JP3333017B2 - 温度補償用誘電体磁器組成物 - Google Patents
温度補償用誘電体磁器組成物Info
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- JP3333017B2 JP3333017B2 JP26336393A JP26336393A JP3333017B2 JP 3333017 B2 JP3333017 B2 JP 3333017B2 JP 26336393 A JP26336393 A JP 26336393A JP 26336393 A JP26336393 A JP 26336393A JP 3333017 B2 JP3333017 B2 JP 3333017B2
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- dielectric
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は温度補償用誘電体磁器組
成物に係り、特に誘電率が５０〜２００と小さく、誘電
率温度係数が−７５０ｐｐｍ／℃〜−２７００ｐｐｍ／
℃と比較的大きく、誘電体損失は小さく即ちＱが５００
０以上であって、破壊電圧強度は１４ＫＶ／ｍｍ以上と
大きい温度補償用誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
成物に係り、特に誘電率が５０〜２００と小さく、誘電
率温度係数が−７５０ｐｐｍ／℃〜−２７００ｐｐｍ／
℃と比較的大きく、誘電体損失は小さく即ちＱが５００
０以上であって、破壊電圧強度は１４ＫＶ／ｍｍ以上と
大きい温度補償用誘電体磁器組成物に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、温度補償用誘電体材料で誘電率温
度係数の比較的大きな組成系としてＳｒＴｉＯ3 −Ｃａ
ＴｉＯ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系や、ＣａＴｉＯ3
−Ｂｉ 2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 −Ｌａ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系
の磁器組成物が広く用いられている。
度係数の比較的大きな組成系としてＳｒＴｉＯ3 −Ｃａ
ＴｉＯ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系や、ＣａＴｉＯ3
−Ｂｉ 2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 −Ｌａ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系
の磁器組成物が広く用いられている。
【０００３】これらの組成系での誘電率温度係数はＪＩ
Ｓ（日本工業規格）に規定するところのＵ特性（−７５
０ｐｐｍ／℃）〜Ｘ特性（−２２００ｐｐｍ／℃）であ
り、誘電率は１６０〜２５０と比較的大きかった。
Ｓ（日本工業規格）に規定するところのＵ特性（−７５
０ｐｐｍ／℃）〜Ｘ特性（−２２００ｐｐｍ／℃）であ
り、誘電率は１６０〜２５０と比較的大きかった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近になって、電子回
路に使用されているＩＣの温度補償用に小容量（０．５
ＰＦ〜１０ＰＦ）で大きな温度係数（−７５０ｐｐｍ／
℃〜−２７００ｐｐｍ／℃）のチップ状の積層型磁器コ
ンデンサが必要になっている。しかし従来の組成系では
誘電率が大きいため、誘電率を小さくすると、誘電率温
度係数が小さくなるという問題があった。
路に使用されているＩＣの温度補償用に小容量（０．５
ＰＦ〜１０ＰＦ）で大きな温度係数（−７５０ｐｐｍ／
℃〜−２７００ｐｐｍ／℃）のチップ状の積層型磁器コ
ンデンサが必要になっている。しかし従来の組成系では
誘電率が大きいため、誘電率を小さくすると、誘電率温
度係数が小さくなるという問題があった。
【０００５】また、従来の組成系では、誘電体の成分の
１つであるＢｉ2 Ｏ3 が、積層型磁器コンデンサの内部
電極であるパラジュウム、または銀−パラジュウム合金
と反応を起こし、電極としての機能を失ってしまう。そ
のため内部電極として高価な白金を使用しなければなら
ず、これが積層型磁器コンデンサのコストアップの要因
となっていた。
１つであるＢｉ2 Ｏ3 が、積層型磁器コンデンサの内部
電極であるパラジュウム、または銀−パラジュウム合金
と反応を起こし、電極としての機能を失ってしまう。そ
のため内部電極として高価な白金を使用しなければなら
ず、これが積層型磁器コンデンサのコストアップの要因
となっていた。
【０００６】従って、本発明の目的は誘電率は小さく、
誘電率温度係数は負に大きく、また誘電体損失が小さ
く、破壊電圧強度が大きく、さらにその組成にビスマス
を含有せず、優れた温度補償用誘電体磁器組成物を提供
するものである。
誘電率温度係数は負に大きく、また誘電体損失が小さ
く、破壊電圧強度が大きく、さらにその組成にビスマス
を含有せず、優れた温度補償用誘電体磁器組成物を提供
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者は鋭意研究の結果、 ＢａＴｉＯ3 ：６１．５〜３７．５ｍｏｌ％ Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ：６２．５〜３８．５ｍｏｌ％ を主成分とする組成物に対して、添加物として、ＭｎＯ
に換算して０．０５ｗｔ％〜０．３５ｗｔ％、ＳｒＴｉ
Ｏ3 を０．５ｗｔ％〜９．０ｗｔ％含有する磁器組成物
が、前記目的に沿うことを見出した。
め、本発明者は鋭意研究の結果、 ＢａＴｉＯ3 ：６１．５〜３７．５ｍｏｌ％ Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ：６２．５〜３８．５ｍｏｌ％ を主成分とする組成物に対して、添加物として、ＭｎＯ
に換算して０．０５ｗｔ％〜０．３５ｗｔ％、ＳｒＴｉ
Ｏ3 を０．５ｗｔ％〜９．０ｗｔ％含有する磁器組成物
が、前記目的に沿うことを見出した。
【０００８】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温で誘電率が約５０〜２００と小さく、誘電
率温度係数は−７５０ｐｐｍ／℃〜−２７００ｐｐｍ／
℃と比較的大きく、誘電体損失（ｔａｎδ）は０．０２
％以下、Ｑ値に換算して５０００以上であって、破壊電
圧強度はＤＣ１４ＫＶ／ｍｍ以上と高く優れた特性の温
度補償用誘電体磁器組成物を得ることができた。
により、常温で誘電率が約５０〜２００と小さく、誘電
率温度係数は−７５０ｐｐｍ／℃〜−２７００ｐｐｍ／
℃と比較的大きく、誘電体損失（ｔａｎδ）は０．０２
％以下、Ｑ値に換算して５０００以上であって、破壊電
圧強度はＤＣ１４ＫＶ／ｍｍ以上と高く優れた特性の温
度補償用誘電体磁器組成物を得ることができた。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例を図１〜図５を用いて説明
する。図１は本発明の温度補償用誘電体磁器組成物の製
造工程図、図２はＢａＴｉＯ 3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ
2 系の誘電率温度係数（ＴＣ）説明図、図３はＢａＴｉ
Ｏ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率説明図、図４
はＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ 2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系のＱ特性説
明図、図５は４５ＢａＴｉＯ3 −５５Ｎｄ2 Ｏ 3 ・２Ｔ
ｉＯ2 ＋ＳｒＴｉＯ3 系の破壊電圧強度（ＤＣＥｂ）説
明図を示す。
する。図１は本発明の温度補償用誘電体磁器組成物の製
造工程図、図２はＢａＴｉＯ 3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ
2 系の誘電率温度係数（ＴＣ）説明図、図３はＢａＴｉ
Ｏ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率説明図、図４
はＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ 2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系のＱ特性説
明図、図５は４５ＢａＴｉＯ3 −５５Ｎｄ2 Ｏ 3 ・２Ｔ
ｉＯ2 ＋ＳｒＴｉＯ3 系の破壊電圧強度（ＤＣＥｂ）説
明図を示す。
【００１０】本発明の温度補償用誘電体磁器組成物の製
造工程として以下に説明するように図１（ａ）又は図１
（ｂ）のいずれかの製造工程で製造することができる。
なお、図１（ａ）または図１（ｂ）の各工程番号はカッ
コ内に示す。
造工程として以下に説明するように図１（ａ）又は図１
（ｂ）のいずれかの製造工程で製造することができる。
なお、図１（ａ）または図１（ｂ）の各工程番号はカッ
コ内に示す。
【００１１】まず、図１（ａ）の製造工程を説明する。
出発原料として、純度９８％以上のＢａＣＯ3 、ＴｉＯ
2 、純度５０％以上のＮｄ2 Ｏ3 （これにはＬａ
2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、Ｓｍ2 Ｏ3 等の希土類酸化物を含
む）、純度９８％以上のＭｎＣＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 をそ
れぞれ焼成後の組成が表１のようになるように秤量する
（Ｐ１）。
出発原料として、純度９８％以上のＢａＣＯ3 、ＴｉＯ
2 、純度５０％以上のＮｄ2 Ｏ3 （これにはＬａ
2 Ｏ3 、Ｐｒ6 Ｏ11、Ｓｍ2 Ｏ3 等の希土類酸化物を含
む）、純度９８％以上のＭｎＣＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 をそ
れぞれ焼成後の組成が表１のようになるように秤量する
（Ｐ１）。
【００１２】次に、これらを混合して（Ｐ２）、脱水、
乾燥を行う（Ｐ３）。そして、この原料を仮成形してか
ら１１８０℃〜１２００℃で仮焼成を行う（Ｐ４）。こ
の仮焼成後、仮焼成物を粉砕して（Ｐ５）、脱水、乾燥
を行う（Ｐ６）。
乾燥を行う（Ｐ３）。そして、この原料を仮成形してか
ら１１８０℃〜１２００℃で仮焼成を行う（Ｐ４）。こ
の仮焼成後、仮焼成物を粉砕して（Ｐ５）、脱水、乾燥
を行う（Ｐ６）。
【００１３】このようにして得られた材料に有機バイン
ダーを適当量加え、３ｔｏｎ／ｃｍ 2 の成形圧力で成形
し、直径１６．５ｍｍ、厚さ約０．６ｍｍの円板状成形
物を作成する。次にこの成形物を１２００℃〜１３８０
℃で２時間安定に本焼成を行う（Ｐ７）。
ダーを適当量加え、３ｔｏｎ／ｃｍ 2 の成形圧力で成形
し、直径１６．５ｍｍ、厚さ約０．６ｍｍの円板状成形
物を作成する。次にこの成形物を１２００℃〜１３８０
℃で２時間安定に本焼成を行う（Ｐ７）。
【００１４】得られた磁器組成物素体の両端面に銀電極
を焼き付け（Ｐ８）、この電極面にリード線を半田付け
してコンデンサとする（Ｐ９）。これらのコンデンサの
電気的特性を測定する（Ｐ１０）。
を焼き付け（Ｐ８）、この電極面にリード線を半田付け
してコンデンサとする（Ｐ９）。これらのコンデンサの
電気的特性を測定する（Ｐ１０）。
【００１５】次に、図１（ｂ）の製造工程を説明する。
出発原料として予め固相法または溶液法にて調製したＢ
ａＴｉＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ 3 ・２ＴｉＯ2 、ＳｒＴｉＯ3 、
ＭｎＣＯ3 をそれぞれ焼成後の組成が表１のようになる
ように秤量する（Ｐ１）。
出発原料として予め固相法または溶液法にて調製したＢ
ａＴｉＯ3 、Ｎｄ2 Ｏ 3 ・２ＴｉＯ2 、ＳｒＴｉＯ3 、
ＭｎＣＯ3 をそれぞれ焼成後の組成が表１のようになる
ように秤量する（Ｐ１）。
【００１６】次に、これらを混合、粉砕して（Ｐ２）、
脱水、乾燥を行う（Ｐ３）。このようにして得られた材
料に有機バインダーを適当量加え、３ｔｏｎ／ｃｍ 2 の
成形圧力で成形し、直径１６．５ｍｍ、厚さ約０．６ｍ
ｍの円板状成形物を作成する。次にこの成形物を１２０
０℃〜１３８０℃で２時間安定に本焼成を行う（Ｐ
４）。
脱水、乾燥を行う（Ｐ３）。このようにして得られた材
料に有機バインダーを適当量加え、３ｔｏｎ／ｃｍ 2 の
成形圧力で成形し、直径１６．５ｍｍ、厚さ約０．６ｍ
ｍの円板状成形物を作成する。次にこの成形物を１２０
０℃〜１３８０℃で２時間安定に本焼成を行う（Ｐ
４）。
【００１７】これで得られた磁器組成物素体の両端面に
銀電極を焼き付け（Ｐ５）、この電極面にリード線を半
田付けしてコンデンサとする（Ｐ６）。これらのコンデ
ンサの電気的特性を測定する（Ｐ７）。
銀電極を焼き付け（Ｐ５）、この電極面にリード線を半
田付けしてコンデンサとする（Ｐ６）。これらのコンデ
ンサの電気的特性を測定する（Ｐ７）。
【００１８】なお、図１（ａ）および図１（ｂ）での各
電気的特性の測定において、静電容量、ＱはＹＨＰ製Ｑ
メータ４３４２Ａを用いて周波数１ＭＨｚ電圧１Ｖ、室
温２０℃の条件での測定値である。また絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）はＤＣ５００Ｖ、１分後の条件で測定値を求めてい
る。
電気的特性の測定において、静電容量、ＱはＹＨＰ製Ｑ
メータ４３４２Ａを用いて周波数１ＭＨｚ電圧１Ｖ、室
温２０℃の条件での測定値である。また絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）はＤＣ５００Ｖ、１分後の条件で測定値を求めてい
る。
【００１９】各測定結果を表２に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】 ここで、表１、表２において、試料No. の欄の左に付し
た×印の試料No. １、６−１、６−５、６−６、６−１
１、９は本発明の範囲外であり、本発明と比較のために
示している。
た×印の試料No. １、６−１、６−５、６−６、６−１
１、９は本発明の範囲外であり、本発明と比較のために
示している。
【００２２】表１から明らかな如く、本発明の温度補償
用誘電体磁器組成物はＢａＴｉＯ3：６１．５〜３７．
５ｍｏｌ％、Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ：６２．５〜３
８．５ｍｏｌ％を主成分として、上記主成分に対してＭ
ｎＯに換算して：０．０５〜０．３５ｗｔ％、ＳｒＴｉ
Ｏ3 ：０．５〜９．０ｗｔ％含有するものである。
用誘電体磁器組成物はＢａＴｉＯ3：６１．５〜３７．
５ｍｏｌ％、Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ：６２．５〜３
８．５ｍｏｌ％を主成分として、上記主成分に対してＭ
ｎＯに換算して：０．０５〜０．３５ｗｔ％、ＳｒＴｉ
Ｏ3 ：０．５〜９．０ｗｔ％含有するものである。
【００２３】図２〜図５により本発明の組成範囲の数値
限定理由を表１および表２を参照して説明する。なお、
図２〜図５中各点の番号は表１および表２の試料No. と
一致する。
限定理由を表１および表２を参照して説明する。なお、
図２〜図５中各点の番号は表１および表２の試料No. と
一致する。
【００２４】図２はＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２Ｔｉ
Ｏ2 系の誘電率温度係数（ＴＣ）を示す。図３はＢａＴ
ｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率を示す。図
４はＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系のＱを示
す。図５は４５ＢａＴｉＯ3 −５５Ｎｄ2 Ｏ3 ・２Ｔｉ
Ｏ2 ＋ＳｒＴｉＯ3 系の破壊電圧強度（ＤＣＥｂ）を示
す。
Ｏ2 系の誘電率温度係数（ＴＣ）を示す。図３はＢａＴ
ｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率を示す。図
４はＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系のＱを示
す。図５は４５ＢａＴｉＯ3 −５５Ｎｄ2 Ｏ3 ・２Ｔｉ
Ｏ2 ＋ＳｒＴｉＯ3 系の破壊電圧強度（ＤＣＥｂ）を示
す。
【００２５】図２において、明らかなようにＢａＴｉＯ
3 が３７．５ｍｏｌ％未満であれば誘電率温度係数が−
７５０ｐｐｍ／℃より＋側へ移行し（試料No. ９参
照）、また、ＢａＴｉＯ3 が６１．５ｍｏｌ％を越える
と誘電率温度係数が−２７００ｐｐｍ／℃より−側へ移
行する（試料No. １参照）。
3 が３７．５ｍｏｌ％未満であれば誘電率温度係数が−
７５０ｐｐｍ／℃より＋側へ移行し（試料No. ９参
照）、また、ＢａＴｉＯ3 が６１．５ｍｏｌ％を越える
と誘電率温度係数が−２７００ｐｐｍ／℃より−側へ移
行する（試料No. １参照）。
【００２６】図３において、明らかなように、ＢａＴｉ
Ｏ3 が３７．５ｍｏｌ％未満であれば誘電率が５０以下
になり（試料No. ９参照）、また、ＢａＴｉＯ3 が６
１．５ｍｏｌ％を越えると誘電率が２００以上と高くな
る（試料No. １参照）。
Ｏ3 が３７．５ｍｏｌ％未満であれば誘電率が５０以下
になり（試料No. ９参照）、また、ＢａＴｉＯ3 が６
１．５ｍｏｌ％を越えると誘電率が２００以上と高くな
る（試料No. １参照）。
【００２７】図４において明らかなように、ＢａＴｉＯ
3 が３７．５ｍｏｌ％未満である場合、およびＢａＴｉ
Ｏ3 が６１．５ｍｏｌ％を越える場合はいずれもＱが低
下している（試料No. １、試料No. ９参照）。
3 が３７．５ｍｏｌ％未満である場合、およびＢａＴｉ
Ｏ3 が６１．５ｍｏｌ％を越える場合はいずれもＱが低
下している（試料No. １、試料No. ９参照）。
【００２８】そして、Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が３８．
５ｍｏｌ％未満であれば図２から明らかなように、誘電
率温度係数が−２７００ｐｐｍ／℃より−側へ移行し
（試料No. １参照）、またＮｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が６
２．５ｍｏｌ％を越えると誘電率温度係数が−７５０ｐ
ｐｍ／℃より＋側へ移行する（試料No. ９参照）。
５ｍｏｌ％未満であれば図２から明らかなように、誘電
率温度係数が−２７００ｐｐｍ／℃より−側へ移行し
（試料No. １参照）、またＮｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が６
２．５ｍｏｌ％を越えると誘電率温度係数が−７５０ｐ
ｐｍ／℃より＋側へ移行する（試料No. ９参照）。
【００２９】また、図３において明らかなようにＮｄ2
Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が３８．５ｍｏｌ％未満であれば誘電
率が２００以上となり（試料No. １参照）、また、Ｎｄ
2 Ｏ 3 ・２ＴｉＯ2 が６２．５ｍｏｌ％を越えると誘電
率が５０以下となる（試料No. ９参照）。
Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が３８．５ｍｏｌ％未満であれば誘電
率が２００以上となり（試料No. １参照）、また、Ｎｄ
2 Ｏ 3 ・２ＴｉＯ2 が６２．５ｍｏｌ％を越えると誘電
率が５０以下となる（試料No. ９参照）。
【００３０】また、図４において明らかなように、Ｎｄ
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が３８．５ｍｏｌ％未満である場
合、およびＮｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が６２．５ｍｏｌ％
を越える場合はいずれもＱが低下している（試料No.
１、試料No. ９参照）。
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が３８．５ｍｏｌ％未満である場
合、およびＮｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 が６２．５ｍｏｌ％
を越える場合はいずれもＱが低下している（試料No.
１、試料No. ９参照）。
【００３１】表１において、明らかなように、ＭｎＯに
換算した添加量は０．０５ｗｔ％未満では焼結性が悪化
し( 試料No. ６−１参照）、ＭｎＯに換算した添加量が
０．３５ｗｔ％を越えても焼結性は悪化し緻密な磁器が
得られず絶縁抵抗（ＩＲ）も悪化している（試料No. ６
−５参照）。
換算した添加量は０．０５ｗｔ％未満では焼結性が悪化
し( 試料No. ６−１参照）、ＭｎＯに換算した添加量が
０．３５ｗｔ％を越えても焼結性は悪化し緻密な磁器が
得られず絶縁抵抗（ＩＲ）も悪化している（試料No. ６
−５参照）。
【００３２】図５において、明らかなように、ＳｒＴｉ
Ｏ3 の添加量が０．５ｗｔ％未満であれば直流破壊電圧
強度（ＤＣＥｂ）が弱く（試料No. ６−６参照）、また
ＳｒＴｉＯ3 の添加量が９．０ｗｔ％を越えると焼結性
が悪くなり直流破壊電圧強度も低くなる（試料No. ６−
１１参照）。
Ｏ3 の添加量が０．５ｗｔ％未満であれば直流破壊電圧
強度（ＤＣＥｂ）が弱く（試料No. ６−６参照）、また
ＳｒＴｉＯ3 の添加量が９．０ｗｔ％を越えると焼結性
が悪くなり直流破壊電圧強度も低くなる（試料No. ６−
１１参照）。
【００３３】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、常温で誘
電率が約５０〜２００と小さく、誘電率損失が小さくＱ
値に換算して５０００以上であり、さらに破壊電圧強度
はＤＣ１４ＫＶ／ｍｍ以上と高くチップ状の小容量の積
層型磁器コンデンサに適した温度補償用誘電体磁器組成
物を得ることができる。
電率が約５０〜２００と小さく、誘電率損失が小さくＱ
値に換算して５０００以上であり、さらに破壊電圧強度
はＤＣ１４ＫＶ／ｍｍ以上と高くチップ状の小容量の積
層型磁器コンデンサに適した温度補償用誘電体磁器組成
物を得ることができる。
【００３４】さらに、この誘電体磁器組成物中にパラジ
ュウムまたは銀−パラジュウム合金と反応し易いビスマ
スを含有しないため、この組成物を誘電体層として積層
コンデンサを製造する場合、内部電極としてパラジュウ
ム単独または銀−パラジュウム合金の使用が可能とな
る。
ュウムまたは銀−パラジュウム合金と反応し易いビスマ
スを含有しないため、この組成物を誘電体層として積層
コンデンサを製造する場合、内部電極としてパラジュウ
ム単独または銀−パラジュウム合金の使用が可能とな
る。
【００３５】従って、高価な白金または白金パラジュウ
ム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウン
が実現でき、工業上の利益は計りしれないものがある。
ム合金を用いる必要がなく、製品の大幅なコストダウン
が実現でき、工業上の利益は計りしれないものがある。
【図１】本発明の一実施例における温度補償用誘電体磁
器組成物の製造工程図である。
器組成物の製造工程図である。
【図２】本発明の一実施例におけるＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率温度係数を示した図であ
る。
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率温度係数を示した図であ
る。
【図３】本発明の一実施例におけるＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率を示した図である。
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系の誘電率を示した図である。
【図４】本発明の一実施例におけるＢａＴｉＯ3 −Ｎｄ
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系のＱを示した図である。
2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 系のＱを示した図である。
【図５】本発明の一実施例における４５ＢａＴｉＯ3 −
５５Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ＋ＳｒＴｉＯ3 系の破壊電
圧強度を示した図である。
５５Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ＋ＳｒＴｉＯ3 系の破壊電
圧強度を示した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/12 C04B 35/46 H01G 4/12
Claims (1)
- 【請求項１】 ＢａＴｉＯ3 ：６１．５〜３７．５ｍｏ
ｌ％ Ｎｄ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ：３８．５〜６２．５ｍｏｌ％ を主成分とする組成物に対して、 添加物として ＭｎＯに換算して０．０５〜０．３５ｗｔ％ ＳｒＴｉＯ3 を ０．５〜９．０ｗｔ％ 含有させたことを特徴とする温度補償用誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26336393A JP3333017B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26336393A JP3333017B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07122114A JPH07122114A (ja) | 1995-05-12 |
| JP3333017B2 true JP3333017B2 (ja) | 2002-10-07 |
Family
ID=17388452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP26336393A Expired - Fee Related JP3333017B2 (ja) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
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1993
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