JPS6256361A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6256361A JPS6256361A JP60196158A JP19615885A JPS6256361A JP S6256361 A JPS6256361 A JP S6256361A JP 60196158 A JP60196158 A JP 60196158A JP 19615885 A JP19615885 A JP 19615885A JP S6256361 A JPS6256361 A JP S6256361A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- mol
- temperature coefficient
- dielectric constant
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、酸化バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、
酸化ビスマス、酸化ランタンを主成分とした組成物に、
炭酸マンガンを添加することを特徴とし、容量の温度係
数（Ｔ、Ｃ，）が±３０ ｐ ｐ ｍ ／ ’Ｃ１誘電
率（ε）が１００以上と大きく、Ｑ値（誘電体損失の逆
数）がＩＭＨｚで２００００以上と良好で、破壊電圧（
Ｂ、Ｄ、Ｖ、）カ１４ ｋ ｖ’／ｍｍ （交流電圧）
という著しく良好な特性を持つ磁器組成物である。
酸化ビスマス、酸化ランタンを主成分とした組成物に、
炭酸マンガンを添加することを特徴とし、容量の温度係
数（Ｔ、Ｃ，）が±３０ ｐ ｐ ｍ ／ ’Ｃ１誘電
率（ε）が１００以上と大きく、Ｑ値（誘電体損失の逆
数）がＩＭＨｚで２００００以上と良好で、破壊電圧（
Ｂ、Ｄ、Ｖ、）カ１４ ｋ ｖ’／ｍｍ （交流電圧）
という著しく良好な特性を持つ磁器組成物である。
従来の酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジム−酸化
ビスマス系のものでは、温度係数が±３ｏｐｐｍ／’Ｃ
において、誘電率が１００を超えず、Ｑ値は１ｏｏｏｏ
程度であり、破壊電圧は１０ ｋ ｖ ７ｍｍ （Ａ、
Ｃ，）を有するもノシカ得られなかった。また各特性の
うち１つを改良することは可能であるが、他の特性の劣
化が起こり、４特性の組合せすべてを改良することは困
難であった。
ビスマス系のものでは、温度係数が±３ｏｐｐｍ／’Ｃ
において、誘電率が１００を超えず、Ｑ値は１ｏｏｏｏ
程度であり、破壊電圧は１０ ｋ ｖ ７ｍｍ （Ａ、
Ｃ，）を有するもノシカ得られなかった。また各特性の
うち１つを改良することは可能であるが、他の特性の劣
化が起こり、４特性の組合せすべてを改良することは困
難であった。
近年、高周波領域を利用した機器の開発が進むにつれ、
単に高誘電率であるばかりでなく、温度係数、Ｑ値の全
ての特性が良好な組成物の開発が強く要望されている。
単に高誘電率であるばかりでなく、温度係数、Ｑ値の全
ての特性が良好な組成物の開発が強く要望されている。
また積層コンデンサーのように薄物（２０μｍ−４０μ
ｍ）磁器では、安定動作の保証改善のため破壊電圧を増
大させることが必要となっ′ている。
ｍ）磁器では、安定動作の保証改善のため破壊電圧を増
大させることが必要となっ′ている。
本発明は、−Ｆ記の要望を満足させるため、公知である
酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジムー酸化ビスマ
ス系から出発し、酸化ランタン−炭酸マンガンの２成分
を追加することで高周波特性が良好で破壊電圧も高い磁
器組成物を得ることができた。
酸化バリウム−酸化チタン−酸化ネオジムー酸化ビスマ
ス系から出発し、酸化ランタン−炭酸マンガンの２成分
を追加することで高周波特性が良好で破壊電圧も高い磁
器組成物を得ることができた。
実施例
以下実施例にもとすいて本発明を説明する。
原料として炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、
酸化ビスマス、酸化ランタン、及び炭酸マンガン粉末を
所定の組成になるように秤量し、ボールミルに入れて混
合した。この混合物を乾燥したのち空気中で１．０００
℃−１２００°Ｃの温度で仮焼した。得られた仮焼物を
粉砕し、バインダーを添加し乾燥後整粒した。整粒粉体
は、油圧プレスにて直径１．５ｍｍ、厚さ０．６ ｍｍ
の円板上に成型した。成型体は、電気炉で１３００℃−
１４００℃の温度範囲で焼成した。
酸化ビスマス、酸化ランタン、及び炭酸マンガン粉末を
所定の組成になるように秤量し、ボールミルに入れて混
合した。この混合物を乾燥したのち空気中で１．０００
℃−１２００°Ｃの温度で仮焼した。得られた仮焼物を
粉砕し、バインダーを添加し乾燥後整粒した。整粒粉体
は、油圧プレスにて直径１．５ｍｍ、厚さ０．６ ｍｍ
の円板上に成型した。成型体は、電気炉で１３００℃−
１４００℃の温度範囲で焼成した。
得られた誘電体磁器の両面に銀電極を焼きつけてコンデ
ンサーとした後、誘電率、Ｑ値、温度係数、破壊電圧を
測定した。誘電率と温度係数は、キャパシタンスブリッ
ジによって測定し、Ｑ値はＱメーター（Ｉ Ｍ Ｈｚ
）、破壊電圧ハ、パンクチャーテスターを用いた。
ンサーとした後、誘電率、Ｑ値、温度係数、破壊電圧を
測定した。誘電率と温度係数は、キャパシタンスブリッ
ジによって測定し、Ｑ値はＱメーター（Ｉ Ｍ Ｈｚ
）、破壊電圧ハ、パンクチャーテスターを用いた。
なお本発明の誘電体磁器組成物において本組成に限定し
たのは、次の理由からである。
たのは、次の理由からである。
酸化バリウムは、酸化チタンと共にチタン酸バリウムを
形成し高誘電率の発現に寄与する。
形成し高誘電率の発現に寄与する。
酸化バリウムを増すと誘電率は、上昇すると共に温度係
数が負側に移行し、２４モル％を超えると温度係数の良
好な特性を維持できなくなる。また酸化バリウムを減ら
して行くと温度係数が正側に移行すると共に誘電率が低
下し、１０モル％未満では誘電率および温度特性が良好
なレベルを維持できなくなる。
数が負側に移行し、２４モル％を超えると温度係数の良
好な特性を維持できなくなる。また酸化バリウムを減ら
して行くと温度係数が正側に移行すると共に誘電率が低
下し、１０モル％未満では誘電率および温度特性が良好
なレベルを維持できなくなる。
酸化チタンは、焼結を助けると共に温度係数に関与する
。８０モル％を超えると温度係数が正側で大きくなり、
６０モル％以下にすると負側で大きくなりすぎ、いずれ
の場合も良好な品質レベルを維持できなくなる。
。８０モル％を超えると温度係数が正側で大きくなり、
６０モル％以下にすると負側で大きくなりすぎ、いずれ
の場合も良好な品質レベルを維持できなくなる。
酸化ビスマスは、焼結性、誘電率、Ｑ値に関与する。５
モル％を超えると絶縁抵抗等の品質が不安定となり３モ
ル％未満では、誘電率が低下するとともに焼結が不安定
となり、いずれも品質の再現が困難になる。酸化ネオジ
ムは、Ｑ値、温度係数に関与する。１６モル％を超える
と温度係数が負側で大きくなり、また５モル％未満では
Ｑ値の低下をきたし、いずれも良好な品質レベルを維持
できなくなる。
モル％を超えると絶縁抵抗等の品質が不安定となり３モ
ル％未満では、誘電率が低下するとともに焼結が不安定
となり、いずれも品質の再現が困難になる。酸化ネオジ
ムは、Ｑ値、温度係数に関与する。１６モル％を超える
と温度係数が負側で大きくなり、また５モル％未満では
Ｑ値の低下をきたし、いずれも良好な品質レベルを維持
できなくなる。
酸化ランタンは、Ｑ値、温度係数に関与する。
４．０モル％を超えるとＱ値は良くなるが、温度係数が
負側で大きくなり、また０、２モル％未満では、Ｑ値が
低下しいずれも良好な品質を維持できない。
負側で大きくなり、また０、２モル％未満では、Ｑ値が
低下しいずれも良好な品質を維持できない。
炭酸マンガンは、誘電率、破壊電圧に関与する。０．２
Ｗ ｔ％未満の場合焼結性が悪化し、破壊電圧の低下
が起こる。４．Ｑｗｔ％を超えると誘電率、破壊電圧の
低下をきたす。
Ｗ ｔ％未満の場合焼結性が悪化し、破壊電圧の低下
が起こる。４．Ｑｗｔ％を超えると誘電率、破壊電圧の
低下をきたす。
以上各成分の組成比の限定理由を述べてきたが、これら
の各成分がそれぞれ単独では本発明の目的を実施するこ
とができない。上記各成分が上記組成内にあってはじめ
て良好な特性を示す誘電体磁器が得られるものである。
の各成分がそれぞれ単独では本発明の目的を実施するこ
とができない。上記各成分が上記組成内にあってはじめ
て良好な特性を示す誘電体磁器が得られるものである。
よって本発明の誘電体磁器組成物は、現在、最もよ（使
用される温度係数±３０ ｐ ｐ ｒｎ／℃において、
誘電率が１００以上を有し、Ｑ値（ＩＭＨｚ）が２００
００以上で、破壊電圧１４ｋ ｖ ／ ｍ ｍ （交流
電圧）という、良好な特性を発現できる組成物であり、
従来よりも高周波領域による使用、および積層コンデン
サー用材として使用されることが期待でき工業的に利用
価値の高いものである。
用される温度係数±３０ ｐ ｐ ｒｎ／℃において、
誘電率が１００以上を有し、Ｑ値（ＩＭＨｚ）が２００
００以上で、破壊電圧１４ｋ ｖ ／ ｍ ｍ （交流
電圧）という、良好な特性を発現できる組成物であり、
従来よりも高周波領域による使用、および積層コンデン
サー用材として使用されることが期待でき工業的に利用
価値の高いものである。
実施例
＊範囲外
Claims (1)
- 酸化バリウム１０−２４モル％、酸化チタン６０−８
０モル％、酸化ネオジム５−１６％、酸化ビスマス３−
５モル％、酸化ランタン０．２−４．０モル％を主成分
とした組成物に、炭酸マンガン０．２−４．０ｗｔ％添
加することよりなる誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196158A JPS6256361A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60196158A JPS6256361A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6256361A true JPS6256361A (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=16353168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60196158A Pending JPS6256361A (ja) | 1985-09-05 | 1985-09-05 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6256361A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02242525A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH02242517A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02242518A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02242516A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02242524A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| EP1109756A4 (en) * | 1998-08-03 | 2006-07-19 | Cts Corp | DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION BASED ON BARIUM BARIUM TITANATE INCORPORATING SAMARIUM OXIDE FOR THE PREPARATION OF IMPROVED ELECTRICAL CHARACTERISTICS |
-
1985
- 1985-09-05 JP JP60196158A patent/JPS6256361A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02242525A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH02242517A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02242518A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02242516A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02242524A (ja) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ |
| EP1109756A4 (en) * | 1998-08-03 | 2006-07-19 | Cts Corp | DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION BASED ON BARIUM BARIUM TITANATE INCORPORATING SAMARIUM OXIDE FOR THE PREPARATION OF IMPROVED ELECTRICAL CHARACTERISTICS |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0745337B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| KR0161348B1 (ko) | 비환원성 유전체 세라믹 조성물 | |
| JPS62138360A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6256361A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS63103861A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH0449503B2 (ja) | ||
| JPS612203A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2001114559A (ja) | 誘電体組成物 | |
| JP2869900B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JP2795654B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP3064518B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH05345664A (ja) | 高誘電率系セラミック組成物 | |
| JPS62262303A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JP2643197B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH0571538B2 (ja) | ||
| JPS63289706A (ja) | セラミック形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサー | |
| JP2693249B2 (ja) | 低損失磁器コンデンサ | |
| JPH1095667A (ja) | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサ | |
| JPS62229603A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP3106371B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6345704A (ja) | 半導体磁器組成物 | |
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JP3064519B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS5849661A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPH0815005B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |