JP2002274936A - 誘電体セラミック、その製造方法およびその評価方法ならびに積層セラミック電子部品 - Google Patents
誘電体セラミック、その製造方法およびその評価方法ならびに積層セラミック電子部品Info
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- C04B2235/6584—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures at an oxygen percentage below that of air
-
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- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
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-
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- C04B2235/78—Grain sizes and shapes, product microstructures, e.g. acicular grains, equiaxed grains, platelet-structures
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- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
- C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
Abstract
であって、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直流
電圧印加下での経時変化が小さく、CR積が高く、高温
高電圧における絶縁抵抗の加速寿命が長い、信頼性に優
れた誘電体セラミックを提供する。 【解決手段】 ABO3 (AはBa等。BはTi等。)
で表わされる主成分と希土類元素を含む添加成分とを含
む組成を有する、誘電体セラミックにおいて、結晶粒子
11の内部の分析点1〜9における希土類元素の平均濃
度が、粒界12における希土類元素の平均濃度の1/2
以下であるとともに、結晶粒子11の中央部の分析点1
における希土類元素の濃度が、結晶粒子11の径に対し
て表面から5%までの領域の分析点6〜9における希土
類元素の最大濃度の1/50以上となる結晶粒子の割合
が20〜70%であるという条件を満足するようにす
る。
Description
ク、その製造方法およびその評価方法ならびに積層セラ
ミック電子部品に関するもので、特に、積層セラミック
コンデンサのような積層セラミック電子部品における誘
電体セラミック層の薄層化を有利に図り得るようにする
ための改良に関するものである。
ク電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサ
は、以下のようにして製造されるのが一般的である。
て内部電極となる導電材料を付与した、誘電体セラミッ
ク原料を含むセラミックグリーンシートが用意される。
誘電体セラミックとしては、たとえば、BaTiO3 を
主成分とするものが用いられる。
ックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシ
ートが積層され、熱圧着され、それによって一体化され
た生の積層体が作製される。
よって、焼結後の積層体が得られる。この積層体の内部
には、上述した導電材料をもって構成された内部電極が
形成されている。
特定のものに電気的に接続されるように、外部電極が形
成される。外部電極は、たとえば、導電性金属粉末およ
びガラスフリットを含む導電性ペーストを積層体の外表
面上に付与し、焼き付けることによって形成される。
れる。
て、近年、積層セラミックコンデンサの製造コストをで
きるだけ低くするため、たとえばニッケルまたは銅のよ
うな比較的安価な卑金属を用いることが多くなってきて
いる。しかしながら、卑金属をもって内部電極を形成し
た積層セラミックコンデンサを製造しようとする場合、
焼成時における卑金属の酸化を防止するため、中性また
は還元性雰囲気中での焼成を適用しなければならず、そ
のため、積層セラミックコンデンサにおいて用いられる
誘電体セラミックは、耐還元性を有していなければなら
ない。
ミックとして、たとえば、特開平5−9066号公報、
特開平5−9067号公報または特開平5−9068号
公報においては、BaTiO3 −希土類酸化物−Co2
O3 系の組成が提案されている。また、特開平6−54
60号公報または特開平9−270366号公報では、
高い誘電率を有し、誘電率の温度変化が小さく、高温負
荷寿命が長い、誘電体セラミックが提案されている。
ス技術の発展に伴い、電子部品の小型化が急速に進行
し、積層セラミックコンデンサについても、小型化かつ
大容量化の傾向が顕著になってきている。
酸化されない焼成雰囲気においても、誘電率が高く、誘
電率の温度変化および経時変化が小さく、誘電体セラミ
ック層が薄層化されても、電気絶縁性が高く、それゆえ
信頼性に優れた誘電体セラミックを望む要求が強くなっ
てきている。しかしながら、前述したような従来の誘電
体セラミックは、必ずしも、この要求を十分に満足し得
るものではない。
開平5−9067号公報または特開平5−9068号公
報に記載された誘電体セラミックは、EIA規格におけ
るX7R特性を満足し、かつ高い電気絶縁性を示すもの
の、誘電体セラミック層を薄層化したとき、具体的に
は、5μm以下、特に3μm以下というように薄層化し
たときの信頼性に関しては、必ずしも、市場の要求を十
分満たし得るものではない。
れる誘電体セラミックは、これを得るために用いられる
BaTiO3 粉末の粒径が大きいため、誘電体セラミッ
ク層が薄層化されるに従って、信頼性が低下し、また、
静電容量の経時変化が大きいという問題がある。
記載される誘電体セラミックも、薄層化されるに従っ
て、信頼性が低下し、また、直流電圧印加での静電容量
の経時変化が大きいという問題がある。
ンデンサの小型化かつ大容量化に対応するために、誘電
体セラミック層を薄層化した場合、定格電圧を薄層化す
る前と同じであると、誘電体セラミック層の1層あたり
に印加される電界強度が大きくなるため、室温または高
温での絶縁抵抗が低くなってしまうことなどの点で、信
頼性が著しく低下してしまう。そのため、従来の誘電体
セラミックを用いる場合には、誘電体セラミック層を薄
層化するにあたって、定格電圧を下げる必要がある。
がらも、定格電圧を下げる必要がなく、また、高い電界
強度下での絶縁抵抗が高く、信頼性に優れた、積層セラ
ミックコンデンサの実現が望まれるところである。
常、直流電圧を印加した状態で使用されるため、静電容
量が経時的に変化することが知られている。しかしなが
ら、積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化に
伴う誘電体セラミック層の薄層化の結果、誘電体セラミ
ック層の1層あたりの直流電界強度が高くなり、静電容
量の経時変化がより大きくなるという問題がある。
電容量の経時変化が小さい、積層セラミックコンデンサ
が望まれるところである。
説明したが、同様の問題または要望は、誘電体セラミッ
クを用いる他の積層セラミック電子部品にも当てはま
る。
高く、誘電率の温度変化および直流電圧印加下での経時
変化が小さく、絶縁抵抗と静電容量との積(CR積)が
高く、高温高電圧における絶縁抵抗の加速寿命が長い、
誘電体セラミックおよびその製造方法を提供しようとす
ることである。
をたとえば設計するにあたって、上述のような優れた特
性を与え得る誘電体セラミックの特定を容易かつ能率的
に行なえる、誘電体セラミックの評価方法を提供しよう
とすることである。
な誘電体セラミックを用いて構成される積層セラミック
電子部品を提供しようとすることである。
O3 (Aは、Ba、CaおよびSrのうちのBaを含む
少なくとも1種であり、Bは、Ti、ZrおよびHfの
うちのTiを含む少なくとも1種である。)で表わされ
る主成分と希土類元素を含む添加成分とを含む組成を有
し、かつABO3 を主成分とする結晶粒子と結晶粒子間
を占める粒界とからなるセラミック構造を有する、誘電
体セラミックにまず向けられるものであって、上述した
技術的課題を解決するため、次のような構成を備えるこ
とを特徴としている。
クは、希土類元素の濃度分布に関して、結晶粒子の内部
における希土類元素の平均濃度が、粒界における希土類
元素の平均濃度の1/2以下であるという条件を満足す
るとともに、結晶粒子のうちの20〜70%の個数の結
晶粒子のについては、結晶粒子の中央部における希土類
元素の濃度が、結晶粒子の径に対して表面から5%まで
の領域における希土類元素の最大濃度の1/50以上と
なる条件を満足することを特徴としている。
セラミックを製造するための方法にも向けられる。
法は、AOとBO2 と希土類元素の一部とを混合し、大
気中において仮焼し、粉砕することによって、希土類元
素が粒子内部にまで存在している変性ABO3 粉末を得
る工程と、AOとBO2 とを混合し、大気中において仮
焼し、粉砕することによって、希土類元素が粒子内部に
存在しないABO3 粉末を得る工程と、これら変性AB
O3 粉末、ABO3 粉末および希土類元素の残部を混合
して得られた混合粉末を焼成する工程とを備えることを
特徴としている。
は、Ba、CaおよびSrのうちのBaを含む少なくと
も1種であり、Bは、Ti、ZrおよびHfのうちのT
iを含む少なくとも1種である。)で表わされる主成分
と希土類元素を含む添加成分とを含む組成を有し、かつ
ABO3 を主成分とする結晶粒子と結晶粒子間を占める
粒界とからなるセラミック構造を有する、誘電体セラミ
ックの評価方法にも向けられる。
法は、結晶粒子の内部における希土類元素の平均濃度、
粒界における希土類元素の平均濃度をそれぞれ求める工
程と、上述の結晶粒子の内部における希土類元素の平均
濃度が、上述の粒界における希土類元素の平均濃度の1
/2以下である、という第1の条件を満足するか否かを
判定する工程と、結晶粒子の中央部における希土類元素
の濃度、および結晶粒子の径に対して表面から5%まで
の領域における希土類元素の最大濃度をそれぞれ求める
工程と、上述の結晶粒子の中央部における希土類元素の
濃度が、上述の結晶粒子の径に対して表面から5%まで
の領域における希土類元素の最大濃度の1/50以上で
ある結晶粒子が、結晶粒子のうちの20〜70%の個数
である、という第2の条件を満足するか否かを判定する
工程とを備えることを特徴としており、この評価方法に
おいて、上述した第1および第2の条件を満足する誘電
体セラミックが良品と評価される。
体セラミック層と、複数の誘電体セラミック層間の特定
の界面に沿って形成された内部電極とを含む、積層体を
備える、積層セラミック電子部品にも向けられ、誘電体
セラミック層が、前述したような誘電体セラミックから
なることを特徴としている。
おいて、上述の内部電極は、好ましくは、卑金属を含
む。
ンサに対して有利に適用される。この場合、この発明に
係る積層セラミック電子部品は、積層体の外表面上に形
成される第1および第2の外部電極をさらに備え、この
積層体の積層方向に互いに重なり合った状態で複数の内
部電極が形成され、これら複数の内部電極は、第1の外
部電極に電気的に接続されるものと第2の外部電極に電
気的に接続されるものとが交互に積層方向に配置され
る。
よる積層セラミックコンデンサ21を図解的に示す断面
図である。
22を備えている。積層体22は、積層される複数の誘
電体セラミック層23と、複数の誘電体セラミック層2
3の間の特定の複数の界面に沿ってそれぞれ形成される
複数の内部電極24および25とをもって構成される。
内部電極24および25は、積層体22の外表面にまで
到達するように形成されるが、積層体22の一方の端面
26にまで引き出される内部電極24と他方の端面27
にまで引き出される内部電極25とが、積層体22の内
部において交互に配置されている。
および27上には、外部電極28および29がそれぞれ
形成されている。また、外部電極28および29上に
は、ニッケル、銅などからなる第1のめっき層30およ
び31がそれぞれ形成され、さらにその上には、半田、
錫などからなる第2のめっき層32および33がそれぞ
れ形成されている。
サ21において、複数の内部電極24および25は、積
層体22の積層方向に互いに重なり合った状態で形成さ
れ、それによって、隣り合う内部電極24および25間
で静電容量を形成する。また、内部電極24と外部電極
28とが電気的に接続されるとともに、内部電極25と
外部電極29とが電気的に接続され、それによって、こ
れら外部電極28および29を介して、上述の静電容量
が取り出される。
において、誘電体セラミック層23は、一般式ABO3
(Aは、Ba、CaおよびSrのうちのBaを含む少な
くとも1種であり、Bは、Ti、ZrおよびHfのうち
のTiを含む少なくとも1種である。)で表わされる主
成分と希土類元素を含む添加成分とを含む組成を有し、
かつABO3 を主成分とする結晶粒子と結晶粒子間を占
める粒界とからなるセラミック構造を有する、誘電体セ
ラミックから構成される。
希土類元素の濃度分布に関して、結晶粒子の内部におけ
る希土類元素の平均濃度が、粒界における希土類元素の
平均濃度の1/2以下であるという条件を満足するとと
もに、結晶粒子のうちの20〜70%の個数の結晶粒子
については、結晶粒子の中央部における希土類元素の濃
度が、結晶粒子の径に対して表面から5%までの領域に
おける希土類元素の最大濃度の1/50以上となる条件
を満足している。
る希土類元素の濃度が、結晶粒子の径に対して表面から
5%までの領域における希土類元素の最大濃度の1/5
0以上となる条件を満足する、結晶粒子の割合を20〜
70%としたのは、これが20%より少ない場合には、
高温高電圧下における絶縁抵抗の加速寿命が短くなり、
誘電体セラミック層23の薄層化を図った場合の信頼性
が低下し、他方、70%より多い場合には、希土類元素
のシフター効果によって高温側にキュリー点を持つ成分
が少なくなり、高温での誘電率の温度変化が大きくなる
ためである。
は、信頼性向上に効果のある希土類元素の存在が中央部
にまで確認される結晶粒子の割合が30%以上であるこ
とが望ましい。
の平均濃度が、粒界における希土類元素の平均濃度の1
/2以下としたのは、これが1/2より大きい場合に
は、直流電圧印加下での静電容量の経時変化が大きくな
ってしまうからである。
O3 を主成分とする2つの結晶粒子の間に形成される領
域を指す場合と、3つ以上の結晶粒子の間に形成される
領域(いわゆる3重点)を指す場合とがある。より具体
的には、誘電体セラミックの断面において、結晶学的に
結晶粒子間に明らかな層が観察された場合、これが粒界
となる。また、誘電体セラミックの断面において、結晶
学的に結晶粒子間に他の層が観察されず、結晶粒子同士
が接合されている場合には、接合点および接合線を中心
とした2nmずつの領域が粒界となる。
に、M(Mは、Ni、Co、Fe、CrおよびMnのう
ちの少なくとも1種)、Si、主成分の構成元素である
A(Aは、Ba、CaおよびSrのうちの少なくとも1
種)もしくはB(Bは、Ti、ZrおよびHfのうちの
少なくとも1種)、または、Mg、V、B(この「B」
はホウ素)、Alなどが存在していてもよく、これら希
土類元素以外の元素の存在は、誘電体セラミックの特性
を実質的に低下させることはない。
の濃度については、特に限定されるものではないが、高
温負荷寿命の延長という観点からは、主成分であるAB
O3100モルに対して、0.2モル以上であることが
望ましく、他方、高誘電率という観点からは、ABO3
100モルに対して、5モル以下であることが望まし
い。
Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、T
m、Yb、LuおよびYのうちの少なくとも1種が選択
される。1種類の希土類元素であっても、目的とする特
性を実現することが可能であるが、2種類以上の希土類
元素を組み合わせることによって、高誘電率化したり、
絶縁抵抗を高くしたり、高温負荷寿命を延長したりで
き、市場要求に応じた特性制御が容易になる。
主成分であるABO3 粉末の平均粒径は、特に限定され
るものではないが、誘電体セラミック層23の薄層化に
対応するには、0.05〜0.7μmであることが望ま
しい。このような粒径のABO3 粉末を原料粉末として
用いた場合、誘電体セラミック層23は、問題なく、1
μm前後にまで薄層化することができる。
の製造方法について説明する。
誘電体セラミックの原料粉末が用意される。この原料粉
末は、以下のようにして作製されることが好ましい。
のうちのBaを含む少なくとも1種)とBO2 (Bは、
Ti、ZrおよびHfのうちのTiを含む少なくとも1
種)と希土類元素(La、Ce、Pr、Nd、Sm、E
u、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu
およびYのうちの少なくとも1種)の一部とを、各々所
望量をもって混合し、大気中において仮焼し、粉砕する
ことによって、希土類元素が粒子内部にまで存在してい
る変性ABO3 粉末を作製する。
って混合し、大気中において仮焼し、粉砕することによ
って、希土類元素が粒子内部に存在しないABO3 粉末
を作製する。
BO3 粉末を、それぞれ、所望量秤量し、これに、希土
類元素の残部、必要に応じて、SiO2 、MgO、Mn
O2、B2 O3 などを混合し、それによって得られた混
合粉末が、誘電体セラミックの原料粉末として用いられ
る。
この原料粉末を含む成形体を焼成して得られた焼結体と
しての誘電体セラミック層23の結晶粒子の内部および
粒界において、前述したような濃度分布をもって、希土
類元素を分布させることが容易である。なお、他の方法
を採用して、希土類元素について所望の濃度分布を得る
ようにしてもよい。
するため、上述した方法に代えて、AO、BO2 、希土
類元素、必要に応じて、MO(Mは、Ni、Coおよび
Mnのうちの少なくとも1種)およびSiO2 のすべて
を混合して、一度に反応させる方法、あるいは、ABO
3 に、希土類元素、必要に応じてMOおよびSiO2等
のすべてを混合して、一度に反応させる方法を用いた場
合には、得られた誘電体セラミックの結晶粒子の内部お
よび粒界において、前述したような濃度分布をもって希
土類元素を分布させることが困難であることが確認され
ている。
に、有機バインダおよび溶剤を添加し、混合することに
よって、スラリーが作製され、このスラリーを用いて、
誘電体セラミック層23となるセラミックグリーンシー
トが成形される。
上に、内部電極24または25となるべき導電性ペース
ト膜がたとえばスクリーン印刷によって形成される。こ
の導電性ペースト膜は、ニッケル、ニッケル合金、銅ま
たは銅合金のような卑金属を導電成分として含んでい
る。なお、内部電極24および25は、スクリーン印刷
法のような印刷法によるほか、たとえば、蒸着法、めっ
き法などによって形成されてもよい。
形成した複数のセラミックグリーンシートが積層される
とともに、これらセラミックグリーンシートを挟むよう
に、導電性ペースト膜が形成されないセラミックグリー
ンシートが積層され、圧着された後、必要に応じてカッ
トされることによって、積層体22となるべき生の積層
体が得られる。この生の積層体において、導電性ペース
ト膜は、その端縁をいずれかの端面に露出させている。
おいて焼成される。これによって、図1に示すような焼
結後の積層体22が得られ、積層体22において、前述
のセラミックグリーンシートが誘電体セラミック層23
を構成し、導電性ペースト膜が内部電極24または25
を構成する。
た各端縁にそれぞれ電気的に接続されるように、積層体
22の端面26および27上に、それぞれ、外部電極2
8および29が形成される。
内部電極24および25と同じ材料を用いることができ
るが、銀、パラジウム、銀−パラジウム合金なども使用
可能であり、また、これらの金属粉末に、B2 O3 −S
iO2 −BaO系ガラス、Li2 O−SiO2 −BaO
系ガラス、B2 O3 −Li2 O−SiO2 −BaO系ガ
ラスなどからなるガラスフリットを添加したものも使用
可能である。積層セラミックコンデンサ21の用途、使
用場所などを考慮に入れて適当な材料が選択される。
上述のような導電性金属の粉末を含むペーストを、焼成
後の積層体22の外表面上に塗布し、焼き付けることに
よって形成されるが、焼成前の生の積層体の外表面上に
塗布し、積層体22を得るための焼成と同時に焼き付け
ることによって形成されてもよい。
ッケル、銅などのめっきを施し、第1のめっき層30お
よび31を形成する。そして、この第1のめっき層30
および31上に、半田、錫などのめっきを施し、第2の
めっき層32および33を形成する。なお、外部電極2
8および29上に、このようなめっき層30〜33のよ
うな導体層を形成することは、積層セラミックコンデン
サ21の用途によっては省略されることもある。
ンサ21が完成される。
や、その他の積層セラミックコンデンサ21の製造工程
のいずれかの段階において、Al、Zr、Fe、Hf、
Na、N等が不純物として混入する可能性があるが、こ
れら不純物の混入は、積層セラミックコンデンサ21の
電気的特性上、問題となることはない。
造工程のいずれかの段階において、内部電極24および
25にFe等が不純物として混入する可能性もあるが、
この不純物の混入についても、電気的特性上、問題とな
ることはない。
ンデンサ21において、誘電体セラミック層23を構成
する誘電体セラミックは、前述したように、そこに含ま
れる希土類元素の濃度分布に関して、結晶粒子の内部に
おける希土類元素の平均濃度が、粒界における希土類元
素の平均濃度の1/2以下であるという条件を満足する
とともに、結晶粒子のうちの20〜70%の個数の結晶
粒子については、結晶粒子の中央部における希土類元素
の濃度が、結晶粒子の径に対して表面から5%までの領
域における希土類元素の最大濃度の1/50以上となる
条件を満足しているので、後述する実験例からわかるよ
うに、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直流電圧
印加下での経時変化が小さく、絶縁抵抗と静電容量との
積(CR積)が高く、高温高電圧における絶縁抵抗の加
速寿命が長く、そのため、誘電体セラミック層23を薄
層化しても、積層セラミックコンデンサ21の信頼性を
優れたものとすることができる。
れる希土類元素の濃度分布が、誘電体セラミックの電気
的特性に大きく影響することがわかる。したがって、希
土類元素の濃度分布に注目すれば、これに基づく誘電体
セラミックの評価方法を提供することができ、この評価
方法は、誘電体セラミックをたとえば設計するにあたっ
て、前述したような特性を与え得る誘電体セラミックの
特定を容易かつ能率的に行なうことを可能にする。
評価方法では、次のような工程に従って、誘電体セラミ
ックが評価される。
元素の平均濃度、および粒界における希土類元素の平均
濃度がそれぞれ求められ、その結果、結晶粒子の内部に
おける希土類元素の平均濃度が、粒界における希土類元
素の平均濃度の1/2以下である、という第1の条件を
満足するか否かが判定される。
素の濃度、および結晶粒子の径に対して表面から5%ま
での領域における希土類元素の最大濃度がそれぞれ求め
られる。その結果、結晶粒子の中央部における希土類元
素の濃度が、結晶粒子の径に対して表面から5%までの
領域における希土類元素の最大濃度の1/50以上であ
る結晶粒子が、結晶粒子のうちの20〜70%の個数で
ある、という第2の条件を満足するか否かが判定され
る。
満足する誘電体セラミックが良品と評価される。
に実施した実験例について説明する。
3 を用い、変性ABO3 として(Ba0.99Dy0.01)T
iO3 を用い、添加成分としてDy2 O3 −NiO−M
nO 2 −SiO2 を用いた。
3 )および二酸化チタン(TiO2)を用意し、これら
をBa:Ti=1:1の割合になるように秤量し、純水
を加えてボールミルで24時間湿式混合した後、蒸発乾
燥して、混合粉末を得た。得られた混合粉末を、自然雰
囲気中において1000℃の温度で仮焼し、粉砕するこ
とによって、BaTiO3 粉末を得た。
化チタン(TiO2 )および酸化ディスプロシウム(D
y2 O3 )を用意し、これらをBa:Dy:Ti=0.
09:0.01:1の割合になるように秤量し、純水を
加えてボールミルで24時間湿式混合した後、蒸発乾燥
して、混合粉末を得た。得られた混合粉末を、自然雰囲
気中において1000℃の温度で仮焼し、粉砕すること
によって、(Ba0.99Dy0.01)TiO3 粉末を得た。
0.99Dy0.01)TiO3 粉末とを、50:50のモル比
となるように配合するとともに、この配合粉末に、Ba
TiO3 および(Ba0.99Dy0.01)TiO3 の合計1
00モルに対するモル比で、0.75モルのDy
2 O3 、0.5モルのNiO、0.2モルのMnO2 お
よび1.5モルのSiO2 の各粉末をさらに配合し、誘
電体セラミックの原料粉末となる混合粉末を得た。
じ組成になるように、BaCO3 、TiO2 、Dy2 O
3 、NiO、MnO2 およびSiO2 の各粉末を、9
9.5:100:1.0:0.5:0.2:1.5のモ
ル比をもって一度に混合し、1000℃の温度で仮焼
し、粉砕することによって、誘電体セラミックの原料粉
末を得た。
て(Ba0.95Sr0.05)TiO3 を用い、変性ABO3
として(Ba0.93Sr0.05Gd0.02)TiO3 を用い、
添加成分として、Ho2 O3 −Cr2 O3 −MgO−S
iO2 を用いた。
(Ba0.95Sr0.05)TiO3 粉末を得るとともに、
(Ba0.93Sr0.05Gd0.02)TiO3 粉末を得た。
O3 粉末と(Ba0.93Sr0.05Gd 0.02)TiO3 粉末
とを、70:30のモル比となるように配合するととも
に、この配合粉末に、(Ba0.95Sr0.05)TiO3 お
よび(Ba0.93Sr0.05Gd 0.02)TiO3 の合計10
0モルに対するモル比で、0.8モルのHo2 O3 、
0.5モルのCr2 O3 、0.5モルのMgOおよび
2.0モルのSiO2 の各粉末を配合し、誘電体セラミ
ックの原料粉末となる混合粉末を得た。
じ組成になるように、BaCO3 、SrCO3 、TiO
2 、Ho2 O3 、Gd2 O3 、Cr2 O3 、MgOおよ
びSiO2 の各粉末を、94.4:5.0:100:
0.8:0.3:0.5:0.5:2.0のモル比をも
って一度に混合し、1000℃で仮焼し、粉砕すること
によって、誘電体セラミックの原料粉末を得た。
て(Ba0.95Ca0.05)(Ti0.95Zr0.04Hf 0.01)
O3 を用い、変性ABO3 として(Ba0.93Ca0.05S
m0.02)(Ti0. 95Zr0.04Hf0.01)O3 を用い、添
加成分としてHo2 O3 −MgO−MnO2 −B2 O3
−SiO2 を用いた。
(Ba0.95Ca0.05)(Ti0.95Zr0.04Hf0.01)O
3 粉末を得るとともに、(Ba0.93Ca0.05Sm0.02)
(Ti0.95Zr0.04Hf0.01)O3 粉末を得た。
i0.95Zr0.04Hf0.01)O3 粉末と(Ba0.93Ca
0.05Sm0.02)(Ti0.95Zr0.04Hf0.01)O3 粉末
とを、35:65のモル比となるように配合するととも
に、この配合粉末に、(Ba0. 95Ca0.05)(Ti0.95
Zr0.04Hf0.01)O3 および(Ba0.93Ca0.05Sm
0.02)(Ti0.95Zr0.04Hf0.01)O3 の合計100
モルに対するモル比で、0.5モルのHo2 O3 、1.
0モルのMgO、0.3モルのMnO2 、0.5モルの
B2 O3 および1.0モルのSiO2 の各粉末をさらに
配合し、誘電体セラミックの原料粉末となる混合粉末を
得た。
じ組成になるように、ABO3 として予め合成した(B
a0.937 Ca0.05)(Ti0.95Zr0.04Hf0.01)O3
粉末100モルに対して、0.5モルのHo2 O3 粉末
と0.65モルのSm2 O3 粉末と1.0モルのMgO
粉末とを混合し、仮焼し、粉砕した後、他の添加成分と
なる0.3モルのMnO2 、0.5モルのB2 O3 およ
び1.0モルのSiO2 の各粉末を加え、混合すること
によって、誘電体セラミックの原料粉末となる混合粉末
を得た。
て(Ba0.90Ca0.10)TiO3 を用い、変性ABO3
として(Ba0.89Ca0.10Y0.01)TiO3 を用い、添
加成分としてY2O3 −MgO−SiO2 −B2 O3 −
CoO−Fe2 O3 を用いた。
(Ba0.90Ca0.10)TiO3 粉末を得るとともに、
(Ba0.89Ca0.10Y0.01)TiO3 粉末を得た。
O3 粉末と(Ba0.89Ca0.10Y0. 01)TiO3 粉末と
を、80:20のモル比となるように配合するととも
に、この配合粉末に、(Ba0.90Ca0.10)TiO3 お
よび(Ba0.89Ca0.10Y0.01)TiO3 の合計100
モルに対するモル比で、1.0モルのY2 O3 、0.5
モルのMgO、1.0モルのSiO2 、0.1モルのB
2 O3 、1.0モルのCoOおよび0.3モルのFe2
O3 の各粉末をさらに配合し、誘電体セラミックの原料
粉末となる混合粉末を得た。
じ組成になるように、ABO3 として予め合成した(B
a0.898 Ca0.10)TiO3 粉末を用意し、他方、この
(Ba0.898 Ca 0.10)TiO3 100モルに対するモ
ル比で、1.1モルのY2 O3 、0.5モルのMgOお
よび1.0モルのSiO2 の各粉末を混合し、仮焼する
ことによって、予め合成したY2 O3 −MgO−SiO
2 の仮焼物を用意し、これら(Ba 0.898 Ca0.10)T
iO3 およびY2 O3 −MgO−SiO2 の仮焼物の各
粉末を混合するとともに、この混合粉末に、(Ba
0.898 Ca0.10)TiO3 100モルに対するモル比
で、0.1モルのB2 O3 、1.0モルのCoOおよび
0.3モルのFe2 O3 の各粉末を加えて混合し、誘電
体セラミックの原料粉末となる混合粉末を得た。
てBaTiO3 を用い、変性ABO3 として(Ba0.96
Dy0.04)TiO3 を用い、添加成分としてNiO−M
nO2 −SiO2を用いた。
BaTiO3 粉末を得るとともに、(Ba0.96D
y0.04)TiO3 粉末を得た。
0.96Dy0.04)TiO3 粉末とを、50:50のモル比
となるように配合するとともに、この配合粉末に、Ba
TiO 3 および(Ba0.96Dy0.04)TiO3 の合計1
00モルに対するモル比で、0.5モルのNiO、0.
2モルのMnO2 および1.5モルのSiO2 の各粉末
をさらに配合し、誘電体セラミックの原料粉末となる混
合粉末を得た。
係る原料粉末に、ポリビニルブチラール系バインダおよ
びエタノール等の有機溶剤を加え、ボールミルを用いた
湿式混合を実施することによって、セラミックスラリー
を作製した。
レード法によって、焼成後の誘電体セラミック層の厚み
が2μmになるような厚みをもってシート状に成形し、
矩形のセラミックグリーンシートを得た。
ッケルを主体とする導電性ペーストをスクリーン印刷
し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。
いる側が互い違いとなるように、導電性ペースト膜が形
成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミ
ックグリーンシートを積層し、生の積層体を得た。
て350℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、
酸素分圧10-9〜10-12 MPaのH2 −N2 −H2 O
ガスからなる還元性雰囲気中において、後掲の表1に示
す温度にて2時間焼成し、焼結した積層体を得た。
Li2 O−SiO2 −BaO系のガラスフリットを含有
するとともに銀を導電成分とする導電性ペーストを塗布
し、窒素雰囲気中において600℃の温度で焼き付け、
内部電極と電気的に接続された外部電極を形成した。
ンデンサの外形寸法は、幅1.6mm、長さ3.2mm
および厚さ1.2mmであり、内部電極間に介在する誘
電体セラミック層の厚みは、2μmであった。また、有
効誘電体セラミック層の層数は100であり、1層あた
りの対向電極面積は2.1mm2 であった。
5に係る積層セラミックコンデンサの各種電気的特性を
測定した。
での誘電率εおよび絶縁抵抗を測定した。この場合、誘
電率εは、温度25℃、1kHz、および1Vrmsの
条件下で測定した。また、10kV/mmの電界強度の
下で絶縁抵抗を測定するため、20Vの直流電圧を2分
間印加して、+25℃において絶縁抵抗を測定し、静電
容量(C)と絶縁抵抗(R)との積、すなわちCR積を
求めた。
を求めた。この温度変化に対する静電容量の変化率につ
いては、20℃での静電容量を基準とした−25℃と8
5℃との間での変化率(ΔC/C20)と、25℃での静
電容量を基準とした−55℃と125℃との間での変化
率(ΔC/C25)とを求めた。
負荷寿命試験は、36個の試料について、温度150℃
において、電界強度が15kV/mmになるように30
Vの電圧を印加して、その絶縁抵抗の経時変化を求めよ
うとしたものである。なお、高温負荷寿命として、各試
料の絶縁抵抗値が200kΩ以下になったときの時間を
寿命時間として、その平均寿命時間を求めた。
容量の経時変化は、温度125℃、1kHz、1Vrm
s、および直流電圧3.15V印加の条件下で、60時
間後の容量変化を測定し、直流電圧印加直後の125℃
での静電容量を基準として容量変化率すなわちDC負荷
経時変化率を求めた。
/C20)、温度特性 (ΔC/C25)、高温負荷寿命お
よびDC負荷経時変化率が、表1に示されている。
層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層を
構成する誘電体セラミックにおける希土類元素の濃度分
布を調査するため、試料としての積層セラミックコンデ
ンサを薄片状に研磨し、透過型電子顕微鏡観察を行なっ
た。より具体的には、次のような操作を行なった。
に観察された結晶粒子の外周を、ほぼ略4等分した任意
の4点を分析点とした。このとき、分析点は、2つの結
晶粒子により形成された領域から選ぶ場合も、3つ以上
の結晶粒子によって形成された領域から選ぶ場合もあっ
た。また、同一の結晶粒子間で形成される粒界での分析
の重複を避けるため、総分析点の数を20以上とし、そ
れぞれの分析点における希土類元素の濃度の平均値を、
粒界における希土類元素の平均濃度とした。なお、分析
には、透過型電子顕微鏡に付属のエネルギー分散型X線
分光法(EDX)を用い、また、分析に用いる電子線と
して、2nmのプローブを用いた。
個以上の結晶粒子を選択し、選択された各々の結晶粒子
の中心点と、結晶粒子の径に対して表面から5%までの
領域の任意の点とを含む、9つ以上の点を分析点とし
た。
点の一例、すなわち、結晶粒子11の中心にある分析点
1、結晶粒子11の径に対して表面から5%までの領域
にある分析点6〜9、およびその他の領域にある分析点
2〜5が示されている。
9)における希土類元素の濃度を、透過型電子顕微鏡に
付属のエネルギー分散型X線分光法(EDX)によっ
て、電子線として2nmのプローブを用いながら測定
し、その平均値を、結晶粒子内部における希土類元素の
平均濃度とした。
2において「12」で示す。)における希土類元素の平
均濃度に対する、結晶粒子内部における希土類元素の平
均濃度の割合(以下、「粒内の希土類元素濃度/粒界の
希土類元素濃度」と略す。)を算出した。
析点1)における希土類元素の濃度が、結晶粒子の径に
対して表面から5%までの領域(図2における分析点6
〜9)における希土類元素の最大濃度の1/50以上と
なるように、希土類元素が分布している結晶粒子(以
下、「内部まで希土類元素が固溶した結晶粒子」と略
す。)の割合を算出した。
の希土類元素濃度/粒界の希土類元素濃度および内部ま
で希土類元素が固溶した結晶粒子の割合が示されてい
る。
により、内部まで希土類元素が固溶した結晶粒子と判定
された結晶粒子の図2に示した分析点1におけるEDX
スペクトルを例示したものである。
は、内部まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合は5
5%であり、粒内の希土類元素濃度/粒界の希土類元素
濃度は22%であった。他方、比較例1においては、内
部まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合は86%で
あり、粒内の希土類元素濃度/粒界の希土類元素濃度は
81%であった。
率、CR積および高温負荷寿命については、実施例1お
よび比較例2は、ほぼ変わらない値、すなわち、とも
に、誘電率が3200程度、CR積が8800程度、高
温負荷寿命が200時間程度の値を示した。
例1は、EIA規格X7R特性を満足しているのに対
し、比較例1は、この特性を満足していなかった。ま
た、DC負荷経時変化率についても、実施例1では、−
1.7%というように、比較例1の−14.1%と比較
して、より良好な特性が得られた。
したように、内部まで希土類元素が固溶した結晶粒子の
割合は20〜70%の範囲内であり、かつ、粒内の希土
類元素濃度/粒界の希土類元素濃度はいずれも50%以
下すなわち1/2以下であった。
においては、いずれも、温度特性がEIA規格X7R特
性を満足し、高温負荷寿命が長く、信頼性に優れ、DC
負荷経時変化率も小さかった。
したように、内部まで希土類元素が固溶した結晶粒子の
割合は91%であり、粒内の希土類元素濃度/粒界の希
土類濃度元素は45%であった。また、比較例2では、
上述のように、内部まで希土類元素が固溶した結晶粒子
の割合が91%と高いため、表1に示したように、温度
特性がEIA規格X7R特性を満足しなかった。
まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合は9%であ
り、粒内の希土類元素濃度/粒界の希土類濃度元素は2
5%であった。また、比較例3では、上述のように、内
部まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合が9%と低
いため、表1に示したように、高温負荷寿命が20時間
程度と短く、十分な信頼性が得られなかった。
まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合は6%であ
り、粒内の希土類元素濃度/粒界の希土類濃度元素は1
4%であった。また、比較例4では、上述のように、内
部まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合が6%と低
いため、表1に示したように、高温負荷寿命が10時間
程度と短く、十分な信頼性が得られなかった。
まで希土類元素が固溶した結晶粒子の割合は53%であ
り、粒内の希土類元素濃度/粒界の希土類濃度元素は7
8%であった。また、比較例5では、上述のように、粒
内の希土類元素濃度/粒界の希土類濃度元素が78%と
高いため、表1に示したように、DC負荷経時変化率が
−13.1%と大きかった。
ラミックによれば、一般式ABO3 で表わされる主成分
と希土類元素を含む添加成分とを含む組成を有し、かつ
ABO 3 を主成分とする結晶粒子と結晶粒子間を占める
粒界とからなるセラミック構造を有するものにおいて、
希土類元素の濃度分布に関して、粒内の希土類元素濃度
/粒界の希土類濃度元素が1/2以下であるという条件
を満足するとともに、内部まで希土類元素が固溶した結
晶粒子の割合が20〜70%であるという条件を満足す
るため、誘電率が高く、誘電率の温度変化および直流電
圧印加下での経時変化が小さく、絶縁抵抗と静電容量と
の積(CR積)が高く、高温高電圧における絶縁抵抗の
加速寿命が長いものとすることができる。
積層セラミック電子部品の誘電体セラミック層を構成す
れば、誘電体セラミック層の薄層化に対しても、優れた
信頼性を維持し得る積層セラミック電子部品を得ること
ができる。
適用すれば、誘電体セラミック層の薄層化によって、積
層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化が可能と
なり、また、誘電体セラミック層を薄層化しても、積層
セラミックコンデンサの定格電圧を下げる必要がない。
その結果、たとえば、誘電体セラミック層の厚みを1μ
m程度にまで薄層化することが問題なく行なうことがで
きる。
耐還元性誘電体セラミックであるので、積層セラミック
電子部品の内部電極において、卑金属を導電成分として
問題なく用いることができる。
法によれば、AOとBO2 と希土類元素の一部とを混合
し、大気中において仮焼し、粉砕することによって、希
土類元素が粒子内部にまで存在している変性ABO3 粉
末を得る工程と、AOとBO 2 とを混合し、大気中にお
いて仮焼し、粉砕することによって、希土類元素が粒子
内部に存在しないABO3 粉末を得る工程と、これら変
性ABO3 粉末、ABO3 粉末および希土類元素の残部
を混合して得られた混合粉末を焼成する工程とを備えて
いるので、これら構成元素をすべて混合して一度に反応
させる方法を採用する場合に比べて、前述したような希
土類元素の濃度分布をより容易に得ることが可能にな
る。
法によれば、粒内の希土類元素濃度および粒界の希土類
元素濃度をそれぞれ求める工程と、粒内の希土類元素濃
度/粒界の希土類元素濃度が1/2以下である、という
第1条件を満足するか否かを判定する工程と、結晶粒子
の中央部における希土類元素の濃度、および結晶粒子の
径に対して表面から5%までの領域における希土類元素
の最大濃度をそれぞれ求める工程と、内部まで希土類元
素が固溶した結晶粒子の割合が20〜70%である、と
いう第2の条件を満足するか否かを判定する工程とを備
え、上述の第1および第2の条件を満足する誘電体セラ
ミックを良品と評価するようにしているので、誘電体セ
ラミックをたとえば設計するにあたって、前述したよう
な優れた特性を与え得る誘電体セラミックの特定を容易
かつ能率的に行なうことができる。
ンデンサ21を図解的に示す断面図である。
分析において採用される分析点の例を図解的に示す、結
晶粒子11の拡大図である。
土類元素が固溶した結晶粒子と判定された結晶粒子の図
2に示した分析点1におけるEDXスペクトルを示す図
である。
Claims (6)
- 【請求項1】 一般式ABO3 (Aは、Ba、Caおよ
びSrのうちのBaを含む少なくとも1種であり、B
は、Ti、ZrおよびHfのうちのTiを含む少なくと
も1種である。)で表わされる主成分と希土類元素を含
む添加成分とを含む組成を有し、かつ前記ABO3 を主
成分とする結晶粒子と結晶粒子間を占める粒界とからな
るセラミック構造を有し、 前記希土類元素の濃度分布に関して、 結晶粒子の内部における希土類元素の平均濃度が、粒界
における希土類元素の平均濃度の1/2以下であるとい
う条件を満足するとともに、 結晶粒子のうちの20〜70%の個数の結晶粒子につい
ては、結晶粒子の中央部における希土類元素の濃度が、
結晶粒子の径に対して表面から5%までの領域における
希土類元素の最大濃度の1/50以上となる条件を満足
する、誘電体セラミック。 - 【請求項2】 請求項1に記載の誘電体セラミックを製
造するための方法であって、 AOとBO2 と希土類元素の一部とを混合し、大気中に
おいて仮焼し、粉砕することによって、希土類元素が粒
子内部にまで存在している変性ABO3 粉末を得る工程
と、 AOとBO2 とを混合し、大気中において仮焼し、粉砕
することによって、希土類元素が粒子内部に存在しない
ABO3 粉末を得る工程と、 前記変性ABO3 粉末、前記ABO3 粉末および希土類
元素の残部を混合して得られた混合粉末を焼成する工程
とを備える、誘電体セラミックの製造方法。 - 【請求項3】 一般式ABO3 (Aは、Ba、Caおよ
びSrのうちのBaを含む少なくとも1種であり、B
は、Ti、ZrおよびHfのうちのTiを含む少なくと
も1種である。)で表わされる主成分と希土類元素を含
む添加成分とを含む組成を有し、かつ前記ABO3 を主
成分とする結晶粒子と結晶粒子間を占める粒界とからな
るセラミック構造を有する、誘電体セラミックの評価方
法であって、 結晶粒子の内部における希土類元素の平均濃度、および
粒界における希土類元素の平均濃度をそれぞれ求める工
程と、 前記結晶粒子の内部における希土類元素の平均濃度が、
前記粒界における希土類元素の平均濃度の1/2以下で
ある、という第1の条件を満足するか否かを判定する工
程と、 結晶粒子の中央部における希土類元素の濃度、および結
晶粒子の径に対して表面から5%までの領域における希
土類元素の最大濃度をそれぞれ求める工程と、 前記結晶粒子の中央部における希土類元素の濃度が、前
記結晶粒子の径に対して表面から5%までの領域におけ
る希土類元素の最大濃度の1/50以上である結晶粒子
が、結晶粒子のうちの20〜70%の個数である、とい
う第2の条件を満足するか否かを判定する工程とを備
え、 前記第1および第2の条件を満足する誘電体セラミック
を良品と評価する、誘電体セラミックの評価方法。 - 【請求項4】 複数の積層された誘電体セラミック層
と、複数の前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿
って形成された内部電極とを含む、積層体を備える、積
層セラミック電子部品であって、 前記誘電体セラミック層が、請求項1に記載の誘電体セ
ラミックからなる、積層セラミック電子部品。 - 【請求項5】 前記内部電極は、卑金属を含む、請求項
4に記載の積層セラミック電子部品。 - 【請求項6】 前記積層体の外表面上に形成される第1
および第2の外部電極をさらに備え、前記積層体の積層
方向に互いに重なり合った状態で複数の前記内部電極が
形成され、前記複数の内部電極は、前記第1の外部電極
に電気的に接続されるものと前記第2の外部電極に電気
的に接続されるものとが交互に積層方向に配置され、そ
れによって、積層セラミックコンデンサを構成してい
る、請求項4または5に記載の積層セラミック電子部
品。
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