JPS63289706A - セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー - Google Patents
セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサーInfo
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- JPS63289706A JPS63289706A JP62124530A JP12453087A JPS63289706A JP S63289706 A JPS63289706 A JP S63289706A JP 62124530 A JP62124530 A JP 62124530A JP 12453087 A JP12453087 A JP 12453087A JP S63289706 A JPS63289706 A JP S63289706A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はセラミック形成組成物及びこれを用いた半導体
磁器基体、誘電体磁器基体並びにコンデンサーに関する
。
磁器基体、誘電体磁器基体並びにコンデンサーに関する
。
結晶粒界に絶縁層を形成した半導体磁器は、一般に大き
な誘電率を有する。この様な半導体磁器を用いて大きな
容量を有するコンデンサーを構成し得ることが知られて
いる。従来、この種の半導体磁器としては、チタン酸バ
リウムを主体成分とする磁器が多用されていた。このも
のは、誘電率が７０．０００と大きいものの、誘電損失
（ｔａｎδ）が５〜６％（１ｋＨｚ）と大きく、また、
誘電率の温度変化も＋２０℃を基準として一２５〜＋８
５℃の範囲で±５０％と大きいものである。
な誘電率を有する。この様な半導体磁器を用いて大きな
容量を有するコンデンサーを構成し得ることが知られて
いる。従来、この種の半導体磁器としては、チタン酸バ
リウムを主体成分とする磁器が多用されていた。このも
のは、誘電率が７０．０００と大きいものの、誘電損失
（ｔａｎδ）が５〜６％（１ｋＨｚ）と大きく、また、
誘電率の温度変化も＋２０℃を基準として一２５〜＋８
５℃の範囲で±５０％と大きいものである。
一方、チタン酸バリウムのｔ ａ ｎδや誘電率の温度
変化を改良する磁器としてチタン酸ストロンチウムを主
体成分とする磁器が知られている。例えば特公昭６０−
４８８９７で試料番号５として５ｒＴｉＯ３９７，５モ
ル％から成る主成分に？ＶｉｎＯ２１、７モル％、Ｙ２
Ｏ３０，８モル％を添加せしめた磁器で、ｔａｎδが０
．６％、−２５〜＋８５℃の誘電率の温度変化が一７〜
＋６％以内と良好であるが、誘電率が１５０００程度と
低い。
変化を改良する磁器としてチタン酸ストロンチウムを主
体成分とする磁器が知られている。例えば特公昭６０−
４８８９７で試料番号５として５ｒＴｉＯ３９７，５モ
ル％から成る主成分に？ＶｉｎＯ２１、７モル％、Ｙ２
Ｏ３０，８モル％を添加せしめた磁器で、ｔａｎδが０
．６％、−２５〜＋８５℃の誘電率の温度変化が一７〜
＋６％以内と良好であるが、誘電率が１５０００程度と
低い。
本発明は、前記従来の問題点を解決し、誘電率が太き（
、且つ温度特性も良好であり、誘電損失の小さなコンデ
ンサーを構成することのできるセラミック形成組成物、
及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並び
にコンデンサーを提供すべくなされたものである。
、且つ温度特性も良好であり、誘電損失の小さなコンデ
ンサーを構成することのできるセラミック形成組成物、
及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並び
にコンデンサーを提供すべくなされたものである。
本発明によって提供されるセラミック形成組成物（以下
、本発明のセラミック形成組成物という）はＴｉＯ。５
０．２０〜５３．５０モル％及びＳｒＯ４９．８０〜４
６．５０モル％から成る主成分１００モル部に対し、〜
１ｎＯ２２，０〜５．０モル部、並びにＹ２Ｏ３０，０
５〜０．３０モル部が含有されていることを特徴とする
ものである。
、本発明のセラミック形成組成物という）はＴｉＯ。５
０．２０〜５３．５０モル％及びＳｒＯ４９．８０〜４
６．５０モル％から成る主成分１００モル部に対し、〜
１ｎＯ２２，０〜５．０モル部、並びにＹ２Ｏ３０，０
５〜０．３０モル部が含有されていることを特徴とする
ものである。
本発明によって提供される半導体磁器基体（以下、本発
明の半導体磁器基体という）は、本発明のセラミック形
成組成物の焼成体から成ることを特徴とするものである
。
明の半導体磁器基体という）は、本発明のセラミック形
成組成物の焼成体から成ることを特徴とするものである
。
本発明によって提供される誘電体磁器基体（以下、本発
明の誘電体磁器基体という）は、本発明のセラミック形
成組成物の焼成体から成る半導体磁器の結晶粒界に絶縁
層が存在していることを特徴とするものである。
明の誘電体磁器基体という）は、本発明のセラミック形
成組成物の焼成体から成る半導体磁器の結晶粒界に絶縁
層が存在していることを特徴とするものである。
本発明によって提供されるコンデンサー（以下、本発明
のコンデンサーという）は、一対の電極と；該電極に挟
持された本発明のセラミック形成組成物の焼成体から成
る半導体磁器の結晶粒界に絶縁層が存在している誘電体
磁器と；を有していることを特徴とするものである。
のコンデンサーという）は、一対の電極と；該電極に挟
持された本発明のセラミック形成組成物の焼成体から成
る半導体磁器の結晶粒界に絶縁層が存在している誘電体
磁器と；を有していることを特徴とするものである。
本発明のセラミック形成組成物には、前記ＴｉＯ２゜Ｓ
ｒＯ，ＭｎＯ２及びＹ２Ｏ３以外の成分としてＳｉＯ２
が含有され得る。Ｓｉｏ２の好適な含量は、前記ＴｉＯ
２５０，２０〜５３．５０モル％及びＳｒＯ４９．８０
〜４６．５０モル％から成る主成分１００モル部に対し
て０．０１〜２．００モル部である。
ｒＯ，ＭｎＯ２及びＹ２Ｏ３以外の成分としてＳｉＯ２
が含有され得る。Ｓｉｏ２の好適な含量は、前記ＴｉＯ
２５０，２０〜５３．５０モル％及びＳｒＯ４９．８０
〜４６．５０モル％から成る主成分１００モル部に対し
て０．０１〜２．００モル部である。
以下、本発明の構成について更に詳しく説明する。
本発明のセラミック形成用組成物において、主成分であ
るＴｉＯ２とＳｒＯは、固溶体等の複合酸化物、ＴｉＯ
２，ＳｒＯ夫々の単独酸化物、あるいはこれらの混合物
として組成物中に存在し得る。組成物中におけるＴｉＯ
３とＳｒＯの量比を、ＴｉＯ２５０，２０〜５３．５０
モル％に対しＳｒＯ４９．８０〜４６．５０モル％とし
たのは、ＴｉＯ２の量が多くなると、即ちＳｒＯの量が
少なくなると、所望する誘電体磁器の誘電率が低下し、
誘電損失と誘電率の温度変化が大きくなり、しかも磁器
の絶縁抵抗が減少する。ＴｉＯ２の量が少なくなると、
即ちＳｒＯの量が多くなると、所゛望する誘電体磁器の
誘電率が低下し、誘電率の温度変化が太き（なる。本発
明組成物中におけるＴ ＩＯ２とＳｒＯのｍ比は、これ
らの誘電率、誘電損失、誘電率の温度変化、磁器の絶縁
抵抗、半導体可能といった所望特性をバランス良く最適
に発現させるために決定される。
るＴｉＯ２とＳｒＯは、固溶体等の複合酸化物、ＴｉＯ
２，ＳｒＯ夫々の単独酸化物、あるいはこれらの混合物
として組成物中に存在し得る。組成物中におけるＴｉＯ
３とＳｒＯの量比を、ＴｉＯ２５０，２０〜５３．５０
モル％に対しＳｒＯ４９．８０〜４６．５０モル％とし
たのは、ＴｉＯ２の量が多くなると、即ちＳｒＯの量が
少なくなると、所望する誘電体磁器の誘電率が低下し、
誘電損失と誘電率の温度変化が大きくなり、しかも磁器
の絶縁抵抗が減少する。ＴｉＯ２の量が少なくなると、
即ちＳｒＯの量が多くなると、所゛望する誘電体磁器の
誘電率が低下し、誘電率の温度変化が太き（なる。本発
明組成物中におけるＴ ＩＯ２とＳｒＯのｍ比は、これ
らの誘電率、誘電損失、誘電率の温度変化、磁器の絶縁
抵抗、半導体可能といった所望特性をバランス良く最適
に発現させるために決定される。
このように本発明では、ＴｉＯ２とＳｒＯの量比を特に
ＴｉＯ２過剰側の一定範囲内に設定することを１つの特
徴とする。
ＴｉＯ２過剰側の一定範囲内に設定することを１つの特
徴とする。
本発明のセラミック形成組成物においてＭｎＯ２は磁器
を形成するための焼結助剤の役割を有するものであり、
その使用量を前記ＴｉＯ□及びＳｒＯから成る主成分１
００モル部に対して２．０モル部以上に限定したのは、
ＭｎＯ□が２．０モル部未満であると所望する誘電体磁
器の誘電率が低下すると共に誘電率の温度変化が大きく
なるからである。前記ＴｉＯ３及びＳｒＯから成る主成
分１００モル部に対して５．０モル部以下に限定したの
は、ＭｎＯ２が５．０モル部を越えると誘電損失の増加
が顕著となるためである。
を形成するための焼結助剤の役割を有するものであり、
その使用量を前記ＴｉＯ□及びＳｒＯから成る主成分１
００モル部に対して２．０モル部以上に限定したのは、
ＭｎＯ□が２．０モル部未満であると所望する誘電体磁
器の誘電率が低下すると共に誘電率の温度変化が大きく
なるからである。前記ＴｉＯ３及びＳｒＯから成る主成
分１００モル部に対して５．０モル部以下に限定したの
は、ＭｎＯ２が５．０モル部を越えると誘電損失の増加
が顕著となるためである。
以上のように本発明ではＴｉＯ□とＳ ｒ ’Ｏの量比
をＴｉＯ３過剰側に設定しかつ、多量（２モル部以上）
のＭｎＯ２を添加することにより、焼結が促進され、更
には、過剰Ｔｉｏ２により還元されやすい状態が作り出
されているものと思われる。
をＴｉＯ３過剰側に設定しかつ、多量（２モル部以上）
のＭｎＯ２を添加することにより、焼結が促進され、更
には、過剰Ｔｉｏ２により還元されやすい状態が作り出
されているものと思われる。
次に、本発明のセラミック形成組成物において、Ｙ２Ｏ
３は磁器の半導体化に効果を有するものであり、その使
用量を前記Ｔ＋０２及びＳｒＯから成る主成分１００モ
ル部に対して０．０５モル部以上に限定したのは、Ｙ２
Ｏ３が０．０５モル部未満であると磁器の半導体化が不
十分となり、誘電率が低下するためである。前記ＴｉＯ
２及びＳｒＯから成る主成分１００モル部に対して０．
３モル部以下に限定したのは、Ｙ２Ｏ３が０．３モル部
を越えると結晶の粒成長が抑制され、誘電率が低下し、
誘電損失が大きくなるためである。
３は磁器の半導体化に効果を有するものであり、その使
用量を前記Ｔ＋０２及びＳｒＯから成る主成分１００モ
ル部に対して０．０５モル部以上に限定したのは、Ｙ２
Ｏ３が０．０５モル部未満であると磁器の半導体化が不
十分となり、誘電率が低下するためである。前記ＴｉＯ
２及びＳｒＯから成る主成分１００モル部に対して０．
３モル部以下に限定したのは、Ｙ２Ｏ３が０．３モル部
を越えると結晶の粒成長が抑制され、誘電率が低下し、
誘電損失が大きくなるためである。
このように本発明は、前記特公昭６０−４８８９７号に
比較し、多量のＭｎＯ２と比較的微量のＹ２Ｏ３を添加
することが特異点の１つである。つまり本発明では、Ｍ
ｎＯ２とＹ２Ｏ３更には前述の過剰ＴｉＯ２との相互作
用により粒径、粒界に関する特性が制御さし極メて大き
な誘電率と良好な誘電損失特性等が得られるものと考え
られる。
比較し、多量のＭｎＯ２と比較的微量のＹ２Ｏ３を添加
することが特異点の１つである。つまり本発明では、Ｍ
ｎＯ２とＹ２Ｏ３更には前述の過剰ＴｉＯ２との相互作
用により粒径、粒界に関する特性が制御さし極メて大き
な誘電率と良好な誘電損失特性等が得られるものと考え
られる。
また、本発明のセラミック形成組成物に所望により加え
られる成分であるＳｉＯ３は半導体磁器の粒界面改良剤
としての作用を有するものである。
られる成分であるＳｉＯ３は半導体磁器の粒界面改良剤
としての作用を有するものである。
この粒界面改良剤とは、半導体磁器の表面に結晶粒界へ
の拡散成分となる添加剤を添布した後、空気等の酸化雰
囲気中で焼成し、結晶粒界に添加剤を拡散させる際に、
該添加剤の粒界面への拡散を均一にすることにより、絶
縁抵抗の向上、誘電損失の低下に寄与する。但し、この
様な効果を期待して、ＳｉＯ２を使用する場合に、Ｓｉ
Ｏ２の使用量が前記ＴｉＯ２及びＳｒＯから成る主成分
１００モル部に対し０．０１モル部未満であると効果が
十分に発現されず、２．００モル部を越えると結晶粒界
の絶縁層の厚みが増し所望する誘電体磁器の誘電率が低
下し、好ましくない。ＳｉＯ２の使用量のより好ましく
は、前記ＴｉＯ２及びＳｒＯか成る主成分１００モル部
に対し０．２０〜２．００モル部である。
の拡散成分となる添加剤を添布した後、空気等の酸化雰
囲気中で焼成し、結晶粒界に添加剤を拡散させる際に、
該添加剤の粒界面への拡散を均一にすることにより、絶
縁抵抗の向上、誘電損失の低下に寄与する。但し、この
様な効果を期待して、ＳｉＯ２を使用する場合に、Ｓｉ
Ｏ２の使用量が前記ＴｉＯ２及びＳｒＯから成る主成分
１００モル部に対し０．０１モル部未満であると効果が
十分に発現されず、２．００モル部を越えると結晶粒界
の絶縁層の厚みが増し所望する誘電体磁器の誘電率が低
下し、好ましくない。ＳｉＯ２の使用量のより好ましく
は、前記ＴｉＯ２及びＳｒＯか成る主成分１００モル部
に対し０．２０〜２．００モル部である。
この様に構成される本発明のセラミック形成組成物を用
いて本発明の半導体磁器基体を得るには、本発明のセラ
ミック形成組成物の成形体（圧粉体）を調製し、これを
焼成する方法が一般的である。例えば、ＴｉＯ２、Ｓｒ
Ｏ，ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３及び所望に応じて加えられるＳ
＋０２の各成分を含む原料粉末にポリビニルアルコール
などのバインダーを加え造粒を行いプレス成形にて成形
体（圧粉体）を得る。次いで、この成形体からバインダ
ーを除（ため酸化雰囲気中６００〜１２００℃で仮焼す
る。この仮焼体を、次いで水素と窒素の混合ガス、水素
とアルゴンの混合ガス等の還元雰囲気あるいは窒素、ア
ルゴン等の中性雰囲気中、より好ましくは還元雰囲気中
、望ましくは１３２０°Ｃ〜１４５０°Ｃで焼成して半
導体磁器基体を得る。
いて本発明の半導体磁器基体を得るには、本発明のセラ
ミック形成組成物の成形体（圧粉体）を調製し、これを
焼成する方法が一般的である。例えば、ＴｉＯ２、Ｓｒ
Ｏ，ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３及び所望に応じて加えられるＳ
＋０２の各成分を含む原料粉末にポリビニルアルコール
などのバインダーを加え造粒を行いプレス成形にて成形
体（圧粉体）を得る。次いで、この成形体からバインダ
ーを除（ため酸化雰囲気中６００〜１２００℃で仮焼す
る。この仮焼体を、次いで水素と窒素の混合ガス、水素
とアルゴンの混合ガス等の還元雰囲気あるいは窒素、ア
ルゴン等の中性雰囲気中、より好ましくは還元雰囲気中
、望ましくは１３２０°Ｃ〜１４５０°Ｃで焼成して半
導体磁器基体を得る。
また、例えば前述した方法により得られる本発明のセラ
ミック形成組成物を用いた半導体磁器の結晶粒界に絶縁
層を形成することにより、本発明の絶縁体磁器基体を得
ることができる。絶縁層の形成方法としては、結晶粒界
への拡散成分となる添加剤を半導体磁器基体の表面に塗
布して焼成する方法が挙げられる。焼成は酸化雰囲気中
で１１００〜１３００°Ｃで行うのが望ましい。
ミック形成組成物を用いた半導体磁器の結晶粒界に絶縁
層を形成することにより、本発明の絶縁体磁器基体を得
ることができる。絶縁層の形成方法としては、結晶粒界
への拡散成分となる添加剤を半導体磁器基体の表面に塗
布して焼成する方法が挙げられる。焼成は酸化雰囲気中
で１１００〜１３００°Ｃで行うのが望ましい。
添加剤としては、半導体磁器の結晶粒界に絶縁層を形成
するための従来公知の添加剤の何れをも使用することが
できる。例えば、鉄、コバルト、ビスマス、バナジウム
、クロム、鉛等の酸化物のほか、特に本発明において好
適に用いられるのは、酸化ビスマス及び酸化ナトリウム
であり、これらを用いた場合本発明の目的とする誘電体
磁器の誘電率、温度特性、並びに誘電損失の改良効果に
関して良好な結果が得られる。添加剤は、焼成の結果と
してこれら酸化物の形態をとればよ（、半導体磁器表面
に供給するときは、例えば酸化物、窒化物、炭酸塩等の
形態でよい。
するための従来公知の添加剤の何れをも使用することが
できる。例えば、鉄、コバルト、ビスマス、バナジウム
、クロム、鉛等の酸化物のほか、特に本発明において好
適に用いられるのは、酸化ビスマス及び酸化ナトリウム
であり、これらを用いた場合本発明の目的とする誘電体
磁器の誘電率、温度特性、並びに誘電損失の改良効果に
関して良好な結果が得られる。添加剤は、焼成の結果と
してこれら酸化物の形態をとればよ（、半導体磁器表面
に供給するときは、例えば酸化物、窒化物、炭酸塩等の
形態でよい。
更に、例えば前述した方法により得られる本発明のセラ
ミック形成組成物を用いた誘電体磁器を一対の電極に挟
持することにより、本発明のコンデンサーを構成するこ
とができる。
ミック形成組成物を用いた誘電体磁器を一対の電極に挟
持することにより、本発明のコンデンサーを構成するこ
とができる。
第１図及び第２図には、本発明のコンデンサーの一例が
示されている。第１図はコンデンサーの模式的斜視図、
第２図は模式的切断面部分図である。
示されている。第１図はコンデンサーの模式的斜視図、
第２図は模式的切断面部分図である。
図に示したコンデンサーは、例えば円板状の誘電体磁器
層１２の上下の面に、夫々Ａ ｌ 、Ａｕ、Ａｇ。
層１２の上下の面に、夫々Ａ ｌ 、Ａｕ、Ａｇ。
Ｎｉ等で構成される電極１１（図には、上面の電極しか
示されてない）が設けられて構成されている。
示されてない）が設けられて構成されている。
誘電体磁器層１２は、半導体磁器の結晶粒２２の多数を
粒界に形成された絶縁層２１を介在した形で含有してい
る。
粒界に形成された絶縁層２１を介在した形で含有してい
る。
結晶粒２２の大きさは、要求される電気的特性と構成材
料の配合量、焼成条件等によって適宜決定されるが、通
常の場合１μｍ−１００μｍ１好ましくは４０μｍ〜８
０μｍとされるのが望ましい。
料の配合量、焼成条件等によって適宜決定されるが、通
常の場合１μｍ−１００μｍ１好ましくは４０μｍ〜８
０μｍとされるのが望ましい。
以下に具体的実施例を示して、本発明を更に詳しく説明
する。
する。
実施例１
第１表に示す組成比率の半導体磁器が得られるように、
ＴｉＯ２、ＳｒＯ，ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３，ＳｉＯ２の各
原料を秤取し、湿式ボールミルで１２時間粉砕混合を行
った。このものを乾燥後少量のポリビニルアルコールを
バインダーとして加え２４〜８０メツシユに造粒し油圧
プレスによって直径２０ ｍ ｍ・厚さ０ 、７ ｍ
ｍの円板に成型した。次いで、この成形円板を大気中９
５０℃で１時間仮焼してバインダーを燃焼させた。これ
を室温まで冷却後、水素１０容量％、窒素９０容量％か
らなる還元雰囲気中で１４００℃で４時間焼成した。
ＴｉＯ２、ＳｒＯ，ＭｎＯ２、Ｙ２Ｏ３，ＳｉＯ２の各
原料を秤取し、湿式ボールミルで１２時間粉砕混合を行
った。このものを乾燥後少量のポリビニルアルコールを
バインダーとして加え２４〜８０メツシユに造粒し油圧
プレスによって直径２０ ｍ ｍ・厚さ０ 、７ ｍ
ｍの円板に成型した。次いで、この成形円板を大気中９
５０℃で１時間仮焼してバインダーを燃焼させた。これ
を室温まで冷却後、水素１０容量％、窒素９０容量％か
らなる還元雰囲気中で１４００℃で４時間焼成した。
こうして得られた半導体磁器に、重量比がエチルアルコ
ール： Ｂｉ２０３又はＮａ２０＝＝１０ ： １とな
る懸濁液にドブ浸は後、１２５０℃０．５時間、酸化雰
囲気にて焼成して結晶粒界に絶縁層を形成した。
ール： Ｂｉ２０３又はＮａ２０＝＝１０ ： １とな
る懸濁液にドブ浸は後、１２５０℃０．５時間、酸化雰
囲気にて焼成して結晶粒界に絶縁層を形成した。
か（して得られた誘電体磁器の円板（試料Ｎα１〜２５
）の両面に銀ペーストを塗布し、８５０℃、３０分焼付
して電極を形成しコンデンサーを作製した。
）の両面に銀ペーストを塗布し、８５０℃、３０分焼付
して電極を形成しコンデンサーを作製した。
こうして得られたコンデンサーを構成する誘電体磁器の
誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）、絶縁抵抗（ＩＲ
）および誘電率の温度特性（２５℃を基準とする一２５
°Ｃ，＋８５℃における温度変化率）を測定し、その結
果を第２表に示した。測定条件は２５℃、周波数１ｋＨ
ｚである。なお表１，２中の＊は本発明の範囲外にある
試料である。第１表、第２表に示される通り本発明のコ
ンデンサー用のセラミック形成組成物を用いた誘電体磁
器は、従来のものと比較して、誘電率が１０１０００〜
１４４０００以上と高（、ｔａｎδが１％以内であり、
絶縁抵抗３０００ＭΩ以上あり、２５℃基準）−２５８
ｃ〜＋８５°Ｃの誘電率の温度変化率が±１０％以内で
あり極めて第１表 （＊は本発明範囲外、以下の頁の表において同じ）第
１ 表 （つづき） 第２表 第 ２ 表（つづき） 〔発明の効果〕 前記実施例から明らかな様に、本発明のセラミック形成
組成物によれば、誘電率（ε）が１０１０００以上と高
（、誘電損失（ｔａｎδ）１％以下、絶縁抵抗３０００
ＭΩ以上といった高特性にもかかわらず、誘電率の温度
変化が一２５°Ｃ〜＋８５℃において±ｌＯ％以内と良
好な高特性の誘電体磁器を構成することができる。
誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）、絶縁抵抗（ＩＲ
）および誘電率の温度特性（２５℃を基準とする一２５
°Ｃ，＋８５℃における温度変化率）を測定し、その結
果を第２表に示した。測定条件は２５℃、周波数１ｋＨ
ｚである。なお表１，２中の＊は本発明の範囲外にある
試料である。第１表、第２表に示される通り本発明のコ
ンデンサー用のセラミック形成組成物を用いた誘電体磁
器は、従来のものと比較して、誘電率が１０１０００〜
１４４０００以上と高（、ｔａｎδが１％以内であり、
絶縁抵抗３０００ＭΩ以上あり、２５℃基準）−２５８
ｃ〜＋８５°Ｃの誘電率の温度変化率が±１０％以内で
あり極めて第１表 （＊は本発明範囲外、以下の頁の表において同じ）第
１ 表 （つづき） 第２表 第 ２ 表（つづき） 〔発明の効果〕 前記実施例から明らかな様に、本発明のセラミック形成
組成物によれば、誘電率（ε）が１０１０００以上と高
（、誘電損失（ｔａｎδ）１％以下、絶縁抵抗３０００
ＭΩ以上といった高特性にもかかわらず、誘電率の温度
変化が一２５°Ｃ〜＋８５℃において±ｌＯ％以内と良
好な高特性の誘電体磁器を構成することができる。
この様に、本発明のセラミック形成組成物、半導体磁器
基体、′誘電体磁器基体は、高性能のコンデンサーを構
成し得る。
基体、′誘電体磁器基体は、高性能のコンデンサーを構
成し得る。
第１図は本発明のコンデンサーの一例を示した模式的斜
視図、第２図はその模式的切断面部分図である。
視図、第２図はその模式的切断面部分図である。
Claims (8)
- （１）ＴｉＯ＿２５０．２０〜５３．５０モル％及びＳ
ｒＯ４９．８０〜４６．５０モル％から成る主成分１０
０モル部に対し、ＭｎＯ＿２２．０〜５．０モル部、並
びにＹ＿２Ｏ＿３０．０５〜０．３０モル部が含有され
ていることを特徴とするセラミック形成組成物。 - （２）セラミック形成組成物の主成分１００モル部に対
し、更にＳｉＯ＿２０．０１〜２．００モル部が含有さ
れている特許請求の範囲第（１）項記載のセラミック形
成組成物。 - （３）ＴｉＯ＿２５０．２０〜５３．５０モル％及びＳ
ｒＯ４９．８０〜４６．５０モル％から成る主成分１０
０モル部に対し、ＭｎＯ＿２２．０〜５．０モル部、並
びにＹ＿２Ｏ＿３０．０５〜０．３０部が含有されてい
るセラミック形成組成物の焼成体から成ることを特徴と
する半導体磁器基体。 - （４）セラミック形成組成物の主成分１００モル部に対
して、更にＳｉＯ＿２０．０１〜２．００モル部が含有
されている特許請求の範囲第（３）項記載の半導体磁器
基体。 - （５）ＴｉＯ＿２５０．２０〜５３．５０モル％及びＳ
ｒＯ４９．８０〜４６．５０モル％から成る主成分１０
０モル部に対し、ＭｎＯ＿２２．０〜５．０モル部、並
びにＹ＿２Ｏ＿３０．０５〜０．３０モル部が含有され
ているセラミック形成組成物の焼成体から成る半導体磁
器の結晶粒界に絶縁層が存在していることを特徴とする
誘電体磁器基体。 - （６）セラミック形成組成物の主成分１００モル部に対
し、更にＳｉＯ＿２０．０１〜２．００モル部が含有さ
れている特許請求の範囲第（５）項記載の誘電導体磁器
基体。 - （７）一対の電極と；該電極に挟持され、 ＴｉＯ＿２５０．２０〜５３．５０モル％及びＳｒＯ４
９．８０〜４６．５０モル％から成る主成分１００モル
部に対し、ＭｎＯ＿２２．０〜５．０モル部、並びにＹ
＿２Ｏ＿３０．０５〜０．３０モル部が含有されている
セラミック形成組成物の焼成体から成る半導体磁器の結
晶粒界に絶縁層が存在している誘電体磁器と；を有して
いることを特徴とするコンデンサー。 - （８）セラミック形成組成物の主成分１００モル部に対
し、更にＳｉＯ＿２０．０１〜２．００モル部が含有さ
れている特許請求の範囲第（７）項記載のコンデンサー
。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124530A JP2614228B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
| US07/534,354 US5006957A (en) | 1987-05-20 | 1990-06-07 | Semiconductor porcelain substrate, dielectric porcelain substrate and capacitor employing the composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62124530A JP2614228B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63289706A true JPS63289706A (ja) | 1988-11-28 |
| JP2614228B2 JP2614228B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=14887756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62124530A Expired - Fee Related JP2614228B2 (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5006957A (ja) |
| JP (1) | JP2614228B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5418214A (en) * | 1992-07-17 | 1995-05-23 | Northwestern University | Cuprate-titanate superconductor and method for making |
| US5378667A (en) * | 1993-12-10 | 1995-01-03 | Korea Institute Of Science And Technology | Intercrystalline semiconductive ceramic capacitor |
| US5931795A (en) * | 1997-11-07 | 1999-08-03 | Manly; Philip | Method for evaluating human bone strength |
| US6171988B1 (en) | 1999-07-30 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Low loss glass ceramic composition with modifiable dielectric constant |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632310A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | 和久 茂 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2648804A (en) * | 1951-02-01 | 1953-08-11 | Erie Resistor Corp | Multiple element circuit components |
| JPS56144522A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Grain boundary dielectric layer type semiconductor porcelain composition |
| JPS5735303A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-25 | Taiyo Yuden Kk | Voltage vs current characteristic nonlinear semiconductor porcelain composition and method of producing same |
| US4545929A (en) * | 1981-07-22 | 1985-10-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ceramic materials with a voltage-dependent nonlinear resistance |
| JPS58103117A (ja) * | 1981-12-16 | 1983-06-20 | 太陽誘電株式会社 | コンデンサ用半導体磁器 |
| JPS5935402A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | 太陽誘電株式会社 | 電圧依存非直線抵抗特性を有する半導体磁器物質 |
| JPS6088401A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS60107803A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| JPS60107804A (ja) * | 1983-11-17 | 1985-06-13 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
| DE3475063D1 (en) * | 1983-11-30 | 1988-12-15 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sinterable ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| DE3476653D1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-03-16 | Taiyo Yuden Kk | Low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| EP0157276B1 (en) * | 1984-03-30 | 1988-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
| JPS60249386A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-10 | キヤノン株式会社 | 機能性基板及びこれを用いた電子回路基板 |
| JPS61240622A (ja) * | 1985-04-17 | 1986-10-25 | キヤノン株式会社 | 半導体磁器用組成物及び該組成物を用いた半導体磁器並びにコンデンサ− |
| US4759965A (en) * | 1985-08-06 | 1988-07-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Ceramic, preparation thereof and electronic circuit substrate by use thereof |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62124530A patent/JP2614228B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-06-07 US US07/534,354 patent/US5006957A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS632310A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | 和久 茂 | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2614228B2 (ja) | 1997-05-28 |
| US5006957A (en) | 1991-04-09 |
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