JPS62262303A - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
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- JPS62262303A JPS62262303A JP61104789A JP10478986A JPS62262303A JP S62262303 A JPS62262303 A JP S62262303A JP 61104789 A JP61104789 A JP 61104789A JP 10478986 A JP10478986 A JP 10478986A JP S62262303 A JPS62262303 A JP S62262303A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の第１１用分野〕
不発明は粒界型半導体磁器コンデンサー用の高鶴亀率磁
器組成物に関する。
器組成物に関する。
従来よシ、チタン酸バリウム系の磁器組成物は高い訪′
ＲＬ率、小さい誘電体損失を有することが知られている
が、該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使
用した場合、ｖ５電工が高ければ誘電体損失が大きかっ
たシ、温度特性が悪かったシ、絶縁抵抗が小さい等の問
題点かあシ、また誘電体損失が小さければ訪％率が低い
等の問題点があった。
ＲＬ率、小さい誘電体損失を有することが知られている
が、該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサーとして使
用した場合、ｖ５電工が高ければ誘電体損失が大きかっ
たシ、温度特性が悪かったシ、絶縁抵抗が小さい等の問
題点かあシ、また誘電体損失が小さければ訪％率が低い
等の問題点があった。
本発明の目的は、粒界型生導体磁器コンデンサーとして
使用した場合、高い誘電率を有しながら小さい誘電体損
失、とくに良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘ｉｔｔ率磁器組成物を提
供することにある。
使用した場合、高い誘電率を有しながら小さい誘電体損
失、とくに良好な温度特性、高い絶縁抵抗と、バランス
のとれた電気特性を有する高誘ｉｔｔ率磁器組成物を提
供することにある。
本発明の上記目的は、チタン戯バリウム８３．５〜８７
モルチ、スズ酸バリウム１２〜１４モル壬、およびチタ
ン酸ストロンチウム１〜２．５モル係からなる主成分組
成物に対し半導体化剤０．０５〜０．１７モ／Ｌ／俤お
よび鉱化剤少ｉを含有することを特徴とする高靭−率但
器組成物によって、連成される。
モルチ、スズ酸バリウム１２〜１４モル壬、およびチタ
ン酸ストロンチウム１〜２．５モル係からなる主成分組
成物に対し半導体化剤０．０５〜０．１７モ／Ｌ／俤お
よび鉱化剤少ｉを含有することを特徴とする高靭−率但
器組成物によって、連成される。
本発明で云う主成分組成物とは、チタン酸バリウム、ス
ズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の組
み合せを指し、組屈暢の製造に際してはこれら各成分を
そのまま使用してもよいし、あるいはＴＩ’ 、 Ｂａ
、 Ｓｎ 、 Ｓｒの酸化物や加熱時に酸化物となる
炭酸塩、修酸塩を適宜、選択使用することもできる。
ズ酸バリウムおよびチタン酸ストロンチウムの三者の組
み合せを指し、組屈暢の製造に際してはこれら各成分を
そのまま使用してもよいし、あるいはＴＩ’ 、 Ｂａ
、 Ｓｎ 、 Ｓｒの酸化物や加熱時に酸化物となる
炭酸塩、修酸塩を適宜、選択使用することもできる。
また本発明で云う半導体化剤としては、Ｌａ 。
Ｃｓ 、 Ｐｒ 、 Ｎｄ 、 Ｓｍ 、 Ｇｄ 、
Ｄｙ 、 Ｈａなど希土類元素を挙けることができ、こ
れらは酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものでち
ればよい。
Ｄｙ 、 Ｈａなど希土類元素を挙けることができ、こ
れらは酸化物かもしくは加熱時に酸化物になるものでち
ればよい。
さらに本発明で使用する鉱化剤としては、公知のものな
らなんでもよいが、一般的にはＳ１０□。
らなんでもよいが、一般的にはＳ１０□。
ｈｔ２０３． ＺｎＯなどを挙げることができる。
上述した各成分は実質的に前記組成となるよう使用され
、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外で
は温度特性、誘電体損失、誘１４Ｌ率、絶縁抵抗など本
発明の特性のバランスが損なわれる。
、その範囲内では発明の目的を達成できるが、範囲外で
は温度特性、誘電体損失、誘１４Ｌ率、絶縁抵抗など本
発明の特性のバランスが損なわれる。
すなわち、チタン酸バリウムが８７モモル係越えた場合
は温度特性が損なわれ、８３．５モル％を下回れば銹奄
率が低下する。スズ酸バリウムは１４モモル係越えて多
ｉとなると、誘電率が低下し、また１２モル係を下回わ
る少量となると、温度特性が損なわれる。チタン酸スト
ロンチウムが２．５モル％を越えて多量となると、温度
特性及びｖＪｔ率が損なわれ、１．０モル係を下回わる
少量となれば、誘電体損失が大きくなる。
は温度特性が損なわれ、８３．５モル％を下回れば銹奄
率が低下する。スズ酸バリウムは１４モモル係越えて多
ｉとなると、誘電率が低下し、また１２モル係を下回わ
る少量となると、温度特性が損なわれる。チタン酸スト
ロンチウムが２．５モル％を越えて多量となると、温度
特性及びｖＪｔ率が損なわれ、１．０モル係を下回わる
少量となれば、誘電体損失が大きくなる。
また半導体化剤も０．１７モ／Ｉ／％を越えると、温度
特性が損なわれ、Ｏ，ＯＳモル俤を下回わると誘電率及
び絶縁抵抗が悪くなる。鉱化剤についてはたとえば１モ
ル係と少量でよい。
特性が損なわれ、Ｏ，ＯＳモル俤を下回わると誘電率及
び絶縁抵抗が悪くなる。鉱化剤についてはたとえば１モ
ル係と少量でよい。
本発明の高誘電率磁器組成物の製法としてはとくに限定
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
する必要はなく、一般的には次の製法が実用的である。
すなわち、主成分、半導体化剤および鉱化剤が所定の組
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤蓋し、ピー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち９００〜１４００
℃、好ましくは１０００〜１３００℃で仮焼する。さら
にこの仮焼物に？リビニルアルコールの如きバインダー
を添加し、加圧成型後、１３００〜１５００℃、好まし
くけ１４００〜１４５０℃で中性又は還元性雰囲気下で
焼成すると、高誘電率磁器組成物を得ることができる。
成となるよう各成分の酸化物、炭酸塩等を秤蓋し、ピー
ルミルなどで湿式混合し、しかるのち９００〜１４００
℃、好ましくは１０００〜１３００℃で仮焼する。さら
にこの仮焼物に？リビニルアルコールの如きバインダー
を添加し、加圧成型後、１３００〜１５００℃、好まし
くけ１４００〜１４５０℃で中性又は還元性雰囲気下で
焼成すると、高誘電率磁器組成物を得ることができる。
本発明では該組成物を粒界型半導体磁器コンデンサー用
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
に用途限定するが、その製法としてはこれまで公知の方
法を採用することができる。
すなわち、上記組成物にＣｕＯ＊ Ｂ１２Ｏ３ｓ Ｍｎ
Ｏ２等の絶縁化剤を塗布し、空気中で１２００〜１５０
０ｔ：で加熱処理後、銀ペーストなどを用いて電極を焼
付けることによって１粒界型学導体磁器コンデンサーを
得ることができる。
Ｏ２等の絶縁化剤を塗布し、空気中で１２００〜１５０
０ｔ：で加熱処理後、銀ペーストなどを用いて電極を焼
付けることによって１粒界型学導体磁器コンデンサーを
得ることができる。
表１に示す組成になるよう原料であるＢａＣＯ３５Ｔ１
０２ ｗ ５ｎ０２ ＊ ＳｒＣＯ３ｓ半導体化剤およ
び鉱化剤を所定量秤量し、ボールミルで湿式混合を行な
った。その後、乾燥、粉砕し、空気雰囲気下で１０００
〜１３００℃で仮焼した。この仮焼物を粉砕したのち、
ポリビニールアルコール等の有機バインダーを添加混合
して均質にし、乾燥、粉砕して約１０００ｋｐＡ−の圧
力で円板または角板状に加圧成形した。
０２ ｗ ５ｎ０２ ＊ ＳｒＣＯ３ｓ半導体化剤およ
び鉱化剤を所定量秤量し、ボールミルで湿式混合を行な
った。その後、乾燥、粉砕し、空気雰囲気下で１０００
〜１３００℃で仮焼した。この仮焼物を粉砕したのち、
ポリビニールアルコール等の有機バインダーを添加混合
して均質にし、乾燥、粉砕して約１０００ｋｐＡ−の圧
力で円板または角板状に加圧成形した。
こうして加圧成型したものを窒素雰囲気または窒素と水
素の混合雰囲気下で１４００〜１４５０℃で焼成した。
素の混合雰囲気下で１４００〜１４５０℃で焼成した。
次いでこの焼成物１ｃ ＣｕＯ、Ｂ１２Ｏ３、ＭｎＯ２
などのうち少なくとも１２ｆｆｉを塗布し、空気雰囲気
下で１２００〜１５００℃で拡散処理を行なった。この
表面に銀ペーストを塗布し、８００℃で焼付けることに
よって電極を形成した。
などのうち少なくとも１２ｆｆｉを塗布し、空気雰囲気
下で１２００〜１５００℃で拡散処理を行なった。この
表面に銀ペーストを塗布し、８００℃で焼付けることに
よって電極を形成した。
表２に電気特性の結果を示す。同表において誘電率（Ｃ
，） 、誘電体損失（ｔａｎδ）は温度を２５℃とし周
波数１ ｋＨｚで測定した値である。容ｔｈｔ温度変化
率（Ｔ、Ｃ）は２５℃を基懲として、−２５℃と８５℃
の値の変化で評価した。また、絶縁抵抗（ＩＲ）Ｖｉ印
加電圧を５０Ｖの直流電圧としたときの値でちる。
，） 、誘電体損失（ｔａｎδ）は温度を２５℃とし周
波数１ ｋＨｚで測定した値である。容ｔｈｔ温度変化
率（Ｔ、Ｃ）は２５℃を基懲として、−２５℃と８５℃
の値の変化で評価した。また、絶縁抵抗（ＩＲ）Ｖｉ印
加電圧を５０Ｖの直流電圧としたときの値でちる。
本発明の磁器船底物は５２０００以上と高い誘電率を示
し、粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、１〜１
．９係と小さい誘電体損失、１７０００〜６２４００
ＭΩ慴の高い絶縁抵抗、そして％に−３〜−２０％とい
う良好な温度特性を有するため、たとえば音響機器や通
信機器など粒界半導体磁器コンデンサー用としてバラン
スのとれた特性を発揮することができる。
し、粒界型半導体磁器コンデンサーとした場合、１〜１
．９係と小さい誘電体損失、１７０００〜６２４００
ＭΩ慴の高い絶縁抵抗、そして％に−３〜−２０％とい
う良好な温度特性を有するため、たとえば音響機器や通
信機器など粒界半導体磁器コンデンサー用としてバラン
スのとれた特性を発揮することができる。
Claims (1)
- チタン酸バリウム８３．５〜８７モル％、スズ酸バリ
ウム１２〜１４モル％、およびチタン酸ストロンチウム
１〜２．５モル％の組合せからなる主成分組成物に対し
半導体化剤０．０５〜０．１７モル％、鉱化剤少量を含
有することを特徴とする粒界型半導体磁器コンデンサー
用の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104789A JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61104789A JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62262303A true JPS62262303A (ja) | 1987-11-14 |
| JPH0687364B2 JPH0687364B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14390226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61104789A Expired - Lifetime JPH0687364B2 (ja) | 1986-05-09 | 1986-05-09 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687364B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104174A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | セルラーゼの安定化法 |
| JPH01104173A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アミラーゼの安定化法 |
| JPH01104171A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | α−１・６−グルコシダーゼの安定化法 |
| US6514895B1 (en) | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
-
1986
- 1986-05-09 JP JP61104789A patent/JPH0687364B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57167617A (en) * | 1981-04-08 | 1982-10-15 | Murata Manufacturing Co | Grain boundary insulating type semiconductor porcelain composition |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01104174A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | セルラーゼの安定化法 |
| JPH01104173A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | アミラーゼの安定化法 |
| JPH01104171A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Agency Of Ind Science & Technol | α−１・６−グルコシダーゼの安定化法 |
| US6514895B1 (en) | 2000-06-15 | 2003-02-04 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable ceramic materials including tunable dielectric and metal silicate phases |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687364B2 (ja) | 1994-11-02 |
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