KR100254479B1 - 플라즈마 디스플레이판넬 및 그 제조방법 - Google Patents

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아끼구사 나오유끼
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Abstract

표시전극을 구성하는 투명도전막의 열화를 방지하고 표시의 신뢰성을 높이는 것을 목적으로 한다.
투명도전막 또는 투명도전막 보다 폭이 좁은 금속막의 다층막으로 되는 복수의 표시전극(X, Y)과, 표시전극(X, Y)을 방전공간에 대해서 피복하는 유전체층을 갖는 AC형 평면방진형 플라즈마 디스플레이판넬에 있어서, 상기 유전체층을 실질적으로 납을 포함하지 않는 ZnO제 유리재료를 사용하여 형성한다.
또, 상기 유전체층은 상기 표시전극의 단부까지 피복함으로서 보호하고, 후에 에칭등을 상기 피복을 제거한다.

Description

[발명의 명칭]
플라즈마 디스플레이판넬 및 그 제조방법
[기술분야]
본 발명은 AC 면방전형 플라즈마 디스플레이판넬(이하 PDP라 함) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
[배경기술]
PDP는 표시휘도상 유리한 자기발광형 표시장치로서, 화면의 대형화 및 고속 표시가 가능하므로, CRT 대신에 표시장치로서 주목받고 있다. 특히 형광체에 의한 칼라표시에 적합한 면방전형 PDP는 하이비젼(고선명티브이)을 포함한 텔레비젼영상 분야에서 그 용도가 확대되고 있다.
도1은 일반적인 면방전형 PDP의 분해사시도이고, 하나의 화소(GE)에 대응하는 부분의 기본적인 구조를 나타내고 있다. 도1에 나타낸 PDP는 형광체의 배치형태에 의한 분류상 반사형이라 하는 3 전극구조의 PDP이고, 한쌍의 유리기판(11,21)과 그 위에 설비되어 횡방향으로 서로 평행하게 인접하여 뻗은 한쌍의 표시전극(X, Y)과, 방전으로 벽전하를 이용하는 AC구동을 위한 유전체층(17), 산화마그네슘(MgO)으로 되는 보호막(18)과, 표시전극(X, Y)과 직교하는 어드레스전극(A)과, 평면에서 보아 어드레스전극(A)과 평행한 직선상의 격벽(29), 및 각각 칼라 3원색인 적(R), 녹(G), 청(B)을 표시하는 형광체층(28)으로 구성되어 있다.
내부의 방전공간(30)은 격벽에 의해서 표시전극(X, Y)의 연장 방향으로 단위 발광영역(EU)마다로 구획되고, 또 그 간극치수가 규정되어 있다. 형광체층(28)은 면방전에 의한 이온충격을 피하기 위해서 표시전극(X, Y)과 반대측의 유리기판(21)상의 각 격벽(29) 사이에 설비되어 있고, 면방전에서 발생하는 자외선에 의해서 여기되어 발광한다. 형광체층(28)의 표층면(방전공간과 접촉하는 면)에서 발광하는 광은 유전체층(17) 및 유리기판(11)등을 투과하여 외부로 방사된다.
표시전극(X, Y)은 형광체층(28)에 대해서 표시면(H)측에 배치되므로 면방전을 광범위하게 행하고, 또 표시광의 차광을 최소한으로 하기 위해서 폭이 넓은 투명도전막(41)과 이 도전성을 보충하기 위해 폭이 좁은 금속막(버스전극)으로 구성되어 있다. 투명도전막(41)은 ITO(산화인듐)나 네사(NESA, 산화주석) 등의 산화금속으로 된다. 이러한 종류의 AC 면방전형 PDP의 대표적인 예로는 유럽특허출원공개 공보 제0554172에 개시되어 있다.
이와 같은 구조의 PDP에 있어서, 유전체층(17)의 표층면은 방전특성의 균일화 및 투명성의 확보면에서 더 평활한 것이 바람직하다.
따라서 일반적으로 유전체층(17)은 예를 들어, 연화점이 470℃정도의 저융점 납유리(PbO의 조성비가 75%정도)를 연화점보다 매우 높은 600℃ 정도의 온도에서 소성하는 단층구조의 유리층으로 형성되어 있다. 연화점보다 매우 높은 온도에서 소성함으로써 그 소성시에 유리재료가 유동하므로 표층면이 평탄한 유리층을 얻을 수 있다.
PDP의 구동에 있어서는 한쌍의 표시전극(X, Y)에 인가하는 구동펄스의 펄스폭에 미묘한 편차가 있거나, 한쪽 표시전극에 인가하는 펄스수가 다른쪽에 비해서 많은 구동시켄스를 정상적으로 적용했을 때에 표시전극(X, Y) 사이의 전위상태의 균등성이 손상된다. 즉, 표시전극(X, Y) 사이에 동일 극성의 DC전압, 예를 들어 200V 정도로 상당시간 가해지게 된다. 한편, 표시전극(X, Y) 사이의 간극은 100㎛ 정도로 작다. 또 이 사이를 절연하는 유전체층(17)에는 상기한 PbO를 포함한다. 이 유전체층(17)의 표면에서 방전이 행해지므로 그 온도는 상당히 높은 것으로 추정된다. 실제 유리기판 표면에서 700℃에 도달하고 있다. 또 투명전극 재료에 포함되는 인듐이나 주석은 화학적으로 불안정하고, 금속전극의 동도 유전체층(17)으로 유출되어 일렉트로마이그레이션(electro-migration)을 일으키기 쉬운 재료이다. 이 전극재료, 절연재료와 높은 인가전계강도와 높은 온도의 조합이 일렉트로마이그레이션을 촉진하는 조건을 형성하고 있다.
이와 같은 조건에서 장기간에 걸쳐서 사용하면, 종래의 구성에 있어서는 표시전극(X, Y)의 일렉트로마이그레이션이 진행하고, 유전체층(17)의 내부에서 한쪽의 표시전극의 투명도전막(41)으로부터 다른 쪽의 표시전극의 투명도전막(41)을 향해서 나무가지상의 돌기가 성장한다. 이 때문에 부분적으로 절연저항이 저하하고, 비표시의 단위발광영역(EU)이 발광하는 오점등(誤點燈)이 발생하는 문제가 있다. 또, 일렉트로마이그레이션의 원인인 인가전압의 불균형을 완전히 없애는 것은 불가능하다.
[발명의 상세한 설명]
본 발명은 이와 같은 문제를 고려하여 이루어진 것으로서 표시전극(X, Y)을 구성하는 도전막의 열화를 방지하고, 표시의 신뢰성을 높이는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명을 달성하기 위해서 본 발명자들은 상기 도전막의 피복에 적합한 유전체재료를 연구했다. 그 결과 ZnO계 유리재료를 사용함으로써 일렉트로마이그레이션에 의한 투명도전막의 열화를 대폭적으로 감소시킬 수 있음을 발견했다.
본 발명의 PDP는 방전공간을 형성하는 한쌍의 기판중 적어도 한쪽의 기판상에 투명도전막 또는 투명도전막과 그보다 폭이 좁은 금속막의 다층막으로 되는 복수의 표시전극과, 상기 표시전극을 방전공간에 대해서 피복하는 유전체층을 갖는 AC형의 플라즈마 디스플레이판넬에 있어서, 상기 유전체층이 실질적으로 납을 포함하지 않는 ZnO계 유리재료로 된 것이다.
또, 상기 ZnO계 유리재료를 사용한 유전체층을 표시전극의 전면에 피복하고, 밀봉공정을 완료한 후 상기 표시전극의 단부상에 피복된 유전체층을 제거한다.
[도면의 간단한 설명]
제1도는 일반적인 면방전형 PDP의 분해사시도.
제2도는 본 발명에 의한 PDP의 요부구성을 나타낸 단면도.
제3도는 제조단계의 PDP의 모식도.
제4도는 ITO로 형성한 투명도전막의 열화와 유전체 재료의 관계를 나타내는 그래프.
부호의 설명
1 : PDP(플라즈마 디스플레이판넬)
10 : 전극기판
11 : 제1 유리기판
17 : 유전체층
17A : 하층
17a : 전극단자보호층
17B : 상층
21 : 제2 유리기판
30 : 방전공간
41 : 투명도전막
41a : 단부(표시전극의 단부)
42 : 금속막
171 : ZnO계 유리층
X, Y : 표시전극
[발명을 실시하기 위한 최량의 형태]
본 발명에 의한 PDP는 이하에 설명하는 유전체층의 재료와 이에 수반하는 가공조건 이외에는 그 구조가 도1에 나타낸 종래의 PDP와 본질적으로 변함이 없다. 이것을 도2에 나타낸 단면도에 따라서 이하에 설명한다.
본 발명에 의한 PDP(1)는 매트릭스표시의 단위발광영역에 한쌍의 표시전극(X, Y)과 어드레스전극(A)이 대응하는 3전극 구조의 면방전형 PDP이다.
면방전을 위한 표시전극(X, Y)은 전면측에 배치되는 제1 유리기판(11)상에 설비되고, AC구동용 유전체층(17)에 의해서 방전공간(30)으로부터 절연되어 있다. 유전체층(17)의 두께는 20~30㎛ 정도이다. 유전체층(17)의 표면에는 보호막으로서 두께 수천Å 정도의 MgO막(18)이 설비되어 있다.
표시전극(X, Y)은 넓은 띠상의 투명도전막(41)과 그 도전성을 보충하기 위해서 외단측에 적층된 폭이 좁은 버스금속막(42)으로 구성되어 있다. 투명도전막(41)은 두께 수천 Å~1㎛ 정도의 ITO막(산화인듐막)으로 되고, 버스금속막(42)은 예를 들어 Cr/Cu/Cr의 3층구조의 박막으로 된다.
배면측에 배치되는 제2 유리기판(21)에는 단위발광영역을 선택적으로 발광시키기 위한 어드레스전극(A)이 표시전극(X, Y)과 직교하도록 배열되어 있다. 어드레스전극(A)의 상면을 포함하여 배면측의 내면을 피복하도록 소정색 즉 R,G,B 3원색을 발광하는 형광체(28)가 설비되어 있다.
본 발명의 유전체층(17)은 투명도전막(41) 및 버스금속막(42)과 접촉하는 하층(17A)과 하층(17A) 위에 적층된 상층(17B)으로 구성되어 있다. 그리고 하층(17A)은 연화점이 550~600℃의 ZnO계 유리재료로 되고, 상층(17B)은 연화점이 하층보다 낮은 450~500℃의 PbO계 유리재료로 된다. 하층(17A) 및 상층(17B)의 두께는 동일하다. 또 연화점은 유리재료의 점도가 4.5×106.5포이즈가 되는 온도이다.
이하 유전체층(17)의 형성공정을 중심으로 본 발명의 PDP의 제조방법을 설명한다. 도3a~3c는 PDP의 제조단계를 나타낸 모식도이다. 우선 이 공정의 개략을 설명하겠다. PDP(1)는 각 유리기판(11, 21)에 대해서 각각 소정의 구조요소를 설비하고, 전면측의 전극기판(편면판넬)(10) 및 배면측의 전극기판(20)을 제작하고, 그후에 전극기판(10, 20)을 적층하여 밀봉을 행하고, 내부의 배기 및 방전가스의 충전을 행하는 일련의 공정에 의해서 제조한다.
제1 유리기판(11)의 제조방법을 이하에 기술한다. 제1 유리기판(11)은 그 일표면에 2산화규소막(SiO2)을 피복한 3mm정도 두께의 소다석회유리판이다. 상기 SiO2피복면상에 증착이나 스퍼터 등에 의한 성막, 및 포토리소그래피법에 의한 패터닝에 의해서 투명도전막(41)과 버스금속막(42)을 순차형성하여 표시전극(X, Y)을 제작한다. 다음에 제1 유리기판(11)의 표면에 표시전극(X, Y)을 이들 전 길이에 걸쳐서 피복하도록 실질적으로 Pb를 포함하지 않는 ZnO계 유리재료를 주성분으로 하는 유리페이스트, 예를 들어 표1 조성의 유리재료(연화점은 585℃) 또는 표2 조성의 유리재료(연화점 580℃)를 스크린인쇄에 의해서 균일하게 도포한다.
Figure kpo00001
Figure kpo00002
그리고 건조시킨 상기 페이스트층을 그 연화점에 가까운 예를 들어 550~590℃로 소성하고, 발포를 방지하면서 하층(17A) 및 전극단자 보호층(17a)을 형성한다. 여기서 유리기판(11)의 변형을 방지하기 위해서 소성온도는 상기와 같이 590℃ 이하가 바람직하다. 따라서 상층(17B)연화점은 590℃보다 매우 낮게 설정한다.
소성으로 얻은 ZnO계 유리재료(171)의 방전공간과 간접적으로 대향하는 부분이 하층(17A)이고, 표시전극의 단부를 덮는 부분을 전극단자 보호층(17a)이라 한다. 전극단자 보호층(17a)은 이후 열처리에서 습기와의 반응에 의한 표시전극(X, Y)의 산화를 방지하는 역할도 한다.
하층(17A)의 소성온도가 그 연화점 부근보다 낮은 경우에는 유리재료와 버스금속막(42)의 동의 접촉으로 발포를 수반하는 화학반응이 일어나더라도 그 기포가 성장하지 않으므로 절연파괴의 원인이 되는 큰 기포는 발생하지 않는다. 그러나 하층(17A)의 소성온도가 낮으면 그 표층면(상면)은 유리입자 크기를 반영한 요철(凹凸)면(표면거칠기가 5~6㎛의 거친면)으로 된다. 요철면은 광의 산란에 의한 투명성의 저하를 초래한다.
여기서 하층(17A)위에 유전체층(17)을 평탄화하기 위한 상층(17B)을 형성한다. 상층(17B)으로서는 상술한 바와 같이 연화점이 하층(17A)의 재료보다 낮고, 예를 들어 표3 조성의 PbO계 유리재료(여노하점은 475℃)를 주성분으로 하는 페이스트를 도포한다. 이 때 도포의 범위는 표시전극(X, Y)의 단부(단부가 되는 부분)의 상부를 제외한다. 이것은 제조후 표시전극(X, Y)의 단부를 노출시키는 공정을 용이하게 하기 위한 배려이다. 이것에 대해서는 더 후술한다.
Figure kpo00003
그리고 상기 건조시킨 페이스트층을 그 연화점보다 높고, 또 하층(17A)의 소성온도보다 낮은 온도(예를 들어 530℃)에서 소성하여 상층(17B)을 형성한다(도3a)). 소성온도는 상기 상층(17B)의 연화점보다 높으므로 소성중에 상층(17B)의 유리재료가 유동하여, 표면거칠기가 1~2㎛정도의 평탄한 상층(17B)(즉 2층으로 구성된 유전체층(17))을 형성한다.
또 상층(17B)의 소성온도를 하층(17A)의 소성온도보다 낮게 설정함으로써, 하층(17A)의 발포를 방지할 수 있다. 이와 같이 제작된 전극기판(10)은 상술한 바와 같이 유전체층과 전극단자 보호층을 겸하는 층(17a)이 일괄하여 동시에 형성되므로 층구조가 간단하여 수율이 우수하고, 또 후술하는 바와 같이 전극단자의 노출 가공이 용이하여 PDP(1)의 제조에 적합하다.
ZnO계 유리재료에서는 연화점을 낮게 하는 것이 비교적 곤란하므로 Bi2O3를 첨가함으로써 연화점을 저하시키고 있다. 또 예를 들어 포4에 나타낸 바와 같이 Na2O로 대표되는 알칼리계 금속산화물을 첨가함으로써 연화점을 낮게할 수 있다. 표4 조성의 유리재료의 연화점은 550℃이다.
Figure kpo00004
이상과 같이 하여 하층(17A)과 상층(17B)을 순차형성하여 유전체층(17)을 설비한 후, 주지와 같이 전자빔 증착 등에 의해서 MgO에 의한 보호막(18)을 설비하여 전면측 유리기판의 제조를 종료한다.
다음에 별도로 제작된 배면측의 전극기판(20)과 전면측의 전극기판(10)을 각각의 전극면을 대향시켜 중첩시키고, 접착재료를 겸하는 밀봉유리(31)의 융착에 의해서 양자를 접합한다(도3b). 구체적으로 밀봉유리(31)는 2매의 기판을 적층하기 전에 한쪽 또는 양쪽의 전극기판상에 스크린인쇄에 의해서 프레임상으로 설비해 놓고, 기판 중첩후에 가열하여 융착한다. 이때 융착온도는 격벽(29)이 변형하지 않는 온도, 예를 들어 약 450℃로 설정한다. 이 밀봉유리(31)의 융착시에 있어서, 전극단자 보호층(17a)은 표시전극의 단부의 산화를 방지한다.
그후 판넬밖으로 노출되어 있는 전극단자 보호층(17)을 예를 들어 질산용액의 화학에칭에 의해서 제거하여 표시전극(X, Y)의 단부(41a)를 노출시킨다(도3c). 이때 표시전극(X, Y)의 단부는 금속막(42)만의 단층구조로 구성되어 있고, 노출시 질산용액으로 침식되지 않는다. 판넬내부를 배기하는 공정에서 방전을 발생시키는 경우에는 전극단자 보호층(17a)의 에칭은 배기공정전에 행한다. PDP완성후 노출된 부분이 이방성 도전필름과 플렉시블 케이블을 거쳐서 외부의 구동회로에 접속된다.
도4는 ITO막의 열화와 유전체재료의 관계를 나타낸 그래프이다. 즉 표시전극(X, Y)을 표1 조성의 ZnO계 유리재료로 피복한 시료와, 종래부터 유전체재료로 사용되고 있는 표5 조성의 PbO계 유리재료로 피복한 시료를 제작했다. 이들 양 시료의 연화점은 거의 동일하게 선정되어 있다. 이들 시료에 대해서 구동펄스 전압의 가속계수배의 DC전압, 즉 100V×가속계수를 일정시간(예를 들어 100시간), 주위온도 90℃에서 인가하는 가속시험을 행하여 나무가지상 돌기의 길이를 현미경 관찰에 의해서 측정했다. 그 결과를 도3에 도시했다. 또 종축의 나무가지상 돌기의 길이는 PbO계 유리재료에서의 3배가속의 경우의 길이를 기준으로 규격화 되어 있다.
Figure kpo00005
도4로부터 명백한 바와 같이 ITO막(투명도전막)과 접촉하는 유전체가 ZnO계 유리재료로 된 경우에는, 1.5~2배의 가속시험에 있어서 나무가지상의 돌기가 확인되지 않고, 2.5~3배의 가속시험에 있어서 돌기가 발생하나 PbO계 유리재료로 되는 경우에 비해서 돌기의 길이가 매우 짧다.
ITO막 대신에 네사(NESA)막으로 표시전극(X, Y)을 형성한 경우에도 도4와 동일한 결과를 얻었다. 즉 네사막으로 되는 표시전극(X, Y)을 갖는 PDP에 있어서도, ZnO계 유리재료가 유전체 재료로서 적합함을 확인했다.
상술한 실시 형태에 의하면 상층(17B)의 재료로서 연화점이 하층(17A)의 연화점보다 낮은 유리재료를 사용하므로 상층(17B)의 소성시에 하층(17A)내에서 가스가 발생해도 그 가스가 상층(17B)을 거쳐서 외부로 발산하여 상층(17B)에 의해 가스가 봉입되는 일이 없다. 또 상층(17B)의 재료로서 연화온도가 하층(17A)보다도 큰 유리재료를 사용한 경우에도 상층(17B)의 소성 동안에, 상층(17B)이 하층(17A)에 비해서 유연한 상태를 유지하므로 동일하게 상층(17B)에 의해 가스가 봉입되는 것을 방지할 수 있다.
상술한 실시형태에 있어서, 각 유리층(17A, 17B)의 재료, 각 두께비 및 소성 조건(온도 프로파일) 등은 유리기판 재료, 기판표면 피복재료, 투명도전막(41)의 재료, 버스금속막의 재료에 따라서 균질하고, 또한 상면이 평탄한 유전체층(17)을 얻을 수 있도록 적당하게 변경할 수 있다.
상술한 실시 형태에 있어서는 상층에 PbO를 포함하는 유리를 사용한 경우를 나타냈으나, 상층(17B)에도 ZnO계 유리재료로 형성하는 것이 가능하다.
또 상술한 실시형태에 있어서는 2층구조의 유전체층(17)을 예시했으나, 반드시 복층구조일 필요는 없다. 즉 유전체층(17)으로서 ZnO계 유리재료로 되는 단층의 유리층을 설비해도 가능하다. 이 경우 소성온도, 유리재료중의 기포잔류, 표면 평탄도의 문제점과 공정의 간략화의 이점을 균형을 맞추어 재료와 조건을 선택한다. 입력이 작은 유리분말을 선택적으로 사용하면 표면의 평탄성을 높이는 데 공헌할 수 있다.
상술한 실시형태에 있어서는 표시전극으로서 투명도전막과 그위에 설비된 금속막이 있는 경우를 예로서 설명했으나, 금속막이 없이 투명도전막만으로 구성된 경우에도 본 발명을 적용할 수 있음은 물론이다.
본 발명에 의하면 투명도전막과 접촉하는 유전체를 ZnO계 유리재료로 형성하면 PDP를 장기에 걸쳐서 사용해도 일렉트로마이그레이션에 의한 표시전극 사이의 절연성의 저하가 거의 일어나지 않는다.
유전체층을 복층구조로서 상층의 연화점을 하층보다 낮게 하면 유전체층의 형성시에 상층만에 대해서 유동성을 높일 수 있고, 또 하층의 표시전극과의 화학반응이 제어되므로 큰 기포가 없고, 또 표층면이 평탄하고 투명성이 양호한 유전체층을 얻을 수 있다.
또, ZnO계 유리재료는 화학에칭이 용이하므로 표시전극의 외부회로 접속용단자가 되는 전극단부를 PDP의 제조공정 중에서 보호(산화방지)하는 피복층(전극단자보호층)으로서 이용할 수 있다. 즉 ZnO계 유리재료를 이용함으로써 유전체층과 전극단자 보호층을 일괄하여 동시에 형성함이 가능하고, 제조공정의 저감을 도모할 수 있다.

Claims (10)

  1. 방전공간을 형성하는 한쌍의 기판 중 적어도 한쪽의 제1 기판상에, 투명도전막 또는 투명도전막과 그보다 폭이 좁은 금속막의 다층막으로되는 복수의 표시전극과, 상기 표시전극을 방전공간에 대해서 피복하는 유전체층을 갖는 AC형 플라즈마 디스플레이판넬에 있어서, 상기 유전체층이 상기 표시전극과 접촉하는 하층과, 상기 표시전극과 접촉하지 않는 상층을 갖는 복층구조의 유리층이며, 상기 하층이 실질적으로 납을 포함하지 않는 ZnO계 유리재료로 되고, 상기 상층이 상기 하층보다도 연화점이 낮은 PbO계 유리재료로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하층이 알칼리계 금속산화물을 첨가한 ZnO계 유리재료로 된 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 ZnO계 유리재료가 비스무스산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬.
  4. 방전공간을 형성하는 한쌍의 기판 중 적어도 한쪽의 제1 기판상에, 투명도전막 또는 투명도전막과 그보다 폭이 좁은 금속막의 다층막으로 되는 복수의 표시전극 및 상기 표시전극을 방전공간에 대해서 피복하는 유전체층을 갖는 AC형 플라즈마 디스플레이판넬을 제조하는 방법에 있어서, 상기 제1 기판상에 상기 표시전극을 형성하는 공정과, 상기 표시전극을 전 길이에 걸쳐서 피복하도록, 실질적으로 납을 포함하지 않는 ZnO계 유리재료로 된 유전체층을 형성하는 공정과, 상기 제1 기판과 이와는 별도의 제2 기판을, 이들 중 적어도 한쪽에 상기 방전공간을 밀봉하기 위한 밀봉재를 설비한 후에, 대향배치한 상태에서 상기 밀봉재를 가열융착시켜 접합하는 공정과, 상기 유전체층의 기판접합 영역에서 판넬 외측으로 뻗어나온 부분을 제거하여 상기 표시전극의 단부를 노출시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬의 제조방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 하층재료의 연화점이 550~600℃이고, 또 상기 상층 재료의 연화점이 450~500℃인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬.
  6. 제1항 개재의 플라즈마 디스플레이판넬을 제조하는 방법에 있어서, 상기 제1 기판상에 상기 표시전극을 형성하는 제1공정과, 상기 표시전극을 전 길이에 걸쳐서 피복하도록 상기 하층을 형성하는 제2공정과, 상기 하층에 중첩하여 상기 상층을 형성하는 제3공정과, 상기 제1 기판과 이와는 별도의 제2 기판을, 이들 중 적어도 한쪽에 상기 방전공간을 밀봉하기 위한 밀봉재를 설비한 후에, 대향배치한 상태에서 상기 밀봉재를 가열융착시켜 접합하는 제4공정과, 상기 하층의 기판접합 영역에서 판넬 외측으로 뻗어나온 부분을 제거하여 상기 표시전극의 단부를 노출시키는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제3공정에서 상기 상층을, 상기 하층의 기판접합 영역에서 판넬 외측으로 뻗어나온 부분 이외에 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬의 제조방법.
  8. 제1항 기재의 플라즈마 디스플레이판넬을 제조하는 방법에 있어서, 상기 ZnO계 유리재료를 그 연화점 부근의 온도에서 소성하여 상기 하층을 형성한 후에, 상기 PbO계 유리재료를 상기 하층의 소성온도보다 낮은 온도에서 소성하여 상기 상층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬의 제조방법.
  9. 제2항에 있어서, 상기 ZnO계 유리재료가 나트륨산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이판넬.
  10. 투명기판과, 상기 투명기판상에 형성된 투명도전막 또는 투명도전막과 그보다 폭이 좁은 금속막의 다층막으로 되는 복수의 표시전극과, 상기 표시전극을 전 길이에 걸쳐서 피복하는 절연층으로서, 실질적으로 납을 포함하지 않는 ZnO계 유리재료로 되고 상기 투명도전막과 접촉하는 부분과, PbO계 유리재료로 되고 상기 투명도전막과 접촉하는 부분을 덮어서 평탄한 표면을 공급하는 부분을 갖는 절연층이 설비된 것을 특징으로 하는 AC형 플라즈마 디스플레이판넬용 전극기판.
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