JPS6345704A - 半導体磁器組成物 - Google Patents
半導体磁器組成物Info
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- JPS6345704A JPS6345704A JP61186930A JP18693086A JPS6345704A JP S6345704 A JPS6345704 A JP S6345704A JP 61186930 A JP61186930 A JP 61186930A JP 18693086 A JP18693086 A JP 18693086A JP S6345704 A JPS6345704 A JP S6345704A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子機械や機器中の受動電子部品として半導体
磁器コンデンサ、特に還元再酸化形半導体磁器コンデン
サに適した磁器組成物に関する。 （従来の技術〕 受動電子部品としての半導体磁器コンデンサは粒界層形
として粒界絶縁形があり、表面層形として基層容量形と
還元再酸化形に大別される。 そして、−ＩＩに粒界絶縁形は基層容量形に比べて容量
が小さく、還元再酸化形に比べて耐電圧が小さい、基層
容量形は周波数特性が悪く、誘電体損失ｔａｎδが大き
く耐電圧が小さい、還元再酸化形は単位面積当りの容量
（μＦ／−）を大きくしようとすれば破壊電圧値が小さ
くなり、誘電体損失が大きくなるか、または容量の温度
特性が大きくなるという問題点が夫々あった。
磁器コンデンサ、特に還元再酸化形半導体磁器コンデン
サに適した磁器組成物に関する。 （従来の技術〕 受動電子部品としての半導体磁器コンデンサは粒界層形
として粒界絶縁形があり、表面層形として基層容量形と
還元再酸化形に大別される。 そして、−ＩＩに粒界絶縁形は基層容量形に比べて容量
が小さく、還元再酸化形に比べて耐電圧が小さい、基層
容量形は周波数特性が悪く、誘電体損失ｔａｎδが大き
く耐電圧が小さい、還元再酸化形は単位面積当りの容量
（μＦ／−）を大きくしようとすれば破壊電圧値が小さ
くなり、誘電体損失が大きくなるか、または容量の温度
特性が大きくなるという問題点が夫々あった。
本発明は還元再酸化形半導体磁器コンデンサにおいて、
前記の欠点を除去して単位面積当りの容量ＣμＦ／−が
大きく、耐電圧も高く、しかも温度特性が良好な半導体
磁器組成物を得ようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 前記の目的を達成するために本発明は半導体磁器組成物
として、ＢａＴｉ０．を主成分とし、副成分としてニオ
ブをＮｂ、Ｏ，に換算して０．２〜３．０モル％。 セリウムをＣｅＯ，に換算して０．２〜３．０モル％含
有することを特徴とする（１００− ｘ −ｙ ）Ｂａ
ＴｉＯ３＋ｘ −ＮｂｇＯｓ ＋ ７−ＣｅＯｘ系半導
体磁器組成物を用いる。 ただし、ｘ、ｙはそれぞれ ０．２≦ｘ≦３．０．０．２≦ｙ≦３．０ｍｏ１％であ
る。 また、本発明は上記組成物にさらに、コバルトをＣｏ３
０”、に換算して０．８重量％以下、マンガンをＭｎＣ
Ｏ５に換算して０．２５重量％以下、酸化シリコンＳｉ
ｎｇを０．２５重量％以下のものを夫々順次添加した半
導体磁器組成物を用いることができる。 （実施例） 出発原料として工業用原料のＢａＣＯ５＋ＴｔＯｇ＋Ｎ
ｂｇＯｓ＋Ｃｅ０ｔ＋Ｃｏ５０１ＪｎＣＯｓ、ＳｉＯ富
を用い、第１表に示した配合比になるように秤量し、こ
れら原料配合物を合成樹脂ボールミルで２０時時間式混
合攪拌した後、脱水乾燥し、１２００℃で２時間仮焼成
し、これを合成樹脂ボールミルで２０時間回転粉砕する
。これを脱水乾燥して２重量％の有機結合剤ポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）を加え、造粒整粒を行なって顆粒
粉末としこの粉末を約３ ｔｏｎ／ｃｄの成形圧力で直
径１０ｆｉ、厚さ０．５論の円板状成形物を作成する。 この成形物を８００℃で１時間脱バインダ処理を行ない
、その後１３００℃で２時間本焼成する。これを還元雰
囲気（ａｔガス雰囲気）中で８００℃で約２時間遠元し
て還元形半導体磁器を作り、これを酸化性雰囲気中（大
気中）で８００℃で２時間熱処理して半導体磁器表面の
みを再酸化し、その後この磁器素子の両面にＡ、ペース
トを印刷塗布して８００℃で焼付けて電極を形成して還
元再酸化形半導体磁器コンデンサを得た。 このようにして得た試料について、それぞれ電気特性を
測定した結果を第１表に示す。 ここで、容量Ｃおよび誘電体損失ｔａｎδは周波数１ｋ
Ｈｚ、ＩＶで測定した。絶縁抵抗ＩＲは直流２５Ｖを印
加して室温２０”ｅで測定した。 以下余白 第１表において、試料Ｎ１１Ｌ１．２．３，１０．１？
。 ２３，２４．２５，３２，４０．４４は本発明の範囲外
のものであり、限定範囲内のものは容量Ｃ９直流破壊電
圧ｖ５．絶縁抵抗ＩＲが大きく、温度特性が良好な素子
が得られた０次に組成比の限定理由を述べると、Ｎｂ＊
Ｏａが０．２ｍｏ１％未満、又は３．０＋ｍｏ１％を超
えると単位面積当りの容量ＣｕＰ／−が小さく、誘電体
損失ｔａｎδが大きい、また絶縁抵抗ＩＲ，直流破壊電
圧■、も低くなる。（試料Ｎ１１． ２．３．２３．２
４．２５）、Ｃｅ０ｚが０．２ｍｏ１％未満では容量Ｃ
が小さく、ｔａｎδが大きくなる。また３、０ｍｏ１％
を超えるとｔａｎδが大きくなり温度特性Ｔ、Ｃ，がＤ
特性規格から外れる。（試料？ｋ１．３．Ｉ Ｑ、１７
，２３，２ Ｓ） Ｃｏｚｙ、が０．８ｗｔ％を超える
と容量Ｃが小さくなる。（試料１１ｍ ３２ ） Ｍｎ
ＣＯ５がｏ、２５ｗｔ％を超えると直流破壊□電圧Ｖ、
が低くなる。（試料Ｎａ ４０ ） ＳｉＯｘが０．２
５ｗｔ％を超えると容量Ｃが小さく、絶縁抵抗ＩＲ。 直流破壊電圧Ｖ、が低（なる、（試料磁４４）〔発明の
効果〕 本発明はＢａＴｉＯｓ中Ｎｂ１Ｏｓ ＋ＣｅＯ２系半導
体磁器組成物において、ＢａＴｉＯｓを主成分とし、Ｎ
ｂ、Ｏ５とＣｅＯ２を副成分として含有させることによ
り、これを還元再酸化形半導体磁器コンデンサに使用し
た場合容Ｉｃが大きく、耐電圧も高（、しかも温度特性
が良好なものが得られたものである。これにさらにＣｏ
りＯ，Ｉ’１ｎＣＯ３，ＳｉＯ□を添加することによっ
て、絶縁抵抗、直流破壊電圧がさらに向上し、温度特性
もさらに良好なものが得られ、従来の還元再酸化形半導
体磁器コンデンサの性能を向上させることができたもの
である。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
薬 師 稔 。
前記の欠点を除去して単位面積当りの容量ＣμＦ／−が
大きく、耐電圧も高く、しかも温度特性が良好な半導体
磁器組成物を得ようとするものである。 〔問題点を解決するための手段〕 前記の目的を達成するために本発明は半導体磁器組成物
として、ＢａＴｉ０．を主成分とし、副成分としてニオ
ブをＮｂ、Ｏ，に換算して０．２〜３．０モル％。 セリウムをＣｅＯ，に換算して０．２〜３．０モル％含
有することを特徴とする（１００− ｘ −ｙ ）Ｂａ
ＴｉＯ３＋ｘ −ＮｂｇＯｓ ＋ ７−ＣｅＯｘ系半導
体磁器組成物を用いる。 ただし、ｘ、ｙはそれぞれ ０．２≦ｘ≦３．０．０．２≦ｙ≦３．０ｍｏ１％であ
る。 また、本発明は上記組成物にさらに、コバルトをＣｏ３
０”、に換算して０．８重量％以下、マンガンをＭｎＣ
Ｏ５に換算して０．２５重量％以下、酸化シリコンＳｉ
ｎｇを０．２５重量％以下のものを夫々順次添加した半
導体磁器組成物を用いることができる。 （実施例） 出発原料として工業用原料のＢａＣＯ５＋ＴｔＯｇ＋Ｎ
ｂｇＯｓ＋Ｃｅ０ｔ＋Ｃｏ５０１ＪｎＣＯｓ、ＳｉＯ富
を用い、第１表に示した配合比になるように秤量し、こ
れら原料配合物を合成樹脂ボールミルで２０時時間式混
合攪拌した後、脱水乾燥し、１２００℃で２時間仮焼成
し、これを合成樹脂ボールミルで２０時間回転粉砕する
。これを脱水乾燥して２重量％の有機結合剤ポリビニル
アルコール（ＰＶＡ）を加え、造粒整粒を行なって顆粒
粉末としこの粉末を約３ ｔｏｎ／ｃｄの成形圧力で直
径１０ｆｉ、厚さ０．５論の円板状成形物を作成する。 この成形物を８００℃で１時間脱バインダ処理を行ない
、その後１３００℃で２時間本焼成する。これを還元雰
囲気（ａｔガス雰囲気）中で８００℃で約２時間遠元し
て還元形半導体磁器を作り、これを酸化性雰囲気中（大
気中）で８００℃で２時間熱処理して半導体磁器表面の
みを再酸化し、その後この磁器素子の両面にＡ、ペース
トを印刷塗布して８００℃で焼付けて電極を形成して還
元再酸化形半導体磁器コンデンサを得た。 このようにして得た試料について、それぞれ電気特性を
測定した結果を第１表に示す。 ここで、容量Ｃおよび誘電体損失ｔａｎδは周波数１ｋ
Ｈｚ、ＩＶで測定した。絶縁抵抗ＩＲは直流２５Ｖを印
加して室温２０”ｅで測定した。 以下余白 第１表において、試料Ｎ１１Ｌ１．２．３，１０．１？
。 ２３，２４．２５，３２，４０．４４は本発明の範囲外
のものであり、限定範囲内のものは容量Ｃ９直流破壊電
圧ｖ５．絶縁抵抗ＩＲが大きく、温度特性が良好な素子
が得られた０次に組成比の限定理由を述べると、Ｎｂ＊
Ｏａが０．２ｍｏ１％未満、又は３．０＋ｍｏ１％を超
えると単位面積当りの容量ＣｕＰ／−が小さく、誘電体
損失ｔａｎδが大きい、また絶縁抵抗ＩＲ，直流破壊電
圧■、も低くなる。（試料Ｎ１１． ２．３．２３．２
４．２５）、Ｃｅ０ｚが０．２ｍｏ１％未満では容量Ｃ
が小さく、ｔａｎδが大きくなる。また３、０ｍｏ１％
を超えるとｔａｎδが大きくなり温度特性Ｔ、Ｃ，がＤ
特性規格から外れる。（試料？ｋ１．３．Ｉ Ｑ、１７
，２３，２ Ｓ） Ｃｏｚｙ、が０．８ｗｔ％を超える
と容量Ｃが小さくなる。（試料１１ｍ ３２ ） Ｍｎ
ＣＯ５がｏ、２５ｗｔ％を超えると直流破壊□電圧Ｖ、
が低くなる。（試料Ｎａ ４０ ） ＳｉＯｘが０．２
５ｗｔ％を超えると容量Ｃが小さく、絶縁抵抗ＩＲ。 直流破壊電圧Ｖ、が低（なる、（試料磁４４）〔発明の
効果〕 本発明はＢａＴｉＯｓ中Ｎｂ１Ｏｓ ＋ＣｅＯ２系半導
体磁器組成物において、ＢａＴｉＯｓを主成分とし、Ｎ
ｂ、Ｏ５とＣｅＯ２を副成分として含有させることによ
り、これを還元再酸化形半導体磁器コンデンサに使用し
た場合容Ｉｃが大きく、耐電圧も高（、しかも温度特性
が良好なものが得られたものである。これにさらにＣｏ
りＯ，Ｉ’１ｎＣＯ３，ＳｉＯ□を添加することによっ
て、絶縁抵抗、直流破壊電圧がさらに向上し、温度特性
もさらに良好なものが得られ、従来の還元再酸化形半導
体磁器コンデンサの性能を向上させることができたもの
である。 特許出願人 ティーデイ−ケイ株式会社代理人弁理士
薬 師 稔 。
Claims (5)
- （１）ＢａＴｉＯ＿３を主成分とし、副成分としてニオ
ブをＮｂ＿２Ｏ＿５に換算して０．２〜３．０モル％、
セリウムをＣｅＯ＿２に換算して０．２〜３．０モル％
含有することを特徴とする（１００−ｘ−ｙ）ＢａＴｉ
Ｏ＿３、＋ｘ・Ｎｂ＿２Ｏ＿５＋ｙ・ＣｅＯ＿２系半導
体磁器組成物。 ただし、ｘ、ｙはそれぞれ ０．２≦ｘ≦３．０、０．２≦ｙ≦３．０モル％である
。 - （２）ＢａＴｉＯ＿３を主成分とし、副成分としてニオ
ブをＮｂ＿２Ｏ＿５に換算して０．２〜３．０モル％、
セリウムをＣｅＯ＿２に換算して０．２〜３．０モル％
含有した成分に対してコバルトをＣｏ＿３Ｏ＿４に換算
して０．８重量％以下添加したことを特徴とする（１０
０−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ＿３＋ｘ・Ｎｂ＿２Ｏ＿５＋ｙ
・ＣｅＯ＿２系半導体磁器組成物。 - （３）ＢａＴｉＯ＿３を主成分とし、副成分としてニオ
ブをＮｂ＿２Ｏ＿５に換算して０．２〜３．０モル％、
セリウムをＣｅＯ＿２に換算して０．２〜３．０モル％
含有した成分に対してコバルトをＣｏ＿３Ｏ＿４に換算
して０．８重量％以下、さらにマンガンをＭｎＣｏ＿３
に換算して０．２５重量％以下夫々添加したことを特徴
とする（１００−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ＿３＋ｘ・Ｎｂ＿
２Ｏ＿５＋ｙ・ＣｅＯ＿２系半導体磁器組成物。 - （４）ＢａＴｉＯ＿３を主成分とし、副成分としてニオ
ブをＮｂ＿２Ｏ＿５に換算して０．２〜３．０モル％、
セリウムをＣｅＯ＿２に換算して０．２〜３．０モル％
含有した成分に対してコバルトをＣｏ＿３Ｏ＿４に換算
して０．８重量％以下、さらにマンガンをＭｎＣＯ＿３
に換算して０．２５重量％以下、および酸化シリコンＳ
ｉＯ＿２を０．２５重量％以下夫々添加したことを特徴
とする（１００−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ＿３＋ｘ・Ｎｂ＿
２Ｏ＿５＋ｙ・ＣｅＯ＿２系半導体磁器組成物。 - （５）前記成分からなる組成を成形焼結してなる半導体
磁器の表面層が絶縁化していることを特徴とする特許請
求の範囲第１項〜第４項のいずれか１項記載の（１００
−ｘ−ｙ）ＢａＴｉＯ＿３＋ｘ・Ｎｂ＿２Ｏ＿５＋ｙ・
ＣｅＯ＿２系半導体磁器組成物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186930A JPS6345704A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 半導体磁器組成物 |
| DE8787111158T DE3775855D1 (de) | 1986-08-11 | 1987-08-01 | Keramische halbleiterzusammensetzung. |
| EP87111158A EP0256405B1 (en) | 1986-08-11 | 1987-08-01 | Semiconductive ceramic composition |
| US07/082,688 US4861736A (en) | 1986-08-11 | 1987-08-04 | Semiconductive ceramic composition |
| KR1019870008754A KR940001654B1 (ko) | 1986-08-11 | 1987-08-10 | 반도전성 세라믹 조성물 |
| CN87105843A CN1009873B (zh) | 1986-08-11 | 1987-08-11 | 半导体陶瓷组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186930A JPS6345704A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 半導体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6345704A true JPS6345704A (ja) | 1988-02-26 |
Family
ID=16197202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186930A Pending JPS6345704A (ja) | 1986-08-11 | 1986-08-11 | 半導体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6345704A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278474A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd |
-
1986
- 1986-08-11 JP JP61186930A patent/JPS6345704A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5110814A (ja) * | 1974-07-11 | 1976-01-28 | Tdk Electronics Co Ltd |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278474A (ja) * | 1988-04-29 | 1989-11-08 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
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