JPS6217805B2 - - Google Patents

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JPS6217805B2
JPS6217805B2 JP54026447A JP2644779A JPS6217805B2 JP S6217805 B2 JPS6217805 B2 JP S6217805B2 JP 54026447 A JP54026447 A JP 54026447A JP 2644779 A JP2644779 A JP 2644779A JP S6217805 B2 JPS6217805 B2 JP S6217805B2
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JP
Japan
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dielectric constant
present
porcelain
temperature
composition
Prior art date
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Expired
Application number
JP54026447A
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English (en)
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JPS55119306A (en
Inventor
Shinobu Fujiwara
Kyoshi Furukawa
Nobuaki Kikuchi
Osamu Iizawa
Hitoshi Tanaka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Priority to JP2644779A priority Critical patent/JPS55119306A/ja
Publication of JPS55119306A publication Critical patent/JPS55119306A/ja
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  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Ceramic Capacitors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は高誘電率系磁器組成物に係り、複合酸
化物の固相反応によつて合成されたPb(Fe1/2
Nb1/2)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3系酸化物であ
りPb元素をA、Mg、Fe、Nb元素をBとし、そ
の化学式をABO3と表わすとき、そのA/Bモル
比が0.7500≦A/B≦1.0000とすることによつて
誘電率が格段に向上し特に低温度焼結が可能で、
かつ誘電体損失が小さく、温度変化率の優れた高
誘電率系磁器組成物に関するものである。従来よ
り高誘電率磁器組成物として、チタン酸バリウム
BaTiO3系を主成分として、スズ酸バリウム
BaSnO3、チタン酸カルシウムCaTiO3、PbTiO3
などを基本として、その置換固溶体あるいは他の
結晶構造を有する化合物との複合誘電体磁器が、
種々の要求特性に対して、広く実用化されてい
る。これ等の磁器誘電体は、特性改善の為に常温
での誘電率を最大にすると誘電率の温度変化が大
きくなり、一方誘電率の温合変化を小さくすれば
誘電率の最大値が減少するなど実用上種々の問題
点があり、その改善が望まれていた。更に、
BaTiO3系を主成分としたものであるために通常
1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を必要とする
ために焼結時、多量のエネルギーを必要とし、更
に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激しく、従
つて焼成装置の保全費がかさむ等の欠点があつ
た。また最近急速に普及しつつある積層磁器コン
デンサにあつては、製造法上、内部電極を磁器誘
電体に埋込んだ状態で焼結する必要があり、焼結
温度が1200℃を超える従来の磁器誘電体では、
1300℃以上の高温で安定ではあるが高価な貴金
属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合金を使
用しなければならなかつた。もし1000℃程度の低
温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コンデンサ
として用いることが可能であれば、埋込み内部電
極に銀系、ニツケル系、アルミ系等の安価な金属
材料を内部電極として使用出来ることになり、製
造コスト面で極めて有利である。もちろん低温度
焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が高く、
誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さく、か
つ温度変化率の優れたものが必要とされる。従
来、これ等の条件を備えた低温度焼結による安定
な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれてい
た。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、Pb(Fe1/2Nb1/2)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3を主とする組成物であつて Pb(Fe1/2Nb1/2)O3………5.0〜70.0モル% Pb(Mg1/3Nb2/3)O3………30.0〜95.0モル%
の範囲内の組成に於いてPb元素をA、Fe、Nb、
Mg元素をBとし、これら複合化合物の化学式を
ABO3と表わす時、そのA/Bモル比が0.7500≦
A/B≦1.0000の範囲内にあることを特徴とする
高誘電率系磁器組成物に関するものである。すな
わち、本発明者らはすでに低温度で焼結できる
Pb(Fe1/2Nb1/2)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
からなる二成分系の高優電率系磁器組成物を提案
しているが本発明はこの組成内でPb元素をA、
Fe、Nb、Mg元素をBとし、その化学式をABO3
と表わすとき、そのA/Bモル比がBサイト元素
を過乗添加して0.7500≦A/B≦1.0000とするこ
とによつて誘電率が格段に向上することを見出し
たものであり、かつ誘電体損失、絶縁抵抗が極め
て良好で焼結性の優れた高誘電率系磁器組成物に
関するものである。すなわち、本発明は850〜
1100℃附近の低温領域で焼結することが可能で、
かつ特性の優れた高誘電率系磁器組成物を提供す
るものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化鉄
(Fe2O3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化マグネシ
ウム(MgO)を用い、第1表に示した配合比と
なるように秤量した。これ等の原料配合物を合成
樹脂ボールミルで、湿式混合した後、700〜850℃
で2時間仮焼し、化学反応を行なわせしめた。こ
の反応物を、ふたたびボールミルを用いて、粒子
径数μ程度に粉砕混合する。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール(PVA)を適当量加え、約3トン/cm2の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約850
〜1100℃で2時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を焼付する。このよう
にして製造した試料を、それぞれ電気特性を測定
した結果を第1表に示す。 ここで誘電εsおよび誘電体損失(tanδ)
は、周波数1KHzで測定した。絶縁抵抗は、直流
500Vを印加して、室温20℃で測定した。 温度特性は、室温20℃を基準として−25℃、+
85℃容量変化率を求めた。
【表】 第1表において、試料No.13、20、27は本発明の
範囲外のものであり、比較の為示した。 第1表より明らかなように、本発明範囲内のも
のは、比較電率(εs)が約15800〜31200の高い
値を示し、誘電体損失(tanδ)は0.7〜1.6%、
絶縁抵抗(R)が2×1011Ωの極めて小さな値
を示している状態でしかも1100℃未満の低温度で
焼結が可能である。すなわち、この組成範囲から
はずれるものでは第1表に示すように望ましい特
性を得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 A/Bモル比が0.7600より小さい領域に於いて
は誘電率(εs)の向上効果がなく、低下する傾
向にあり、絶縁抵抗(R)の劣化、更に焼成温
度が上昇して好ましくない。したがつて以上の様
にA/Bモル比を限定する特徴がない。 なお、実施例においてMgO等は炭酸塩の形で
用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発明
の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb(Fe1/2Nb1/2)O3−Pb
(Mg1/2Nb2/3)O3系酸化物はPb元素をA、Mg、
Fe、Nb元素をBとし、その化学式をABO3と表
わすとき、そのA/Bモル比が0.7500≦A/B≦
1.0000とすることによつて誘電率が格段に向上し
誘電体損失(tanδ)、容量変化率の極めて良好な
新規な磁器組成物が得られ、また積層磁器コンデ
ンサに使用した場合、埋込内部電極に銀系・ニツ
ケル系・アルミ系の如き低融点金属の使用が可能
となつた。 したがつて、従来の高温領域焼結材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 Pb(Fe1/2Nb1/2)O3−Pb(Mg1/3Nb2/3)
    O3を主とする組成物であつて Pb(Fe1/2Nb1/2)O3………5.0〜70.0モル% Pb(Mg1/3Nb2/3)O3………30.0〜95.0モル%
    の範囲内の組成に於いてPb元素をA、Fe、Nb、
    Mg元素をBとし、これら複合化合物の化学式を
    ABO3と表わす時、そのA/Bモル比が0.7500≦
    A/B≦1.0000の範囲内にあることを特徴とする
    高誘電率系磁器組成物。
JP2644779A 1979-03-07 1979-03-07 High dielectric porcelain composition Granted JPS55119306A (en)

Priority Applications (1)

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JP2644779A JPS55119306A (en) 1979-03-07 1979-03-07 High dielectric porcelain composition

Applications Claiming Priority (1)

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JP2644779A JPS55119306A (en) 1979-03-07 1979-03-07 High dielectric porcelain composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS55119306A JPS55119306A (en) 1980-09-13
JPS6217805B2 true JPS6217805B2 (ja) 1987-04-20

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ID=12193748

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JP2644779A Granted JPS55119306A (en) 1979-03-07 1979-03-07 High dielectric porcelain composition

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2519970B1 (fr) * 1982-01-18 1985-12-06 Centre Nat Rech Scient Ceramiques a haute constante dielectrique, procede pour leur obtention et leur application aux condensateurs multicouches
JP2762309B2 (ja) * 1989-12-22 1998-06-04 マルコン電子株式会社 誘電体磁器組成物及びこれを使用した電子部品
US5461014A (en) * 1994-01-13 1995-10-24 Tam Ceramics, Inc. Lead perovskite based ceramic compositions without any free lead oxide

Also Published As

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JPS55119306A (en) 1980-09-13

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