JP3325051B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高周波用積層磁器コンデ
ンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組成
物に関する。
ンサ、誘電体共振器等に使用するための誘電体磁器組成
物に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭＨｚ、ＧＨｚのような高周波領域で使
用する磁器コンデンサや誘電体共振器の誘電体磁器とし
て例えば、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲｅＯ（但し、Ｒｅは希
土類元素）が知られている。
用する磁器コンデンサや誘電体共振器の誘電体磁器とし
て例えば、ＢａＯ＋ＴｉＯ2 ＋ＲｅＯ（但し、Ｒｅは希
土類元素）が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＢａ
Ｏ＋ＴｉＯ2 ＋ＲｅＯ磁器の焼成温度は１１００〜１５
００℃と比較的高いので、積層磁器コンデンサを作製す
る時には内部電極材料として融点の高いＰｄを主成分と
する導電性ペーストを使用しなければならなかった。し
かし、Ｐｄは抵抗率が高いためにコンデンサのＱが低下
するという欠点、及び高価であるという欠点を有する。
Ｏ＋ＴｉＯ2 ＋ＲｅＯ磁器の焼成温度は１１００〜１５
００℃と比較的高いので、積層磁器コンデンサを作製す
る時には内部電極材料として融点の高いＰｄを主成分と
する導電性ペーストを使用しなければならなかった。し
かし、Ｐｄは抵抗率が高いためにコンデンサのＱが低下
するという欠点、及び高価であるという欠点を有する。
【０００４】そこで、本発明の目的は、９００℃以下の
焼成で製造することが可能であり、且つ高周波領域で使
用することが可能な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
焼成で製造することが可能であり、且つ高周波領域で使
用することが可能な誘電体磁器組成物を提供することに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は、 ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＲｅＯ3/2 但し、ｘ、ｙ、ｚは０．０２≦ｘ≦０．３、０．４≦ｙ
≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０.５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を
満足する数値、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、
Ｄｙ、Ｅr 、Ｙｂから選択された１種以上の希土類元
素、からなる２０〜７０重量％の主成分と、１０〜５５
重量％のＳｉＯ2と、１〜４０重量％のＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＺｎＯから選択された一種以上の２族金属
酸化物と、３〜３０重量％のＢ2Ｏ3と、０．１〜３．０
重量％のＬｉ2Ｏとを含み、且つＭｇＯ及びニオブ酸化
物を含まない誘電体磁器組成物に係わるものである。
の本発明は、 ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2＋ｚＲｅＯ3/2 但し、ｘ、ｙ、ｚは０．０２≦ｘ≦０．３、０．４≦ｙ
≦０．８５、０．０５≦ｚ≦０.５、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を
満足する数値、ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、
Ｄｙ、Ｅr 、Ｙｂから選択された１種以上の希土類元
素、からなる２０〜７０重量％の主成分と、１０〜５５
重量％のＳｉＯ2と、１〜４０重量％のＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＺｎＯから選択された一種以上の２族金属
酸化物と、３〜３０重量％のＢ2Ｏ3と、０．１〜３．０
重量％のＬｉ2Ｏとを含み、且つＭｇＯ及びニオブ酸化
物を含まない誘電体磁器組成物に係わるものである。
【０００６】
【発明の作用及び効果】本発明におけるＳｉＯ2 と、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択された２族金
属酸化物と、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｌｉ2 Ｏとは、高周波領域に
おいて実用的な比誘電率εr と、Ｑとを得るために寄与
すると共に、比誘電率の温度係数を小さくするために寄
与し、更に９００℃以下の焼成を可能にするために寄与
する。本発明で特定された組成によれば、比誘電率εr
が６．７以上、Ｑが１０００以上、比誘電率の温度係数
Ｔεが−２５℃〜２０℃及び２０℃〜＋８５℃の範囲で
−６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の誘電体磁器が得
られ、且つこの誘電体磁器を９００℃以下で焼成するこ
とが可能になる。
ａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ及びＺｎＯから選択された２族金
属酸化物と、Ｂ2 Ｏ3 と、Ｌｉ2 Ｏとは、高周波領域に
おいて実用的な比誘電率εr と、Ｑとを得るために寄与
すると共に、比誘電率の温度係数を小さくするために寄
与し、更に９００℃以下の焼成を可能にするために寄与
する。本発明で特定された組成によれば、比誘電率εr
が６．７以上、Ｑが１０００以上、比誘電率の温度係数
Ｔεが−２５℃〜２０℃及び２０℃〜＋８５℃の範囲で
−６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の誘電体磁器が得
られ、且つこの誘電体磁器を９００℃以下で焼成するこ
とが可能になる。
【０００７】
【第１の実施例】次に、本発明の実施例に係わる高周波
磁器コンデンサ及びこの製造方法を説明する。まず、ｘ
ＢａＯ＋ｙＴｉＯ2 ＋ｚＲｅＯ3/2 を満足する主成分を
得るために、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）、ＴｉＯ
2 （酸化チタン）、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタン）、Ｐｒ
2 Ｏ3 （酸化プラセオジム）、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）、Ｓｍ2 Ｏ3 （酸化サマリウム）、Ｇｄ2 Ｏ3 （酸
化ガドリニウム）、Ｄｙ2 Ｏ3 （酸化ジスプロシウ
ム）、Ｅｒ2 Ｏ3 （酸化エルビウム）、Ｙｂ2 Ｏ3 （酸
化イッテルビウム）を表１及び表２に示す複数の組成物
が得られるように用意した。なお、表１及び表２におけ
るｘの欄はＢａＯのモル比を示し、ｙの欄はＴｉＯ2 の
モル比を示し、ｚの欄はＲｅＯ3/2 のモル比を示す。ま
た、本発明に従う誘電体磁器のＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏを得るために
ＳｉＯ2 （酸化ケイ素）と、ＣａＣＯ3 （炭酸カルシウ
ム）と、ＳｒＣＯ3（炭酸ストロンチウム）と、ＢａＣ
Ｏ3 （炭酸バリウム）と、ＺｎＯ（酸化亜鉛）と、Ｂ2
Ｏ3 （酸化ホウ素）と、Ｌｉ2 ＣＯ3 （炭酸リチウム）
とを表１及び表２に示す組成を得ることができる割合に
用意した。しかる後、これ等を使用して表１及び表２の
試料NO. １から４３までの磁器コンデンサを作成した。
磁器コンデンサ及びこの製造方法を説明する。まず、ｘ
ＢａＯ＋ｙＴｉＯ2 ＋ｚＲｅＯ3/2 を満足する主成分を
得るために、ＢａＣＯ3 （炭酸バリウム）、ＴｉＯ
2 （酸化チタン）、Ｌａ2 Ｏ3 （酸化ランタン）、Ｐｒ
2 Ｏ3 （酸化プラセオジム）、Ｎｄ2 Ｏ3 （酸化ネオジ
ム）、Ｓｍ2 Ｏ3 （酸化サマリウム）、Ｇｄ2 Ｏ3 （酸
化ガドリニウム）、Ｄｙ2 Ｏ3 （酸化ジスプロシウ
ム）、Ｅｒ2 Ｏ3 （酸化エルビウム）、Ｙｂ2 Ｏ3 （酸
化イッテルビウム）を表１及び表２に示す複数の組成物
が得られるように用意した。なお、表１及び表２におけ
るｘの欄はＢａＯのモル比を示し、ｙの欄はＴｉＯ2 の
モル比を示し、ｚの欄はＲｅＯ3/2 のモル比を示す。ま
た、本発明に従う誘電体磁器のＳｉＯ2 、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏを得るために
ＳｉＯ2 （酸化ケイ素）と、ＣａＣＯ3 （炭酸カルシウ
ム）と、ＳｒＣＯ3（炭酸ストロンチウム）と、ＢａＣ
Ｏ3 （炭酸バリウム）と、ＺｎＯ（酸化亜鉛）と、Ｂ2
Ｏ3 （酸化ホウ素）と、Ｌｉ2 ＣＯ3 （炭酸リチウム）
とを表１及び表２に示す組成を得ることができる割合に
用意した。しかる後、これ等を使用して表１及び表２の
試料NO. １から４３までの磁器コンデンサを作成した。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】次に、表１における試料NO. １の磁器コン
デンサの製造方法を詳しく説明する。まず、ｘ＝０．
３、ｙ＝０．６５、ｚ＝０．０５に従う０．３ＢａＯ＋
０．６５ＴｉＯ2 ＋０．０５ＲｅＯ3/2 を得ることがで
きるように、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 とＮｄ2 Ｏ3 とを秤
量し、ポリエチレン製ポットに水とともに入れ、湿式混
合後、脱水、乾燥した。この乾燥物を大気中で１０００
〜１２００℃にて２時間仮焼した。この仮焼により、Ｂ
ａＣＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 は酸化物になり、主成分の組成物
が得られる。
デンサの製造方法を詳しく説明する。まず、ｘ＝０．
３、ｙ＝０．６５、ｚ＝０．０５に従う０．３ＢａＯ＋
０．６５ＴｉＯ2 ＋０．０５ＲｅＯ3/2 を得ることがで
きるように、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 とＮｄ2 Ｏ3 とを秤
量し、ポリエチレン製ポットに水とともに入れ、湿式混
合後、脱水、乾燥した。この乾燥物を大気中で１０００
〜１２００℃にて２時間仮焼した。この仮焼により、Ｂ
ａＣＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 は酸化物になり、主成分の組成物
が得られる。
【００１１】一方、４０重量％の主成分以外の成分（以
下、副成分と言う）であるＳｉＯ2を３０重量％、Ｂａ
Ｏを１０重量％、ＺｎＯを１０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を９重
量％、Ｌｉ2 Ｏを１重量％の割合で得ることができるよ
うにＳｉＯ2 、ＢａＣＯ3 、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2
Ｏ3 を秤量し、ポリエチレン製ポットに水とともに入
れ、湿式混合後、脱水、乾燥した。この混合物を空気中
で８５０℃にて２時間仮焼した。なお、この仮焼によ
り、ＢａＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 は酸化物になり、副成分
の組成物が得られる。
下、副成分と言う）であるＳｉＯ2を３０重量％、Ｂａ
Ｏを１０重量％、ＺｎＯを１０重量％、Ｂ2 Ｏ3 を９重
量％、Ｌｉ2 Ｏを１重量％の割合で得ることができるよ
うにＳｉＯ2 、ＢａＣＯ3 、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｌｉ2
Ｏ3 を秤量し、ポリエチレン製ポットに水とともに入
れ、湿式混合後、脱水、乾燥した。この混合物を空気中
で８５０℃にて２時間仮焼した。なお、この仮焼によ
り、ＢａＣＯ3 、Ｌｉ2 ＣＯ3 は酸化物になり、副成分
の組成物が得られる。
【００１２】次に、主成分の仮焼物と副成分の仮焼物と
を表１の試料NO. １の組成になるように秤量し、ポリエ
チレン製ポットに水とともに入れ、湿式混合後、脱水、
乾燥して原料粉末を得た。次に、この粉末に有機バイン
ダーを加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚
さ０．６ｍｍの円板状に５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加
圧成形して成形物を得た。次に、この成形物をジルコニ
アセッタ上にのせて空気中（酸化性雰囲気中）で９００
℃の温度で焼成した。この焼成で得られた磁器の組成は
表１の試料NO. １に示す組成を有する。
を表１の試料NO. １の組成になるように秤量し、ポリエ
チレン製ポットに水とともに入れ、湿式混合後、脱水、
乾燥して原料粉末を得た。次に、この粉末に有機バイン
ダーを加えて造粒し、この造粒物を直径９．８ｍｍ、厚
さ０．６ｍｍの円板状に５００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力で加
圧成形して成形物を得た。次に、この成形物をジルコニ
アセッタ上にのせて空気中（酸化性雰囲気中）で９００
℃の温度で焼成した。この焼成で得られた磁器の組成は
表１の試料NO. １に示す組成を有する。
【００１３】次に、図１に示す磁器コンデンサ１０を得
るために、焼成で得られた円板状誘電体磁器基体１２の
両主面に銀ペーストを塗布して焼付けることによって一
対のコンデンサ電極１４、１６を形成した。
るために、焼成で得られた円板状誘電体磁器基体１２の
両主面に銀ペーストを塗布して焼付けることによって一
対のコンデンサ電極１４、１６を形成した。
【００１４】次に、完成した磁器コンデンサ１０の比誘
電率εr 、Ｑ、比誘電率の温度係数を求めたところ、表
３の試料NO. １の欄に示すように、εr は１１．５、Ｑ
は１６００、−２５〜＋２０℃の範囲での温度係数Ｔε
-25 は−５３ｐｐｍ／℃、＋２０〜８５℃の範囲での温
度係数Ｔε+85 は−５０ｐｐｍ／℃であった。なお、比
誘電率εr 及びＱは２０℃、１ＭＨｚ、１Ｖの電圧を電
極１４、１６間に印加の条件で測定した。また、比誘電
率の温度係数Ｔε-25 及びＴε+85 は１ＭＨｚ、電圧１
Ｖの条件で磁器コンデンサの温度を−２５℃及び＋８５
℃に変化させた時の誘電率εr の変化を測定し、次の式
に従って決定した。 Ｔε-25 ＝｛（εr20 −εr-25）／εr20 ｝／４５ Ｔε+85 ＝｛（εr20 −εr+85）／εr20 ｝／６５ なお、εr20 は＋２０℃の時の比誘電率を示し、εr-25
は−２５℃の時の比誘電率を示し、εr+85は＋８５℃の
時の比誘電率を示す。
電率εr 、Ｑ、比誘電率の温度係数を求めたところ、表
３の試料NO. １の欄に示すように、εr は１１．５、Ｑ
は１６００、−２５〜＋２０℃の範囲での温度係数Ｔε
-25 は−５３ｐｐｍ／℃、＋２０〜８５℃の範囲での温
度係数Ｔε+85 は−５０ｐｐｍ／℃であった。なお、比
誘電率εr 及びＱは２０℃、１ＭＨｚ、１Ｖの電圧を電
極１４、１６間に印加の条件で測定した。また、比誘電
率の温度係数Ｔε-25 及びＴε+85 は１ＭＨｚ、電圧１
Ｖの条件で磁器コンデンサの温度を−２５℃及び＋８５
℃に変化させた時の誘電率εr の変化を測定し、次の式
に従って決定した。 Ｔε-25 ＝｛（εr20 −εr-25）／εr20 ｝／４５ Ｔε+85 ＝｛（εr20 −εr+85）／εr20 ｝／６５ なお、εr20 は＋２０℃の時の比誘電率を示し、εr-25
は−２５℃の時の比誘電率を示し、εr+85は＋８５℃の
時の比誘電率を示す。
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】試料NO. ２〜４３においても、誘電体磁器
の組成を表１及び表２に示すように変えた他は試料NO.
１と同一の方法で磁器コンデンサを作製し、また試料N
O. １と同一の方法でεr 、Ｑ、Ｔε-25 、Ｔε+85 を
測定したところ、表３及び表４に示す結果が得られた。
の組成を表１及び表２に示すように変えた他は試料NO.
１と同一の方法で磁器コンデンサを作製し、また試料N
O. １と同一の方法でεr 、Ｑ、Ｔε-25 、Ｔε+85 を
測定したところ、表３及び表４に示す結果が得られた。
【００１８】表１〜表４の試料NO. １〜１７、２４〜３
３から明らかなように、本発明に従う組成の磁器を使用
すると、比誘電率εr が６．７〜１１．７、Ｑが１００
０〜１４００、比誘電率の温度係数Ｔε-25 、Ｔε+85
が−６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の範囲のコンデ
ンサを得ることができる。一方、本発明で特定された組
成範囲に属さない試料NO. １８〜２３、３４〜４３では
所望の特性を得ることができない。従って、これ等は比
較例である。
３から明らかなように、本発明に従う組成の磁器を使用
すると、比誘電率εr が６．７〜１１．７、Ｑが１００
０〜１４００、比誘電率の温度係数Ｔε-25 、Ｔε+85
が−６０ｐｐｍ／℃〜＋６０ｐｐｍ／℃の範囲のコンデ
ンサを得ることができる。一方、本発明で特定された組
成範囲に属さない試料NO. １８〜２３、３４〜４３では
所望の特性を得ることができない。従って、これ等は比
較例である。
【００１９】次に、本発明の高周波誘電体磁器の組成の
限定理由を説明する。
限定理由を説明する。
【００２０】試料NO. １８に示す様にＢａＯのモル比ｘ
が０．０１の場合には９００℃で焼結しないが、試料N
O. ３及び４に示す様にｘが０．０２になると所望の特
性を得ることができる。従って、ｘの下限は０．０２で
ある。試料NO. １９に示す様にｘが０．４の場合には９
００℃で焼結しないが、試料NO. ６に示すようにｘが
０．３の場合には所望の特性を得ることができる。従っ
て、ｘの上限は０．３である。
が０．０１の場合には９００℃で焼結しないが、試料N
O. ３及び４に示す様にｘが０．０２になると所望の特
性を得ることができる。従って、ｘの下限は０．０２で
ある。試料NO. １９に示す様にｘが０．４の場合には９
００℃で焼結しないが、試料NO. ６に示すようにｘが
０．３の場合には所望の特性を得ることができる。従っ
て、ｘの上限は０．３である。
【００２１】試料NO. ２０に示す様に、ＴｉＯ2のモル
比を示すｙが０．３の場合には比誘電率の温度係数Ｔε
-25 、Ｔε+85 が所望の範囲から外れるが、試料NO. ５
及び６に示す様にｙが０．４の場合には所望の特性を得
ることができる。従って、ｙの下限は０．４である。試
料NO. ２１に示す様にy が０．９の場合にはＴε-25、
Ｔε＋85 が共に所望の範囲から外れるが、試料NO. ２
及び３に示す様にｙが０．８５の場合には所望の特性が
得られる。従って、ｙの上限は０．８５である。
比を示すｙが０．３の場合には比誘電率の温度係数Ｔε
-25 、Ｔε+85 が所望の範囲から外れるが、試料NO. ５
及び６に示す様にｙが０．４の場合には所望の特性を得
ることができる。従って、ｙの下限は０．４である。試
料NO. ２１に示す様にy が０．９の場合にはＴε-25、
Ｔε＋85 が共に所望の範囲から外れるが、試料NO. ２
及び３に示す様にｙが０．８５の場合には所望の特性が
得られる。従って、ｙの上限は０．８５である。
【００２２】試料NO. ２２に示す様に、ＲｅＯ3/2 のモ
ル比を示すｚが０．０３の場合にはＴε-25 、Ｔε+85
が所望の範囲から外れるが、試料NO. １及び２に示す様
にｚが０．０５の場合には所望の特性が得られる。従っ
て、ｚの下限は０．０５である。試料NO. ２３に示す様
にｚが０．５２の場合にはＴε-25 、Ｔε+85 が所望の
範囲から外れるが、試料NO. ４及び５に示す様にｚが
０．５の場合には所望の特性が得られる。従って、ｚの
上限は０．５である。
ル比を示すｚが０．０３の場合にはＴε-25 、Ｔε+85
が所望の範囲から外れるが、試料NO. １及び２に示す様
にｚが０．０５の場合には所望の特性が得られる。従っ
て、ｚの下限は０．０５である。試料NO. ２３に示す様
にｚが０．５２の場合にはＴε-25 、Ｔε+85 が所望の
範囲から外れるが、試料NO. ４及び５に示す様にｚが
０．５の場合には所望の特性が得られる。従って、ｚの
上限は０．５である。
【００２３】試料NO. ４２に示す様に主成分が１５重量
％の場合にはＱが所定値よりも低く、且つＴε-25 、Ｔ
ε+85 が所定範囲から外れるが、試料NO. ３２に示す様
に主成分が２０重量％の場合には所望の特性が得られ
る。従って、主成分の下限は２０重量％である。試料N
O. ４３に示す様に主成分が７４重量％の場合には９０
０℃で焼結しないが、試料NO. ３３に示す様に主成分が
７０重量％の場合には所望の特性が得られる。従って、
主成分の上限は７０重量％である。
％の場合にはＱが所定値よりも低く、且つＴε-25 、Ｔ
ε+85 が所定範囲から外れるが、試料NO. ３２に示す様
に主成分が２０重量％の場合には所望の特性が得られ
る。従って、主成分の下限は２０重量％である。試料N
O. ４３に示す様に主成分が７４重量％の場合には９０
０℃で焼結しないが、試料NO. ３３に示す様に主成分が
７０重量％の場合には所望の特性が得られる。従って、
主成分の上限は７０重量％である。
【００２４】試料NO. ３４に示す様にＳｉＯ2 が５重量
％の場合にはＱが所望値よりも低くなるが、試料NO. ２
４に示す様にＳｉＯ2 が１０重量％になると所望の特性
が得られる。従って、ＳｉＯ2 の下限は１０重量％であ
る。試料NO. ３５に示す様にＳｉＯ2 が６０重量％の場
合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２５に示す様
にＳｉＯ2 が５５重量％の場合には所望の特性が得られ
る。従って、ＳｉＯ2の上限は５５重量％である。
％の場合にはＱが所望値よりも低くなるが、試料NO. ２
４に示す様にＳｉＯ2 が１０重量％になると所望の特性
が得られる。従って、ＳｉＯ2 の下限は１０重量％であ
る。試料NO. ３５に示す様にＳｉＯ2 が６０重量％の場
合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２５に示す様
にＳｉＯ2 が５５重量％の場合には所望の特性が得られ
る。従って、ＳｉＯ2の上限は５５重量％である。
【００２５】試料NO. ３６に示す様にＣａＯ、ＳｒＯ、
ＢａＯ、ＺｎＯからなる２族金属酸化物の合計が０．５
重量％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２
６に示す様に上記の２族金属酸化物の合計が１重量％の
場合には所望の特性が得られる。従って、上記の２族金
属酸化物の下限は１重量％である。試料NO. ３７に示す
様に上記の２族金属酸化物の合計が５０重量％の場合に
はＱが所望値よりも小さくなるが、試料NO. ２７に示す
様に上記の２族金属酸化物の合計が４０重量％の場合に
は所望の特性が得られる。従って、２族金属酸化物の上
限は４０重量％である。
ＢａＯ、ＺｎＯからなる２族金属酸化物の合計が０．５
重量％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２
６に示す様に上記の２族金属酸化物の合計が１重量％の
場合には所望の特性が得られる。従って、上記の２族金
属酸化物の下限は１重量％である。試料NO. ３７に示す
様に上記の２族金属酸化物の合計が５０重量％の場合に
はＱが所望値よりも小さくなるが、試料NO. ２７に示す
様に上記の２族金属酸化物の合計が４０重量％の場合に
は所望の特性が得られる。従って、２族金属酸化物の上
限は４０重量％である。
【００２６】試料NO. ３８に示す様にＢ2 Ｏ3 が２重量
％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２８に
示す様にＢ2 Ｏ3 が３重量％の場合には所望の特性が得
られる。従って、Ｂ2 Ｏ3 の下限は３重量％である。試
料NO. ２９に示す様にＢ2 Ｏ3 が３５重量％の場合には
９００℃で焼結しないが、試料NO. ２９に示す様にＢ2
Ｏ3 が３０重量％の場合には所望の特性が得られる。従
って、Ｂ2 Ｏ3 の上限は３０重量％である。
％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２８に
示す様にＢ2 Ｏ3 が３重量％の場合には所望の特性が得
られる。従って、Ｂ2 Ｏ3 の下限は３重量％である。試
料NO. ２９に示す様にＢ2 Ｏ3 が３５重量％の場合には
９００℃で焼結しないが、試料NO. ２９に示す様にＢ2
Ｏ3 が３０重量％の場合には所望の特性が得られる。従
って、Ｂ2 Ｏ3 の上限は３０重量％である。
【００２７】試料NO. ４０に示す様にＬｉ2 Ｏが０．０
５重量％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO.
３０に示す様にＬｉ2 Ｏが０．１重量％の場合には所望
の特性が得られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの下限は０．１重
量％である。試料NO. ４１に示す様にＬｉ2 Ｏが４重量
％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２９及
び３１に示す様にＬｉ2 Ｏが３重量％の場合には所望の
特性が得られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの上限は３重量％で
ある。
５重量％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO.
３０に示す様にＬｉ2 Ｏが０．１重量％の場合には所望
の特性が得られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの下限は０．１重
量％である。試料NO. ４１に示す様にＬｉ2 Ｏが４重量
％の場合には９００℃で焼結しないが、試料NO. ２９及
び３１に示す様にＬｉ2 Ｏが３重量％の場合には所望の
特性が得られる。従って、Ｌｉ2 Ｏの上限は３重量％で
ある。
【００２８】
【第２の実施例】第１の実施例の試料NO. １〜１７、及
び２４〜３３と同一の組成の誘電体磁器を使用して図２
に示す高周波用積層磁器コンデンサ１８を複数種類作成
した。図２の積層磁器コンデンサ１８は、誘電体磁器基
体２０と、第１及び第２の内部電極２２、２４と、これ
等が接続された第１及び第２の外部電極２６、２８とか
ら成る。この実施例では、本発明に従う組成の磁器材料
のグリーンシート（未焼成磁器シート）を作製し、これ
に内部電極２２、２４を得るための銀ペーストを塗布
し、これ等を積層し、且つ上下に電極層を有さないカバ
ーシート（グリーンシート）を配置し、これ等を圧着し
た後にカットして所望の成形体を得、これを大気中で９
００℃で焼成して磁器基体２０を得、この両側面に銀ペ
ーストを塗布して焼付けることによって磁器コンデンサ
を完成させた。この様に構成した積層磁器コンデンサに
おいても、第１の実施例と同様な特性が得られた。
び２４〜３３と同一の組成の誘電体磁器を使用して図２
に示す高周波用積層磁器コンデンサ１８を複数種類作成
した。図２の積層磁器コンデンサ１８は、誘電体磁器基
体２０と、第１及び第２の内部電極２２、２４と、これ
等が接続された第１及び第２の外部電極２６、２８とか
ら成る。この実施例では、本発明に従う組成の磁器材料
のグリーンシート（未焼成磁器シート）を作製し、これ
に内部電極２２、２４を得るための銀ペーストを塗布
し、これ等を積層し、且つ上下に電極層を有さないカバ
ーシート（グリーンシート）を配置し、これ等を圧着し
た後にカットして所望の成形体を得、これを大気中で９
００℃で焼成して磁器基体２０を得、この両側面に銀ペ
ーストを塗布して焼付けることによって磁器コンデンサ
を完成させた。この様に構成した積層磁器コンデンサに
おいても、第１の実施例と同様な特性が得られた。
【００２９】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 誘電体磁器の成分であるＢａＯ、ＴｉＯ2 、Ｒ
ｅＯ3/2 、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏを得るための出発原料は、酸化物、水
酸化物、炭酸塩、元素等から種々選択することができ
る。またＳｉＯ2 もこれ以外の化合物又は元素を出発材
料とすることができる。 （２） 磁器の焼成温度を例えば８００〜１４００℃の
範囲から選択することができる。 （３） 誘電体共振器、誘電体フィルタの誘電体ブロッ
クにも本発明の磁器を使用することができる。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 誘電体磁器の成分であるＢａＯ、ＴｉＯ2 、Ｒ
ｅＯ3/2 、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯ、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｌｉ2 Ｏを得るための出発原料は、酸化物、水
酸化物、炭酸塩、元素等から種々選択することができ
る。またＳｉＯ2 もこれ以外の化合物又は元素を出発材
料とすることができる。 （２） 磁器の焼成温度を例えば８００〜１４００℃の
範囲から選択することができる。 （３） 誘電体共振器、誘電体フィルタの誘電体ブロッ
クにも本発明の磁器を使用することができる。
【図１】第１の実施例の磁器コンデンサを示す正面図で
ある。
ある。
【図２】第２の実施例の積層磁器コンデンサを示す断面
図である。
図である。
１２ 磁器基体 １４、１６ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】ｘＢａＯ＋ｙＴｉＯ2 ＋ｚＲｅＯ3/2 但し、ｘ、ｙ、ｚは０．０２≦ｘ≦０．３ ０．４≦ｙ≦０．８５ ０．０５≦ｚ≦０．５ ｘ＋ｙ＋ｚ＝１ を満足する数値、 ＲｅはＬａ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｅr 、Ｙ
ｂから選択された１種以上の希土類元素、 からなる２０〜７０重量％の主成分と、 １０〜５５重量％のＳｉＯ2 と、 １〜４０重量％のＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、ＺｎＯから
選択された一種以上の２族金属酸化物と、 ３〜３０重量％のＢ2Ｏ3 と、 ０．１〜３．０重量％のＬｉ2Ｏとを含み、且つＭｇＯ
及びニオブ酸化物を含まない誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25069892A JP3325051B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25069892A JP3325051B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676627A JPH0676627A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3325051B2 true JP3325051B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=17211716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25069892A Ceased JP3325051B2 (ja) | 1992-08-26 | 1992-08-26 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3325051B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5668076A (en) * | 1994-04-26 | 1997-09-16 | Mitsui Mining Smelting Co., Ltd. Et Al. | Photocatalyst and method for preparing the same |
| US5827792A (en) * | 1994-08-30 | 1998-10-27 | Ube Industries, Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US6485672B1 (en) * | 1999-02-26 | 2002-11-26 | Tdk Corporation | Method of manufacturing dielectric ceramic composition and electronic device containing dielectric layer |
| JP4837204B2 (ja) * | 2001-05-01 | 2011-12-14 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びそれを用いた磁器コンデンサ並びにそれらの製造方法 |
| JP4907850B2 (ja) * | 2003-06-11 | 2012-04-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 低温焼成誘電体磁器組成物及びその製造方法 |
| KR100768662B1 (ko) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 세라믹 원료 조성물, 세라믹 기판 및 비가역 회로소자 |
-
1992
- 1992-08-26 JP JP25069892A patent/JP3325051B2/ja not_active Ceased
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0676627A (ja) | 1994-03-18 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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