JPS62262303A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS62262303A JPS62262303A JP61104789A JP10478986A JPS62262303A JP S62262303 A JPS62262303 A JP S62262303A JP 61104789 A JP61104789 A JP 61104789A JP 10478986 A JP10478986 A JP 10478986A JP S62262303 A JPS62262303 A JP S62262303A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の第11用分野〕
不発明は粒界型半導体磁器コンデンサー用の高鶴亀率磁
器組成物に関する。
器組成物に関する。
従来よシ、チタン酸バリウム系の磁器組成物は高い訪′
RL率、小さい誘電体損失を有することが知られている
が、該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使
用した場合、v5電工が高ければ誘電体損失が大きかっ
たシ、温度特性が悪かったシ、絶縁抵抗が小さい等の問
題点かあシ、また誘電体損失が小さければ訪%率が低い
等の問題点があった。
RL率、小さい誘電体損失を有することが知られている
が、該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使
用した場合、v5電工が高ければ誘電体損失が大きかっ
たシ、温度特性が悪かったシ、絶縁抵抗が小さい等の問
題点かあシ、また誘電体損失が小さければ訪%率が低い
等の問題点があった。
本発明の目的は、粒界型生導体磁器コンデンサーとして
使用した場合、高い誘電率を有しながら小さい誘電体損
失、とくに良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘itt率磁器組成物を提
供することにある。
使用した場合、高い誘電率を有しながら小さい誘電体損
失、とくに良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘itt率磁器組成物を提
供することにある。
本発明の上記目的は、チタン戯バリウム83.5〜87
モルチ、スズ酸バリウム12〜14モル壬、およびチタ
ン酸ストロンチウム1〜2.5モル係からなる主成分組
成物に対し半導体化剤0.05〜0.17モ/L/俤お
よび鉱化剤少iを含有することを特徴とする高靭−率但
器組成物によって、連成される。
モルチ、スズ酸バリウム12〜14モル壬、およびチタ
ン酸ストロンチウム1〜2.5モル係からなる主成分組
成物に対し半導体化剤0.05〜0.17モ/L/俤お
よび鉱化剤少iを含有することを特徴とする高靭−率但
器組成物によって、連成される。
本発明で云う主成分組成物とは、チタン酸バリウム、ス
ズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の組
み合せを指し、組屈暢の製造に際してはこれら各成分を
そのまま使用してもよいし、あるいはTI’ 、 Ba
、 Sn 、 Srの酸化物や加熱時に酸化物となる
炭酸塩、修酸塩を適宜、選択使用することもできる。
ズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の組
み合せを指し、組屈暢の製造に際してはこれら各成分を
そのまま使用してもよいし、あるいはTI’ 、 Ba
、 Sn 、 Srの酸化物や加熱時に酸化物となる
炭酸塩、修酸塩を適宜、選択使用することもできる。
また本発明で云う半導体化剤としては、La 。
Cs 、 Pr 、 Nd 、 Sm 、 Gd 、
Dy 、 Haなど希土類元素を挙けることができ、こ
れらは酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものでち
ればよい。
Dy 、 Haなど希土類元素を挙けることができ、こ
れらは酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものでち
ればよい。
さらに本発明で使用する鉱化剤としては、公知のものな
らなんでもよいが、一般的にはS10□。
らなんでもよいが、一般的にはS10□。
ht203. ZnOなどを挙げることができる。
上述した各成分は実質的に前記組成となるよう使用され
、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外で
は温度特性、誘電体損失、誘14L率、絶縁抵抗など本
発明の特性のバランスが損なわれる。
、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外で
は温度特性、誘電体損失、誘14L率、絶縁抵抗など本
発明の特性のバランスが損なわれる。
すなわち、チタン酸バリウムが87モモル係越えた場合
は温度特性が損なわれ、83.5モル%を下回れば銹奄
率が低下する。スズ酸バリウムは14モモル係越えて多
iとなると、誘電率が低下し、また12モル係を下回わ
る少量となると、温度特性が損なわれる。チタン酸スト
ロンチウムが2.5モル%を越えて多量となると、温度
特性及びvJt率が損なわれ、1.0モル係を下回わる
少量となれば、誘電体損失が大きくなる。
は温度特性が損なわれ、83.5モル%を下回れば銹奄
率が低下する。スズ酸バリウムは14モモル係越えて多
iとなると、誘電率が低下し、また12モル係を下回わ
る少量となると、温度特性が損なわれる。チタン酸スト
ロンチウムが2.5モル%を越えて多量となると、温度
特性及びvJt率が損なわれ、1.0モル係を下回わる
少量となれば、誘電体損失が大きくなる。
また半導体化剤も0.17モ/I/%を越えると、温度
特性が損なわれ、O,OSモル俤を下回わると誘電率及
び絶縁抵抗が悪くなる。鉱化剤についてはたとえば1モ
ル係と少量でよい。
特性が損なわれ、O,OSモル俤を下回わると誘電率及
び絶縁抵抗が悪くなる。鉱化剤についてはたとえば1モ
ル係と少量でよい。
本発明の高誘電率磁器組成物の製法としてはとくに限定
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
すなわち、主成分、半導体化剤および鉱化剤が所定の組
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤蓋し、ピー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち900〜1400
℃、好ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さら
にこの仮焼物に?リビニルアルコールの如きバインダー
を添加し、加圧成型後、1300〜1500℃、好まし
くけ1400〜1450℃で中性又は還元性雰囲気下で
焼成すると、高誘電率磁器組成物を得ることができる。
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤蓋し、ピー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち900〜1400
℃、好ましくは1000〜1300℃で仮焼する。さら
にこの仮焼物に?リビニルアルコールの如きバインダー
を添加し、加圧成型後、1300〜1500℃、好まし
くけ1400〜1450℃で中性又は還元性雰囲気下で
焼成すると、高誘電率磁器組成物を得ることができる。
本発明では該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサー用
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
すなわち、上記組成物にCuO* B12O3s Mn
O2等の絶縁化剤を塗布し、空気中で1200〜150
0t:で加熱処理後、銀ペーストなどを用いて電極を焼
付けることによって1粒界型学導体磁器コンデンサーを
得ることができる。
O2等の絶縁化剤を塗布し、空気中で1200〜150
0t:で加熱処理後、銀ペーストなどを用いて電極を焼
付けることによって1粒界型学導体磁器コンデンサーを
得ることができる。
表1に示す組成になるよう原料であるBaCO35T1
02 w 5n02 * SrCO3s半導体化剤およ
び鉱化剤を所定量秤量し、ボールミルで湿式混合を行な
った。その後、乾燥、粉砕し、空気雰囲気下で1000
〜1300℃で仮焼した。この仮焼物を粉砕したのち、
ポリビニールアルコール等の有機バインダーを添加混合
して均質にし、乾燥、粉砕して約1000kpA−の圧
力で円板または角板状に加圧成形した。
02 w 5n02 * SrCO3s半導体化剤およ
び鉱化剤を所定量秤量し、ボールミルで湿式混合を行な
った。その後、乾燥、粉砕し、空気雰囲気下で1000
〜1300℃で仮焼した。この仮焼物を粉砕したのち、
ポリビニールアルコール等の有機バインダーを添加混合
して均質にし、乾燥、粉砕して約1000kpA−の圧
力で円板または角板状に加圧成形した。
こうして加圧成型したものを窒素雰囲気または窒素と水
素の混合雰囲気下で1400〜1450℃で焼成した。
素の混合雰囲気下で1400〜1450℃で焼成した。
次いでこの焼成物1c CuO、B12O3、MnO2
などのうち少なくとも12ffiを塗布し、空気雰囲気
下で1200〜1500℃で拡散処理を行なった。この
表面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼付けることに
よって電極を形成した。
などのうち少なくとも12ffiを塗布し、空気雰囲気
下で1200〜1500℃で拡散処理を行なった。この
表面に銀ペーストを塗布し、800℃で焼付けることに
よって電極を形成した。
表2に電気特性の結果を示す。同表において誘電率(C
,) 、誘電体損失(tanδ)は温度を25℃とし周
波数1 kHzで測定した値である。容tht温度変化
率(T、C)は25℃を基懲として、−25℃と85℃
の値の変化で評価した。また、絶縁抵抗(IR)Vi印
加電圧を50Vの直流電圧としたときの値でちる。
,) 、誘電体損失(tanδ)は温度を25℃とし周
波数1 kHzで測定した値である。容tht温度変化
率(T、C)は25℃を基懲として、−25℃と85℃
の値の変化で評価した。また、絶縁抵抗(IR)Vi印
加電圧を50Vの直流電圧としたときの値でちる。
本発明の磁器船底物は52000以上と高い誘電率を示
し、粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、1〜1
.9係と小さい誘電体損失、17000〜62400
MΩ慴の高い絶縁抵抗、そして%に−3〜−20%とい
う良好な温度特性を有するため、たとえば音響機器や通
信機器など粒界半導体磁器コンデンサー用としてバラン
スのとれた特性を発揮することができる。
し、粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、1〜1
.9係と小さい誘電体損失、17000〜62400
MΩ慴の高い絶縁抵抗、そして%に−3〜−20%とい
う良好な温度特性を有するため、たとえば音響機器や通
信機器など粒界半導体磁器コンデンサー用としてバラン
スのとれた特性を発揮することができる。
Claims (1)
- チタン酸バリウム83.5〜87モル%、スズ酸バリ
ウム12〜14モル%、およびチタン酸ストロンチウム
1〜2.5モル%の組合せからなる主成分組成物に対し
半導体化剤0.05〜0.17モル%、鉱化剤少量を含
有することを特徴とする粒界型半導体磁器コンデンサー
用の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61104789A JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61104789A JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62262303A true JPS62262303A (ja) | 1987-11-14 |
JPH0687364B2 JPH0687364B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14390226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61104789A Expired - Lifetime JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0687364B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01104173A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アミラーゼの安定化法 |
JPH01104174A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | セルラーゼの安定化法 |
JPH01104171A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | α−1・6−グルコシダーゼの安定化法 |
US6514895B1 (en) | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61104789A patent/JPH0687364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01104173A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アミラーゼの安定化法 |
JPH01104174A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | セルラーゼの安定化法 |
JPH01104171A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | α−1・6−グルコシダーゼの安定化法 |
US6514895B1 (en) | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0687364B2 (ja) | 1994-11-02 |
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