JP5304004B2 - 真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は、真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置に係り、特に、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が良好な真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置に関する。
アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体などの真空紫外線励起蛍光体は、プラズマディスプレイ（以下ＰＤＰとする）表示装置などの発光デバイス（真空紫外線励起発光装置）に用いられている。ＰＤＰは、図１及び図２に示すように、２枚のガラス板に挟まれた密閉ガス空間を隔壁で区切り、表示セル（放電セル）と呼ばれる微小な放電空間をマトリックス状に配置したものであり、各表示セルには赤、青、緑に発光する蛍光体が塗布されており、放電で発生する真空紫外線で励起され発光する。
ＰＤＰは、各種の平面ディスプレイと比較して、最も大型化しやすいことや、高速応答、広い視野角、色再現性などの特長から、ハイビジョン用壁掛けテレビの最有力候補として広く開発が進められている。このＰＤＰに使用される蛍光体には、希ガスの放電で得られる波長が２００ｎｍ以下の真空紫外線（ＶＵＶ）の励起に対して高効率、短残光であることや、３原色として十分な彩度と色相を有していることに加えて、寿命特性や温度特性などの特性が要求される。特に、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ等のアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体は、真空紫外線及びイオン衝撃に対して劣化が大きく、寿命特性に問題があった。
また、ＰＤＰは放電空間の近傍に蛍光体層を有しており、蛍光体と有機バインダーを混合した塗布組成物を調製し、所定の部位にスラリー法、印刷法等により塗布し乾燥した後、有機バインダーを揮散させるために空気中、４００℃〜６００℃の温度でベーキングすることにより形成されるが、上記アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体は、このベーキング工程において発光輝度の低下が大きいという問題があった。
このようなＰＤＰなどの発光デバイスに用いられる蛍光体について、特開２０００−２８５８０９号公報等に酸化物を被覆することが開示されているが、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が十分でなく改良が必要であった。
特開２０００−２８５８０９号公報
上述した問題に加えて、ＰＤＰにおいて蛍光体層を形成する際に、蛍光体と有機バインダーを混合した塗布組成物の粘度が高いと塗布特性が悪く、微細な放電セル構造に対応した薄く緻密な蛍光面の形成が難しいという問題があった。さらに、ＰＤＰに用いられる赤、青、緑の各発光色の蛍光体は、放電開始電圧がそれぞれ異なるため、各蛍光体の放電開始電圧を調整する必要があった。
本発明は、上述した問題を解決するためになされたものである。本発明の目的は、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が良好な真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を提供することであり、さらには、塗布特性が良く、放電開始電圧の調整が可能な真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置を提供することである。
本発明者は上述した問題を解決するために鋭意検討した結果、モリブデン酸又はモリブデン酸塩を被覆した真空紫外線励起蛍光体により、上記課題を解決することができることを見いだし、本発明を完成させるに至った。
（１）本発明の真空紫外線励起蛍光体は、Ｅｕ、Ｍｎのうちの少なくとも一種の付活剤により付活されたアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体の粒子表面に、モリブデン酸又はモリブデン酸塩が被覆していることを特徴とする。
（２）本発明の真空紫外線励起蛍光体は、（1）に記載の真空紫外線励起蛍光体であって、前記モリブデン酸塩は、希土類モリブデン酸塩又はアルカリ土類モリブデン酸塩であることを特徴とする。
（３）本発明の真空紫外線励起蛍光体は、（1）又は（２）に記載の真空紫外線励起蛍光体であって、前記モリブデン酸又はモリブデン酸塩の被覆量は、蛍光体に対しＭｏ元素の量に換算して０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲であることを特徴とする。
（４）本発明の真空紫外線励起発光装置は、（１）乃至（３）に記載の真空紫外線励起蛍光体を具備することを特徴とする。
（５）本発明のプラズマディスプレイ表示装置は、所定距離離間して略平行に位置する前面基板及び背面基板と、前記前面基板及び背面基板により放電空間を形成する複数個の隔壁と、該隔壁間に形成されるアドレス電極と、該アドレス電極と対向し交差する複数の表示電極と、前記アドレス電極と前記表示電極の交差点に形成される複数個の放電セルと、該放電セル内面の少なくとも一部に形成される蛍光体層と、前記前面基板と背面基板間の放電空間に密封されてなる放電気体とを含むプラズマディスプレイパネルと、該プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路とを備えたプラズマディスプレイ表示装置であって、前記蛍光体層は（１）乃至（３）に記載の真空紫外線励起蛍光体を有する蛍光体層であることを特徴とする。
本発明の蛍光体は、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が良好であり、なおかつ、塗布特性が良く、放電開始電圧の調整が可能な真空紫外線励起蛍光体であって、本発明の蛍光体を用いることによって、発光特性、寿命特性及び塗布特性の優れた真空紫外線励起発光装置を提供することができる。
以下、本発明に係る真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた真空紫外線励起発光装置について実施の形態及び実施例を用いて説明する。但し本発明はこれら実施の形態及び実施例に限定されるものではない。
ここで、本発明の一実施の形態に係る真空紫外線励起蛍光体の製造方法について詳細に説明する。先ず、通常の方法に従いアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体を作製する。次に、この蛍光体を純水、エタノール水溶液等の分散媒に分散して蛍光体懸濁液を得る。この蛍光体懸濁液にモリブデン酸塩を添加し、酸でｐＨ調整してモリブデン酸を蛍光体表面に析出させる。或いは、前記蛍光体懸濁液にモリブデン酸塩と希土類元素又はアルカリ土類元素の水溶性化合物を添加し、希土類モリブデン酸塩又はアルカリ土類モリブデン酸塩を蛍光体表面に析出させる。その後、処理済の蛍光体と分散媒を分離し、乾燥して、モリブデン酸又はモリブデン酸塩で被覆された本発明の蛍光体を得る。
表面処理する蛍光体は真空紫外線励起で発光するアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体が使用できる。例えば、一般式（Ｂａ，Ｍ）２Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ（但しＭはＳｒ，Ｃａ，及びＭｇからなる群より選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表される２価のユーロピウム付活アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体、一般式（Ｂａ，Ｍ）２Ａｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ，Ｍｎ（但しＭはＳｒ，Ｃａ，及びＭｇからなる群より選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表される２価のユーロピウム及び２価のマンガン共付活アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体等が挙げられる。
添加するモリブデン酸塩として、水溶性のモリブデン酸塩が好ましく、モリブデン酸アンモニウム、モリブデン酸ナトリウム、モリブデン酸カリウム等が使用できる。希土類元素の水溶性化合物として、Ｅｕ、Ｌａ、Ｙ及びＧｄからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の希土類元素の水溶性化合物が好ましく、これらの希土類元素のハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩等が使用できる。例えば、塩化ユーロピウム、硫酸ユーロピウム、硝酸ユーロピウム等が好ましく使用できる。アルカリ土類元素の水溶性化合物として、Ｍｇ，Ｃａ、Ｓｒ及びＢａからなる群より選ばれた少なくとも１種以上のアルカリ土類元素の水溶性化合物が好ましく、これらのアルカリ土類元素のハロゲン化物、硫酸塩、硝酸塩等が使用できる。例えば、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、硝酸マグネシウム等が好ましく使用できる。また、ｐＨ調整に用いる酸として、塩酸、硫酸、硝酸等が使用できる。
モリブデン酸又はモリブデン酸塩の被覆量は、蛍光体に対しＭｏ元素の量に換算して０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲が好ましく、０．０５〜０．２３ｍｏｌ％の範囲がより好ましく、０．０７〜０．２０ｍｏｌ％の範囲がさらに好ましい。被覆量が０．０３ｍｏｌ％より少なくても０．２５ｍｏｌ％より多くても、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が低下する。
モリブデン酸を蛍光体表面に析出させる場合、ｐＨ調整は酸性側のｐＨ１〜７の範囲に調整するのが好ましく、ｐＨ１〜５の範囲がより好ましく、ｐＨ１〜３の範囲がさらに好ましい。ｐＨが１より低くても、またｐＨが７より高くても、モリブデン酸の析出量が少なくなって表面処理効果が減少する。
希土類モリブデン酸塩又はアルカリ土類モリブデン酸塩を蛍光体表面に析出させる場合、モリブデン酸塩と希土類元素又はアルカリ土類元素の水溶性化合物を添加し、反応させて希土類モリブデン酸塩又はアルカリ土類モリブデン酸塩を析出させる。
このようにして、アルカリ土類アルミン酸塩蛍光体の粒子表面に、モリブデン酸又はモリブデン酸塩を被覆することで、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が良好な真空紫外線励起蛍光体を得ることができる。
本発明の蛍光体の平均粒径は１．０〜４．０μｍの範囲が好ましく、１．０〜３．０μｍの範囲がより好ましい。平均粒径が１．０μｍより小さくても、逆に、４．０μｍより大きくても、真空紫外線励起発光装置に用いた場合、発光特性が低下する。平均粒径が１．０μｍより小さいと蛍光体の発光効率が低く、４．０μｍより大きいと蛍光体粒子の表面積が小さくなって真空紫外線励起による発光輝度が低下することによる。真空紫外線が到達するのは粒子表面から浅く、ほとんど粒子表面で励起され発光するため、平均粒径が４．０μｍより大きくなって蛍光体粒子の表面積が小さくなると発光輝度が低下してしまう。また、平均粒径が４．０μｍより大きいと、塗布特性も低下する。中央粒径は１．５〜６．０μｍの範囲が好ましく、１．５〜４．０μｍの範囲がより好ましい。中央粒径が６．０μｍより大きいと、塗布特性が悪くなる。
次に、本発明の真空紫外線励起蛍光体を用いて真空紫外線励起発光装置として面放電型ＰＤＰを作製する。先ず、背面基板にストライプ状の電極を形成し、この電極群に直交する方向にストライプ状の電極を形成し、この上に絶縁膜とＭｇＯを形成する。さらに、対向基板上に本発明のアルミン酸塩蛍光体を形成する。この２枚の基板は約１００μｍのギャップを持たせて組み合わせる。このギャップ内に、放電によって真空紫外線を放射するＨｅとＸｅの混合ガスやＮｅとＸｅの混合ガスなどを６７０ｈＰａ程度封入して、面放電型ＰＤＰを得る。
次に、本発明の真空紫外線励起蛍光体の特性について図を用いて説明する。実施例１においてモリブデン酸アンモニウムの添加量を変化させて得られる蛍光体について、蛍光体に被覆したモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）と蛍光体の各特性との関係を図３〜図７に示した。すなわち、真空紫外線励起蛍光体の発光輝度（％）との関係を図３に、ペーストベーキング輝度維持率（％）との関係を図４に、ガス放電による輝度維持率（％）との関係を図５に、ペースト粘度との関係を図６に、帯電量との関係を図７に、それぞれ示した。
＜発光輝度と表面処理物質の被覆量との関係＞
図３は、実施例１と同様な方法でモリブデン酸を被覆したＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、発光輝度（％）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ここで、発光輝度（％）は、ウシオ電機製１４６ｎｍＫｒエキシマ光照射装置（Ｈ００１２型）を用いて蛍光体に１４６ｎｍ真空紫外（ＶＵＶ）線を照射し、ミノルタ製分光放射輝度計（ＣＳ−１０００）を用いて測定したものであり、比較例１の蛍光体の発光輝度を１００％としたときの相対値である。この図から、モリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算）が０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲で発光輝度が高くなっていることがわかる。
図３は、実施例１と同様な方法でモリブデン酸を被覆したＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、発光輝度（％）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ここで、発光輝度（％）は、ウシオ電機製１４６ｎｍＫｒエキシマ光照射装置（Ｈ００１２型）を用いて蛍光体に１４６ｎｍ真空紫外（ＶＵＶ）線を照射し、ミノルタ製分光放射輝度計（ＣＳ−１０００）を用いて測定したものであり、比較例１の蛍光体の発光輝度を１００％としたときの相対値である。この図から、モリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算）が０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲で発光輝度が高くなっていることがわかる。
＜ペーストベーキング輝度維持率と表面処理物質の被覆量との関係＞
図４は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、ペーストベーキング輝度維持率（％）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ここで、ペーストベーキング輝度維持率（％）は次のように測定する。１）重量比がエチルセルロース：２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール：テルピネオール＝８：１４：７８の割合で混合し、ビヒクルを作製する。２）蛍光体とビヒクルを重量比が蛍光体：ビヒクル＝１：２で混合してペーストを作製する。３）このペーストを１７０℃で１時間乾燥後、５００℃で１時間ベーキングする。４）ベーキング前後の蛍光体について１４６ｎｍ真空紫外線励起時の発光輝度を測定する。そして、ベーキング後の測定値をベーキング前の測定値で除した値の百分率を求め、これをペーストベーキング輝度維持率（％）とする。この図から、ペーストベーキング輝度維持率は、モリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算）が０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲で高く、０．０５〜０．２３ｍｏｌ％の範囲でより高く、０．０７〜０．２０ｍｏｌ％の範囲でさらに高くなっていることがわかる。
図４は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、ペーストベーキング輝度維持率（％）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ここで、ペーストベーキング輝度維持率（％）は次のように測定する。１）重量比がエチルセルロース：２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール：テルピネオール＝８：１４：７８の割合で混合し、ビヒクルを作製する。２）蛍光体とビヒクルを重量比が蛍光体：ビヒクル＝１：２で混合してペーストを作製する。３）このペーストを１７０℃で１時間乾燥後、５００℃で１時間ベーキングする。４）ベーキング前後の蛍光体について１４６ｎｍ真空紫外線励起時の発光輝度を測定する。そして、ベーキング後の測定値をベーキング前の測定値で除した値の百分率を求め、これをペーストベーキング輝度維持率（％）とする。この図から、ペーストベーキング輝度維持率は、モリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算）が０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲で高く、０．０５〜０．２３ｍｏｌ％の範囲でより高く、０．０７〜０．２０ｍｏｌ％の範囲でさらに高くなっていることがわかる。
＜ガス放電による輝度維持率と表面処理物質の被覆量との関係＞
図５は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、ガス放電による輝度維持率（％）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ガス放電による輝度維持率（％）の測定方法を次に説明する。１）前記同様に蛍光体とビヒクルを混合したペーストを５００℃で１時間ベーキングし、蛍光体測定試料を作製する。２）真空紫外線分光光度計を用いて蛍光体測定試料を１４７ｎｍの波長の真空紫外線で励起し発光輝度を測定する。３）同試料をＮｅ：Ｘｅ＝９５％：５％の混合ガスを圧力１００Ｐａで封入したガラス管にセットし、照射電力３５０Ｗ、照射時間１時間でアーク放電し、蛍光体粒子表面を強制劣化させる。４）強制劣化させた試料を１４７ｎｍの波長の真空紫外線で励起し発光輝度を測定する。そして、４）で得た測定値を２）で得た測定値で除した値の百分率を求め、これをガス放電による輝度維持率（％）とする。この図から、モリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算）が０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲でガス放電による輝度維持率が高くなっていることがわかる。
図５は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、ガス放電による輝度維持率（％）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ガス放電による輝度維持率（％）の測定方法を次に説明する。１）前記同様に蛍光体とビヒクルを混合したペーストを５００℃で１時間ベーキングし、蛍光体測定試料を作製する。２）真空紫外線分光光度計を用いて蛍光体測定試料を１４７ｎｍの波長の真空紫外線で励起し発光輝度を測定する。３）同試料をＮｅ：Ｘｅ＝９５％：５％の混合ガスを圧力１００Ｐａで封入したガラス管にセットし、照射電力３５０Ｗ、照射時間１時間でアーク放電し、蛍光体粒子表面を強制劣化させる。４）強制劣化させた試料を１４７ｎｍの波長の真空紫外線で励起し発光輝度を測定する。そして、４）で得た測定値を２）で得た測定値で除した値の百分率を求め、これをガス放電による輝度維持率（％）とする。この図から、モリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算）が０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲でガス放電による輝度維持率が高くなっていることがわかる。
＜ペースト粘度と表面処理物質の被覆量との関係＞
図６は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、ペースト粘度（Ｐａ・ｓ）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ペースト粘度（Ｐａ・ｓ）の測定方法を次に説明する。１）重量比がエチルセルロース：２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール：テルピネオール＝８：１４：７８の割合で混合し、ビヒクルを作製する。２）蛍光体５ｇとビヒクル１０ｇを混合してペーストを作製する。３）測定粘度計（東機産業製ＴＶＥ−３３Ｈ）を用いて、ローター回転数１２ｒｐｍ、測定温度２５℃でペースト粘度を測定する。この図から、モリブデン酸を被覆しない蛍光体のペースト粘度は２４．０Ｐａ・ｓであるが、モリブデン酸の被覆量が増加するに従い、ペースト粘度は減少することがわかる。
図６は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、ペースト粘度（Ｐａ・ｓ）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。ペースト粘度（Ｐａ・ｓ）の測定方法を次に説明する。１）重量比がエチルセルロース：２−（２−ブトキシエトキシ）エタノール：テルピネオール＝８：１４：７８の割合で混合し、ビヒクルを作製する。２）蛍光体５ｇとビヒクル１０ｇを混合してペーストを作製する。３）測定粘度計（東機産業製ＴＶＥ−３３Ｈ）を用いて、ローター回転数１２ｒｐｍ、測定温度２５℃でペースト粘度を測定する。この図から、モリブデン酸を被覆しない蛍光体のペースト粘度は２４．０Ｐａ・ｓであるが、モリブデン酸の被覆量が増加するに従い、ペースト粘度は減少することがわかる。
本発明の蛍光体の分散性については、モリブデン酸が被覆されても差は見られなかったが、蛍光体と有機バインダーを混合した塗布組成物の粘度については、図のようにモリブデン酸が被覆されると減少し、塗布特性が向上するため、ＰＤＰ等の微細な放電セル構造に対応した薄く緻密な蛍光面の形成が可能となる。
＜帯電量と表面処理物質の被覆量との関係＞
図７は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、帯電量（μＣ／ｇ）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。東芝ケミカル製ブローオフ粉体帯電量測定装置を用いて次のように帯電量（μＣ／ｇ）を測定する。蛍光体２００ｍｇを両端に網を張った円筒容器中に入れ、一端から高圧ガスを吹き込んで蛍光体を分離し、網の目開きから蛍光体をブローオフ（吹き飛ばし）して帯電量を求める。この図から、モリブデン酸を被覆しない蛍光体の帯電量は２．４μＣ／ｇであるが、モリブデン酸の被覆量が増加するに従い、帯電量はマイナス側にシフトすることがわかる。蛍光体の帯電量がマイナス側にシフトすると、ＰＤＰに用いた場合に放電開始電圧が高くなるため、各発光色の蛍光体の放電開始電圧を調整する際に効果的に用いることができる。なお、蛍光体の帯電量は２．１μＣ／ｇ以下が好ましく、１．７μＣ／ｇ以下がより好ましい。
図７は、モリブデン酸が被覆された上記ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体について、帯電量（μＣ／ｇ）とモリブデン酸の被覆量（Ｍｏ換算ｍｏｌ％）との関係をプロットしたものである。東芝ケミカル製ブローオフ粉体帯電量測定装置を用いて次のように帯電量（μＣ／ｇ）を測定する。蛍光体２００ｍｇを両端に網を張った円筒容器中に入れ、一端から高圧ガスを吹き込んで蛍光体を分離し、網の目開きから蛍光体をブローオフ（吹き飛ばし）して帯電量を求める。この図から、モリブデン酸を被覆しない蛍光体の帯電量は２．４μＣ／ｇであるが、モリブデン酸の被覆量が増加するに従い、帯電量はマイナス側にシフトすることがわかる。蛍光体の帯電量がマイナス側にシフトすると、ＰＤＰに用いた場合に放電開始電圧が高くなるため、各発光色の蛍光体の放電開始電圧を調整する際に効果的に用いることができる。なお、蛍光体の帯電量は２．１μＣ／ｇ以下が好ましく、１．７μＣ／ｇ以下がより好ましい。
このようにＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ蛍光体にモリブデン酸を被覆した場合、被覆量（Ｍｏ換算）と蛍光体の各特性は図３〜図７に示した関係を示すが、希土類モリブデン酸塩又はアルカリ土類モリブデン酸塩を被覆した場合も、同様な関係を示す。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は具体的実施例のみに限定されるものではないことは言うまでもない。
［実施例１］
一般式が（Ｂａ０．９Ｅｕ０．１）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７で表される蛍光体（以下ＢＡＭ蛍光体と称す）５０ｇを純水２５０ｍｌに入れ懸濁する。７モリブデン酸６アンモニウム４水和物（昭和化学製、粉末一級、純度９９％）を使用し２．０ｗｔ％に調整したモリブデン酸アンモニウム水溶液を３．７５ｍｌ添加した後、３．６ｗｔ％の塩酸水溶液を滴下してｐＨ２．０に調整する。その後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行い、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
一般式が（Ｂａ０．９Ｅｕ０．１）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７で表される蛍光体（以下ＢＡＭ蛍光体と称す）５０ｇを純水２５０ｍｌに入れ懸濁する。７モリブデン酸６アンモニウム４水和物（昭和化学製、粉末一級、純度９９％）を使用し２．０ｗｔ％に調整したモリブデン酸アンモニウム水溶液を３．７５ｍｌ添加した後、３．６ｗｔ％の塩酸水溶液を滴下してｐＨ２．０に調整する。その後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行い、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例２］
２．０ｗｔ％モリブデン酸アンモニウム水溶液を５．０ｍｌ添加する以外は実施例２と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
２．０ｗｔ％モリブデン酸アンモニウム水溶液を５．０ｍｌ添加する以外は実施例２と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例３］
２．０ｗｔ％モリブデン酸アンモニウム水溶液を７．５ｍｌ添加する以外は実施例２と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
２．０ｗｔ％モリブデン酸アンモニウム水溶液を７．５ｍｌ添加する以外は実施例２と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例４］
７モリブデン酸６アンモニウム溶液の代わりにモリブデン酸ナトリウム２水和物（昭和化学製、粉末一級、純度９９％）を使用し２．０ｗｔ％に調整したモリブデン酸ナトリウム水溶液を３．７５ｍｌを添加する以外は実施例１と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
７モリブデン酸６アンモニウム溶液の代わりにモリブデン酸ナトリウム２水和物（昭和化学製、粉末一級、純度９９％）を使用し２．０ｗｔ％に調整したモリブデン酸ナトリウム水溶液を３．７５ｍｌを添加する以外は実施例１と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例５］
２．０ｗｔモリブデン酸ナトリウム水溶液を５．０ｍｌ添加する以外は実施例４と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
２．０ｗｔモリブデン酸ナトリウム水溶液を５．０ｍｌ添加する以外は実施例４と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例６］
２．０ｗｔモリブデン酸ナトリウム水溶液を７．５ｍｌ添加する以外は実施例４と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
２．０ｗｔモリブデン酸ナトリウム水溶液を７．５ｍｌ添加する以外は実施例４と同様の方法で作製し、モリブデン酸で被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例７］
ＢＡＭ蛍光体５０ｇを純水２５０ｍｌに入れ懸濁する。硝酸ユーロピウム・ｎ水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸ユーロピウム水溶液２．５ｍｌと、７モリブデン酸６アンモニウム４水和物（昭和化学製、粉末一級、純度９９％）を使用し２．０ｗｔ％に調整したモリブデン酸アンモニウム水溶液７．５ｍｌを添加し撹拌する。その後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行い、モリブデン酸ユーロピウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
ＢＡＭ蛍光体５０ｇを純水２５０ｍｌに入れ懸濁する。硝酸ユーロピウム・ｎ水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸ユーロピウム水溶液２．５ｍｌと、７モリブデン酸６アンモニウム４水和物（昭和化学製、粉末一級、純度９９％）を使用し２．０ｗｔ％に調整したモリブデン酸アンモニウム水溶液７．５ｍｌを添加し撹拌する。その後、十分に洗浄、脱液、乾燥、篩を行い、モリブデン酸ユーロピウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例８］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸ランタン・６水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸ランタン水溶液を２．５ｍｌ添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸ランタンで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸ランタン・６水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸ランタン水溶液を２．５ｍｌ添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸ランタンで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例９］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸イットリウム・６水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸イットリウム水溶液を２．５ｍｌ添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸イットリウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸イットリウム・６水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸イットリウム水溶液を２．５ｍｌ添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸イットリウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例１０］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸ガドリニウム・６水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸ガドリニウム水溶液を２．５ｍｌ添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸ガドリニウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸ガドリニウム・６水和物を使用して２．０ｗｔ％に調整した硝酸ガドリニウム水溶液を２．５ｍｌ添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸ガドリニウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例１１］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸バリウム・ｎ水和物を使用し１０．０ｗｔ％に調整した硝酸バリウム水溶液を０．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸バリウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸バリウム・ｎ水和物を使用し１０．０ｗｔ％に調整した硝酸バリウム水溶液を０．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸バリウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例１２］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸マグネシウム・ｎ水和物を使用し２．０ｗｔ％に調整した硝酸マグネシウム水溶液を２．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸マグネシウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸マグネシウム・ｎ水和物を使用し２．０ｗｔ％に調整した硝酸マグネシウム水溶液を２．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸マグネシウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例１３］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸カルシウム・ｎ水和物を使用し２．０ｗｔ％に調整した硝酸カルシウム水溶液を２．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸カルシウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸カルシウム・ｎ水和物を使用し２．０ｗｔ％に調整した硝酸カルシウム水溶液を２．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸カルシウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［実施例１４］
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸ストロンチウム・ｎ水和物を使用し２．０ｗｔ％に調整した硝酸ストロンチウム水溶液を２．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸ストロンチウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
硝酸ユーロピウム・ｎ水和物の代わりに硝酸ストロンチウム・ｎ水和物を使用し２．０ｗｔ％に調整した硝酸ストロンチウム水溶液を２．５ｍｌを添加する以外は実施例７と同様の方法で作製し、モリブデン酸ストロンチウムで被覆されたＢＡＭ蛍光体を得る。
［比較例１］
表面処理物質が被覆されていないＢＡＭ蛍光体を用意する。
表面処理物質が被覆されていないＢＡＭ蛍光体を用意する。
実施例１〜１４び比較例１で得られるＢＡＭ蛍光体について、表面処理物質とその被覆量（Ｍｏ換算）（ｍｏｌ％）を表１に、前述した方法で発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率、ガス放電による輝度維持率、ペースト粘度及び帯電量を測定した結果を表２に、それぞれ示す。この表から、本発明の実施例１〜１４の蛍光体は、比較例１の蛍光体に比べ、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が高いことがわかる。また、本発明の実施例１〜１４の蛍光体は、比較例１の蛍光体に比べてペースト粘度が低く、塗布特性が優れていることがわかる。
以上に述べたように、本発明の真空紫外線励起蛍光体は、発光輝度、ペーストベーキング輝度維持率及びガス放電による輝度維持率が良好であり、なおかつ、塗布特性が良く、放電開始電圧の調整が可能な蛍光体であって、この真空紫外線励起蛍光体をＰＤＰ等の発光デバイスに用いることによって、発光特性、寿命特性及び塗布特性の優れた真空紫外線励起発光装置の提供が可能となる。
１１：前面ガラス基板
１２：背面ガラス基板
１３：表示電極
１４：アドレス電極
１５：誘電体層
１６：保護層
１７：誘電体層
１８：隔壁
１９：蛍光体層
２０：放電空間
１２：背面ガラス基板
１３：表示電極
１４：アドレス電極
１５：誘電体層
１６：保護層
１７：誘電体層
１８：隔壁
１９：蛍光体層
２０：放電空間
Claims (3)
- Ｅｕ、Ｍｎのうちの少なくとも一種の付活剤により付活されたアルカリ土類アルミン酸塩蛍光体の粒子表面に、モリブデン酸又はモリブデン酸塩が被覆していることを特徴とする真空紫外線励起蛍光体。
- 前記モリブデン酸塩は、希土類モリブデン酸塩又はアルカリ土類モリブデン酸塩であることを特徴とする請求項１に記載の真空紫外線励起蛍光体。
- 前記モリブデン酸又はモリブデン酸塩の被覆量は、蛍光体に対しＭｏ元素の量に換算して０．０３〜０．２５ｍｏｌ％の範囲であることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空紫外線励起蛍光体。
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