JPH0828128B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0828128B2 JPH0828128B2 JP3272099A JP27209991A JPH0828128B2 JP H0828128 B2 JPH0828128 B2 JP H0828128B2 JP 3272099 A JP3272099 A JP 3272099A JP 27209991 A JP27209991 A JP 27209991A JP H0828128 B2 JPH0828128 B2 JP H0828128B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波用磁器コンデン
サの誘電体材料として好適なＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系
（但しＲｅは希土類元素）の誘電体磁器組成物に関する
ものである。
サの誘電体材料として好適なＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系
（但しＲｅは希土類元素）の誘電体磁器組成物に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】高周波用誘電体材料としては、一般にＢ
ａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系の誘電体磁器組成物が知られて
いる。この誘電体磁器組成物は焼結温度が１１００〜１
５００℃と高温であるため、これを誘電層の材料として
使用する磁器コンデンサの電極材料としては融点の高い
Ｐｄを主成分とするものを使用する必要がある。
ａＯ−ＴｉＯ2 −Ｒｅ系の誘電体磁器組成物が知られて
いる。この誘電体磁器組成物は焼結温度が１１００〜１
５００℃と高温であるため、これを誘電層の材料として
使用する磁器コンデンサの電極材料としては融点の高い
Ｐｄを主成分とするものを使用する必要がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、磁器コンデ
ンサは、Ｑに関しては、その値の大きいことが望まし
い。このＱの値を大きくする方法としては、内部電極の
材料として電気抵抗の小さい金属、例えばＡｇやＣｕ等
を使用することが考えられる。
ンサは、Ｑに関しては、その値の大きいことが望まし
い。このＱの値を大きくする方法としては、内部電極の
材料として電気抵抗の小さい金属、例えばＡｇやＣｕ等
を使用することが考えられる。
【０００４】しかし、従来の誘電体磁器組成物は上述し
たように焼成温度が１１００〜１５００℃と高いので、
この焼成温度より融点の低いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の
材料として使用すると、焼成の際に内部電極が溶融して
しまい、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得
ることができないという問題点があった。また、Ｐｄは
高価な材料で、しかも焼成温度が１１００〜１５００℃
と高いと、焼成のために多くのエネルギーが必要になる
ので、磁器コンデンサの製造コストが高くなるという問
題点もあった。
たように焼成温度が１１００〜１５００℃と高いので、
この焼成温度より融点の低いＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の
材料として使用すると、焼成の際に内部電極が溶融して
しまい、所望の電気的特性を有する磁器コンデンサを得
ることができないという問題点があった。また、Ｐｄは
高価な材料で、しかも焼成温度が１１００〜１５００℃
と高いと、焼成のために多くのエネルギーが必要になる
ので、磁器コンデンサの製造コストが高くなるという問
題点もあった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、焼成温度が低
く、Ａｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用すること
ができ、Ｑ値を大きくすることができる誘電体磁器組成
物を提供することにある。具体的には、９００℃以下の
温度の焼成で焼結させることができ、誘電率εr が６．
７〜１１．７、Ｑが１０００〜１４００、誘電率の温度
係数Ｔεが±６０ｐｐｍ／℃以下の誘電体磁器組成物を
提供することにある。
く、Ａｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用すること
ができ、Ｑ値を大きくすることができる誘電体磁器組成
物を提供することにある。具体的には、９００℃以下の
温度の焼成で焼結させることができ、誘電率εr が６．
７〜１１．７、Ｑが１０００〜１４００、誘電率の温度
係数Ｔεが±６０ｐｐｍ／℃以下の誘電体磁器組成物を
提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る誘電体磁器
組成物は、一般式ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＲｅＯ3/ 2
（但し、この式において、ｘ，ｙ，ｚは、 ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４≦ｙ≦０．８５ ０．０５≦ｚ≦０．５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ を満足する数値、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂから選択された１種または２種以
上の希土類元素）で表わされる主成分と、ＳｉＯ2と、
ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯから選択された１種または２
種以上の酸化物と、ＭｇＯと、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｌｉ2 Ｏと
からなり、前記主成分が２５〜６０ｗｔ％、ＳｉＯ2 が
１０〜４０ｗｔ％、ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯから選択
された１種または２種以上の酸化物が１〜２０ｗｔ％、
ＭｇＯが１〜１５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が３〜３０ｗｔ％、
Ｌｉ2 Ｏが０．１〜３ｗｔ％の割合で含有されている。
組成物は、一般式ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＲｅＯ3/ 2
（但し、この式において、ｘ，ｙ，ｚは、 ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４≦ｙ≦０．８５ ０．０５≦ｚ≦０．５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ を満足する数値、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂから選択された１種または２種以
上の希土類元素）で表わされる主成分と、ＳｉＯ2と、
ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯから選択された１種または２
種以上の酸化物と、ＭｇＯと、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｌｉ2 Ｏと
からなり、前記主成分が２５〜６０ｗｔ％、ＳｉＯ2 が
１０〜４０ｗｔ％、ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯから選択
された１種または２種以上の酸化物が１〜２０ｗｔ％、
ＭｇＯが１〜１５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が３〜３０ｗｔ％、
Ｌｉ2 Ｏが０．１〜３ｗｔ％の割合で含有されている。
【０００７】ここで、主成分を構成するＢａＯのモル分
率ｘを０．０２≦ｘ≦０．３の範囲としたのは、ＢａＯ
がこの範囲を外れると９００℃の温度の焼成では組成物
が焼結しなくなるからである。
率ｘを０．０２≦ｘ≦０．３の範囲としたのは、ＢａＯ
がこの範囲を外れると９００℃の温度の焼成では組成物
が焼結しなくなるからである。
【０００８】また、主成分を構成するＴｉＯ2 のモル分
率ｙを０．４≦ｙ≦０．８５の範囲としたのは、ＴｉＯ
2 がこの範囲を外れると誘電率の温度係数Ｔεに関して
所望の特性が得られなくなるからである。
率ｙを０．４≦ｙ≦０．８５の範囲としたのは、ＴｉＯ
2 がこの範囲を外れると誘電率の温度係数Ｔεに関して
所望の特性が得られなくなるからである。
【０００９】また、主成分を構成するＲｅＯ3/2 のモル
分率ｚを０．０５≦ｚ≦０．５の範囲としたのは、Ｒｅ
Ｏ3/2 がこの範囲を外れると誘電率の温度係数Ｔεに関
して所望の特性が得られなくなるからである。
分率ｚを０．０５≦ｚ≦０．５の範囲としたのは、Ｒｅ
Ｏ3/2 がこの範囲を外れると誘電率の温度係数Ｔεに関
して所望の特性が得られなくなるからである。
【００１０】また、主成分の含有率を２５〜６０ｗｔ％
としたのは、主成分の含有率が２５ｗｔ％未満になると
Ｑが１０００以下になり、主成分の含有率が６０ｗｔ％
を超えると９００℃の温度の焼成では組成物が焼結しな
くなるからである。
としたのは、主成分の含有率が２５ｗｔ％未満になると
Ｑが１０００以下になり、主成分の含有率が６０ｗｔ％
を超えると９００℃の温度の焼成では組成物が焼結しな
くなるからである。
【００１１】また、ＳｉＯ2 を１０〜４０ｗｔ％とした
のは、ＳｉＯ2 が１０ｗｔ％未満ではＱに関して所望の
特性が得られなくなり、ＳｉＯ2 が４０ｗｔ％を超える
と９００℃の温度の焼成では組成物が焼結しなくなるか
らである。
のは、ＳｉＯ2 が１０ｗｔ％未満ではＱに関して所望の
特性が得られなくなり、ＳｉＯ2 が４０ｗｔ％を超える
と９００℃の温度の焼成では組成物が焼結しなくなるか
らである。
【００１２】また、ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯから選択さ
れた１種または２種以上の酸化物を１〜２０ｗｔ％とし
たのは、これらの酸化物が１ｗｔ％未満になると９００
℃の温度の焼成では組成物が焼結しなくなり、これらの
酸化物が２０ｗｔ％を超えるとＱに関して所望の特性が
得られなくなるからである。
れた１種または２種以上の酸化物を１〜２０ｗｔ％とし
たのは、これらの酸化物が１ｗｔ％未満になると９００
℃の温度の焼成では組成物が焼結しなくなり、これらの
酸化物が２０ｗｔ％を超えるとＱに関して所望の特性が
得られなくなるからである。
【００１３】また、ＭｇＯを１〜１５ｗｔ％としたの
は、ＭｇＯが１ｗｔ％未満では９００℃の温度の焼成で
は組成物が焼結しなくなり、ＭｇＯが１５ｗｔ％を超え
るとＱに関して所望の特性が得られなくなるからであ
る。
は、ＭｇＯが１ｗｔ％未満では９００℃の温度の焼成で
は組成物が焼結しなくなり、ＭｇＯが１５ｗｔ％を超え
るとＱに関して所望の特性が得られなくなるからであ
る。
【００１４】また、Ｂ2 Ｏ3 を３〜３０ｗｔ％としたの
は、Ｂ2 Ｏ3 がこの範囲を外れると９００℃の温度の焼
成では組成物が焼結しなくなるからである。
は、Ｂ2 Ｏ3 がこの範囲を外れると９００℃の温度の焼
成では組成物が焼結しなくなるからである。
【００１５】また、Ｌｉ2 Ｏを０．１〜３ｗｔ％とした
のは、Ｌ2 Ｏがこの範囲を外れると９００℃の温度の焼
成では組成物が焼結しなくなるからである。
のは、Ｌ2 Ｏがこの範囲を外れると９００℃の温度の焼
成では組成物が焼結しなくなるからである。
【００１６】
【実施例】まず、後述する表１の試料Ｎｏ．１の場合に
ついて説明する。主成分を形成する化合物を以下に示す
重量（ｇ）ごとに各々秤量し、これらの化合物をポット
ミル中に水とともに入れ、湿式混合して原料混合物を得
た。 ＢａＣＯ3 ………５９．２ｇ ＴｉＯ2 …………５１．９ｇ Ｎｄ2 Ｏ3 …………７．７ｇ そして、この混合物を乾燥器で乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、これを空気中において１０００〜１２
００℃で２時間仮焼した。
ついて説明する。主成分を形成する化合物を以下に示す
重量（ｇ）ごとに各々秤量し、これらの化合物をポット
ミル中に水とともに入れ、湿式混合して原料混合物を得
た。 ＢａＣＯ3 ………５９．２ｇ ＴｉＯ2 …………５１．９ｇ Ｎｄ2 Ｏ3 …………７．７ｇ そして、この混合物を乾燥器で乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、これを空気中において１０００〜１２
００℃で２時間仮焼した。
【００１７】一方、副成分を形成する化合物を以下に示
す重量（ｇ）ごとに各々秤量し、これらの化合物をポッ
トミル中に水とともに入れ、湿式混合して原料混合物を
得た。 ＳｉＯ2 …………６０．０ｇ ＳｒＣＯ3 ………３０．０ｇ ＭｇＯ……………３０．０ｇ Ｂ2 Ｏ3 …………２７．０ｇ Ｌｉ2 ＣＯ3 ………３．０ｇ そして、この混合物を乾燥器で乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、これを空気中において７５０〜８５０
℃で２時間仮焼した。
す重量（ｇ）ごとに各々秤量し、これらの化合物をポッ
トミル中に水とともに入れ、湿式混合して原料混合物を
得た。 ＳｉＯ2 …………６０．０ｇ ＳｒＣＯ3 ………３０．０ｇ ＭｇＯ……………３０．０ｇ Ｂ2 Ｏ3 …………２７．０ｇ Ｌｉ2 ＣＯ3 ………３．０ｇ そして、この混合物を乾燥器で乾燥し、この乾燥した混
合物を粗粉砕し、これを空気中において７５０〜８５０
℃で２時間仮焼した。
【００１８】次に、仮焼した前記２種類の原料混合物
（主成分＋副成分）を重量比で１：１（５０ｗｔ％：５
０ｗｔ％）となるように秤量し、これらの原料混合物を
ポットミル中に水とともに入れ、湿式混合して混合物を
得、この混合物を乾燥器で乾燥し、その粉末を得た。
（主成分＋副成分）を重量比で１：１（５０ｗｔ％：５
０ｗｔ％）となるように秤量し、これらの原料混合物を
ポットミル中に水とともに入れ、湿式混合して混合物を
得、この混合物を乾燥器で乾燥し、その粉末を得た。
【００１９】次に、この粉末にＰＶＡ系の有機バインダ
を加えて造粒し、この造粒物を型に入れ、５００ｋｇ／
ｃｍ2 の圧力で加圧成形して、直径９．８ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。そして、この成形
物をジルコニアセッター上に載せ、空気中において９０
０℃の温度で焼成した。
を加えて造粒し、この造粒物を型に入れ、５００ｋｇ／
ｃｍ2 の圧力で加圧成形して、直径９．８ｍｍ、厚さ
０．６ｍｍの円板状の成形物を得た。そして、この成形
物をジルコニアセッター上に載せ、空気中において９０
０℃の温度で焼成した。
【００２０】次に、この焼成後の成形物、すなわち磁器
素体の両主面に銀ペーストを塗布し、これを８００℃の
温度で１５分間焼付けることにより磁器素体の両主面に
一対のコンデンサ電極を形成した磁器コンデンサを得
た。
素体の両主面に銀ペーストを塗布し、これを８００℃の
温度で１５分間焼付けることにより磁器素体の両主面に
一対のコンデンサ電極を形成した磁器コンデンサを得
た。
【００２１】次に、この磁器コンデンサについて、２０
℃における誘電率εr 、２０℃におけるＱ、誘電率の温
度係数Ｔε（ｐｐｍ／℃）を測定したところ、表１に
示す通りとなった。ここで、誘電率εr 、Ｑは周波数１
ＭＨｚ、電圧１Ｖの条件で、又、誘電率の温度係数Ｔε
は＋２０℃を基準にして、−２５℃〜＋２０℃及び＋２
０℃〜＋８５℃の温度範囲での周波数１ＭＨｚ、電圧１
Ｖの条件で測定した。
℃における誘電率εr 、２０℃におけるＱ、誘電率の温
度係数Ｔε（ｐｐｍ／℃）を測定したところ、表１に
示す通りとなった。ここで、誘電率εr 、Ｑは周波数１
ＭＨｚ、電圧１Ｖの条件で、又、誘電率の温度係数Ｔε
は＋２０℃を基準にして、−２５℃〜＋２０℃及び＋２
０℃〜＋８５℃の温度範囲での周波数１ＭＨｚ、電圧１
Ｖの条件で測定した。
【００２２】以上、Ｎｏ．１の試料の場合について説明
したが、試料Ｎｏ．２〜４７についても、主成分及び副
成分の割合を変えた他は、Ｎｏ．１の試料の場合と全く
同様の方法で磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電
気的特性を測定した。結果は表１〜表１に示す通り
となった。
したが、試料Ｎｏ．２〜４７についても、主成分及び副
成分の割合を変えた他は、Ｎｏ．１の試料の場合と全く
同様の方法で磁器コンデンサを作成し、同一の方法で電
気的特性を測定した。結果は表１〜表１に示す通り
となった。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表１】
【００２６】表１〜表１に示す結果から明らかなよ
うに、本発明に従う試料によれば、誘電率εr が６．７
〜１１．７、Ｑが１０００〜１４００、誘電率の温度特
性Ｔεが±６０ｐｐｍ／℃以下の電気的特性を有する誘
電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサを得ることがで
きる。また、９００℃以下の温度での焼成が可能であ
る。
うに、本発明に従う試料によれば、誘電率εr が６．７
〜１１．７、Ｑが１０００〜１４００、誘電率の温度特
性Ｔεが±６０ｐｐｍ／℃以下の電気的特性を有する誘
電体磁器組成物を備えた磁器コンデンサを得ることがで
きる。また、９００℃以下の温度での焼成が可能であ
る。
【００２７】これに対し、本発明の組成範囲に属さない
試料Ｎｏ．１８〜２１、３２〜４１、４４〜４７は上記
特性の誘電体磁器組成物を得ることができない。従っ
て、これらは本発明の比較例である。
試料Ｎｏ．１８〜２１、３２〜４１、４４〜４７は上記
特性の誘電体磁器組成物を得ることができない。従っ
て、これらは本発明の比較例である。
【００２８】次に、本件出願に係る誘電体磁器組成物の
主成分及び副成分の適正範囲について、表１〜表１
に示す試料Ｎｏ．１〜４７の結果を参照しながら検討す
る。
主成分及び副成分の適正範囲について、表１〜表１
に示す試料Ｎｏ．１〜４７の結果を参照しながら検討す
る。
【００２９】ＢａＯのモル分率ｘが、試料Ｎｏ．１〜１
７，２２〜３１に示すように０．０２〜０．３ｍｏｌ％
の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるが、ＢａＯのモル分率ｘが、試料
Ｎｏ．２０に示すように０．０１ｍｏｌ％の場合には、
９００℃の温度の焼成では焼結せず、ＢａＯのモル分率
ｘが、試料Ｎｏ．１８に示すように０．４ｍｏｌ％の場
合には、９００℃の温度の焼成では焼結しない。従っ
て、ＢａＯのモル分率ｘの適正範囲は０．０２〜０．３
ｍｏｌ％である。
７，２２〜３１に示すように０．０２〜０．３ｍｏｌ％
の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成
物を得ることができるが、ＢａＯのモル分率ｘが、試料
Ｎｏ．２０に示すように０．０１ｍｏｌ％の場合には、
９００℃の温度の焼成では焼結せず、ＢａＯのモル分率
ｘが、試料Ｎｏ．１８に示すように０．４ｍｏｌ％の場
合には、９００℃の温度の焼成では焼結しない。従っ
て、ＢａＯのモル分率ｘの適正範囲は０．０２〜０．３
ｍｏｌ％である。
【００３０】ＴｉＯ2 のモル分率ｙが、試料Ｎｏ．１〜
１７，２２〜３１に示すように０．４〜０．８５ｍｏｌ
％の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組
成物を得ることができるが、ＴｉＯ2 のモル分率ｙが、
試料Ｎｏ．２１に示すように０．３ｍｏｌ％の場合に
は、誘電率の温度係数Ｔεに関して所望の特性が得られ
ず、ＴｉＯ2 モル分率ｙが、試料Ｎｏ．４６に示すよう
に０．８８ｍｏｌ％の場合には、誘電率の温度係数Ｔε
に関して所望の特性が得られない。従って、ＴｉＯ2 の
モル分率ｙの適正範囲は０．４〜０．８５ｍｏｌ％であ
る。
１７，２２〜３１に示すように０．４〜０．８５ｍｏｌ
％の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組
成物を得ることができるが、ＴｉＯ2 のモル分率ｙが、
試料Ｎｏ．２１に示すように０．３ｍｏｌ％の場合に
は、誘電率の温度係数Ｔεに関して所望の特性が得られ
ず、ＴｉＯ2 モル分率ｙが、試料Ｎｏ．４６に示すよう
に０．８８ｍｏｌ％の場合には、誘電率の温度係数Ｔε
に関して所望の特性が得られない。従って、ＴｉＯ2 の
モル分率ｙの適正範囲は０．４〜０．８５ｍｏｌ％であ
る。
【００３１】ＲｅＯ3/2 のモル分率ｚが、試料Ｎｏ．１
〜１７，２２〜３１に示すように０．０５〜０．５ｍｏ
ｌ％の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器
組成物を得ることができるが、ＲｅＯ3/2 のモル分率ｚ
が、試料Ｎｏ．１９に示すように０．０２ｍｏｌ％の場
合には、誘電率の温度係数Ｔεに関して所望の特性が得
られず、ＲｅＯ3/2 のモル分率ｚが、試料Ｎｏ．４７に
示すように０．５５ｍｏｌ％の場合には、誘電率の温度
係数Ｔεに関して所望の特性が得られない。従って、Ｒ
ｅＯ3/2 のモル分率ｚの適正範囲は０．０５〜０．５ｍ
ｏｌ％である。
〜１７，２２〜３１に示すように０．０５〜０．５ｍｏ
ｌ％の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器
組成物を得ることができるが、ＲｅＯ3/2 のモル分率ｚ
が、試料Ｎｏ．１９に示すように０．０２ｍｏｌ％の場
合には、誘電率の温度係数Ｔεに関して所望の特性が得
られず、ＲｅＯ3/2 のモル分率ｚが、試料Ｎｏ．４７に
示すように０．５５ｍｏｌ％の場合には、誘電率の温度
係数Ｔεに関して所望の特性が得られない。従って、Ｒ
ｅＯ3/2 のモル分率ｚの適正範囲は０．０５〜０．５ｍ
ｏｌ％である。
【００３２】ＳｉＯ2 が、試料Ｎｏ．１〜１７，２２〜
３１に示すように１０〜４０ｗｔ％の場合には、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、ＳｉＯ2 が、試料Ｎｏ．３２に示すように５ｗｔ
％の場合には、Ｑに関して所望の特性が得られず、Ｓｉ
Ｏ2 が、試料Ｎｏ．３３に示すように４５ｗｔ％の場合
には、９００℃の温度の焼成で焼結しない。従って、Ｓ
ｉＯ2 の適正範囲は１０〜４０ｗｔ％である。
３１に示すように１０〜４０ｗｔ％の場合には、所望の
電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができ
るが、ＳｉＯ2 が、試料Ｎｏ．３２に示すように５ｗｔ
％の場合には、Ｑに関して所望の特性が得られず、Ｓｉ
Ｏ2 が、試料Ｎｏ．３３に示すように４５ｗｔ％の場合
には、９００℃の温度の焼成で焼結しない。従って、Ｓ
ｉＯ2 の適正範囲は１０〜４０ｗｔ％である。
【００３３】ＣａＯ，ＢａＯ及び／又はＳｒＯが、試料
Ｎｏ．１〜１７，２２〜３１に示すように１〜２０ｗｔ
％の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組
成物を得ることができるが、ＣａＯ，ＢａＯ及び／又は
ＳｒＯが、試料Ｎｏ．３４に示すように、０．５ｗｔ％
の場合には、９００℃の温度の焼成で焼結せず、Ｃａ
Ｏ，ＢａＯ及び／又はＳｒＯが、試料Ｎｏ．３５に示す
ように、２５ｗｔ％の場合にはＱに関して所望の特性が
得られない。従って、ＣａＯ，ＢａＯ及び／又はＳｒＯ
の適正範囲は１〜２０ｗｔ％である。
Ｎｏ．１〜１７，２２〜３１に示すように１〜２０ｗｔ
％の場合には、所望の電気的特性を有する誘電体磁器組
成物を得ることができるが、ＣａＯ，ＢａＯ及び／又は
ＳｒＯが、試料Ｎｏ．３４に示すように、０．５ｗｔ％
の場合には、９００℃の温度の焼成で焼結せず、Ｃａ
Ｏ，ＢａＯ及び／又はＳｒＯが、試料Ｎｏ．３５に示す
ように、２５ｗｔ％の場合にはＱに関して所望の特性が
得られない。従って、ＣａＯ，ＢａＯ及び／又はＳｒＯ
の適正範囲は１〜２０ｗｔ％である。
【００３４】ＭｇＯが、試料Ｎｏ．１〜１７，２２〜３
１に示すように１〜１５ｗｔ％の場合には、所望の電気
的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、ＭｇＯが、試料Ｎｏ．３６に示すように０．１ｗｔ
％の場合には９００℃の温度の焼成で焼結せず、ＭｇＯ
が、試料Ｎｏ．３７に示すように２０ｗｔ％の場合には
Ｑに関して所望の特性が得られない。従って、ＭｇＯの
適正範囲は１〜１５ｗｔ％である。
１に示すように１〜１５ｗｔ％の場合には、所望の電気
的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、ＭｇＯが、試料Ｎｏ．３６に示すように０．１ｗｔ
％の場合には９００℃の温度の焼成で焼結せず、ＭｇＯ
が、試料Ｎｏ．３７に示すように２０ｗｔ％の場合には
Ｑに関して所望の特性が得られない。従って、ＭｇＯの
適正範囲は１〜１５ｗｔ％である。
【００３５】Ｂ2 Ｏ3 が、試料Ｎｏ．１〜１７，２２〜
３１に示すように３〜３０ｗｔ％の場合には、所望の電
気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、Ｂ2 Ｏ3 が、試料Ｎｏ．３８に示すように１ｗｔ％
の場合には９００℃で焼結せず、Ｂ2 Ｏ3 が、試料Ｎ
ｏ．３９に示すように４０ｗｔ％の場合には９００℃の
温度の焼成で焼結しない。従って、Ｂ2 Ｏ3 の適正範囲
は３〜３０ｗｔ％である。
３１に示すように３〜３０ｗｔ％の場合には、所望の電
気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、Ｂ2 Ｏ3 が、試料Ｎｏ．３８に示すように１ｗｔ％
の場合には９００℃で焼結せず、Ｂ2 Ｏ3 が、試料Ｎ
ｏ．３９に示すように４０ｗｔ％の場合には９００℃の
温度の焼成で焼結しない。従って、Ｂ2 Ｏ3 の適正範囲
は３〜３０ｗｔ％である。
【００３６】Ｌ2 Ｏが、試料Ｎｏ．１〜１７，２２〜３
１に示すように０．１〜３ｗｔ％の場合には、所望の電
気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、Ｌ2 Ｏが、試料Ｎｏ．４０に示すように０．０１ｗ
ｔ％の場合には９００℃の温度の焼成で焼結せず、Ｌｉ
2 Ｏが、試料Ｎｏ．４１に示すように５ｗｔ％の場合に
は９００℃の温度の焼成では焼結しない。従って、Ｌｉ
2 Ｏの適正範囲は０．１〜３ｗｔ％である。
１に示すように０．１〜３ｗｔ％の場合には、所望の電
気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる
が、Ｌ2 Ｏが、試料Ｎｏ．４０に示すように０．０１ｗ
ｔ％の場合には９００℃の温度の焼成で焼結せず、Ｌｉ
2 Ｏが、試料Ｎｏ．４１に示すように５ｗｔ％の場合に
は９００℃の温度の焼成では焼結しない。従って、Ｌｉ
2 Ｏの適正範囲は０．１〜３ｗｔ％である。
【００３７】主成分の含有率が、試料Ｎｏ．１〜１７，
２２〜３１に示すように２５〜６０ｗｔ％の場合には、
所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ること
ができるが、主成分の含有率が、試料Ｎｏ．４４に示す
ように１５ｗｔ％の場合にはＱに関して所望の特性が得
られず、主成分の含有率が、試料Ｎｏ．４５に示すよう
に７０ｗｔ％の場合には９００℃の温度の焼成で焼結し
ない。従って、主成分の含有率の適正範囲は２５〜６０
ｗｔ％である。
２２〜３１に示すように２５〜６０ｗｔ％の場合には、
所望の電気的特性を有する誘電体磁器組成物を得ること
ができるが、主成分の含有率が、試料Ｎｏ．４４に示す
ように１５ｗｔ％の場合にはＱに関して所望の特性が得
られず、主成分の含有率が、試料Ｎｏ．４５に示すよう
に７０ｗｔ％の場合には９００℃の温度の焼成で焼結し
ない。従って、主成分の含有率の適正範囲は２５〜６０
ｗｔ％である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば、誘電体磁器組成物の焼
成温度を９００℃以下とすることができるので、電気抵
抗の小さいＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用す
ることができ、従ってＱの大きな磁器コンデンサを提供
することができる。また、本発明によれば、磁器コンデ
ンサの内部電極の材料としてＰｄより安価なＡｇ，Ｃｕ
等を使用することができるので、磁器コンデンサの製造
コストを低下させることができる。更に、本発明によれ
ば、誘電体磁器組成物の焼成温度を低下させることがで
きるので、磁器コンデンサの製造工程における焼成のた
めの熱エネルギーを節約することができ、従って、この
面からも製造コストを低下させることができる。
成温度を９００℃以下とすることができるので、電気抵
抗の小さいＡｇ，Ｃｕ等を内部電極の材料として使用す
ることができ、従ってＱの大きな磁器コンデンサを提供
することができる。また、本発明によれば、磁器コンデ
ンサの内部電極の材料としてＰｄより安価なＡｇ，Ｃｕ
等を使用することができるので、磁器コンデンサの製造
コストを低下させることができる。更に、本発明によれ
ば、誘電体磁器組成物の焼成温度を低下させることがで
きるので、磁器コンデンサの製造工程における焼成のた
めの熱エネルギーを節約することができ、従って、この
面からも製造コストを低下させることができる。
【表１○１】
【表１○２】
【表１○３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 洋一 東京都台東区上野６丁目16番20号 太陽誘 電株式会社内 (56)参考文献 特開 昭63−224105（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−239704（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−48908（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−54802（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−242525（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＲｅＯ
3/2（但し、この式において、ｘ，ｙ，ｚは、 ０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４≦ｙ≦０．８５ ０．０５≦ｚ≦０．５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ を満足する数値、ＲｅはＬａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｇ
ｄ，Ｄｙ，Ｅｒ，Ｙｂから選択された１種または２種以
上の希土類元素）で表わされる主成分と、ＳｉＯ2と、
ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯから選択された１種または２
種以上の酸化物と、ＭｇＯと、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｌｉ2 Ｏと
からなり、 前記主成分が２５〜６０ｗｔ％、ＳｉＯ2 が１０〜４０
ｗｔ％、ＣａＯ，ＳｒＯ又はＢａＯから選択された１種
または２種以上の酸化物が１〜２０ｗｔ％、ＭｇＯが１
〜１５ｗｔ％、Ｂ2 Ｏ3 が３〜３０ｗｔ％、Ｌｉ2 Ｏが
０．１〜３ｗｔ％の割合で含有されている誘電体磁器組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272099A JPH0828128B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3272099A JPH0828128B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0581927A JPH0581927A (ja) | 1993-04-02 |
| JPH0828128B2 true JPH0828128B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=17509069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3272099A Expired - Fee Related JPH0828128B2 (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828128B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6251816B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-06-26 | Mra Laboratories, Inc. | Capacitor and dielectric ceramic powder based upon a barium borate and zinc silicate dual-component sintering flux |
| KR20030092381A (ko) * | 2002-05-29 | 2003-12-06 | 전자부품연구원 | 저온동시 소결 유전체 조성물 |
| KR101404466B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2014-06-10 | 삼진산업 주식회사 | 자동차용 패널 벤딩장치 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP3272099A patent/JPH0828128B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0581927A (ja) | 1993-04-02 |
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