JP2009120681A - 希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置 - Google Patents

希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置 Download PDF

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Abstract

【課題】発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好な希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を提供する。
【解決手段】Y、La、Gd及びLuからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素と、Euと、P及びVからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素と、Oを基本構成元素とする希土類リンバナジン酸塩蛍光体であって、蛍光体粒子表面に少なくとも1種以上のケイ酸塩を含む表面処理物質が被覆されている希土類リンバナジン酸塩蛍光体は、発光輝度が高く、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好であることから、プラズマディスプレイ、高負荷蛍光ランプ、希ガス放電ランプ等の発光デバイス(真空紫外線励起発光装置)に用いることによって、発光特性及び塗布特性の優れた発光デバイスの提供が可能となる。
【選択図】図3

Description

本発明は、希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置に係り、特に、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好な希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置に関する。
希土類リンバナジン酸塩蛍光体などの真空紫外線励起蛍光体は、プラズマディスプレイ(以下PDPとする)表示装置、希ガス放電ランプ等の発光デバイス(真空紫外線励起発光装置)に用いられている。PDPは、図1及び図2に示すように、2枚のガラス板に挟まれた密閉ガス空間を隔壁で区切り、表示セル(放電セル)と呼ばれる微小な放電空間をマトリックス状に配置したものであり、各表示セルには赤、青、緑に発光する蛍光体が塗布されており、放電で発生する真空紫外線で励起され発光する。また、希ガス放電ランプは、ガラス管内壁に赤、青、緑に発光する蛍光体を混合した3色混合蛍光体が塗布されており、希ガス放電によって発生する真空紫外線で励起され発光する。
このような発光デバイスに用いられている真空紫外線励起蛍光体には、さらなる発光輝度の向上が求められている。また、このような発光デバイスは放電空間の近傍に蛍光体層を有しており、蛍光体と有機バインダーを混合した塗布組成物を調製し、所定の部位にスラリー法、印刷法等により塗布し乾燥した後、有機バインダーを揮散させるために空気中、400℃〜600℃の温度でベーキングすることにより形成されるが、このベーキング工程において発光輝度の低下の少ない蛍光体、すなわちペーストベーキング輝度維持率の良い蛍光体が求められている。また、蛍光体と有機バインダーを混合した組成物を塗布する際、蛍光体の凝集が強いと塗布特性が低下し発光効率が低下するため、分散性の良い蛍光体が求められている。
このような発光デバイスに用いられる希土類リンバナジン酸塩蛍光体については、特公昭57−352号公報などに開示されているが、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が十分でなく改良が必要である。
特公昭57−352号公報
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものである。本発明の目的は、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好な希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を提供することである。
上記目的を達成するために本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、ケイ酸塩を含む表面処理物質で被覆した希土類リンバナジン酸塩蛍光体は発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好であることを新たに見いだし本発明を完成させるに至った。
即ち、本発明は下記の希土類リンバナジン酸塩蛍光体に関する。
1.Y、La、Gd及びLuからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素と、Euと、P及びVからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素と、Oを基本構成元素とする希土類リンバナジン酸塩蛍光体であって、蛍光体粒子表面に少なくとも1種のケイ酸塩を含む表面処理物質が被覆されていることを特徴とする希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
2.前記ケイ酸塩は、希土類元素、アルカリ土類金属、Zn、Al、Ga、Zr及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含むケイ酸塩である、上記項1に記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
3.前記ケイ酸塩は、Y、La及びGdからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含むケイ酸塩である、上記項2に記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
4.前記ケイ酸塩は、Mg、Ca及びSrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含むケイ酸塩である、上記項2に記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
5.前記ケイ酸塩を含む表面処理物質の被覆量は、蛍光体100重量部に対しSiO量に換算して0.001〜0.15重量部の範囲である、上記項1〜4のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
6.前記蛍光体は、一般式が次式で表される、上記項1〜5のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体:
(Ln1−aEu)(V1−b(3+5c)/2
(但し、LnはY、Gd、La及びLuから選択される少なくとも1種の元素、0.005≦a≦0.2、0≦b<1、0.9≦c≦1)。
7.前記蛍光体の平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であり、且つ分散度が0.45〜0.80の範囲である、上記項1〜6のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
8.上記項1〜7のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を具備する真空紫外線励起発光装置。
9.所定距離離間して略平行に位置する前面基板及び背面基板と、前記前面基板及び背面基板により放電空間を形成する複数個の隔壁と、該隔壁間に形成されるアドレス電極と、該アドレス電極と対向し交差する複数の表示電極と、前記アドレス電極と前記表示電極の交差点に形成される複数個の放電セルと、該放電セル内面の少なくとも一部に形成される蛍光体層と、前記前面基板と背面基板間の放電空間に密封されてなる放電気体とを含むプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ表示装置であって、前記蛍光体層は上記項1〜7のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を有する蛍光体層であることを特徴とするプラズマディスプレイ表示装置。
本発明の蛍光体は、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好な希土類リンバナジン酸塩蛍光体である。本発明の蛍光体を用いることによって、発光特性及び塗布特性の優れた真空紫外線励起発光装置を提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。ただし、以下に示す実施の形態は、本発明の技術思想を具体化するための希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を例示するものであって、本発明は希土類リンバナジン酸塩蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を以下のものに特定しない。
ここで、本発明の一実施の形態に係る希土類リンバナジン酸塩蛍光体について詳細に説明する。蛍光体原料として、イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物と、ユウロピウム化合物と、リン及びバナジウムから選択される少なくとも1種の元素の化合物と、さらに必要に応じて融剤を、所定の割合で混合し、原料混合物を得る。この原料混合物をルツボに充填後、炉内に入れ、大気中1000〜1600℃で焼成する。冷却後、焼成品を湿式で分散処理した後、分離乾燥して希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得る。
イットリウム、ランタン、ガドリニウム及びルテチウムから選択される少なくとも1種の元素化合物とユウロピウム化合物として、酸化物又は熱分解により酸化物となる化合物を用いる。例えば、炭酸塩、水酸化物、硝酸塩、シュウ酸塩などの高温で分解し酸化物となる化合物を用いる。また、これらの元素を含む共沈物やこれを仮焼して得られる酸化物を用いることもできる。リン化合物とバナジウム化合物については、酸化物、リン酸塩、バナジン酸塩などを用いる。例えば、リン酸、リン酸アンモニウム、五酸化バナジウム、バナジン酸アンモニウムなどの化合物を用いる。融剤としてはホウ酸などを用いる。
次に、この蛍光体を純水、エタノール水溶液等の分散媒に分散し、希土類元素、アルカリ土類金属、Zn、Al、Ga、Zr、Sbなどの元素を含む化合物と、ケイ素化合物を所定量添加し、さらに必要に応じて酸又はアルカリを添加し、攪拌して、ケイ酸塩を含む表面処理物質を蛍光体表面に析出させる。その後、処理済の蛍光体と分散媒を分離し、乾燥して、少なくとも1種以上のケイ酸塩を含む表面処理物質で被覆された本発明の蛍光体を得る。
希土類元素を含む化合物として、Y、La、Gdなどの希土類元素のハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩等が使用できる。アルカリ土類金属を含む化合物として、Mg、Ca、Srなどのアルカリ土類金属のハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩等が使用できる。ケイ素化合物として、ケイ酸(オルトケイ酸、メタケイ酸、メソケイ酸、水和二酸化ケイ素など)、ケイ酸塩(ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムなど)、ケイ酸エステル(ケイ酸エチルなど)、水ガラス(アルカリーケイ酸系ガラスの濃厚水溶液)等が使用できる。
表面処理物質を被覆する蛍光体は、一般式が次式で表される蛍光体が好ましい。
(Ln1−aEu)(V1−b(3+5c)/2
(但し、LnはY、Gd、La及びLuから選択される少なくとも1種の元素、0.005≦a≦0.2、0≦b<1、0.9≦c≦1)
この一般式において、Eu量のa値は、0.005≦a≦0.2の範囲が好ましい。a値が0.005より小さいと蛍光体の発光輝度が低く、また、a値が0.2より大きくても濃度消光により発光輝度が低下する。0.05≦a≦0.14の範囲がより好ましい。P量のb値は、0≦b<1の範囲が好ましく、0.6≦b≦0.8の範囲がより好ましい。b値が0.6より小さいと蛍光体の発光輝度が低下し、0.8より大きいと色度座標におけるx値が小さくなって色純度が低下し、発光輝度も低下してしまう。c値は0.9≦c≦1の範囲が好ましく、0.9≦c<1の範囲がより好ましく、0.95≦c≦0.99の範囲がさらに好ましい。c値がこの範囲において蛍光体の発光輝度が高くなる。
表面処理物質は、ケイ酸塩以外に、二酸化ケイ素、ケイ酸などのケイ素化合物や、希土類元素、アルカリ土類金属、Zn、Al、Ga、Zr、Sbなどの化合物を含んでいても良く本発明の効果がある。例えば、ケイ酸塩以外に希土類元素、アルカリ土類金属などの水酸化物や炭酸塩を含んでいても良い。また、本発明の蛍光体はこのような表面処理物質で蛍光体表面の全部又は一部が被覆されていれば良く本発明の効果がある。
本発明の希土類リンバナジン酸塩蛍光体は、平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であり、且つ分散度が0.45〜0.80の範囲にある。ここで、平均粒径は空気透過法によるフィッシャー・サブ・シーブ・サイザー(F.S.S.S)を用いて測定した値であり、一次粒子の大きさを示す。中央粒径は電気抵抗法のコールターマルチサイザーII(コールター社製)を用いて測定し、50%粒子径(体積基準)を示す。この場合、粒子が強く凝集していると一次粒子にまで分散させることは難しく、凝集した二次粒子が測定にかかる。また、分散度は平均粒径を中央粒径で除した値であり、これを分散度と定義する。この値が大きいほど蛍光体の分散性が良いと評価できる。
平均粒径は0.5〜6.0μmの範囲が好ましく、1.0〜3.5μmの範囲がより好ましい。平均粒径が0.5μmより小さくても、逆に、6.0μmより大きくても、真空紫外線励起発光装置に用いた場合、発光特性が低下する。平均粒径が0.5μmより小さいと蛍光体の発光効率が低く、6.0μmより大きいと蛍光体粒子の表面積が小さくなって真空紫外線励起による発光輝度が低下することによる。真空紫外線が到達するのは粒子表面から浅く、ほとんど粒子表面で励起され発光するため、平均粒径が6.0μmより大きくなって蛍光体粒子の表面積が小さくなると発光輝度が低下してしまう。また、平均粒径が6.0μmより大きいと、塗布特性も低下する。中央粒径は2.0〜10.0μmの範囲が好ましく、3.0〜6.0μmの範囲がより好ましい。中央粒径が10.0μmより大きいと、塗布特性が悪くなる。また、分散度は0.45〜0.80の範囲が好ましい。分散度が0.45より小さいと、凝集粒子が多いため、塗布特性が低下してしまう。中央粒径は2.0μmより小さくてもよく、分散度は0.80より大きくてもよいが、平均粒径の範囲によって制限される。
次に、本発明の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を用いて真空紫外線励起発光装置として面放電型PDPを作製する。先ず、背面基板にストライプ状の電極を形成し、この電極群に直交する方向にストライプ状の電極を形成し、この上に絶縁膜とMgOを形成する。さらに、対向基板上に本発明の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を形成する。この2枚の基板は約100μmのギャップを持たせて組み合わせる。このギャップ内に、放電によって真空紫外線を放射するHeとXeの混合ガスやNeとXeの混合ガスなどを670hPa程度封入して、面放電型PDPを得る。
次に、本発明の蛍光体の特性について図を用いて説明する。実施例1において硝酸イットリウムとカリ水ガラスの添加量を変化させて得られる蛍光体について、ケイ酸塩を含む表面処理物質の被覆量(SiO換算)と蛍光体の各特性との関係を図3〜図4に示した。すなわち、蛍光体の発光輝度(%)との関係を図3に、輝度維持率(%)との関係を図4に、それぞれ示した。なお、表面処理物質の被覆量(SiO換算)は、蛍光体100重量部に対する表面処理物質の被覆量をSiO量に換算して求めた値である。
図3に、(Y0.918Eu0.082)(V0.7320.2680.9843.96蛍光体について、ケイ酸塩を含む表面処理物質の被覆量(SiO換算)と発光輝度(%)との関係を示した。ここで、発光輝度(%)は、ウシオ電機製146nmKrエキシマ光照射装置(H0012型)を用いて蛍光体に146nm真空紫外(VUV)線を照射し、ミノルタ製分光放射輝度計(CS−1000)を用いて測定したものであり、比較例1の蛍光体の発光輝度を100%としたときの相対値である。この図から、発光輝度は表面処理物質の被覆量(SiO換算)が0.001〜0.15重量部の範囲で高く、0.005〜0.05重量部の範囲でより高いことがわかる。
図4に、上記蛍光体について、ケイ酸塩を含む表面処理物質の被覆量(SiO換算)とペーストベーキング輝度維持率(%)との関係を示した。ここで、ペーストベーキング輝度維持率(%)は、蛍光体とビヒクルを混合したペーストを500℃で1時間ベーキングし、ベーキング前後の蛍光体について146nm真空紫外線励起時の発光輝度を測定し、ベーキング後の測定値をベーキング前の測定値で除した値の百分率を求めたものである。この図から、ペーストベーキング輝度維持率は表面処理物質の被覆量(SiO換算)が増加するにつれて高くなり、0.05重量部付近で飽和することがわかる。
図3及び図4から、蛍光体の発光輝度とペーストベーキング輝度維持率がともに高くなるのは、表面処理物質の被覆量(SiO換算)が0.001〜0.15重量部の範囲であり、0.005〜0.05重量部の範囲がより好ましいことがわかる。
以下、本発明の実施例について説明する。本発明は実施例に限定されない。
実施例1
原料としてY:0.459mol、Eu:0.041mol、NHVO:0.264mol、及び(NHHPO:0.720molをボールミルで混合し、この原料混合物をアルミナルツボに充填して大気中1400℃で6時間焼成した。冷却後、焼成品を水中で分散処理した後、分離、乾燥後、篩を通して、一般式が(Y0.918Eu0.082)(V0.2680.7320.9843.96で表される希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。蛍光体の平均粒径は2.5μm、中央粒径は6.7μmであり、分散度は0.37である。この蛍光体は146nm真空紫外線励起により赤色に発光し、主発光ピーク波長は620nmである。
次に、上記蛍光体50gを純水250mlに入れ懸濁する。硝酸イットリウム・n水和物(添川理化学製、純度99.99%)を使用しY換算で2w/w%に調整した溶液2.5gを添加し、攪拌しながら、さらに、カリ水ガラス(SiO換算で2w/w%のKSiO水溶液)2.5gを滴下する。滴下終了後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行い、イットリウムのケイ酸塩で被覆された本発明の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得る。この蛍光体の表面処理物質の被覆量(SiO換算)は蛍光体100重量部に対し0.011重量部であり、蛍光体の平均粒径は2.5μm、中央粒径は4.2μmであって、分散度は0.60である。
実施例2
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸ランタン・六水和物を使用してLa換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、ランタンのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例3
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸ガドリニウム・五水和物を使用してGd換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、ガドリニウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例4
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸マグネシウム・六水和物を使用してMg換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、マグネシウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例5
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸カルシウム・四水和物を使用してCa換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、カルシウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例6
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸ストロンチウム・四水和物を使用してSr換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、ストロンチウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例7
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸亜鉛・六水和物を使用してZn換算で2w/に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、亜鉛のケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例8
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸アルミニウム・九水和物を使用してAl換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、アルミニウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例9
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸ガリウム・n水和物を使用してGa換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、ガリウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例10
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに硝酸ジルコニウム・五水和物を使用してZr換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、ジルコニウムのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例11
硝酸イットリウム・n水和物の代わりに塩化アンチモンを使用してSb換算で2w/w%に調整した溶液を2.5g添加する以外は実施例1と同様の方法で作製し、アンチモンのケイ酸塩で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
比較例1
実施例1において表面処理物質を被覆する前の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を用いた。
比較例2
実施例1において表面処理物質を被覆する前の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を用い、この蛍光体50gを純水250mlに入れ懸濁する。カリ水ガラス(SiO換算で2w/w%のKSiO水溶液)2.5gを添加し、攪拌しながら、3.5w/w%の塩酸溶液を滴下し、pH3に調整する。その後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行い、二酸化ケイ素で被覆された希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得た。
実施例1〜11及び比較例1〜2の希土類リンバナジン酸塩蛍光体について、次のように発光輝度とペーストベーキング輝度維持率(%)を測定し表1に示した。また、これらの蛍光体について、表面処理物質の金属元素及び被覆量(SiO換算)、蛍光体の平均粒径、中央粒径及び分散度を表1に示した。
(発光輝度の測定)
ウシオ電機製146nmKrエキシマ光照射装置(H0012型)を用いて蛍光体に146nm真空紫外(VUV)線を照射し、ミノルタ製分光放射輝度計(CS−1000)を用いて発光輝度を測定し、比較例1の蛍光体の発光輝度を100%としたときの相対値を求める。
(ペーストベーキング輝度維持率の測定)
重量比がエチルセルロース:2−(2−ブトキシエトキシ)エタノール:テルピネオール=8:14:78の割合で混合し、ビヒクルを作製する。次に、重量比が蛍光体:ビヒクル=1:2の割合で混合してペーストにし、これを170℃で1時間乾燥した後、500℃で1時間ベーキングする。ベーキング前後の蛍光体について、上記同様に146nm真空紫外線で励起したときの発光輝度を測定する。ベーキング後の発光輝度をベーキング前の発光輝度で除した値の百分率を求め、ペーストベーキング輝度維持率(%)とする。
Figure 2009120681
表1から、本発明の実施例1〜10の蛍光体は、比較例1〜2の蛍光体に比べ、発光輝度及びペーストベーキング輝度維持率が高いことがわかる。また、表から明らかなように、本発明の実施例1〜9の蛍光体は、平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であり、且つ分散度が0.45〜0.80の範囲であることがわかる。このように、本発明では発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率、及び分散性が良好な希土類リンバナジン酸塩蛍光体を得ることができる。
以上に述べたように、本発明の希土類リンバナジン酸塩蛍光体は、発光輝度が高く、ペーストベーキング輝度維持率及び分散性が良好であることから、プラズマディスプレイ、高負荷蛍光ランプ、希ガス放電ランプ等の発光デバイス(真空紫外線励起発光装置)に用いることによって、発光特性及び塗布特性の優れた発光デバイスの提供が可能となる。
PDPの模式図である。 PDPの断面図である。 本発明の蛍光体の表面処理物質の被覆量(SiO換算)と発光輝度(%)との関係を示す図である。 本発明の蛍光体の表面処理物質の被覆量(SiO換算)とペーストベーキング輝度維持率(%)との関係を示す図である。
符号の説明
11:前面ガラス基板
12:背面ガラス基板
13:表示電極
14:アドレス電極
15:誘電体層
16:保護層
17:誘電体層
18:隔壁
19:蛍光体層
20:放電空間

Claims (9)

  1. Y、La、Gd及びLuからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素と、Euと、P及びVからなる群より選ばれた少なくとも1種以上の元素と、Oを基本構成元素とする希土類リンバナジン酸塩蛍光体であって、蛍光体粒子表面に少なくとも1種のケイ酸塩を含む表面処理物質が被覆されていることを特徴とする希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
  2. 前記ケイ酸塩は、希土類元素、アルカリ土類金属、Zn、Al、Ga、Zr及びSbからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含むケイ酸塩である、請求項1に記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
  3. 前記ケイ酸塩は、Y、La及びGdからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含むケイ酸塩である、請求項2に記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
  4. 前記ケイ酸塩は、Mg、Ca及びSrからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を含むケイ酸塩である、請求項2に記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
  5. 前記ケイ酸塩を含む表面処理物質の被覆量は、蛍光体100重量部に対しSiO量に換算して0.001〜0.15重量部の範囲である、請求項1〜4のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
  6. 前記蛍光体は、一般式が次式で表される、請求項1〜5のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体:
    (Ln1−aEu)(V1−b(3+5c)/2
    (但し、LnはY、Gd、La及びLuから選択される少なくとも1種の元素、0.005≦a≦0.2、0≦b<1、0.9≦c≦1)。
  7. 前記蛍光体の平均粒径が0.5〜6.0μmの範囲であり、中央粒径が2.0〜10.0μmの範囲であり、且つ分散度が0.45〜0.80の範囲である、請求項1〜6のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体。
  8. 請求項1〜7のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を具備する真空紫外線励起発光装置。
  9. 所定距離離間して略平行に位置する前面基板及び背面基板と、前記前面基板及び背面基板により放電空間を形成する複数個の隔壁と、該隔壁間に形成されるアドレス電極と、該アドレス電極と対向し交差する複数の表示電極と、前記アドレス電極と前記表示電極の交差点に形成される複数個の放電セルと、該放電セル内面の少なくとも一部に形成される蛍光体層と、前記前面基板と背面基板間の放電空間に密封されてなる放電気体とを含むプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ表示装置であって、前記蛍光体層は請求項1〜7のいずれかに記載の希土類リンバナジン酸塩蛍光体を有する蛍光体層であることを特徴とするプラズマディスプレイ表示装置。
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