅く、ほとんど粒子表面で励起され発光するため、平均粒径が6.0μmより大きくなって蛍光体粒子の表面積が小さくなると発光輝度が低下してしまう。また、平均粒径が6.0μmより大きいと、塗布特性も低下する。中央粒径は2.0〜10.0μmの範囲が好ましく、3.0〜6.0μmの範囲がより好ましい。中央粒径が10.0μmより大きいと、塗布特性が悪くなる。
次に、本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を用いて真空紫外線励起発光装置として面放電型PDPを作製する。先ず、背面基板にストライプ状の電極を形成し、この電極群に直交する方向にストライプ状の電極を形成し、この上に絶縁膜とMgOを形成する。さらに、対向基板上に本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を形成する。この2枚の基板は約100μmのギャップを持たせて組み合わせる。このギャップ内に、放電によって真空紫外線を放射するHeとXeの混合ガスやNeとXeの混合ガスなどを670hPa程度封入して、面放電型PDPを得る。
図3に、本発明の実施の形態に係る(Y0.920Eu0.080)(P0.670−c0.330Ge)O蛍光体について、発光輝度(%)とc値との関係を示した。蛍光体の製造は、NHVO量及びGeO量を変えて比較例1と同様に行う。ここで、発光輝度(%)は、ウシオ電機製146nmKrエキシマ光照射装置(H0012型)を用いて蛍光体に146nm真空紫外(VUV)線を照射し、ミノルタ製分光放射輝度計(CS−1000)を用いて測定したものであり、比較例10の蛍光体の発光輝度を100%としたときの相対値である。この図から、発光輝度はc値の増加とともに高くなるが、0.0001≦c≦0.005の範囲で高く、0.001≦c≦0.004の範囲でより高くなっていることがわかる。
図4に、上記蛍光体について、(593nm/619nm)ピーク強度比とc値との関係を示した。この図から、(593nm/619nm)ピーク強度比はc値が0.0001≦c≦0.005の範囲で小さく、0.001≦c≦0.004の範囲でさらに小さくなっており、この範囲で発光輝度と色純度が向上することがわかる。
図5に、本発明の実施の形態に係る(Y0.920Eu0.080)(P0.6670.330Ge0.002)O・dKO蛍光体について、発光輝度(%)とd値との 関係を示した。蛍光体の製造は、KCO量を変えて実施例と同様に行う。ここで、発光輝度(%)の測定は上記と同様に行い、蛍光体中のK量は原子吸光分析法により分析する。この図から、発光輝度はd値が0≦d≦0.0005の範囲で高く、0<d≦0.0004の範囲でより高くなり、0.000001≦d≦0.0003の範囲でさらに高くなっていることがわかる。
図5では蛍光体中にK元素を含む場合について説明したが、Li元素やNa元素を含む場合も同様な効果がある。ただし、K>Na>Liの順に効果があり、K元素を含む場合は最も効果が大きい。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみに限定されるものではないことは言うまでもない。
比較例1]
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.667mol、NHVO0.330mol、及びGeO0.003molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.6670.330Ge0.003)O蛍光体で表される希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は2.5μm、中央粒径は5.2μmである。また、この蛍光体を146nm真空紫外線で励起したときの発光スペクトルを図6に示す。この図から、波長619nmに主発光ピークがあり、593nm、697nmなどに発光ピークがあることがわかる。
比較例2〜4]
原料を表1の割合で混合する以外は比較例1と同様に行い、一般式のa〜d値が表2の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。
[実施例
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.667mol、NHVO0.330mol、GeO0.003mol、及びKCO0.003molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.6670.330Ge0.003)O・0.00006KO蛍光体で表される本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は2.4μm、中央粒径は5.2μmである。
[実施例2〜3
原料を表1の割合で混合する以外は実施例と同様に行い、一般式のa〜d値が表2の本発明の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。
比較例5
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.6694mol、NHVO0.330mol、及びPbO0.0006molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.66940.330Pb0.0006)O蛍光体で表される希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は2.2μm、中央粒径は4.6μmである。
比較例6
原料を表1の割合で混合する以外は比較例5と同様に行い、一般式のa〜d値が表2の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。
比較例7
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.668mol、NHVO0.330mol、及びGa0.001molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.6680.330Ga0.002)O蛍光体で表される希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は2.4μm、中央粒径は5.6μmである。
比較例8
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.668mol、NHVO0.330mol、及びBi0.001molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.6680.330Bi0.002)O蛍光体で表される希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は2.4μm、中央粒径は4.9μmである。
[比較例
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.670mol、及びNHVO0.330molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.6700.330)O蛍光体で表される希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は1.8μm、中央粒径は4.9μmである。
[比較例11
原料としてY0.460mol、Eu0.040mol、(NHHPO0.670mol、NHVO0.330mol、及びKCO0.003molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で4時間焼成する。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.920Eu0.080)(P0.6700.330)O・0.00006KO蛍光体で表される希土類燐バナジン酸塩蛍光体を得る。蛍光体の平均粒径は1.8μm、中央粒径は4.7μmである。
Figure 0005332874
Figure 0005332874
実施例1〜及び比較例1〜11で得られる希土類燐バナジン酸塩蛍光体について、ウシオ電機製146nmKrエキシマ光照射装置(H0012型)を用いて蛍光体に146nm真空紫外(VUV)線を照射し、ミノルタ製分光放射輝度計(CS−1000)を用いて発光輝度を測定し、比較例10の蛍光体の発光輝度を100%としたときの相対値を求める。同様に、各蛍光体について波長593nm、619nmの発光ピーク強度を測定し、比較例10の蛍光体の619nm発光ピーク強度を100%としたときの相対値を求め、表2に示す。
表2の実施例1〜と比較例10のデータを比較すると、Ge、Pb、Ga又はBiの元素を導入することによって、発光輝度が高く、(593nm/619nm)ピーク強度比が小さくなっており、発光輝度と色純度が向上することがわかる。また、実施例1〜3のデータから、これらの元素に加えてK元素を導入することで、さらに発光輝度と色純度が向上することがわかる。
このように、本発明の実施例の蛍光体は比較例の蛍光体に比べて発光輝度と色純度が向上しており、本発明によって従来よりも発光輝度が高く色純度の良い希土類燐バナジン酸塩蛍光体が得られることがわかる。
本発明の蛍光体を用いることによって、パネル輝度が高く色再現範囲の広いPDP表示装置を提供することができる。また、希ガス放電ランプ等の発光デバイス(真空紫外線励起発光装置)に用いることによって、発光特性の優れた発光デバイスの提供が可能となる。
11:前面ガラス基板
12:背面ガラス基板
13:表示電極
14:アドレス電極
15:誘電体層
16:保護層
17:誘電体層
18:隔壁
19:蛍光体層
20:放電空間

Claims (4)

  1. 一般式が次式で表されることを特徴とする希土類燐バナジン酸塩蛍光体。
    (Ln1−aEu)(P1−b―c)O・dA
    (但し、LnはY、Gd、La及びLuから選択される少なくとも1種の元素、MはGe、Pb、Ga及びBiから選択される少なくとも1種の元素、AはLi、Na及びKから選択される少なくとも1種の元素、0.005≦a≦0.2、0.1≦b≦0.5、0.0001≦c≦0.005、0.000001≦d≦0.000
  2. 前記蛍光体の平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の希土類燐バナジン酸塩蛍光体。
  3. 請求項1又は2に記載の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を具備することを特徴とする真空紫外線励起発光装置。
  4. 所定距離離間して略平行に位置する前面基板及び背面基板と、前記前面基板及び背面基板により放電空間を形成する複数個の隔壁と、該隔壁間に形成されるアドレス電極と、該アドレス電極と対向し交差する複数の表示電極と、前記アドレス電極と前記表示電極の交差点に形成される複数個の放電セルと、該放電セル内面の少なくとも一部に形成される蛍光体層と、前記前面基板と背面基板間の放電空間に密封されてなる放電気体とを含むプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ表示装置であって、前記蛍光体層は請求項1又は2に記載の希土類燐バナジン酸塩蛍光体を有する蛍光体層であることを特徴とするプラズマディスプレイ表示装置。
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