JPH06243788A - 放電表示管 - Google Patents
放電表示管Info
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- JPH06243788A JPH06243788A JP5030393A JP3039393A JPH06243788A JP H06243788 A JPH06243788 A JP H06243788A JP 5030393 A JP5030393 A JP 5030393A JP 3039393 A JP3039393 A JP 3039393A JP H06243788 A JPH06243788 A JP H06243788A
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- Japan
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- dielectric
- display tube
- discharge display
- glass frit
- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガラスフリットと、誘電率が１，０００以上
で、ペロブスカイト型化合物またはそれと金属酸化物と
の混合物である強誘電性セラミックスとを含むことを特
徴とする誘電体形成材料を用いてパターンを形成し、焼
成して得られる誘電体を用いることを特徴とする放電表
示管。 【効果】 発光効率の高い放電表示管が得られる。
で、ペロブスカイト型化合物またはそれと金属酸化物と
の混合物である強誘電性セラミックスとを含むことを特
徴とする誘電体形成材料を用いてパターンを形成し、焼
成して得られる誘電体を用いることを特徴とする放電表
示管。 【効果】 発光効率の高い放電表示管が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は放電表示管に関し、さら
に詳しくは、ガラスと高誘電率セラミックスとを主成分
とする誘電体形成材料から得られる誘電体を用いること
を特徴とする放電表示管に関する。
に詳しくは、ガラスと高誘電率セラミックスとを主成分
とする誘電体形成材料から得られる誘電体を用いること
を特徴とする放電表示管に関する。
【０００２】
【従来の技術】直流型や交流型の放電表示管などに使用
される誘電体として、５８０℃以下の軟化点を有するガ
ラスフリットが一般に使用される。すなわち、これを適
当な樹脂、溶剤および必要に応じて分散助剤とともに、
らいかい機や三本ロールミルのような混練装置によって
ペースト化し、このようにして得られたペーストを、ス
クリーン印刷のような適当な印刷方法によって所定のパ
ターンに印刷し、乾燥後、５００〜５８０℃の温度で焼
成することによって、パターン化した誘電体が形成され
る。
される誘電体として、５８０℃以下の軟化点を有するガ
ラスフリットが一般に使用される。すなわち、これを適
当な樹脂、溶剤および必要に応じて分散助剤とともに、
らいかい機や三本ロールミルのような混練装置によって
ペースト化し、このようにして得られたペーストを、ス
クリーン印刷のような適当な印刷方法によって所定のパ
ターンに印刷し、乾燥後、５００〜５８０℃の温度で焼
成することによって、パターン化した誘電体が形成され
る。
【０００３】放電表示管に使用される誘電体は、誘電率
が高いほど、その発光効率を高めることができる。しか
しながら、放電表示管に用いられる誘電体を焼成によっ
て形成する際に、該誘電体に近接して、ＮｉやＡｇなど
からなる陰極、および／またはトリガー電極、あるいは
誘電体保護膜などがすでに形成されている場合、該誘電
体の焼成温度が高くなりすぎると、各構成材料の活性が
強くなり、隣接する材料組成に対して変化を与え、その
結果、電気特性の劣化を引き起こす危険性がある。さら
に、焼成温度が６００℃を越えると、パネルが歪むとい
う問題がある。したがって、該誘電体の焼成温度には制
約があり、ガラスフリットとして、軟化点が６００℃以
下、好ましくは５８０℃以下のものを選定する必要があ
る。そのため、使用するガラスフリットの誘電率は一般
に１０以下に限定され、放電表示管の発光効率には限界
があった。
が高いほど、その発光効率を高めることができる。しか
しながら、放電表示管に用いられる誘電体を焼成によっ
て形成する際に、該誘電体に近接して、ＮｉやＡｇなど
からなる陰極、および／またはトリガー電極、あるいは
誘電体保護膜などがすでに形成されている場合、該誘電
体の焼成温度が高くなりすぎると、各構成材料の活性が
強くなり、隣接する材料組成に対して変化を与え、その
結果、電気特性の劣化を引き起こす危険性がある。さら
に、焼成温度が６００℃を越えると、パネルが歪むとい
う問題がある。したがって、該誘電体の焼成温度には制
約があり、ガラスフリットとして、軟化点が６００℃以
下、好ましくは５８０℃以下のものを選定する必要があ
る。そのため、使用するガラスフリットの誘電率は一般
に１０以下に限定され、放電表示管の発光効率には限界
があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、この
ような従来技術の有する問題を解決し、放電表示管の陰
極に近接して誘電体を形成することなどによる焼成温度
の制約の中で、従来の誘電体に比べて誘電率が大幅に改
良された誘電体を用いた、発光効率の高い放電表示管を
提供することである。
ような従来技術の有する問題を解決し、放電表示管の陰
極に近接して誘電体を形成することなどによる焼成温度
の制約の中で、従来の誘電体に比べて誘電率が大幅に改
良された誘電体を用いた、発光効率の高い放電表示管を
提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラスフ
リットに特定の強誘電性セラミックスを組み合わせてパ
ターンを形成し、焼成して、上記のような部位に用いら
れる誘電体を形成することによって、上記の目的を達成
しうることを見出して、本発明を完成するに至った。
リットに特定の強誘電性セラミックスを組み合わせてパ
ターンを形成し、焼成して、上記のような部位に用いら
れる誘電体を形成することによって、上記の目的を達成
しうることを見出して、本発明を完成するに至った。
【０００６】すなわち、本発明は （Ａ）ガラスフリット、（Ａ）と（Ｂ）の合計量に対し
て１０〜９０重量％と； （Ｂ）誘電率が１，０００以上で、ペロブスカイト型複
合酸化物；または該ペロブスカイト型複合酸化物と、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＳｎＯ2 、ＺｒＯ2 および
Ｂｉ2 Ｏ3 からなる群より選ばれる酸化物との混合物で
ある強誘電性セラミックス、（Ａ）と（Ｂ）の合計量に
対して９０〜１０重量％とを含む誘電体形成材料を焼成
して得られる誘電体を用いることを特徴とする放電表示
管に関する。
て１０〜９０重量％と； （Ｂ）誘電率が１，０００以上で、ペロブスカイト型複
合酸化物；または該ペロブスカイト型複合酸化物と、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＳｎＯ2 、ＺｒＯ2 および
Ｂｉ2 Ｏ3 からなる群より選ばれる酸化物との混合物で
ある強誘電性セラミックス、（Ａ）と（Ｂ）の合計量に
対して９０〜１０重量％とを含む誘電体形成材料を焼成
して得られる誘電体を用いることを特徴とする放電表示
管に関する。
【０００７】本発明で用いられる（Ａ）成分のガラスフ
リットとしては、ホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸ビスマス
系、ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸アルカリ系、ホウケ
イ酸アルカリ土類系、ホウ酸鉛系、ケイ酸鉛系などのガ
ラスフリットが例示され、誘電体が放電表示管のように
電極に近接して焼成、形成されるので、それらに対して
影響を与えない温度で、かつパネルが歪まない温度で焼
成が可能なことから、通常、軟化点が６００℃以下のも
のが用いられ、５８０℃以下のものが好ましい。
リットとしては、ホウケイ酸鉛系、ホウケイ酸ビスマス
系、ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸アルカリ系、ホウケ
イ酸アルカリ土類系、ホウ酸鉛系、ケイ酸鉛系などのガ
ラスフリットが例示され、誘電体が放電表示管のように
電極に近接して焼成、形成されるので、それらに対して
影響を与えない温度で、かつパネルが歪まない温度で焼
成が可能なことから、通常、軟化点が６００℃以下のも
のが用いられ、５８０℃以下のものが好ましい。
【０００８】本発明で用いられる（Ｂ）成分の強誘電性
セラミックスは、誘電率が１，０００以上のもので、次
のいずれかより選択される。 （１）ペロブスカイト型複合酸化物 （２）ペロブスカイト型複合酸化物と酸化鉄、酸化ニッ
ケルなどの前記酸化物との混合物
セラミックスは、誘電率が１，０００以上のもので、次
のいずれかより選択される。 （１）ペロブスカイト型複合酸化物 （２）ペロブスカイト型複合酸化物と酸化鉄、酸化ニッ
ケルなどの前記酸化物との混合物
【０００９】ペロブスカイト型複合酸化物は、結晶がペ
ロブスカイト構造の立方格子を有する複合酸化物であ
り、該構造は多少のゆがみを含むものも包含する。単独
でも１，０００以上の誘電率を有するものとして、Ｂａ
ＴｉＯ3 が例示される。また、一般にペロブスカイト型
複合酸化物は、酸化鉄や酸化ニッケルのような金属酸化
物と混合することにより、該ペロブスカイト型複合酸化
物自体よりも高い誘電率、および該金属酸化物の種類に
よっては、誘電率の、使用目的に適する良好な温度特性
を得ることができる。そのような複合体の形で本発明に
用いられるペロブスカイト型複合酸化物として、前述の
ＢａＴｉＯ3 のほかに、ＳｒＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、
ＣａＴｉＯ3 、ＣａＳｎＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＣａＺｒ
Ｏ3 など、ならびにそれら相互の複合体、たとえば（Ｂ
ａ0.92・Ｃａ0.08）ＴｉＯ3 および／または固溶体が例
示される。このようなペロブスカイト型複合酸化物は、
１種でも、２種以上を併用しても差支えない。
ロブスカイト構造の立方格子を有する複合酸化物であ
り、該構造は多少のゆがみを含むものも包含する。単独
でも１，０００以上の誘電率を有するものとして、Ｂａ
ＴｉＯ3 が例示される。また、一般にペロブスカイト型
複合酸化物は、酸化鉄や酸化ニッケルのような金属酸化
物と混合することにより、該ペロブスカイト型複合酸化
物自体よりも高い誘電率、および該金属酸化物の種類に
よっては、誘電率の、使用目的に適する良好な温度特性
を得ることができる。そのような複合体の形で本発明に
用いられるペロブスカイト型複合酸化物として、前述の
ＢａＴｉＯ3 のほかに、ＳｒＴｉＯ3 、ＰｂＴｉＯ3 、
ＣａＴｉＯ3 、ＣａＳｎＯ3 、ＳｒＺｒＯ3 、ＣａＺｒ
Ｏ3 など、ならびにそれら相互の複合体、たとえば（Ｂ
ａ0.92・Ｃａ0.08）ＴｉＯ3 および／または固溶体が例
示される。このようなペロブスカイト型複合酸化物は、
１種でも、２種以上を併用しても差支えない。
【００１０】ペロブスカイト型複合酸化物と併用される
金属酸化物としては、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｓ
ｎＯ2 、ＺｒＯ2 およびＢｉ2 Ｏ3 が挙げられ、１種で
も、２種以上を併用しても差支えない。ペロブスカイト
型複合酸化物との混合物に高い誘電率を与える効果か
ら、Ｆｅ2 Ｏ3 またはＮｉＯが好ましい。このような金
属酸化物の混合比は、混合目的や金属酸化物の種類によ
っても異なり、ペロブスカイト型複合酸化物と該金属酸
化物との合計量に対して１２重量％以下が好ましく、３
重量％以下がさらに好ましい。
金属酸化物としては、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ、Ｓ
ｎＯ2 、ＺｒＯ2 およびＢｉ2 Ｏ3 が挙げられ、１種で
も、２種以上を併用しても差支えない。ペロブスカイト
型複合酸化物との混合物に高い誘電率を与える効果か
ら、Ｆｅ2 Ｏ3 またはＮｉＯが好ましい。このような金
属酸化物の混合比は、混合目的や金属酸化物の種類によ
っても異なり、ペロブスカイト型複合酸化物と該金属酸
化物との合計量に対して１２重量％以下が好ましく、３
重量％以下がさらに好ましい。
【００１１】本発明に用いられる誘電体成形材料は、上
述のように、（Ａ）ガラスフリットと；（Ｂ）ペロブス
カイト型複合酸化物またはそれと前記酸化物からなる混
合物とを含む。（Ａ）と（Ｂ）の組成比は、（Ａ）と
（Ｂ）の合計量に対して（Ａ）が１０〜９０重量％、好
ましくは２０〜８０重量％；（Ｂ）が９０〜１０重量
％、好ましくは８０〜２０重量％の範囲である。（Ａ）
が９０重量％を越えると、（Ｂ）によって誘電率を高め
る効果が満足できず、（Ａ）が１０重量％未満では、焼
成によって得られる誘電体が、膜としての強度が不十分
であり、または多孔質状になり、実用的でない。
述のように、（Ａ）ガラスフリットと；（Ｂ）ペロブス
カイト型複合酸化物またはそれと前記酸化物からなる混
合物とを含む。（Ａ）と（Ｂ）の組成比は、（Ａ）と
（Ｂ）の合計量に対して（Ａ）が１０〜９０重量％、好
ましくは２０〜８０重量％；（Ｂ）が９０〜１０重量
％、好ましくは８０〜２０重量％の範囲である。（Ａ）
が９０重量％を越えると、（Ｂ）によって誘電率を高め
る効果が満足できず、（Ａ）が１０重量％未満では、焼
成によって得られる誘電体が、膜としての強度が不十分
であり、または多孔質状になり、実用的でない。
【００１２】本発明に用いられる誘電体形成材料は、上
記の（Ａ）と（Ｂ）からなってもよく、さらに、これを
容易に基材に塗布または印刷したり、その他の手段で成
形するために、たとえば樹脂、溶媒などを添加して誘電
体ペーストを調製してもよい。樹脂としては、エチルセ
ルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂などを用い
ることができる。
記の（Ａ）と（Ｂ）からなってもよく、さらに、これを
容易に基材に塗布または印刷したり、その他の手段で成
形するために、たとえば樹脂、溶媒などを添加して誘電
体ペーストを調製してもよい。樹脂としては、エチルセ
ルロース、ニトロセルロース、アクリル樹脂などを用い
ることができる。
【００１３】溶媒ないし分散媒としては、トルエン、キ
シレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロ
ピルベンゼン、アミルベンゼン、ｐ−シメン、テトラリ
ンおよび石油系芳香族炭化水素混合物などの芳香族炭化
水素；メントール、テルピネオール、カルベオール、ボ
ルネオール、メンタンジオールなどのテルペンアルコー
ル；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノー
ル、２−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなど
のエーテルアルコール；メチルイソブチルケトンなどの
ケトン；ならびにエチレングリコールモノメチルエーテ
ル酢酸エステルなどのエステルが例示され、単独でも、
２種以上の混合物でもよい。
シレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、イソプロ
ピルベンゼン、アミルベンゼン、ｐ−シメン、テトラリ
ンおよび石油系芳香族炭化水素混合物などの芳香族炭化
水素；メントール、テルピネオール、カルベオール、ボ
ルネオール、メンタンジオールなどのテルペンアルコー
ル；２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノー
ル、２−ブトキシエタノール、ジエチレングリコールモ
ノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエ
ーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなど
のエーテルアルコール；メチルイソブチルケトンなどの
ケトン；ならびにエチレングリコールモノメチルエーテ
ル酢酸エステルなどのエステルが例示され、単独でも、
２種以上の混合物でもよい。
【００１４】このような誘電体成形材料を、ガラスパネ
ル基板などの基材または電極を形成する金属の表面に、
たとえば塗布または印刷によってパターンを形成させ
る。溶媒を用いた場合は、ついで乾燥する。これを焼成
して、パターン状の誘電体を得ることができる。焼成温
度は誘電体形成材料の組成によって異なるが、電極など
への影響を与えない温度、すなわち通常は６００℃以下
であり、５００〜５８０℃が好ましい。
ル基板などの基材または電極を形成する金属の表面に、
たとえば塗布または印刷によってパターンを形成させ
る。溶媒を用いた場合は、ついで乾燥する。これを焼成
して、パターン状の誘電体を得ることができる。焼成温
度は誘電体形成材料の組成によって異なるが、電極など
への影響を与えない温度、すなわち通常は６００℃以下
であり、５００〜５８０℃が好ましい。
【００１５】焼成により、ガラスフリットと強誘電性セ
ラミックスとが均一に混合され、または固溶体を形成し
て、１０を越える高い誘電率を有する均質な誘電体を形
成する。
ラミックスとが均一に混合され、または固溶体を形成し
て、１０を越える高い誘電率を有する均質な誘電体を形
成する。
【００１６】たとえばガラス板や下地金属のような基材
の表面に陰極を形成し、さらにその上に本発明によって
誘電体を形成し、さらに必要に応じてトリガー電極、誘
電体保護膜などを形成して、陽極および蛍光体層ととも
にセットし、真空アニール処理を行い、ガスを封入して
放電表示管を作製する。封入ガスとしては、たとえばＮ
ｅとＸｅの混合ガスを用いることができる。封入ガスの
圧力は、通常、２００〜３５０Torrである。
の表面に陰極を形成し、さらにその上に本発明によって
誘電体を形成し、さらに必要に応じてトリガー電極、誘
電体保護膜などを形成して、陽極および蛍光体層ととも
にセットし、真空アニール処理を行い、ガスを封入して
放電表示管を作製する。封入ガスとしては、たとえばＮ
ｅとＸｅの混合ガスを用いることができる。封入ガスの
圧力は、通常、２００〜３５０Torrである。
【００１７】
【発明の効果】本発明によって、電極などに影響を及ぼ
さない比較的低温の焼成により、従来のガラスフリット
より高い誘電率を有する誘電体を形成することができ
る。このような誘電体は、各種のペロブスカイト型複合
酸化物およびそれに必要に応じて組み合わせる金属酸化
物を任意に選択することによって、誘電率、その温度特
性ならびにキューリー温度を任意に調整することができ
る。さらに、本発明で用いられるペロブスカイト型複合
酸化物や、必要に応じて組み合わされる金属酸化物は、
いずれも容易に入手でき、また化学的に安定なので、誘
電体の安定性に悪影響を及ぼさず、性能の安定した放電
表示管が得られる。その結果、本発明の放電表示管は、
発光効率および電気的諸特性が、従来のガラスフリット
を用いる放電表示管よりも優れている。
さない比較的低温の焼成により、従来のガラスフリット
より高い誘電率を有する誘電体を形成することができ
る。このような誘電体は、各種のペロブスカイト型複合
酸化物およびそれに必要に応じて組み合わせる金属酸化
物を任意に選択することによって、誘電率、その温度特
性ならびにキューリー温度を任意に調整することができ
る。さらに、本発明で用いられるペロブスカイト型複合
酸化物や、必要に応じて組み合わされる金属酸化物は、
いずれも容易に入手でき、また化学的に安定なので、誘
電体の安定性に悪影響を及ぼさず、性能の安定した放電
表示管が得られる。その結果、本発明の放電表示管は、
発光効率および電気的諸特性が、従来のガラスフリット
を用いる放電表示管よりも優れている。
【００１８】
【実施例】以下、実施例および比較例によって、本発明
をさらに具体的に説明する。本発明は、これらの実施例
によって限定されるものではない。これらの実施例およ
び比較例において、部はいずれも重量部を表す。
をさらに具体的に説明する。本発明は、これらの実施例
によって限定されるものではない。これらの実施例およ
び比較例において、部はいずれも重量部を表す。
【００１９】実施例１〜８ ガラスフリットとして、軟化点５４３℃、誘電率８．５
のホウケイ酸鉛系ガラスフリットを用い；強誘電性セラ
ミックスとして、誘電率２，０００、比表面積３．７m2
/gのＢａＴｉＯ3 系セラミックス粉末を用いた。これら
を表１に示す配合比で均一になるまで混合して、誘電体
形成用混合粉末を調製した。
のホウケイ酸鉛系ガラスフリットを用い；強誘電性セラ
ミックスとして、誘電率２，０００、比表面積３．７m2
/gのＢａＴｉＯ3 系セラミックス粉末を用いた。これら
を表１に示す配合比で均一になるまで混合して、誘電体
形成用混合粉末を調製した。
【００２０】この混合粉末のそれぞれに７５部に対し
て、エチルセルロース２部およびテルピネオール２３部
を配合して混練し、各ペーストを調製した。このように
して得られた、ガラスフリットと強誘電性セラミックス
との混合比率のみが異なるペーストを、それぞれステン
レス板の表面に５cm×５cmのパターンにスクリーン印刷
し、乾燥した後、５８０℃で１０分間焼成した。いずれ
も、平滑で十分な強度を有する誘電体が得られた。それ
らの１MHz における誘電率を、測定器（目黒電波測器
（株）製、ＭＱ−１６０１）を用いて測定した。その結
果を表１に示す。
て、エチルセルロース２部およびテルピネオール２３部
を配合して混練し、各ペーストを調製した。このように
して得られた、ガラスフリットと強誘電性セラミックス
との混合比率のみが異なるペーストを、それぞれステン
レス板の表面に５cm×５cmのパターンにスクリーン印刷
し、乾燥した後、５８０℃で１０分間焼成した。いずれ
も、平滑で十分な強度を有する誘電体が得られた。それ
らの１MHz における誘電率を、測定器（目黒電波測器
（株）製、ＭＱ−１６０１）を用いて測定した。その結
果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例９ ガラスフリットとして、軟化点５１０℃、誘電率９．３
のホウケイ酸鉛系ガラスフリットを用い；強誘電性セラ
ミックスとしてＢａＴｉＯ3 ９５部、ＣａＺｒＯ3 ５
部、Ｆｅ2 Ｏ3 ０．４部およびＮｉＯ０．４部からなる
誘電率２，３５０、比表面積４．１m2/gのセラミックス
粉末を用い、ガラスフリットと強誘電性セラミックスと
の混合比率を４０：６０とした以外は実施例１〜８と同
様の配合比で、ホウケイ酸鉛系ガラスフリット、強誘電
性セラミックス、エチルセルロースおよびテルピネオー
ルからペーストを調製し、以下、実施例１〜８と同様に
して、パターン状の誘電体を形成した。この誘電体は、
平滑で十分な強度を有し、その１MHz における誘電率は
２９．６であった。
のホウケイ酸鉛系ガラスフリットを用い；強誘電性セラ
ミックスとしてＢａＴｉＯ3 ９５部、ＣａＺｒＯ3 ５
部、Ｆｅ2 Ｏ3 ０．４部およびＮｉＯ０．４部からなる
誘電率２，３５０、比表面積４．１m2/gのセラミックス
粉末を用い、ガラスフリットと強誘電性セラミックスと
の混合比率を４０：６０とした以外は実施例１〜８と同
様の配合比で、ホウケイ酸鉛系ガラスフリット、強誘電
性セラミックス、エチルセルロースおよびテルピネオー
ルからペーストを調製し、以下、実施例１〜８と同様に
して、パターン状の誘電体を形成した。この誘電体は、
平滑で十分な強度を有し、その１MHz における誘電率は
２９．６であった。
【００２３】比較例１〜３ 下記の粉末にそれぞれ、実施例１〜８と同様の配合比で
エチルセルロースおよびテルピネオールを配合し、以
下、同様にして各ペーストを調製し、誘電体を形成し
た。 比較例１：実施例１〜８で用いたホウケイ酸鉛系ガラス
フリット 比較例２：実施例１〜８で用いたＢａＴｉＯ3 粉末 また、誘電体としてガラスフリットのみを含有する従来
の市販ペーストを用いて（比較例３）、同様に誘電体を
形成した。
エチルセルロースおよびテルピネオールを配合し、以
下、同様にして各ペーストを調製し、誘電体を形成し
た。 比較例１：実施例１〜８で用いたホウケイ酸鉛系ガラス
フリット 比較例２：実施例１〜８で用いたＢａＴｉＯ3 粉末 また、誘電体としてガラスフリットのみを含有する従来
の市販ペーストを用いて（比較例３）、同様に誘電体を
形成した。
【００２４】比較例２の誘電体は、膜強度が十分でな
く、簡単に破損した。比較例１および比較例３の誘電体
の１MHz における誘電率を測定したところ、前者は８．
５、後者は９．０であった。
く、簡単に破損した。比較例１および比較例３の誘電体
の１MHz における誘電率を測定したところ、前者は８．
５、後者は９．０であった。
【００２５】試験例 実施例４および比較例１で調製した誘電体形成材料を用
いて放電表示管を作成し、その放電効果の比較を行っ
た。
いて放電表示管を作成し、その放電効果の比較を行っ
た。
【００２６】すなわち、ガラス基板上に形成されたトリ
ガー電極上に、上記の２種類の誘電体形成材料をそれぞ
れ用い、２５０メッシュ、乳剤厚み１８μm のマスクを
使用してスクリーン印刷を行うことにより、該誘電体形
成材料のパターンを形成した。乾燥後、大気中で５８０
℃に１０分間焼成して、誘電体のパターンを得た。この
誘電体の上に市販のニッケルペースト（Dupont社製、#9
535 ）を用いてスクリーン印刷することにより、線幅１
００μm の陰極を形成した。このようにして誘電体と陰
極を形成したガラス板を、インジウム−スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）陽極および赤色、青色、緑色用の各蛍光体層を形
成した別のガラス板と組み合わせてパネルを構成し、セ
ル内部に３００TorrのＮｅ−Ａｒ（０．３％）不活性ガ
スと水銀を封入して、直流型ガス放電表示管を作製し
た。
ガー電極上に、上記の２種類の誘電体形成材料をそれぞ
れ用い、２５０メッシュ、乳剤厚み１８μm のマスクを
使用してスクリーン印刷を行うことにより、該誘電体形
成材料のパターンを形成した。乾燥後、大気中で５８０
℃に１０分間焼成して、誘電体のパターンを得た。この
誘電体の上に市販のニッケルペースト（Dupont社製、#9
535 ）を用いてスクリーン印刷することにより、線幅１
００μm の陰極を形成した。このようにして誘電体と陰
極を形成したガラス板を、インジウム−スズ酸化物（Ｉ
ＴＯ）陽極および赤色、青色、緑色用の各蛍光体層を形
成した別のガラス板と組み合わせてパネルを構成し、セ
ル内部に３００TorrのＮｅ−Ａｒ（０．３％）不活性ガ
スと水銀を封入して、直流型ガス放電表示管を作製し
た。
【００２７】このようにして作製した、誘電体が異なる
以外は同じ構成からなる２種類の放電表示管をそれぞれ
エージングした後、３００μA/セルの放電電流を放電さ
せて、白ピーク輝度を測定した。実施例４の誘電体を用
いた放電表示管の白ピーク輝度は、比較例１の誘電体を
用いたときの輝度を１００とする相対値として、１１３
であった。
以外は同じ構成からなる２種類の放電表示管をそれぞれ
エージングした後、３００μA/セルの放電電流を放電さ
せて、白ピーク輝度を測定した。実施例４の誘電体を用
いた放電表示管の白ピーク輝度は、比較例１の誘電体を
用いたときの輝度を１００とする相対値として、１１３
であった。
【００２８】すなわち、本発明の誘電体形成材料を用い
た放電表示管は、比較試料に比べて高い輝度を呈し、発
光効率が高いことを示している。
た放電表示管は、比較試料に比べて高い輝度を呈し、発
光効率が高いことを示している。
Claims (1)
- 【請求項１】 （Ａ）ガラスフリット、（Ａ）と（Ｂ）
の合計量に対して１０〜９０重量％と； （Ｂ）誘電率が１，０００以上で、ペロブスカイト型複
合酸化物；または該ペロブスカイト型複合酸化物と、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＳｎＯ2 、ＺｒＯ2 および
Ｂｉ2 Ｏ3 からなる群より選ばれる酸化物との混合物で
ある強誘電性セラミックス、（Ａ）と（Ｂ）の合計量に
対して９０〜１０重量％とを含む誘電体形成材料を焼成
して得られる誘電体を用いることを特徴とする放電表示
管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030393A JPH06243788A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 放電表示管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5030393A JPH06243788A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 放電表示管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06243788A true JPH06243788A (ja) | 1994-09-02 |
Family
ID=12302688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5030393A Pending JPH06243788A (ja) | 1993-02-19 | 1993-02-19 | 放電表示管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06243788A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996037904A1 (fr) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Fujitsu Limited | Ecran a plasma et fabrication de ce type d'ecran |
| US5734151A (en) * | 1994-11-21 | 1998-03-31 | Oki Electric Industry Co., Inc. | Slotless card reader |
| FR2780550A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-31 | Fujitsu Ltd | Panneau d'affichage a plasma, structure de substrat d'un tel panneau, et son procede de fabrication |
| US6296539B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Method of making plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| JP2007026793A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネル |
| JP2008262931A (ja) * | 2008-08-05 | 2008-10-30 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイパネルの緩衝層形成用ペースト |
| KR100866058B1 (ko) * | 2006-01-10 | 2008-10-31 | 히다찌 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤 | 플랫 패널 디스플레이 및 표시 장치 |
-
1993
- 1993-02-19 JP JP5030393A patent/JPH06243788A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5734151A (en) * | 1994-11-21 | 1998-03-31 | Oki Electric Industry Co., Inc. | Slotless card reader |
| US5821516A (en) * | 1994-11-21 | 1998-10-13 | Info Telecom | Slotless card reader |
| WO1996037904A1 (fr) * | 1995-05-26 | 1996-11-28 | Fujitsu Limited | Ecran a plasma et fabrication de ce type d'ecran |
| US5977708A (en) * | 1995-05-26 | 1999-11-02 | Fujitsu Limited | Glass material used in, and fabrication method of, a plasma display panel |
| US6296539B1 (en) | 1997-02-24 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Method of making plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| US6344713B1 (en) | 1997-02-24 | 2002-02-05 | Fujitsu Limited | Plasma display panel with dielectric layer suppressing reduced electrode conductivity |
| US6873104B2 (en) | 1997-02-24 | 2005-03-29 | Fujitsu Limited | Glass paste composition for forming dielectric layer on electrodes of plasma display panel |
| FR2780550A1 (fr) * | 1998-06-25 | 1999-12-31 | Fujitsu Ltd | Panneau d'affichage a plasma, structure de substrat d'un tel panneau, et son procede de fabrication |
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| JP2008262931A (ja) * | 2008-08-05 | 2008-10-30 | Toray Ind Inc | プラズマディスプレイパネルの緩衝層形成用ペースト |
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