JPS6217804B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6217804B2 JPS6217804B2 JP54026891A JP2689179A JPS6217804B2 JP S6217804 B2 JPS6217804 B2 JP S6217804B2 JP 54026891 A JP54026891 A JP 54026891A JP 2689179 A JP2689179 A JP 2689179A JP S6217804 B2 JPS6217804 B2 JP S6217804B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- dielectric
- temperature
- present
- porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は高誘電率系磁器組成物に係り、複合酸
化物の固相反応によつて合成されたPb(Fe2/3W
1/3)O3−PbZrO3系酸化物であり、Pb元素を
A、W、Fe、Zr元素をBとし、ABO3と表わすと
きそのA/Bモル比が0.9300≦A/B≦1.0000と
することによつて誘電率が格段に向上し特に低温
度焼結が可能で、かつ誘電体損失が小さく、温度
変化率の優れた高誘電率系磁器組成物に関するも
のである。従来より高誘電率磁器組成物として、
チタン酸バリウムBaTiO3系を主成分として、ス
ズ酸バリウムBaSnO3、チタン酸カルシウム
CaTiO3、PbTiO3などを基本として、その置換固
溶体あるいは他の結晶構造を有する化合物との複
合誘電体磁器が、種々の要求特性に対して、広く
実用化されている。これ等の磁器誘電体は、特性
改善の為に常温での誘電率を最大にすると誘電率
の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化
を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実
用上種々の問題点があり、その改善が望まれてい
た。BaTiO3系を主成分としたものであるために
通常1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を必要と
するために焼結時、多量の熱エネルギーを必要と
し、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激し
く、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の欠点が
あつた。また最近急速に普及しつつある積層磁器
コンデンサにあつては、製造法上、内部電極を磁
器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要があり、
焼結温度が1200℃を超える従来の磁器誘電体で
は、1300℃以上の高温で安定ではあるが高価な貴
金属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合金を
使用しなければならなかつた。もし1000℃程度の
低温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コンデン
サとして用いることが可能であれば、埋込み内部
高極に銀系、ニツケル系、アルミ系等の安価な金
属材料を内部電極として使用出来ることになり、
製造コスト面で極めて有利である。もちろん低温
度焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が高
く、誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さ
く、かつ温度変化率の優れたものが必要とされ
る。従来、これ等の条件を備えた低温度焼結によ
る安定な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれ
ていた。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、Pb(Fe2/3W1/3)O3−PbZrO3を主とする組
成物であつて Pb(Fe2/3W1/3)O3……40.0〜95.0モル% PbZrO3……5.0〜60.0モル%の範囲 内の組成においてPb元素をA、W、Fe、Zr元素
をBとし、これら複合化合物の化学式をABO3と
表わす時、そのA/Bのモル比が0.9300≦A/B
≦1.0000の範囲内にあることを特徴とする高誘電
率系磁器組成物に関するものである。 すなわち、本発明者らはすでに低温度で焼結で
きるPb(Fe2/3W1/3)O3−PbZrO3系からなる二
成分系の高誘電率系磁器組成物を提案している
が、本発明はこの組成内でPb元素をA、W、
Fe、Zr元素をBとし、化学式をABO3と表わすと
き、そのA/Bモル比がBサイト元素を過乗添加
して、0.9300≦A/B≦1.0000とすることによつ
て誘電率が格段に向上することを見出したもので
あり、かつ、誘電体損失が極めて良好で焼結性の
優れた高誘電率系磁器組成物に関するものであ
る。 すなわち、本発明は850〜1050℃附近の低温領
域で焼結することが可能で、かつ特性の優れた高
誘電率系磁器組成物を提供するものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化鉄
(Fe2O3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、酸化ジルコニア(ZrO)を用い、
第1表に示した配合比となるように秤量した。こ
れ等の原料配合物を合成樹脂ボールミルで、湿式
混合した後、700〜850℃で2時間仮焼し、化学反
応を行なわせしめた。この反応物を、ふたたびボ
ールミルを用いて、粒子径数μ程度に粉砕混合す
る。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール(PVA)を適当量加え、約3トン/cm2の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約850
〜1050℃、2時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を焼付する。 このようにして製造した試料を、それぞれ電気
特性を測定した結果を第1表に示す。 ここで誘電率εsおよび誘電体損失(tanδ)
は、周波数1KHzで測定した。 温度特性は、室温20℃を基準として−25℃、+
85℃容量変化率を求めた。
化物の固相反応によつて合成されたPb(Fe2/3W
1/3)O3−PbZrO3系酸化物であり、Pb元素を
A、W、Fe、Zr元素をBとし、ABO3と表わすと
きそのA/Bモル比が0.9300≦A/B≦1.0000と
することによつて誘電率が格段に向上し特に低温
度焼結が可能で、かつ誘電体損失が小さく、温度
変化率の優れた高誘電率系磁器組成物に関するも
のである。従来より高誘電率磁器組成物として、
チタン酸バリウムBaTiO3系を主成分として、ス
ズ酸バリウムBaSnO3、チタン酸カルシウム
CaTiO3、PbTiO3などを基本として、その置換固
溶体あるいは他の結晶構造を有する化合物との複
合誘電体磁器が、種々の要求特性に対して、広く
実用化されている。これ等の磁器誘電体は、特性
改善の為に常温での誘電率を最大にすると誘電率
の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化
を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実
用上種々の問題点があり、その改善が望まれてい
た。BaTiO3系を主成分としたものであるために
通常1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を必要と
するために焼結時、多量の熱エネルギーを必要と
し、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失が激し
く、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の欠点が
あつた。また最近急速に普及しつつある積層磁器
コンデンサにあつては、製造法上、内部電極を磁
器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要があり、
焼結温度が1200℃を超える従来の磁器誘電体で
は、1300℃以上の高温で安定ではあるが高価な貴
金属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合金を
使用しなければならなかつた。もし1000℃程度の
低温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コンデン
サとして用いることが可能であれば、埋込み内部
高極に銀系、ニツケル系、アルミ系等の安価な金
属材料を内部電極として使用出来ることになり、
製造コスト面で極めて有利である。もちろん低温
度焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が高
く、誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さ
く、かつ温度変化率の優れたものが必要とされ
る。従来、これ等の条件を備えた低温度焼結によ
る安定な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれ
ていた。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、Pb(Fe2/3W1/3)O3−PbZrO3を主とする組
成物であつて Pb(Fe2/3W1/3)O3……40.0〜95.0モル% PbZrO3……5.0〜60.0モル%の範囲 内の組成においてPb元素をA、W、Fe、Zr元素
をBとし、これら複合化合物の化学式をABO3と
表わす時、そのA/Bのモル比が0.9300≦A/B
≦1.0000の範囲内にあることを特徴とする高誘電
率系磁器組成物に関するものである。 すなわち、本発明者らはすでに低温度で焼結で
きるPb(Fe2/3W1/3)O3−PbZrO3系からなる二
成分系の高誘電率系磁器組成物を提案している
が、本発明はこの組成内でPb元素をA、W、
Fe、Zr元素をBとし、化学式をABO3と表わすと
き、そのA/Bモル比がBサイト元素を過乗添加
して、0.9300≦A/B≦1.0000とすることによつ
て誘電率が格段に向上することを見出したもので
あり、かつ、誘電体損失が極めて良好で焼結性の
優れた高誘電率系磁器組成物に関するものであ
る。 すなわち、本発明は850〜1050℃附近の低温領
域で焼結することが可能で、かつ特性の優れた高
誘電率系磁器組成物を提供するものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化鉄
(Fe2O3)、酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化タングス
テン(WO3)、酸化ジルコニア(ZrO)を用い、
第1表に示した配合比となるように秤量した。こ
れ等の原料配合物を合成樹脂ボールミルで、湿式
混合した後、700〜850℃で2時間仮焼し、化学反
応を行なわせしめた。この反応物を、ふたたびボ
ールミルを用いて、粒子径数μ程度に粉砕混合す
る。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール(PVA)を適当量加え、約3トン/cm2の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約850
〜1050℃、2時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を焼付する。 このようにして製造した試料を、それぞれ電気
特性を測定した結果を第1表に示す。 ここで誘電率εsおよび誘電体損失(tanδ)
は、周波数1KHzで測定した。 温度特性は、室温20℃を基準として−25℃、+
85℃容量変化率を求めた。
【表】
【表】
第1表において、試料No.7、13、19は本発明の
範囲外のものであり、比較の為示した。 第1表より明らかなように、本発明範囲外のも
のは、比誘電率(s)が約7720〜11390の高い値
を示し、誘電体損失(tanδ)は1.2〜1.9%の極
めて小さな値を示している状態でしかも1050℃未
満の低温度で焼結が可能である。すなわち、この
組成範囲からはずれるものでは第1表に示すよう
に、望ましい特性を得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 A/Bモル比が0.9200より小さい領域に於いて
は誘電率(s)の向上効果がなく、誘電体損失
(tanδ)及び温度特性も悪化してA/Bモル比を
限定する特徴がない。 なお、実施例においてWO3等は炭酸塩の形で
用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発明
の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb(Fe2/3W1/3)O3−
PbZrO3系酸化物はPb元素をA、W、Fe、Zr元素
をBとし、化学式をABO3と表わすとき、その
A/Bモル比が0.9300≦A/B≦1.0000とするこ
とによつて誘電率が格段に向上し、誘電体損失
(tanδ)、容量変化率の極めて良好な新規な磁器
組成物が得られ、また積層磁器コンデンサに使用
した場合、埋欠内部電極に銀系・ニツケル系・ア
ルミ系の如き低融点金属の使用が可能となつた。 したがつて、従来の高温領域焼部材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。
範囲外のものであり、比較の為示した。 第1表より明らかなように、本発明範囲外のも
のは、比誘電率(s)が約7720〜11390の高い値
を示し、誘電体損失(tanδ)は1.2〜1.9%の極
めて小さな値を示している状態でしかも1050℃未
満の低温度で焼結が可能である。すなわち、この
組成範囲からはずれるものでは第1表に示すよう
に、望ましい特性を得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 A/Bモル比が0.9200より小さい領域に於いて
は誘電率(s)の向上効果がなく、誘電体損失
(tanδ)及び温度特性も悪化してA/Bモル比を
限定する特徴がない。 なお、実施例においてWO3等は炭酸塩の形で
用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発明
の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb(Fe2/3W1/3)O3−
PbZrO3系酸化物はPb元素をA、W、Fe、Zr元素
をBとし、化学式をABO3と表わすとき、その
A/Bモル比が0.9300≦A/B≦1.0000とするこ
とによつて誘電率が格段に向上し、誘電体損失
(tanδ)、容量変化率の極めて良好な新規な磁器
組成物が得られ、また積層磁器コンデンサに使用
した場合、埋欠内部電極に銀系・ニツケル系・ア
ルミ系の如き低融点金属の使用が可能となつた。 したがつて、従来の高温領域焼部材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Fe2/3W1/3)O3−PbZrO3を主とする組
成物であつて、 Pb(Fe2/3W1/3)O3……40.0〜95.0モル% PbZrO3……5.0〜60.0モル%の範囲内の組成に
おいてPb元素をA、W、Fe、Zr元素をBとし、
これら複合化合物の化学式をABO3と表わす時、
そのA/Bのモル比が0.9300≦A/B≦1.0000の
範囲内にあることを特徴とする高誘電率系磁器組
成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2689179A JPS55119307A (en) | 1979-03-08 | 1979-03-08 | High dielectric porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2689179A JPS55119307A (en) | 1979-03-08 | 1979-03-08 | High dielectric porcelain composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS55119307A JPS55119307A (en) | 1980-09-13 |
JPS6217804B2 true JPS6217804B2 (ja) | 1987-04-20 |
Family
ID=12205864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2689179A Granted JPS55119307A (en) | 1979-03-08 | 1979-03-08 | High dielectric porcelain composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS55119307A (ja) |
-
1979
- 1979-03-08 JP JP2689179A patent/JPS55119307A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS55119307A (en) | 1980-09-13 |