JPH05109319A - 高誘電率誘電体磁器組成物 - Google Patents
高誘電率誘電体磁器組成物Info
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- JPH05109319A JPH05109319A JP3269431A JP26943191A JPH05109319A JP H05109319 A JPH05109319 A JP H05109319A JP 3269431 A JP3269431 A JP 3269431A JP 26943191 A JP26943191 A JP 26943191A JP H05109319 A JPH05109319 A JP H05109319A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は高誘電率誘電体磁器組成物に関し、
広い温度範囲にわたって誘電率の変化が少なく、誘電体
損失が小さく、その組成にビスマスを含有しない高誘電
率誘電体磁器組成物を提供することである。 【構成】 主成分として、ＢａＴｉＯ3 ：９4.０〜９9.
０モル％、Ｔａ2 Ｏ5 ：0.５〜3.０モル％、ＺｎＯ：0.
５〜3.０モル％の範囲からなる組成物である。
広い温度範囲にわたって誘電率の変化が少なく、誘電体
損失が小さく、その組成にビスマスを含有しない高誘電
率誘電体磁器組成物を提供することである。 【構成】 主成分として、ＢａＴｉＯ3 ：９4.０〜９9.
０モル％、Ｔａ2 Ｏ5 ：0.５〜3.０モル％、ＺｎＯ：0.
５〜3.０モル％の範囲からなる組成物である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高誘電率誘電体磁器組成
物に係り、特に広い温度範囲にわたって誘電率の変化が
小さく、かつ誘電体損失が小さい優れた特性を有する高
誘電率誘電体磁器組成物に関する。
物に係り、特に広い温度範囲にわたって誘電率の変化が
小さく、かつ誘電体損失が小さい優れた特性を有する高
誘電率誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、誘電率が高く、その温度変化の小
さな誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3 ）にビスマス化合物、例えばＢｉ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｎＯやＢｉ2 Ｏ3 ・２ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ3 やＮｂ2 Ｏ
5 等を添加してその温度特性変化率を小さくしたものが
使用されていた。
さな誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ3 ）にビスマス化合物、例えばＢｉ2 Ｏ3 ・２Ｓ
ｎＯやＢｉ2 Ｏ3 ・２ＺｒＯ2 とＴａ2 Ｏ3 やＮｂ2 Ｏ
5 等を添加してその温度特性変化率を小さくしたものが
使用されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの成
分を含む組成物では、誘電率を高くすると静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのずと限
界があった。
分を含む組成物では、誘電率を高くすると静電容量の変
化率が大きくなり、誘電率を大きくするにはおのずと限
界があった。
【０００４】このため、これらの組成物をコンデンサに
使用した場合、小型で大容量のものを得ることは困難で
あって、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定す
るＸ７Ｒ特性（−５５℃〜＋１２５℃で静電容量変化率
が±１５％以内）を満足するのが限界であった。
使用した場合、小型で大容量のものを得ることは困難で
あって、ＥＩＡＪ（日本電子機械工業会規約）に規定す
るＸ７Ｒ特性（−５５℃〜＋１２５℃で静電容量変化率
が±１５％以内）を満足するのが限界であった。
【０００５】また前記の組成物のようにビスマス化合物
を含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組
成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。さらにビ
スマスを含有するチタン酸バリウム積層型磁器コンデン
サを作成した場合、内部電極であるパラジウム、または
銀─パラジウム合金と誘電体の成分であるビスマスが反
応を起こし、電極としての機能を失うため、内部電極と
してビスマスと反応し難い高価な白金等を使用しなけれ
ばならず、積層型磁器コンデンサのコストアップの要因
になっていた。
を含むものは、焼成時にビスマス成分が蒸発し、磁器組
成物素体に屈曲を生じたりする問題があった。さらにビ
スマスを含有するチタン酸バリウム積層型磁器コンデン
サを作成した場合、内部電極であるパラジウム、または
銀─パラジウム合金と誘電体の成分であるビスマスが反
応を起こし、電極としての機能を失うため、内部電極と
してビスマスと反応し難い高価な白金等を使用しなけれ
ばならず、積層型磁器コンデンサのコストアップの要因
になっていた。
【０００６】従って本発明の目的は、広い温度範囲にわ
たって誘電率の変化が少なく、誘電体損失の小さい上
に、その組成にビスマスを含有しない高誘電率誘電体磁
器組成物を提供するものである。
たって誘電率の変化が少なく、誘電体損失の小さい上
に、その組成にビスマスを含有しない高誘電率誘電体磁
器組成物を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として ＢａＴｉＯ3 ： ９4.０〜９9.０モル％ Ｔａ2 Ｏ5 ： 0.５〜 3.０モル％ ＺｎＯ ： 0.５〜 3.０モル％ の範囲からなる組成物であり、また前記組成物１００に
対して、添加物として、ＣａＺｒＯ3 を0.２〜7.０重量
％含有するものである。これによりキュリー点の温度を
＋側にシフトすることができることを見出した。
め、本発明者等は鋭意研究の結果、主成分として ＢａＴｉＯ3 ： ９4.０〜９9.０モル％ Ｔａ2 Ｏ5 ： 0.５〜 3.０モル％ ＺｎＯ ： 0.５〜 3.０モル％ の範囲からなる組成物であり、また前記組成物１００に
対して、添加物として、ＣａＺｒＯ3 を0.２〜7.０重量
％含有するものである。これによりキュリー点の温度を
＋側にシフトすることができることを見出した。
【０００８】また、必要に応じてＬａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ
3 、Ｓｍ2 Ｏ3 のうち一種類を0.７重量％以下含有する
ことにより、その電気的特性が優れるものとなることを
見出した。
3 、Ｓｍ2 Ｏ3 のうち一種類を0.７重量％以下含有する
ことにより、その電気的特性が優れるものとなることを
見出した。
【０００９】さらにこれらにＭｎＯを0.３重量％以下、
またはＳｉＯ2 を0.３重量％以下含有することにより、
特性が一層向上することができる。
またはＳｉＯ2 を0.３重量％以下含有することにより、
特性が一層向上することができる。
【００１０】
【作用】本発明の組成の誘電体磁器組成物を用いること
により、常温での比誘電率（ε s ）が２０００〜４６０
０という高い値を有し、誘電体損失（tan δ）が1.２％
以下という小さい値であり、誘電率の温度変化は前記Ｘ
７Ｒ特性を満足するばかりでなく、さらにＥＩＡＪに規
定するＸ８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で
静電容量の変化率が±１５％以内）をも満足し、抗折強
度も強くなるというすぐれた特性を有する高誘電率誘電
体磁器組成物を得ることができた。
により、常温での比誘電率（ε s ）が２０００〜４６０
０という高い値を有し、誘電体損失（tan δ）が1.２％
以下という小さい値であり、誘電率の温度変化は前記Ｘ
７Ｒ特性を満足するばかりでなく、さらにＥＩＡＪに規
定するＸ８Ｒ特性（−５５℃〜＋１５０℃の温度範囲で
静電容量の変化率が±１５％以内）をも満足し、抗折強
度も強くなるというすぐれた特性を有する高誘電率誘電
体磁器組成物を得ることができた。
【００１１】なお、表１、表２は本発明の第一実施例で
ある前記主成分の組成物の特性を示すものであり、図１
は本発明の第一実施例の高誘電率誘電体磁器組成物の三
元組成図を示し、図２は本発明の第一実施例である前記
主成分の組成物の静電容量の温度特性カーブを示す。図
１の番号は、表１、表２の番号と同一であり、図２の番
号は、表１、表２の試料番号と同一である。
ある前記主成分の組成物の特性を示すものであり、図１
は本発明の第一実施例の高誘電率誘電体磁器組成物の三
元組成図を示し、図２は本発明の第一実施例である前記
主成分の組成物の静電容量の温度特性カーブを示す。図
１の番号は、表１、表２の番号と同一であり、図２の番
号は、表１、表２の試料番号と同一である。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【表２】
【００１４】表１、表２において×印を付したものは本
発明の範囲外のものであり、本発明の組成のものと比較
するために示している。これら表１、表２より明らかな
如く、ＢａＴｉＯ3 が９4.０モル％未満であると、比誘
電率が低くなる（試料Ｎo.９参照）。
発明の範囲外のものであり、本発明の組成のものと比較
するために示している。これら表１、表２より明らかな
如く、ＢａＴｉＯ3 が９4.０モル％未満であると、比誘
電率が低くなる（試料Ｎo.９参照）。
【００１５】またＢａＴｉＯ3 が９9.０モル％を超える
と誘電体素体が焼結せず、測定不能となる（試料Ｎo.１
参照）。Ｔａ2 Ｏ5 が0.５モル％未満であれば、これま
た同様に誘電体素体が焼結せず、測定不能となったり
（試料Ｎo.１参照）、静電容量温度変化率が大きい（試
料Ｎo.７参照）。
と誘電体素体が焼結せず、測定不能となる（試料Ｎo.１
参照）。Ｔａ2 Ｏ5 が0.５モル％未満であれば、これま
た同様に誘電体素体が焼結せず、測定不能となったり
（試料Ｎo.１参照）、静電容量温度変化率が大きい（試
料Ｎo.７参照）。
【００１６】Ｔａ2 Ｏ5 が3.０モル％を超えると、比誘
電率が低くなったり（試料Ｎo.９参照）、静電容量の温
度変化率が大きくなったりする（試料Ｎo.４参照）。Ｚ
ｎＯが0.５モル％未満であれば誘電体素体が焼結せず測
定不能となったり（試料Ｎo.１参照）、静電容量温度変
化率が大きくなったりする（試料Ｎo.４参照）。
電率が低くなったり（試料Ｎo.９参照）、静電容量の温
度変化率が大きくなったりする（試料Ｎo.４参照）。Ｚ
ｎＯが0.５モル％未満であれば誘電体素体が焼結せず測
定不能となったり（試料Ｎo.１参照）、静電容量温度変
化率が大きくなったりする（試料Ｎo.４参照）。
【００１７】ＺｎＯが3.０モル％を超えると、静電容量
の温度変化率が大きくなる（試料Ｎo.７，９参照）。
の温度変化率が大きくなる（試料Ｎo.７，９参照）。
【００１８】
【実施例】本発明の他の実施例を図３〜図７により説明
する。図３は本発明の他の実施例の高誘電率誘電体磁器
組成物の主成分の三元組成図、図４は本発明の高誘電率
誘電体磁器組成物の製造工程説明図、図５は本発明の他
の実施例における９８・ＢａＴｉＯ3 −１・Ｔａ2 Ｏ5
−１・ＺｎＯ系組成物に対するＣａＺｒＯ3 添加量別の
静電容量変化率の温度特性カーブ、図６は９８・ＢａＴ
ｉＯ3 −１・Ｔａ2 Ｏ5 −１・ＺｎＯ系組成物のＣａＺ
ｒＯ3 添加量と、キュリー点位置及び比誘電率の関係説
明図、図７は９８・ＢａＴｉＯ3 −１・Ｔａ2 Ｏ5 −１
・ＺｎＯ系組成物のＣａＺｒＯ3 添加量と抗折強度の関
係説明図である。
する。図３は本発明の他の実施例の高誘電率誘電体磁器
組成物の主成分の三元組成図、図４は本発明の高誘電率
誘電体磁器組成物の製造工程説明図、図５は本発明の他
の実施例における９８・ＢａＴｉＯ3 −１・Ｔａ2 Ｏ5
−１・ＺｎＯ系組成物に対するＣａＺｒＯ3 添加量別の
静電容量変化率の温度特性カーブ、図６は９８・ＢａＴ
ｉＯ3 −１・Ｔａ2 Ｏ5 −１・ＺｎＯ系組成物のＣａＺ
ｒＯ3 添加量と、キュリー点位置及び比誘電率の関係説
明図、図７は９８・ＢａＴｉＯ3 −１・Ｔａ2 Ｏ5 −１
・ＺｎＯ系組成物のＣａＺｒＯ3 添加量と抗折強度の関
係説明図である。
【００１９】出発原料として、ＢａＣＯ3 とＴｉＯ2 を
１：１のモル比で調合する（図４のイ参照）。調合した
出発原料に脱水乾燥処理を行う（図４のロ参照）。次に
これらの原料を仮成形し、昇温、降温期間を除いて１０
００〜１２００℃で２時間安定にして化学反応を行わ
せ、ＢａＴｉＯ3を形成する仮焼成を行う（図４のハ参
照）。このＢａＴｉＯ3 を例えばアトマイザー等で粉砕
する（図４のニ参照）。
１：１のモル比で調合する（図４のイ参照）。調合した
出発原料に脱水乾燥処理を行う（図４のロ参照）。次に
これらの原料を仮成形し、昇温、降温期間を除いて１０
００〜１２００℃で２時間安定にして化学反応を行わ
せ、ＢａＴｉＯ3を形成する仮焼成を行う（図４のハ参
照）。このＢａＴｉＯ3 を例えばアトマイザー等で粉砕
する（図４のニ参照）。
【００２０】このようにして得られたＢａＴｉＯ3 （１
±0.２μｍ）を焼成後の組成が、後記する表３〜表６の
ようになるように、ＢａＴｉＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｚｎ
Ｏ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、ＣａＺｒＯ
3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 等を秤量し（図４のホ参
照）、湿式混合し（図４のヘ参照）、脱水・乾燥する
（図４のト参照）。
±0.２μｍ）を焼成後の組成が、後記する表３〜表６の
ようになるように、ＢａＴｉＯ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｚｎ
Ｏ、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、ＣａＺｒＯ
3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 等を秤量し（図４のホ参
照）、湿式混合し（図４のヘ参照）、脱水・乾燥する
（図４のト参照）。
【００２１】これに有機バインダを適当量加え、約３ト
ン／cm2 の成形圧力で成形し、直径１6.５mm、厚さ約0.
６mmの円板状成形物を作成する。それからこの成形物を
１２２０〜１３４０℃で２時間安定にして本焼成を行う
（図４のチ参照）。
ン／cm2 の成形圧力で成形し、直径１6.５mm、厚さ約0.
６mmの円板状成形物を作成する。それからこの成形物を
１２２０〜１３４０℃で２時間安定にして本焼成を行う
（図４のチ参照）。
【００２２】このようにして得られた磁器組成物素体の
両端に銀電極を焼き付けてコンデンサを構成する（図４
のリ参照）。そしてこれらのコンデンサの各電気特性を
周波数１ＫＨｚ、室温２０℃の条件で測定する（図４の
ヌ参照）。
両端に銀電極を焼き付けてコンデンサを構成する（図４
のリ参照）。そしてこれらのコンデンサの各電気特性を
周波数１ＫＨｚ、室温２０℃の条件で測定する（図４の
ヌ参照）。
【００２３】各測定結果を表３〜表６に示す。
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】
【表５】
【００２７】
【表６】
【００２８】なお表３〜表６において×印を付した試料
Ｎo.１１，１３，１３−４，１３−７，１３−９，１３
−１１，１３−１３，１３−１６，１６，１８，１９は
本発明の範囲外のものであり、本発明の組成のものと比
較するために示している。
Ｎo.１１，１３，１３−４，１３−７，１３−９，１３
−１１，１３−１３，１３−１６，１６，１８，１９は
本発明の範囲外のものであり、本発明の組成のものと比
較するために示している。
【００２９】これら表３〜表６から明らかな如く、本発
明の他の実施例では誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉ
Ｏ3 ：９4.０〜９9.０モル％、Ｔａ2 Ｏ5 ：0.５〜3.０
モル％、ＺｎＯ：0.５〜3.０モル％を主成分とし、添加
物としてＣａＺｒＯ3 を0.２〜7.０重量％含有するもの
であり、必要に応じて添加物Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、
Ｓｍ2 Ｏ3 のうち一種類を0.７重量％以下含有するもの
である。勿論これらの添加物を複数種類含有してもよ
い。
明の他の実施例では誘電体磁器組成物は、ＢａＴｉ
Ｏ3 ：９4.０〜９9.０モル％、Ｔａ2 Ｏ5 ：0.５〜3.０
モル％、ＺｎＯ：0.５〜3.０モル％を主成分とし、添加
物としてＣａＺｒＯ3 を0.２〜7.０重量％含有するもの
であり、必要に応じて添加物Ｌａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、
Ｓｍ2 Ｏ3 のうち一種類を0.７重量％以下含有するもの
である。勿論これらの添加物を複数種類含有してもよ
い。
【００３０】またＭｎＯとＳｉＯ2 を0.３重量％以下添
加することによって、その特性は更に向上する。図３は
表１の主成分の組成からなる三元成分図を示し、図３に
示す各点の番号は表３〜表６中の試料番号と一致し、実
線で囲まれた範囲が本発明の主成分の組成である。
加することによって、その特性は更に向上する。図３は
表１の主成分の組成からなる三元成分図を示し、図３に
示す各点の番号は表３〜表６中の試料番号と一致し、実
線で囲まれた範囲が本発明の主成分の組成である。
【００３１】次に本発明の組成範囲の限定理由を表３〜
表６、図５〜図７を参照しつつ説明する。表３〜表６に
おいて〇印を付したものが本発明の実施例の範囲内のも
のである。
表６、図５〜図７を参照しつつ説明する。表３〜表６に
おいて〇印を付したものが本発明の実施例の範囲内のも
のである。
【００３２】ＢａＴｉＯ3 が９4.０モル％未満である
と、比誘電率（εs ）が低くなる（例えば表３〜表６
（試料Ｎo.１９参照）。またＢａＴｉＯ3 が９9.０モル
％を超えると誘電体素体が還元し黒化してしまい、測定
不能となる（表３〜表６の試料Ｎo.１１参照）。
と、比誘電率（εs ）が低くなる（例えば表３〜表６
（試料Ｎo.１９参照）。またＢａＴｉＯ3 が９9.０モル
％を超えると誘電体素体が還元し黒化してしまい、測定
不能となる（表３〜表６の試料Ｎo.１１参照）。
【００３３】Ｔａ2 Ｏ5 が0.５モル％未満であれば、こ
れまた同様に誘電体素体が黒化して測定不能となる（表
３〜表６の試料Ｎo.１１参照）。Ｔａ2 Ｏ5 が3.０モル
％を超えると、比誘電率が低くなったり（表３〜表６の
試料Ｎo.１６及び１９参照）、静電容量の温度変化率が
大きくなったりする（表３〜表６の試料Ｎo.１６参
照）。
れまた同様に誘電体素体が黒化して測定不能となる（表
３〜表６の試料Ｎo.１１参照）。Ｔａ2 Ｏ5 が3.０モル
％を超えると、比誘電率が低くなったり（表３〜表６の
試料Ｎo.１６及び１９参照）、静電容量の温度変化率が
大きくなったりする（表３〜表６の試料Ｎo.１６参
照）。
【００３４】またＺｎＯが0.５モル％未満であると、誘
電体素体が還元し黒化して、測定不能となる（表３〜表
６の試料Ｎo.１１参照）。ＺｎＯが3.０モル％を超える
と、比誘電率が低くなったり（表３〜表６の試料Ｎo.１
８，１９参照）、静電容量の温度変化率が大きくなった
りする（表３〜表６の試料Ｎo.１８参照）。
電体素体が還元し黒化して、測定不能となる（表３〜表
６の試料Ｎo.１１参照）。ＺｎＯが3.０モル％を超える
と、比誘電率が低くなったり（表３〜表６の試料Ｎo.１
８，１９参照）、静電容量の温度変化率が大きくなった
りする（表３〜表６の試料Ｎo.１８参照）。
【００３５】また、添加物のＣａＺｒＯ3 の添加量が0.
２重量％未満では、静電容量の温度変化率が非常に大き
くなり、Ｘ８Ｒ特性ばかりでなく、Ｘ７Ｒ特性も大きく
はずれる（表３〜表６の試料Ｎo.１３参照）。
２重量％未満では、静電容量の温度変化率が非常に大き
くなり、Ｘ８Ｒ特性ばかりでなく、Ｘ７Ｒ特性も大きく
はずれる（表３〜表６の試料Ｎo.１３参照）。
【００３６】ＣａＺｒＯ3 の添加量が7.０重量％を超え
ると、静電容量の温度変化率が大きくなり、Ｘ８Ｒ特性
を満足しなくなる（表３〜表６の試料Ｎo.１３−４参
照）。次にＬａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 のうち
の一種類が上記主成分に対して無添加でも使用上問題は
ないが（表３〜表６の試料Ｎo.１２，１３−１，１３−
２，１３−３，１３−５，１３−６参照）、0.７重量％
までの添加量を添加することにより焼結性が良くなる。
また比誘電率も向上する（表３〜表６の試料Ｎo.１３−
８，１３−１０，１３−１２参照）。しかし、0.７重量
％を超えると、いずれも静電容量の温度変化率が大きく
なり、Ｘ８Ｒ特性を満足しなくなる（表３〜表６の試料
Ｎo.１３−９，１３−１１，１３−１３参照）。
ると、静電容量の温度変化率が大きくなり、Ｘ８Ｒ特性
を満足しなくなる（表３〜表６の試料Ｎo.１３−４参
照）。次にＬａ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 のうち
の一種類が上記主成分に対して無添加でも使用上問題は
ないが（表３〜表６の試料Ｎo.１２，１３−１，１３−
２，１３−３，１３−５，１３−６参照）、0.７重量％
までの添加量を添加することにより焼結性が良くなる。
また比誘電率も向上する（表３〜表６の試料Ｎo.１３−
８，１３−１０，１３−１２参照）。しかし、0.７重量
％を超えると、いずれも静電容量の温度変化率が大きく
なり、Ｘ８Ｒ特性を満足しなくなる（表３〜表６の試料
Ｎo.１３−９，１３−１１，１３−１３参照）。
【００３７】そしてＭｎＯは、無添加でも使用上問題は
ないが（表３〜表６の試料Ｎo.１２，１３−１，１３−
２，１３−３，１３−５，１３−６，１３−８，１３−
１０，１３−１２，１４，１５，１７参照）、0.３重量
％までの添加は還元防止になり、誘電体損失が改善さ
れ、焼結性も向上する（表３〜表６の試料Ｎo.１３−１
４，１３−１５参照）。
ないが（表３〜表６の試料Ｎo.１２，１３−１，１３−
２，１３−３，１３−５，１３−６，１３−８，１３−
１０，１３−１２，１４，１５，１７参照）、0.３重量
％までの添加は還元防止になり、誘電体損失が改善さ
れ、焼結性も向上する（表３〜表６の試料Ｎo.１３−１
４，１３−１５参照）。
【００３８】しかしＭｎＯの添加量が0.３重量％を超え
ると、焼結性が悪くなり、緻密な磁器が得られなくな
り、また静電容量の温度変化率が大きくなり、誘電体損
失も悪化する（表３〜表６の試料Ｎo.１３−１６参
照）。
ると、焼結性が悪くなり、緻密な磁器が得られなくな
り、また静電容量の温度変化率が大きくなり、誘電体損
失も悪化する（表３〜表６の試料Ｎo.１３−１６参
照）。
【００３９】また原料中に含まれるアルカリ金属酸化物
または製造工程より混入する微量の不純物としてのＡｌ
2 Ｏ3 は焼結性をよくすることはあるが、特性を悪化さ
せることはない。
または製造工程より混入する微量の不純物としてのＡｌ
2 Ｏ3 は焼結性をよくすることはあるが、特性を悪化さ
せることはない。
【００４０】さらにＳｉＯ2 は、無添加でも使用上問題
はないが（表３〜表６の試料Ｎo.１２，１３−１，１３
−２，１３−３，１３−８，１３−１０，１３−１２，
１３−１４，１３−１５，１４，１５，１７参照）、0.
３重量％まで添加することにより、特にＸ８Ｒ特性を良
好にすることができる（表３〜表６の試料Ｎo.１３−
５，１３−６参照）。しかしＳｉＯ2 の添加量が0.３重
量％を超えると、絶縁抵抗（Ｉ・Ｒ）が劣化するのみな
らず、誘電体損失も大きく、しかも静電容量の温度変化
率が大きくなりＸ８Ｒ特性も悪くなる（表３〜表６の試
料Ｎo.１３−７参照）。
はないが（表３〜表６の試料Ｎo.１２，１３−１，１３
−２，１３−３，１３−８，１３−１０，１３−１２，
１３−１４，１３−１５，１４，１５，１７参照）、0.
３重量％まで添加することにより、特にＸ８Ｒ特性を良
好にすることができる（表３〜表６の試料Ｎo.１３−
５，１３−６参照）。しかしＳｉＯ2 の添加量が0.３重
量％を超えると、絶縁抵抗（Ｉ・Ｒ）が劣化するのみな
らず、誘電体損失も大きく、しかも静電容量の温度変化
率が大きくなりＸ８Ｒ特性も悪くなる（表３〜表６の試
料Ｎo.１３−７参照）。
【００４１】その他、ＺｎＯとＴａ2 Ｏ5 の添加方法
は、ＺｎＯとＴａ2 Ｏ5 それぞれ単味で添加してもＺｎ
Ｏ・Ｔａ2 Ｏ5 と化合物にして添加しても効果は同じで
あった。
は、ＺｎＯとＴａ2 Ｏ5 それぞれ単味で添加してもＺｎ
Ｏ・Ｔａ2 Ｏ5 と化合物にして添加しても効果は同じで
あった。
【００４２】図５に、ＣａＺｒＯ3 の添加量別の静電容
量の温度変化率の温度特性カーブを示す。図５において
曲線Ａは表３〜表６の試料Ｎo.１３の特性を示し、曲線
Ｂは表３〜表６の試料Ｎo.１３−２の特性を示し、曲線
Ｃは表３〜表６の試料Ｎo.１３−４の特性を示す。
量の温度変化率の温度特性カーブを示す。図５において
曲線Ａは表３〜表６の試料Ｎo.１３の特性を示し、曲線
Ｂは表３〜表６の試料Ｎo.１３−２の特性を示し、曲線
Ｃは表３〜表６の試料Ｎo.１３−４の特性を示す。
【００４３】図５からも明らかな如く、ＣａＺｒＯ3 の
添加量が0.０５重量％の曲線ＡはＸ７Ｒ特性及びＸ８Ｒ
特性を大きくはずれ、ＣａＺｒＯ3 の添加量が１0.０重
量％の曲線ＣはＸ８Ｒ特性を満足していない。しかしＣ
ａＺｒＯ3 の添加量が3.０重量％の曲線Ｂは、Ｘ７Ｒ特
性及びＸ８Ｒ特性をともに満足し、静電容量の温度変化
率が小さい、安定した磁器組成物であることを示してい
る。
添加量が0.０５重量％の曲線ＡはＸ７Ｒ特性及びＸ８Ｒ
特性を大きくはずれ、ＣａＺｒＯ3 の添加量が１0.０重
量％の曲線ＣはＸ８Ｒ特性を満足していない。しかしＣ
ａＺｒＯ3 の添加量が3.０重量％の曲線Ｂは、Ｘ７Ｒ特
性及びＸ８Ｒ特性をともに満足し、静電容量の温度変化
率が小さい、安定した磁器組成物であることを示してい
る。
【００４４】また図６には、主成分が９８・ＢａＴｉＯ
3 −１・Ｔａ2 Ｏ5 −１・ＺｎＯの場合の、ＣａＺｒＯ
3 の添加量とキュリー点位置との関係及び２５℃におけ
る比誘電率の関係を示す。そして図７には同じ主成分の
場合の、ＣａＺｒＯ3 添加量と抗折強度との関係を示
す。
3 −１・Ｔａ2 Ｏ5 −１・ＺｎＯの場合の、ＣａＺｒＯ
3 の添加量とキュリー点位置との関係及び２５℃におけ
る比誘電率の関係を示す。そして図７には同じ主成分の
場合の、ＣａＺｒＯ3 添加量と抗折強度との関係を示
す。
【００４５】図６より明らかな如く、ＣａＺｒＯ3 の添
加量が0.２重量％以上でキュリー点が＋側にシフトする
ことを示し、7.０重量％以上で再びシフト量が下降す
る。また図７より明らかな如く、抗折強度もＣａＺｒＯ
3 の添加量が0.２重量％以上で増大し、7.０重量％以上
で下降する。
加量が0.２重量％以上でキュリー点が＋側にシフトする
ことを示し、7.０重量％以上で再びシフト量が下降す
る。また図７より明らかな如く、抗折強度もＣａＺｒＯ
3 の添加量が0.２重量％以上で増大し、7.０重量％以上
で下降する。
【００４６】このように図５〜図７からも、ＣａＺｒＯ
3 の添加量は0.２〜7.０重量％が適当であることが明ら
かである。なお本発明の実施例において、主成分のＢａ
ＴｉＯ3 粉末の製造方法として原料を仮成形して仮焼成
する方法を示したが、勿論本発明はこれのみに限定され
るものではなく、例えば溶液法で調整して得られたＢａ
ＴｉＯ3 粉末（５０％粒子径で0.８〜1.２μｍ）を用い
ることもできる。
3 の添加量は0.２〜7.０重量％が適当であることが明ら
かである。なお本発明の実施例において、主成分のＢａ
ＴｉＯ3 粉末の製造方法として原料を仮成形して仮焼成
する方法を示したが、勿論本発明はこれのみに限定され
るものではなく、例えば溶液法で調整して得られたＢａ
ＴｉＯ3 粉末（５０％粒子径で0.８〜1.２μｍ）を用い
ることもできる。
【００４７】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物では、比誘電
率が約２０００〜４６００という高い値を有し、誘電体
損失は１.2％以下という小さな値であり、静電容量の温
度変化率はＥＩＡＪに規定するＸ７Ｒ特性のみならず、
Ｘ８Ｒ特性をも満足し、さらに抗折強度の強い優れた特
性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることができる。
率が約２０００〜４６００という高い値を有し、誘電体
損失は１.2％以下という小さな値であり、静電容量の温
度変化率はＥＩＡＪに規定するＸ７Ｒ特性のみならず、
Ｘ８Ｒ特性をも満足し、さらに抗折強度の強い優れた特
性の高誘電率誘電体磁器組成物を得ることができる。
【００４８】このように広い温度範囲にわたって誘電率
の変化が少なく、かつ誘電体損失の小さいものを提供で
きるので、例えば自動車のエンジンルーム等の高温にさ
らされる場所で使用するのに有効な高誘電率誘電体磁器
組成物を提供することができる。
の変化が少なく、かつ誘電体損失の小さいものを提供で
きるので、例えば自動車のエンジンルーム等の高温にさ
らされる場所で使用するのに有効な高誘電率誘電体磁器
組成物を提供することができる。
【００４９】更に、本発明では、その誘電体磁器組成物
中にパラジウムまたは銀─パラジウム合金と反応し易い
ビスマスを含有しないので、これを誘電体層として積層
コンデンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム
単独または銀─パラジウム合金の使用が可能となる。
中にパラジウムまたは銀─パラジウム合金と反応し易い
ビスマスを含有しないので、これを誘電体層として積層
コンデンサを製造する場合、内部電極としてパラジウム
単独または銀─パラジウム合金の使用が可能となる。
【００５０】このため高価な白金または白金─パラジウ
ム合金を内部電極として使用する必要がなく、製品の大
幅なコストダウンが実現できる。
ム合金を内部電極として使用する必要がなく、製品の大
幅なコストダウンが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第一実施例の高誘電率誘電体磁器組成
物の三元組成図である。
物の三元組成図である。
【図２】本発明の第一実施例の組成物の静電容量温度特
性曲線である。
性曲線である。
【図３】本発明の他の実施例の高誘電率誘電体磁器組成
物の主成分の三元組成図である。
物の主成分の三元組成図である。
【図４】本発明の高誘電率誘電体磁器組成物の製造工程
説明図である。
説明図である。
【図５】本発明の他の実施例の高誘電率誘電体磁器組成
物の静電容量温度特性曲線である。
物の静電容量温度特性曲線である。
【図６】本発明のＣａＺｒＯ3 添加量におけるキュリー
点と比誘電率の関係図である。
点と比誘電率の関係図である。
【図７】本発明のＣａＺｒＯ3 添加量における抗折強度
の関係図である。
の関係図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 ＢａＴｉＯ3 ： ９4.０〜９9.０モル
％ Ｔａ2 Ｏ5 ： 0.５〜 3.０モル％ ＺｎＯ ： 0.５〜 3.０モル％ の範囲からなることを特徴とする高誘電率誘電体磁器組
成物。 - 【請求項２】 主成分として、 ＢａＴｉＯ3 ： ９4.０〜９9.０モル％ Ｔａ2 Ｏ5 ： 0.５〜 3.０モル％ ＺｎＯ ： 0.５〜 3.０モル％ の範囲からなる組成物１００に対して、添加物としてＣ
ａＺｒＯ3 を0.２〜7.０重量％含有することを特徴とす
る高誘電率誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記請求項１記載の組成物において、Ｌ
ａ2 Ｏ3、Ｎｄ2 Ｏ 3 、Ｓｍ2 Ｏ3 のうち少なくとも一
種類を0.７重量％以下含有することを特徴とする高誘電
率誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記請求項１記載の組成物において、Ｍ
ｎＯを0.３重量％以下含有することを特徴とする高誘電
率誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記請求項１記載の組成物において、Ｓ
ｉＯ2 を0.３重量％以下含有することを特徴とする高誘
電率誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269431A JPH05109319A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3269431A JPH05109319A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109319A true JPH05109319A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17472339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3269431A Withdrawn JPH05109319A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | 高誘電率誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109319A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
| US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6522521B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-02-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Reduction-resistant dielectric ceramic compact and laminated ceramic capacitor |
| US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
| US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| CN1118444C (zh) * | 1998-09-28 | 2003-08-20 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷组合物及叠层陶瓷电容器 |
| US6764976B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-07-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP3269431A patent/JPH05109319A/ja not_active Withdrawn
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5990029A (en) * | 1997-02-25 | 1999-11-23 | Tdk Corporation | High dielectric-constant dielectric ceramic composition, and its fabrication process |
| US6226172B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-05-01 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| CN1118444C (zh) * | 1998-09-28 | 2003-08-20 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷组合物及叠层陶瓷电容器 |
| US6699809B2 (en) | 1999-07-21 | 2004-03-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6559084B1 (en) | 1999-07-21 | 2003-05-06 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6403513B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
| US6522521B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-02-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Reduction-resistant dielectric ceramic compact and laminated ceramic capacitor |
| US6764976B2 (en) | 2000-12-25 | 2004-07-20 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7262146B2 (en) | 2004-08-30 | 2007-08-28 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| EP1916681A1 (en) | 2004-08-30 | 2008-04-30 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7541305B2 (en) | 2004-08-30 | 2009-06-02 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| US7381464B2 (en) | 2004-11-30 | 2008-06-03 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
| EP2003665A1 (en) | 2004-11-30 | 2008-12-17 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition with Core-Shell particles and electronic device |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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