KR20080088033A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법 - Google Patents

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KR20080088033A
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Abstract

본 발명은 기판과, 기판상에 형성되는 유전체층과, 유전체층과 접하는 격벽을 포함하고, 상기 유전체층이 소정 식각액에 대해 식각되는 식각 선택비가 낮은 제1 물질 또는 상기 식각 선택비가 높은 제2 물질을 농도 구배에 따라 함유하거나, 또는 상기 격벽이 상기 제1 물질 또는 상기 제2 물질을 농도 구배에 따라 함유하는 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 관한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법에 따르면, 유전체층과 격벽의 접합 불량을 방지할 수 있다.
플라즈마 디스플레이 패널, 유전체층, 격벽, 농도 구배, 표면 조도

Description

플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법{Plasma display panel and method of preparing the same}
도 1 및 도 2는 종래 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 유전체층의 경계면을 나타내는 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 분리 사시도이다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 Ⅳ-Ⅳ 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 유전체층의 경계면을 나타낸 사진이다.
도 6은 도 5에 도시된 유전체층의 농도 구배를 나타낸 그래프이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 유전체층의 경계면을 나타낸 사진들이다.
도 9는 도 5에 따른 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 7에 따른 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명은 유전체층과 격벽 간의 접착력을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
플라즈마 디스플레이 패널은 고주파 전압을 인가하여 불활성 가스로부터 진공자외선(Vacuum Ultraviolet Rays)을 발생시키고 진공자외선에 의해 형광체를 발광시킴으로써 화상을 구현한다. 최근 플라즈마 디스플레이 패널은 얇고 가벼운 구성이 가능하므로 대화면의 차세대 디스플레이 장치로서 각광받고 있다.
이와 같은 플라즈마 디스플레이 패널은 방전전극을 덮는 유전체층과 유전체층에 접하여 형성되며 복수 개의 방전셀들을 구획하는 격벽을 포함한다. 일반적으로 유전체층과 격벽은 모두 금속 산화물로 이루어지는데, 격벽을 화학적 식각 방법으로 형성할 경우 유전체층과 격벽은 서로 다른 식각 선택비를 가져야 하므로, 각각 다른 조성비 또는 성분으로 금속 산화물을 포함하게 된다. 구체적으로, 격벽은 소정 식각액에 대해 식각이 잘되는, 즉 식각 선택비가 높은 금속 산화물을 주성분으로 함유하며, 유전체층은 상기 식각 선택비가 낮은 금속 산화물을 주성분으로 이루어진다. 따라서, 격벽과 유전체층 사이의 물성 차이에 의해 밀착성 저하 문제가 발생하게 된다. 밀착성 저하는 기포, 공극(void)을 생성하게 되고, 또한 내전압 저하에 따른 유전체층 파손이나, 셀 결함 등의 다양한 불량을 유발하게 된다.
도 1 및 도 2는 질산액에 강한 Bi2O3를 주성분으로 함유하는 하부 유전체층 과 질산액에 약한 ZnO를 주성분으로 함유하는 격벽을 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 사진들이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 유전체층과 격벽 사이에 공극(V)이 생성됨을 확인할 수 있다. 이와 같은 공극(V)은 유전체층과 격벽의 소성시 수축 거동에 의한 차이 등으로 인해 발생한다.
상기 문제점 및 다른 여러 가지 문제점들을 해결하고자, 본 발명은 격벽과 유전체층의 밀착성을 개선하여 신뢰성을 증진한 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 격벽과 유전체층의 밀착성을 개선하는 플라즈마 디스플레이 패널을 용이하게 제조하는 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 기판과, 기판상에 형성되는 유전체층과, 유전체층과 접하는 격벽을 포함하고, 상기 유전체층이 소정 식각액에 대해 식각되는 식각 선택비가 낮은 제1 물질 또는 상기 식각 선택비가 높은 제2 물질을 농도 구배에 따라 함유하거나, 또는 상기 격벽이 상기 제1 물질 또는 상기 제2 물질을 각각 농도 구배에 따라 함유하는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 유전체층은 상기 제1 물질을 주성분으로 함유할 수 있으며, 이때 격벽을 향하는 방향으로 상기 제1 물질의 농도가 감소하도록 함유할 수 있다. 또한, 유전체층은 격벽을 향하는 방향으로 상기 제2 물질의 농도가 증가하도록 함유할 수 있다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 격벽은 상기 제2 물질을 주성분으로 함유할 수 있으며, 이때, 유전체층을 향하는 방향으로 상기 제2 물질의 농도가 감소하도록 함유할 수 있다. 또한, 격벽은 유전체층을 향하는 방향으로 상기 제1 물질의 농도가 증가하도록 함유할 수 있다.
본 발명에서 주성분이라 함은 유전체층 또는 격벽 각각에서 가장 많이 함유하는 성분을 의미하는 것이다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 제1 물질은 질산을 포함하는 식각액에 식각되는 식각 선택비가 낮은 Bi2O3 또는 PbO일 수 있으며, 상기 제2 물질은 상기 식각액에 대한 식각 선택비가 높은 ZnO일 수 있다.
따라서, 상기 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서 유전체층 및 격벽은 Bi2O3 또는 PbO과 ZnO를 농도 구배에 따라 함유하며, 특히 유전체층은 상기 격벽을 향하는 방향으로 Bi2O3 또는 PbO의 농도가 감소하도록 또는 격벽을 향하는 방향으로 ZnO의 농도는 증가하도록 함유할 수 있다. 또한, 격벽은 유전체층을 향하는 방향으로 Bi2O3 또는 PbO의 농도가 증가하도록 또는 유전체층을 향하는 방향으로 ZnO의 농도가 감소하도록 함유할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판과, 기판상에 형성되고, 소정의 식각액에 대하여 식각되는 식각 선택비가 낮은 제1 물질을 주성분으로 함유하는 유전체층과, 상기 유전체층과 접하며 상기 식각 선택비가 높은 제2 물질을 주성분으로 함유하는 격벽을 포함하고, 상기 유전체층과 상기 격벽의 경계에 표면 조도(surface roughness)를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 질산을 포함하는 식각액에 대해 식각되는 식각 선택비가 낮은 제1 물질로 Bi2O3 또는 PbO을 사용할 수 있다. 즉, Bi2O3 또는 PbO는 질산을 포함하는 식각액에 대해 식각이 잘 되지 않는 것이다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 식각액에 대해 식각 선택비가 높은 제2 물질로 ZnO을 사용할 수 있다. ZnO는 질산을 포함하는 식각액에 대해 상대적으로 식각이 잘되는 것이다.
아울러, 본 발명은 기판에 유전체층을 위한 제1 페이스트층을 형성하는 단계, 상기 제1 페이스트층에 격벽을 위한 제2 페이스트층을 형성하는 단계, 상기 기판을 건조하는 단계, 및 상기 기판을 소성하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 제공한다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 상기 건조는 제1 페이스트층이 형성된 기판을 제1 건조하는 단계를 포함하며, 상기 제1 건조 후 제1 페이스트층 상에 제2 페이스트층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 건조는 제2 페이스트층이 형성된 기판을 제2 건조하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 있어서, 상기 소성은 제1 페이스트층 및 상기 제2 페이스트층이 형성된 기판을 소성하는 것이다.
따라서, 본 발명의 제조방법에 따르면, 유전체층을 위한 제1 페이스트층만 소성하는 단계 또는 제1 페이스트층만 건조하는 단계를 생략함으로써 제조공정을 간단히 하고, 유전체층과 격벽의 접합 불량을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 분리 사시도이고 도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 디스플레이 패널의 Ⅳ-Ⅳ 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널은 상부 패널(150) 및 하부 패널(160)을 포함한다.
상부 패널(150)은 제1 기판(111) 상에 X 방향으로 연장하는 복수의 유지방전전극(120)들이 배치되며, 유지방전전극(120)을 덮도록 상부 유전체층(113)이 형성된다. 상부 유전체층(113)상에 보호층(115)을 구비한다.
제1 기판(111)은 광투과성이 우수한 소재로 소다 라임 글래스 등을 이용하여 형성될 수 있다. 또한, 제1 기판(111)은 외광 반사를 감소시켜 명실 콘트라스트를 향상시키기 위하여 착색될 수 있다.
유지방전전극(120)은 제1 기판(111) 상에 X 방향으로 나란하게 형성된다. 유지방전전극(120)은 대항하는 X 전극과 Y 전극을 구비하며, X 전극 및 Y 전극 각각은 버스전극(121)과 투명전극(123)을 포함한다.
버스전극(121)은 투명전극(123)의 상대적으로 큰 저항값을 보상하여, 복수의 방전셀들에 거의 동일한 전압이 인가될 수 있도록 하며, 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등으로 이루어질 수 있다.
투명전극(123)은 방전을 일으키고 유지시키는 역할을 하며, 가시광 투과율이 높고 전극 저항이 작을 물질로 이루어지며, 예를 들어 인듐틴옥사이드(Indium Tin Oxid) 등으로 이루어질 수 있다.
상부 유전체층(113)은 방전 전류를 제한하여 글로우 방전을 유지하고, 벽전하 축적을 통해 메모리 기능과 전압을 저하하는 역할을 한다. 방전 효율을 증가시키기 위해 내전압과 가시광 투과율이 높은 것이 바람직하다.
보호층(115)은 하전 입자의 충돌로부터 상부 유전체층(113) 및 유지방전전극(120)을 보호하고 이차 전자 방출 계수를 증가시켜 방전 개시 전압을 낮춘다. 보호층(115)으로 산화 마그네슘(MgO)이 이용될 수 있다.
하부 패널(160)은 제2 기판(171) 상에 Y 방향으로 연장하는 복수의 어드레스 전극(173)들이 배치되고, 어드레스 전극(173)을 덮도록 하부 유전체층(175)이 형성된다, 하부 유전체층(175) 상에 직사각형 단면의 방전셀들을 형성하는 격벽(180)이 배치되며, 방전셀들 내부에 형광체층이 배치된다.
제2 기판(171)은 상기 제1 기판(111)과 같이 광투과성이 우수한 소재로 소다 라임 글래스 등을 이용하여 형성될 수 있으며, 외광 반사를 감소시켜 명실 콘트라스트를 향상시키기 위하여 착색될 수 있다.
어드레스 전극(173)은 제2 기판(171)상에 Y 방향으로 나란하게 배치된다. 어드레스 전극(173) 또한 상기 버스전극(121)과 같이 복수의 방전셀들에 거의 동일한 전압이 인가될 수 있도록 전기 전도도가 우수한 크롬(Cr), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 등으로 형성될 수 있다.
하부 유전체층(175)은 하전 입자의 충돌로부터 어드레스 전극(173)을 보호하며, 방전 전류를 제한하여 글로우 방전을 유지하고, 벽전하 축적을 통해 메모리 기능과 전압을 저하한다.
격벽(180)은 하부 유전체층(175) 상에 형성되며, 제1 기판(111)과 제2 기판(171) 사이의 방전 공간을 구획하여 복수의 방전셀들을 형성한다. 본 실시예에서는 매트릭스형의 격벽(180)을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 스트라이프형 격벽(180)을 비롯하여, 방전셀 단면도가 원형, 다각형 등의 다양한 형태를 갖도록 격벽(180)을 형성할 수 있다.
본 발명에서는, 하부 유전체층(175)에 접하여 격벽(180)이 형성되며, 격벽(180)을 화학적 식각 방법에 의해 형성할 경우 하부 유전체층(175)은 식각 정지막으로 작용하므로, 하부 유전체층(175)과 격벽(180)은 각각 서로 다른 식각 선택비를 갖는 물질을 주성분으로 함유한다.
상세하게, 하부 유전체층(175)은 식각액에 대해 잘 식각되지 않은, 즉 식각 선택비가 낮은 제1 물질을 주성분으로 함유하며, 격벽(180) 상기 식각액에 대해 잘 식각되는, 즉 식각 선택비가 상대적으로 높은 제2 물질을 주성분으로 함유한다. 예를 들어, 질산을 함유하는 식각액에 대해 식각 선택비가 낮은 Bi2O3 또는 PbO을 제1 물질로 함유하며, 상기 식각액에 대해 식각 선택비가 높은 ZnO를 제2 물질로 함유한다.
이때, 하부 유전체층(175)과 격벽(180)은 각각 상기 주성분을 농도 구배에 따라 함유한다. 구체적으로, 하부 유전체층(175)은 격벽(180)을 향하는 방향으로 주성분인 제1 물질을 점점 감소하는 농도로 함유하거나, 격벽(180)이 하부 유전체층(175)을 향하는 방향으로 주성분인 제2 물질을 점점 감소하는 농도로 함유한다.
또한, 하부 유전체층(175)은 부성분으로 제2 물질을 포함하며, 격벽(180)도 부성분으로 제1 물질을 함유한다. 부성분도 농도 구배에 따라 함유할 수 있는데, 구체적으로 하부 유전체층(175)은 격벽(180)방향으로 제2 물질을 점점 증가하는 농도로 함유하고, 격벽(180)은 하부 유전체층(175) 방향으로 제1 물질을 점점 증가하는 농도로 함유한다.
이와 같이, 서로 접하는 하부 유전체층(175)과 격벽(180)의 경계면에서 농도 구배에 따라 조성 성분들을 함유함으로써, 상기 계면에서의 물성 차이를 줄여 접합 불량을 방지할 수 있다.
격벽(180)에 의해 복수의 방전셀들이 형성되며, 방전셀들 각각에는 형광체층이 배치된다. 형광체층은 풀-칼라(full-color)의 디스플레이를 구현하기 위해, 서로 다른 색상들로 마련된다. 예를 들어, 빛의 3 원색으로 칼라 영상을 구현할 경우, 적색 형광체층(177R), 녹색 형광체층(177G), 및 청색 형광체층(177B)이 교대로 방전셀내에 도포되어 적색 방전셀(190R), 녹색 방전셀(190G) 및 청색 방전셀(190B)을 형성한다.
또한, 방전셀에는 방전 가스가 주입된다. 방전 가스는 네온(Ne), 크세논(Xe), 헬륨(He)와 같은 비활성 기체 또는 이들의 혼합 기체들을 사용한다.
도 5는 제2 기판(171) 상에 PbO와 ZnO를 농도 구배에 따라 함유하는 하부 유 전체층(175)을 형성하고, 하부 유전체층(175) 상에 격벽(180)을 형성한 플라즈마 디스플레이 패널 일부의 단면도를 나타낸 사진이다.
하부 유전체층(175)은 PbO를 주성분으로 함유하되, 격벽(180)과의 경계면(C)에서 하부 유전체층(175) 방향으로(↓) 농도가 증가하도록 함유하며, ZnO는 하부 유전체층(175) 방향으로(↓) 감소하는 농도로 함유한다.
도 6 및 표 1은, 격벽(180)과 하부 유전체층(175)의 경계면(C)에서 하부 유전체층(175) 방향으로 Pb(a)와 Zn(b)의 농도를 분석한 결과를 나타낸 것이다. 200nm씩 하부 유전체층(175) 방향으로 이동하면서 측정한 결과이다. 농도는 단위 시간당 검출된 원소의 량을 측정하였으며, 단위는 count이다.
경계면(C)에서는 PbO보다 ZnO의 농도가 더 큼을 알 수 있다. 경계면(C) 근처의 하부 유전체층(175)은 ZnO를 주성분으로 함유하는 격벽(180)과 유사한 물성을 가지므로, 하부 유전체층(175)과 격벽(180)의 결합력이 증대될 수 있다.
Figure 112007024333848-PAT00001
본 실시예에서는, 하부 유전체층(175)의 조성 성분의 농도 구배를 확인하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 격벽(180)이 주성분인 ZnO를 하부 유전체층(175)으로 향하여 감소하는 농도로 포함하고 부성분인 PbO가 하부 유전체층(175)으로 향하여 증가하는 농도로 포함할 수 있다. 또는 하부 유전체층(175) 및 격벽(180) 모두 농도 구배에 따라 조성 성분들을 포함할 수 있다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 및 유전체층의 경계면을 나타내는 사진들이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 제2 기판(171) 상에 하부 유전체층(176)을 구비하고, 하부 유전체층(176) 상에 격벽(180)을 형성한다.
하부 유전체층(176) 및 격벽(180)은 각각 PbO 및 ZnO를 함유하나, 하부 유전체층(176)은 질산을 포함하는 식각액에 대해 식각이 잘 되지 않는, 식각 선택비가 낮은 PbO를 주성분으로 함유하고, 격벽(180)은 상기 식각 선택비가 높은 ZnO를 주성분으로 함유한다. PbO 대신 Bi2O3를 함유할 수도 있다.
격벽(180)과 하부 유전체층(176)은 각각 주성분이 서로 다름에도, 하부 유전체층(176)과 격벽(180)의 경계면에 표면 조도, 소정 거칠기를 갖도록 형성함으로써 접촉 면적을 넓혀 접착력을 강화시킬 수 있다.
도 9는 도 5에 따른 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 상세하게, 도 5는 하부 유전체층(175)과 격벽(180)을 농도 구배에 따라 형성하는 방법을 설명한다.
도 9를 참조하면, 나란하게 배열된 어드레스 전극(173)을 구비하는 제2 기판(171) 상에 하부 유전체층(175)용 제1 페이스트층(175a)을 인쇄 또는 코팅하여 형성한다. 본 실시예에서는 제1 페이스트층(175a)을 스크린 프린팅 장치(200)를 이용하여 제2 기판(171) 상에 형성함을 예시한다. 제1 페이스트층(175a)은 식각액에 대해 식각 선택비가 서로 다른 제1 물질 및 제2 물질을 포함하나, 주성분으로 상기 식각 선택비가 낮은 제1 물질을 포함한다. 예를 들어 제1 페이스트층(175a)은 질산을 포함하는 식각액에 대해 잘 식각되지 않는 PbO를 주성분으로 포함한다.
이후, 제1 페이스트층(175a)이 형성된 제2 기판(171)을 제1 건조한다. 제1 건조된 제1 페이스트층(175b)은 소성막과는 달리 치밀하지 않은 다공질(phorous)의 막질이 된다.
제1 건조된 제1 페이스트층(175b) 상에 코터기(210)를 이용하여 격벽(180)용 제2 페이스트층(180a)을 코팅한다. 본 실시예에서는 제2 페이스트층(180a)을 코팅함을 예시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며 인쇄 방법 등에 의해 형성할 수도 있다. 제2 페이스트층(180a)도 상기 제1 물질 및 제2 물질을 포함하나, 상기 식각 선택비가 높은 제2 물질을 주성분으로 포함한다. 예를 들어, 질산을 포함하는 식각액에 식각 선택비가 높은 ZnO를 주성분으로 함유한다.
다공질의 제1 페이스트층(175b) 상에 제2 페이스트층(180a)을 코팅하면, 상기 다공질 막질 사이로 제2 페이스트층(180a)이 스며든다. 따라서, 제2 페이스트층(180a)의 주성분인 ZnO는 제1 페이스트층(175b)으로 스며들어 농도 구배가 발생한다. 구체적으로, 제1 페이스트층(175b)은 경계면에서 제1 페이스트층(175b) 방향으로 ZnO을 점점 감소하는 농도로 함유한다. 또한, 제1 페이스트층(175b)은 주성분인 PbO가 아래 방향으로 스며드므로, 경계면에서 제1 페이스트층(175b) 방향으로 PbO를 점점 증가하는 농도로 함유한다.
이후, 제1 건조 후의 제1 페이스트층(175b) 및 제2 페이스트층(180a)이 형성된 제2 기판(171)을 제2 건조한다. 제2 건조된 제1 페이스트층(175c)과 제2 페이스트층(180b)을 소성한다. 그리고 소성하여 제2 기판(171) 상에 하부 유전체층(175)이 형성되고, 하부 유전체층(175)상에 소성된 제2 페이스트층(180c)이 형성된다.
그리고 소성된 제2 페이스트층(180c)을 화학적 식각 방법으로 하부 유전체층(175)이 노출되도록 식각하여 매트릭스 형의 격벽을 완성한다. 이때, 하부 유전체층(175)은 상기 제2 페이스트층(180c)보다 낮은 식각 선택비를 갖는 제1 물질을 주성분으로 함유함으로써, 식각이 잘되지 않아 식각 정지막으로 작용할 수 있다.
본 실시예에서는, 하부 유전체층(175)이 농도 구배에 따라 조성 성분을 포함함을 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 건조된 제1 페이스트층(175b) 상에 제2 페이스트층(180a)을 형성한 후, 제2 기판(171)을 뒤집으면 제2 페이스트층(180a)의 주성분인 ZnO가 제1 페이스트층(175b)으로 스며들어 격벽(180)도 농도 구배에 따라 조성 성분을 함유하도록 설계할 수 있다.
도 10은 도 7에 따른 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다. 구체적으로, 도 10은 하부 유전체층(175)과 격벽(180) 간의 계면에 표면 조도가 형성된 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 10을 참조하면, 제1 건조 공정을 생략한 것을 제외하고는 도 9의 제조공정과 거의 유사하다. 이하, 차이점을 위주로 설명한다.
복수의 어드레스 전극(173)들이 나란히 배열된 제2 기판(171) 상에 하부 유전체층(176)용 제1 페이스트층(176a)을 형성하고, 제1 페이스트층(173a) 상에 건조 및 소성 공정 없이 직접 제2 페이스트층(180a)을 형성한다. 상기 페이스트층들은 연고상태로서, 제1 페이스트층(176a) 상에 제2 페이스트층(180a)을 형성하여 동시에 건조 및 소성함으로써 하부 유전체층(175)과 소성된 제2 페이스트층(180c)의 계면은 자연스럽게 표면 조도를 갖도록 형성될 수 있다. 따라서, 하부 유전체층(175)과 제2 페이스트층(180c)의 접착 면적이 넓게 형성되어 양 층들의 결합력은 더욱 증대된다.
소성된 제2 페이스트층(180c)은 도 9에서와 같이 화학적 식각 방법에 의해 식각하여 매트릭스 형상의 격벽(180)을 형성할 수 있다.
상기 살펴 본 바와 같이, 본 발명은 유전체층 및 상기 유전체층과 접하는 격벽이 농도 구배에 따라 식각 선택비가 서로 다른 제1 물질 및 제2 물질 함유함으로써 유전체층과 격벽 사이의 경계면에서 제1 물질 및 제2 물질의 농도 차이를 줄여 상기 두 층의 접착력을 개선할 수 있다. 또한, 본 발명은 유전체층과 격벽의 경계면에 표면 조도를 형성함으로써 접착 면적을 증가시켜 밀착성 개선할 수 있다. 따라서, 본 발명을 층 간의 밀착성을 개선하여 공극 형성, 내전압 저하에 따른 유전체 파손, 셀결함 등의 다양한 불량을 방지함으로써 신뢰성을 증진한 플라즈마 디스 플레이 패널을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 건조 단계를 생략하여 유전체층 및 격벽이 농도 구배에 따라 제1 물질 및 제2 물질을 함유하도록 플라즈마 디스플레이 패널을 용이하게 제조할 수 있으며, 또는 건조와 소성 단계를 생략함으로써 유전체층과 격벽 사이에 표면 조도를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널을 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판상에 형성되는 유전체층; 및
    상기 유전체층과 접하는 격벽;을 포함하고,
    상기 유전체층 또는 상기 격벽은 각각 소정 식각액에 대해 식각되는 식각 선택비가 낮은 제1 물질 또는 상기 식각 선택비가 높은 제2 물질을 농도 구배에 따라 함유하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 상기 제1 물질을 주성분으로 함유하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 제2 물질을 주성분으로 함유하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 상기 격벽을 향하는 방향으로 상기 제1 물질의 농도가 감소하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체층은 상기 격벽을 향하는 방향으로 상기 제2 물질의 농도가 증가하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 유전체층을 향하는 방향으로 상기 제1 물질의 농도가 증가하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 유전체층으로 향하는 방향으로 상기 제2 물질의 농도가 감소하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 유전체층 및 상기 격벽은 Bi2O3 또는 PbO과 ZnO를 농도 구배에 따라 함유하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 유전체층은 상기 격벽을 향하는 방향으로 ZnO의 농도가 증가하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 유전체층은 상기 격벽을 향하는 방향으로 Bi2O3 또는 PbO의 농도가 감소하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 유전체층을 향하는 방향으로 ZnO의 농도가 감소하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 격벽은 상기 유전체층을 향하는 방향으로 Bi2O3 또는 PbO의 농도가 증가하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  13. 기판;
    상기 기판상에 형성되고, 소정의 식각액에 대하여 식각되는 식각 선택비가 낮은 제1 물질을 주성분으로 함유하는 유전체층; 및
    상기 유전체층과 접하며, 상기 식각 선택비가 높은 제2 물질을 주성분으로 함유하는 격벽;을 포함하고,
    상기 유전체층과 상기 격벽의 경계에 표면 조도(surface roughness)를 갖는 플라즈마 디스플레이 패널.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제1 물질은 Bi2O3 또는 PbO인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제2 물질은 ZnO인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.
  16. 기판에 유전체층을 위한 제1 페이스트층을 형성하는 단계;
    상기 제1 페이스트층에 격벽을 위한 제2 페이스트층을 형성하는 단계;
    상기 기판을 건조하는 단계; 및
    상기 기판을 소성하는 단계;를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 건조는 상기 제1 페이스트층이 형성된 기판을 제1 건조하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제1 건조 후, 상기 제1 페이스트층 상에 제2 페이스트층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  19. 제 16 항에 있어서, 상기 건조는 상기 제2 페이스트층이 형성된 기판을 제2 건조하는 단계를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
  20. 제 16 항에 있어서, 상기 소성은 상기 제1 페이스트층 및 상기 제2 페이스트층이 형성된 기판을 소성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
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