JP2009193748A - プラズマディスプレイパネル - Google Patents

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Abstract

【課題】電子放出特性が優れて高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能で保護層のスパッタを抑制した長寿命のPDPを実現する。
【解決手段】前面ガラス基板3に形成した表示電極6を覆うように誘電体層8を形成するとともに誘電体層8上に保護層9を形成した前面板2と、前面板2に放電空間を形成するように対向配置した表示電極6と交差する方向に設けたアドレス電極12とアドレス電極12を覆って設けた下地誘電体層13と下地誘電体層13上に設けた放電空間を区画する隔壁14とを形成した背面板10とを有し、保護層9を誘電体層8上にMgOにより構成した下地膜91と下地膜91上にMgOの結晶粒子が数個凝集した凝集粒子92とにより構成するとともに下地誘電体層13の空隙率を2%〜20%としている。
【選択図】図1

Description

本発明は、表示デバイスなどに用いるプラズマディスプレイパネルに関する。
プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと呼ぶ)は、高精細化、大画面化の実現が可能であることから、65インチクラスのテレビなどが製品化されている。近年、PDPは従来のNTSC方式に比べて走査線数が2倍以上のハイディフィニションテレビへの適用が進んでいるとともに、環境問題に配慮して鉛成分を含まないPDPが要求されている。
PDPは、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、フロート法による硼硅酸ナトリウム系ガラスのガラス基板と、そのガラス基板の一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム(以下、MgOと表現する)からなる保護層とで構成されている。
一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う下地誘電体層と、下地誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着され、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン(Ne)−キセノン(Xe)の放電ガスが400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。PDPは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによって放電させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせてカラー画像表示を実現している。
このようなPDPにおいて、前面板の誘電体層上に形成される保護層には、放電によるイオン衝撃から誘電体層を保護すること、アドレス放電を発生させるための初期電子を放出することなどが要求される。イオン衝撃から誘電体層を保護することは、放電電圧の上昇を防ぐ重要な役割であり、またアドレス放電を発生させるための初期電子を放出することは、画像のちらつきの原因となるアドレス放電ミスを防ぐ重要な役割である。
保護層からの初期電子の放出を増加させて画像のちらつきを低減するために、例えばMgOに不純物を添加する例や、MgO粒子をMgO保護層上に形成した例が開示されている(例えば、特許文献1、2、3など参照)。
特開2002−260535号公報 特開平11−339665号公報 特開2006−59779号公報
近年、テレビは高精細化が進んでおり、市場では低コスト・低消費電力・高輝度のフルHD(ハイ・ディフィニション)(1920×1080画素:プログレッシブ表示)PDPが要求されている。保護層からの電子放出特性はPDPの画質を決定するため、電子放出特性を制御することが非常に重要である。
保護層に不純物を混在させることで電子放出特性を改善しようとする試みが行われている。しかしながら、保護層に不純物を混在させて電子放出特性を改善した場合には、保護層表面に電荷が蓄積されてメモリー機能として使用しようとする際の電荷が時間とともに減少する減衰率が大きくなってしまうため、これを抑えるための印加電圧を大きくする必要があるなどの対策が必要になる。このように保護層の特性として、高い電子放出能を有するとともに、メモリー機能としての電荷の減衰率を小さくする、すなわち高い電荷保持特性を有するという、相反する二つの特性を併せ持たなければならないという課題があった。
このような特性を満足させる手段として、MgO粒子をMgO保護層上に形成した例が開示されている。しかしながら、MgO粒子をMgO保護層上に形成した場合には、放電によって酸化MgO粒子を核として針状結晶が成長し、針状結晶で覆われたMgO保護層のスパッタを抑制する効果はあるが、針状結晶が成長していない領域に存在するMgO保護層のスパッタが促進されてPDPの寿命を低下させるといった課題が発生する。
本発明はこのような課題に鑑みなされたもので、高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低電圧駆動が可能でMgO保護層のスパッタを抑制した長寿命のPDPを実現することを目的としている。
上記の目的を達成するために、本発明のPDPは、基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともに誘電体層に保護層を形成した前面板と、前面板に放電空間を形成するように対向配置した表示電極と交差する方向に設けたアドレス電極とアドレス電極を覆って設けた下地誘電体層と下地誘電体層に設けて放電空間を区画する隔壁とを形成した背面板とを有し、保護層を誘電体層上にMgOにより構成した下地膜と下地膜の上にMgOの結晶粒子が数個凝集した凝集粒子とにより構成するとともに下地誘電体層の空隙率を2%〜20%としている。
このような構成によれば、電子放出特性と電荷保持特性とを改善して高画質、低電圧を両立し、さらに下地膜のスパッタを抑制して長寿命のPDPを提供することができる。
さらに、凝集粒子は、平均粒径が0.9μm〜2μmの範囲にあるMgOの結晶粒子からなることが望ましい。このような構成によれば、さらに電子放出特性と電荷保持特性とを改善することができる。
本発明は、電子放出特性を改善するとともに電荷保持特性を改善し、高画質、低電圧を両立した長寿命のPDPを実現することができる。
以下、本発明の実施の形態におけるPDPについて図面を用いて説明する。
(実施の形態)
図1は本発明の実施の形態におけるPDPの構造を示す斜視図である。PDPの基本構造は、一般的な交流面放電型PDPと同様である。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、NeおよびXeなどの放電ガスが400Torr〜600Torrの圧力で封入されている。
前面板2の前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6と遮光層7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6と遮光層7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成され、さらにその表面にMgOなどからなる保護層9が形成されている。
また、背面板10の背面ガラス基板11上には、前面板2の走査電極4および維持電極5と直交する方向に、複数の帯状のアドレス電極12が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層13が被覆している。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝にアドレス電極12毎に、紫外線によって赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。走査電極4および維持電極5とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
図2は、本発明の実施の形態におけるPDP1の前面板2の構成を示す断面図であり、図2は図1と上下反転して示している。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6と遮光層7がパターン形成されている。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジウムスズ酸化物(ITO)や酸化スズ(SnO)などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成された金属バス電極4b、5bとにより構成されている。金属バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀(Ag)材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。
誘電体層8は、前面ガラス基板3上に形成されたこれらの透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bと遮光層7とを覆って設けた第1誘電体層81と、第1誘電体層81上に形成された第2誘電体層82の少なくとも2層構成とし、さらに第2誘電体層82上に保護層9を形成している。
次に、PDPの製造方法について説明する。まず、前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5と遮光層7とを形成する。これらの透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。透明電極4a、5aは薄膜プロセスなどを用いて形成され、金属バス電極4b、5bは銀(Ag)材料を含むペーストを所定の温度で焼成して固化している。また、遮光層7も同様に、黒色顔料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や黒色顔料をガラス基板の全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成される。
次に、走査電極4、維持電極5および遮光層7を覆うように前面ガラス基板3上に誘電体ペーストをダイコート法などにより塗布して誘電体ペースト層(誘電体材料層)を形成する。誘電体ペーストを塗布した後、所定の時間放置することによって塗布された誘電体ペースト表面がレベリングされて平坦な表面になる。その後、誘電体ペースト層を焼成固化することにより、走査電極4、維持電極5および遮光層7を覆う誘電体層8が形成される。なお、誘電体ペーストはガラス粉末などの誘電体材料、バインダおよび溶剤を含む塗料である。
次に、誘電体層8上にMgOからなる下地膜91を真空蒸着法により形成し、その下地膜91上に金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aが数個凝集した凝集粒子92をスクリ−ン印刷などを用いて、全面に亘ってほぼ均一に分布するように複数個付着させることにより保護層9を形成している。
以上の工程により前面ガラス基板3上に所定の構成物(走査電極4、維持電極5、遮光層7、誘電体層8、保護層9)が形成され、前面板2が完成する。
一方、背面板10は次のようにして形成される。まず、背面ガラス基板11上に、銀(Ag)材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などによりアドレス電極12用の構成物となる材料層を形成し、それを所定の温度で焼成することによりアドレス電極12を形成する。次に、アドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にダイコート法などによりアドレス電極12を覆うように誘電体ペーストを塗布して誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより下地誘電体層13を形成する。
なお、前面板2で形成した誘電体層8と同様に下地誘電体層13を形成する材料である誘電体ペーストもガラス粉末などの誘電体材料とバインダおよび溶剤を含んだ塗料で構成され、バインダの含有などを調整することにより、焼成後の下地誘電体層の空隙率を制御することができる。
本発明に至る実験においては、前記バインダの含有量を調整して下地誘電体層の空隙率を最大50%まで変化させたPDPを試作・評価した。
次に、下地誘電体層13上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布して所定の形状にパターニングすることにより、隔壁材料層を形成した後、焼成することにより隔壁14を形成する。ここで、下地誘電体層13上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法やサンドブラスト法を用いることができる。次に、隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより蛍光体層15が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。
このようにして所定の構成部材を備えた前面板2と背面板10とを走査電極4とアドレス電極12とが直交するように対向配置して、その周囲をガラスフリットで封着し、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスを封入することによりPDP1が完成する。
ここで、前面板2の誘電体層8を構成する第1誘電体層81と第2誘電体層82について詳細に説明する。第1誘電体層81の誘電体材料は、次の材料組成より構成されている。すなわち、酸化ビスマス(Bi)を20重量%〜40重量%、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を0.5重量%〜12重量%、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)、二酸化マンガン(MnO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいる。
なお、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)、二酸化マンガン(MnO)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr)、酸化コバルト(Co)、酸化バナジウム(V)、酸化アンチモン(Sb)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含ませてもよい。
また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよく、これらの材料組成の含有量に特に限定はなく、従来技術程度の材料組成の含有量範囲である。
これらの組成成分からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm〜2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料粉末を作製する。次にこの誘電体材料粉末55重量%〜70重量%と、バインダ成分30重量%〜45重量%とを三本ロールでよく混練してダイコート用、または印刷用の第1誘電体層用ペーストを作製する。
バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂1重量%〜20重量%を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加して印刷性を向上させてもよい。
次に、この第1誘電体層用ペーストを用い、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3にダイコート法あるいはスクリーン印刷法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の575℃〜590℃で焼成する。
次に、第2誘電体層82について説明する。第2誘電体層82の誘電体材料は、次の材料組成より構成されている。すなわち、酸化ビスマス(Bi)を11重量%〜20重量%、さらに、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)から選ばれる少なくとも1種を1.6重量%〜21重量%、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含んでいる。
なお、酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)に代えて、酸化銅(CuO)、酸化クロム(Cr)、酸化コバルト(Co)、酸化バナジウム(V)、酸化アンチモン(Sb)、酸化マンガン(MnO)から選ばれる少なくとも1種を0.1重量%〜7重量%含ませてもよい。
また、上記以外の成分として、酸化亜鉛(ZnO)を0重量%〜40重量%、酸化硼素(B)を0重量%〜35重量%、酸化硅素(SiO)を0重量%〜15重量%、酸化アルミニウム(Al)を0重量%〜10重量%など、鉛成分を含まない材料組成が含まれていてもよく、これらの材料組成の含有量に特に限定はなく、従来技術程度の材料組成の含有量範囲である。
これらの組成成分からなる誘電体材料を、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm〜2.5μmとなるように粉砕して誘電体材料粉末を作製する。次にこの誘電体材料粉末55重量%〜70重量%と、バインダ成分30重量%〜45重量%とを三本ロールでよく混練してダイコート用、または印刷用の第2誘電体層用ペーストを作製する。バインダ成分はエチルセルロース、またはアクリル樹脂1重量%〜20重量%を含むターピネオール、またはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加して印刷性を向上させてもよい。
次にこの第2誘電体層用ペーストを用いて第1誘電体層81上にスクリーン印刷法あるいはダイコート法で印刷して乾燥させ、その後、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の550℃〜590℃で焼成する。
なお、誘電体層8の膜厚については、第1誘電体層81と第2誘電体層82とを合わせ、可視光透過率を確保するためには41μm以下が好ましい。第1誘電体層81は、金属バス電極4b、5bの銀(Ag)との反応を抑制するために酸化ビスマス(Bi)の含有量を第2誘電体層82の酸化ビスマス(Bi)の含有量よりも多くして20重量%〜40重量%としている。そのため、第1誘電体層81の可視光透過率が第2誘電体層82の可視光透過率よりも低くなるので、第1誘電体層81の膜厚を第2誘電体層82の膜厚よりも薄くしている。
なお、第2誘電体層82において酸化ビスマス(Bi)が11重量%以下であると着色は生じにくくなるが、第2誘電体層82中に気泡が発生しやすく好ましくない。また、40重量%を超えると着色が生じやすくなり透過率をあげる目的には好ましくない。
また、誘電体層8の膜厚が小さいほどPDP輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著になるので、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定するのが望ましい。このような観点から、本発明の実施の形態では、誘電体層8の膜厚を41μm以下に設定し、第1誘電体層81を5μm〜15μm、第2誘電体層82を20μm〜36μmとしている。
このようにして製造されたPDPは、表示電極6に銀(Ag)材料を用いても、前面ガラス基板3の着色現象(黄変)が少なくて、なおかつ、誘電体層8中に気泡の発生などがなく、絶縁耐圧性能に優れた誘電体層8を実現することを確認している。
次に、本発明の実施の形態におけるPDPにおいて、これらの誘電体材料によって第1誘電体層81において黄変や気泡の発生が抑制される理由について考察する。すなわち、酸化ビスマス(Bi)を含む誘電体ガラスに酸化モリブデン(MoO)、または酸化タングステン(WO)を添加することによって、AgMoO、AgMo、AgMo13、AgWO、Ag、Ag13といった化合物が580℃以下の低温で生成しやすいことが知られている。
本発明の実施の形態では、誘電体層8の焼成温度が550℃〜590℃であることから、焼成中に誘電体層8中に拡散した銀イオン(Ag)は誘電体層8中の酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)酸化セリウム(CeO)、酸化マンガン(MnO)と反応して安定な化合物を生成して安定化する。すなわち、銀イオン(Ag)が還元されることなく安定化されるために、凝集してコロイドを生成することがない。したがって、銀イオン(Ag)が安定化することによって、銀(Ag)のコロイド化に伴う酸素の発生も少なくなるため、誘電体層8中への気泡の発生も少なくなる。
一方、これらの効果を有効にするためには、酸化ビスマス(Bi)を含む誘電体ガラス中に酸化モリブデン(MoO)、酸化タングステン(WO)、酸化セリウム(CeO)、酸化マンガン(MnO)の含有量を0.1重量%以上にすることが好ましいが、0.1重量%以上7重量%以下がさらに好ましい。特に、0.1重量%未満では黄変を抑制する効果が少なく、7重量%を超えるとガラスに着色が起こり好ましくない。
すなわち、本発明の実施の形態におけるPDPの誘電体層8は、銀(Ag)材料よりなる金属バス電極4b、5bと接する第1誘電体層81では黄変現象と気泡発生を抑制し、第1誘電体層81上に設けた第2誘電体層82によって高い光透過率を実現している。その結果、誘電体層8全体として、気泡や黄変の発生が極めて少なく透過率の高いPDPを実現することが可能となる。
次に、本発明による保護層9の構成および製造方法について詳細に説明する。
図3は本発明の実施の形態におけるPDPの保護層部分を拡大して示す説明図である。図3に示すように、保護層9は、誘電体層8上にMgOからなる下地膜91を形成し、その下地膜91上に金属酸化物であるMgOの結晶粒子92aが数個凝集した凝集粒子92を離散的に散布させ、全面に亘ってほぼ均一に分布するように複数個付着させることにより構成している。
ここで、凝集粒子92とは、図4に示すように、所定の一次粒径の結晶粒子92aが凝集またはネッキングした状態のもので、固体として大きな結合力を持って結合しているのではなく、静電気やファンデルワールス力などによって複数の一次粒子が集合体の体をなし超音波などの外的刺激により、その一部または全部が一次粒子の状態になる程度で結合しているものである。凝集粒子92の粒径としては約1μm程度のものであり、結晶粒子92aとしては、14面体や12面体などの7面以上の面を持つ多面体形状を有するのが望ましい。
また、このMgOの結晶粒子92aの一次粒子の粒径は、結晶粒子92aの生成条件によって制御できる。例えば、炭酸マグネシウムや水酸化マグネシウムなどのMgO前駆体を焼成して生成する場合、焼成温度や焼成雰囲気を制御することで粒径を制御できる。一般的に、焼成温度は700℃程度から1500℃程度の範囲で選択できるが、焼成温度が比較的高い1000℃以上にすることで、一次粒径を0.3μm〜2μm程度に制御可能である。さらに、結晶粒子92aはMgO前駆体を加熱することにより得られるが、その生成過程において、複数個の一次粒子同士が凝集またはネッキングと呼ばれる現象により結合した凝集粒子92を得ることができる。
以上のように、本発明の実施の形態における保護層9は、誘電体層8上にMgOにより構成した下地膜91を形成するとともに、下地膜91に金属酸化物からなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子92を全面に亘って分布するように複数個付着させて構成している。このように構成することにより、電子放出特性としての放電遅れ(ts)を改善し、さらには電荷保持特性をも改善することができるものである。その結果、高精細化により走査線数が増加し、かつセルサイズが小さくなる傾向にあるPDPであっても電子放出能力と電荷保持能力の両方を満足させて、高画質で低電圧駆動のPDPを実現することが可能となる。
一方、前述のように、MgO粒子をMgO保護層上に形成したPDPにおいても近年の高精細で高輝度の表示性能を備えたPDPにおいては、長時間の放電によってイオン衝撃により下地膜91のスパッタが促進され、放電電圧の上昇や画像のチラツキ発生といった不具合を発生するという課題があった。これらの下地膜91の放電によるスパッタ量は、放電空間に存在する水分量に影響されて水分量が多い場合にスパッタ量が多くなることがわかった。特に背面板10を構成する下地誘電体層13からの水分の放電空間への放出の影響が大きく、下地誘電体層13の空隙率を制御して放電空間への水分の持込と放電中の放電空間への水分拡散を制御することが重要であることがわかった。
そこで本発明の実施の形態では、下地誘電体層13に着目し、下地誘電体層13の空隙率を変えたPDPを作製してそれぞれについて電子放出特性と所定時間放電させた後の下地膜91のスパッタ量について調べた。なお、下地誘電体層13の空隙率は下地誘電体層13を形成する際のペーストにおける樹脂成分の調合割合などを調整することによって変えている。
図5は本発明の実施の形態におけるPDPにおいて下地誘電体層13の空隙率と下地膜91のスパッタ量および放電特性との関係を示す図である。図5において、横軸は下地誘電体層13の空隙率であり、縦軸は下地膜91のスパッタ量と放電特性としての放電遅れ(ts値)の変化量を示している。
ここで、下地誘電体層13の空隙率は下地誘電体層13の断面SEM写真を画像処理することにより測定した。また、所定時間放電させた後の下地膜91のスパッタ量についても断面SEM写真からその掘り込み量を測定した。なお、実験は加速ライフ試験として2万時間相当の放電を行い、その結果としての下地膜91のスパッタ量と、放電初期のts値からの変化量とを測定した。
また、電子放出特性としての放電遅れ(ts)は、特開2007−48733号公報に記載されている方法を用い、放電時の遅れ時間のうち、統計遅れ時間と呼ばれる放電の発生しやすさの目安となる数値を測定してその逆数を積分することで評価している。この放電時の遅れ時間とは、パルスの立ち上がりから放電が遅れて行われる放電遅れ時間(以下、ts値と呼称する)を意味する。
図5に示すように、下地誘電体層13の空隙率によって、下地膜91のスパッタ量と放電遅れの変化量が大きく変化することがわかる。すなわち、下地誘電体層13の空隙率の上昇につれて下地膜91のスパッタ量が増加し、空隙率が20%を超えるとその増加傾向が顕著になることがわかる。このことは、下地誘電体層13から放出される水分の量が大きくなることによってスパッタが促進される結果である。
一方、放電遅れ(ts)の変化、すなわち放電初期に比べて2万時間相当の加速ライフ放電をした後の放電遅れは、下地誘電体層13の空隙率が小さければ小さいほどその変化が大きいことわかる。これは、下地誘電体層13の空隙率が小さくなりすぎると、放電空間内に放出される水分量が減少して、保護層9の表面に存在するOH基による欠陥準位が安定的に供給されなくなり、その結果として保護層9表面からの2次電子放出が小さくなり放電が遅れものと考えられる。
表示装置の寿命として10万時間を必要とする場合、2万時間の加速ライフ放電によるスパッタ量としては200nm以下、ts変化量としては5倍以内が要求される。したがって、下地誘電体層13の空隙率が2%から20%の範囲内であれば寿命10時間を確保することができる。
次に、本発明の実施の形態におけるPDPの保護層9に用いた結晶粒子92aの粒径について説明する。なお、以下の説明において、粒径とは平均粒径を意味し、平均粒径とは、体積累積平均径(D50)のことを意味している。図6は、凝集粒子92を構成するMgOの結晶粒子92aの粒径を変化させて電子放出性能を調べた実験結果を示す図である。なお、図6および図7において、MgOの結晶粒子92aの粒径は、結晶粒子92aをSEM観察することで測長した。電子放出性能は前述と同様の放電遅れを測定し、粒径が0.1μmの場合を基準として示している。
図6に示すように、結晶粒子92aの粒径が0.6μm以下の領域では電子放出性能が急激に低下し、0.9μm以上であれば高い電子放出性能が得られることがわかる。
ところで、放電セル内での電子放出数を増加させるためには、保護層9上の単位面積あたりの結晶粒子92aの数は多い方が望ましい。しかしながら、本発明者らの実験によれば、前面板2の保護層9と密接に接触する背面板10の隔壁14の頂部に相当する部分に結晶粒子92aが存在することで、隔壁14の頂部を破損させ、その材料が蛍光体層15の上に乗るなどによって、該当するセルが正常に点灯消灯しなくなる現象が発生することがわかった。この隔壁破損の現象は、結晶粒子92aが隔壁14の頂部に対応する部分に存在しなければ発生しにくいことから、付着させる結晶粒子92aの数が多くなれば、隔壁14の破損発生確率が高くなる。
図7は、単位面積当たりに粒径の異なる同じ数の結晶粒子を散布し、隔壁破損の関係を実験した結果を示す図である。図7から明らかなように、結晶粒子92aの粒径が2.5μm程度に大きくなると隔壁破損の確率が急激に高くなるが、2.5μmより小さい結晶粒子径であれば、隔壁破損の確率は比較的小さく抑えることができることがわかる。
以上の結果より、結晶粒子が凝集した凝集粒子92としては粒径が0.9μm以上2.5μm以下のものが望ましいと考えられるが、PDPとして実際に量産する場合には、結晶粒子の製造上でのばらつきや保護層を形成する場合の製造上でのばらつきを考慮し、平均粒径が0.9μm〜2μmの範囲にある凝集粒子を使用すれば、上述した本発明の効果を安定的に得られることがわかった。
以上のように本発明の実施の形態におけるPDPによれば、下地膜のスパッタを抑制して、電子放出性能と電荷保持特性が良好なPDPを得ることができ、高精細で高輝度の表示性能を備え、低消費電力で長寿命のPDPを実現することができる。
なお、以上の説明では、下地膜としてMgOを主成分とする場合を例としたが、電子放出性能が金属酸化物の単結晶粒子によって支配的に制御される構成を取るため、MgOである必要はなくAl23などの耐衝撃性に優れる他の材料を用いても構わない。また、本発明の実施の形態では、単結晶粒子としてMgO粒子を用いて説明したが、この他の単結晶粒子でも、MgO同様に高い電子放出性能を持つSr,Ca,Ba,Alなどの金属の酸化物による結晶粒子を用いても同様の効果を得ることができるため、粒子種としてはMgOに限定されるものではない。
以上のように本発明は、高精細で高輝度の表示性能を備えるとともに長寿命のPDPを実現し、大画面高精細のディスプレイ装置などに有用である。
本発明の実施の形態におけるPDPの構造を示す斜視図 同PDPの前面板の構成を示す断面図 同PDPの保護層部分を拡大して示す説明図 同PDPの保護層において、凝集粒子を説明するための拡大図 同PDPの下地誘電体層の空隙率と電子放出特性と下地膜のスパッタ量との関係を示す図 同PDPのMgOの結晶粒子の粒径と電子放出性能との関係を示す図 同PDPの結晶粒子の粒径と隔壁の破損の発生率との関係を示す図
符号の説明
1 PDP
2 前面板
3 前面ガラス基板
4 走査電極
4a,5a 透明電極
4b,5b 金属バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 遮光層
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面ガラス基板
12 アドレス電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
81 第1誘電体層
82 第2誘電体層
91 下地膜
92 凝集粒子
92a 結晶粒子

Claims (2)

  1. 基板上に形成した表示電極を覆うように誘電体層を形成するとともに前記誘電体層に保護層を形成した前面板と、前記前面板に放電空間を形成するように対向配置した前記表示電極と交差する方向に設けたアドレス電極と前記アドレス電極を覆って設けた下地誘電体層と前記下地誘電体層に設けて前記放電空間を区画する隔壁とを形成した背面板とを有し、前記保護層を前記誘電体層上に酸化マグネシウムにより構成した下地膜と前記下地膜の上に酸化マグネシウムの結晶粒子が数個凝集した凝集粒子とにより構成するとともに前記下地誘電体層の空隙率を2%〜20%としたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
  2. 前記凝集粒子は、平均粒径が0.9μm〜2μmの範囲にある酸化マグネシウムの結晶粒子からなることを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
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