JPS6216483B2 - - Google Patents
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- JPS6216483B2 JPS6216483B2 JP54152574A JP15257479A JPS6216483B2 JP S6216483 B2 JPS6216483 B2 JP S6216483B2 JP 54152574 A JP54152574 A JP 54152574A JP 15257479 A JP15257479 A JP 15257479A JP S6216483 B2 JPS6216483 B2 JP S6216483B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910020215 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ca+2].[Ti+4] WEUCVIBPSSMHJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 238000003746 solid phase reaction Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 229940071182 stannate Drugs 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は高誘電率系磁器組成物に係り、複合酸
化物の固相反応によつて合成されたPb
(Mg1/3Nb2/3)O3―PbTiO3―Mn化合物系酸化
物であり、Pb元素をA、Mg、Nb、Ti元素をBと
しABO3と表わすとき、そのA/Bモル比が
0.9200≦A/B≦1.0000を主成分とし副成分とし
てMn又はMn化合物を含有することによつて誘電
率が格段に向上し低温度焼結が可能で、特に誘電
体損失が小さく、絶縁抵抗の極めて優れた高誘電
率系磁器組成物に関するものである。従来より高
誘電率磁器組成物として、チタン酸バリウム
(BaTiO3)系を主成分として、スズ酸バリウム
(BaSnO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)チタ
ン酸鉛(PbTiO3)などを基本として、その置換固
溶体あるいは他の結晶構造を有する化合物との複
合誘電体磁器が、種々の要求特性に対して、広く
実用化されている。これ等の磁器誘電体は、特性
改善の為に常温での誘電率を最大にすると誘電率
の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化
を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実
用上種々の問題点があり、その改善が望まれてい
た。更に、BaTiO3系を主成分としたものである
ために通常1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を
必要とするために焼結時、多量の熱エネルギーを
必要とし、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失
が激しく、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の
欠点があつた。また最近急速に普及しつつある積
層磁器コンデンサにあつては、製造法上、内部電
極を磁器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あり、焼結温度が1200℃を超える従来の磁器誘電
体では、1300℃以上の高温で安定ではあるが高価
な貴金属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合
金を使用しなければならなかつた。もし1000℃程
度の低温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コン
デンサとして用いることが可能であれば、埋込み
内部電極に銀系、ニツケル系、アルミ系等の安価
な金属材料を内部電極として使用出来ることにな
り、製造コスト面で極めて有利である。もちろん
低温度焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が
高く、誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さ
く、かつ温度変化率の優れたものが必要とされ
る。従来、これ等の条件を備えた低温度焼結によ
る安定な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれ
ていた。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、「Pb(Mg1/3Nb2/3)O3―PbTiO3を主とす
る組成物であつて Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 ………88.0〜99.0モル% PbTiO3 ……………1.0〜12.0モル% の範囲内の組成においてPb元素をA、Mg、Nb、
Ti元素をBとし、これら複合化合物の化学式を
ABO3と表わす時、そのA/Bのモル比が0.9200
≦A/B≦1.0000の範囲内の主成分に対して副成
分としてMn又はMn化合物を0.001〜5.0重量%添
加含有してなることを特徴とする高誘電率系磁器
組成物」を特徴とする高誘電率磁器組成物に関す
るものである。 すなわち、本発明者らはすでに低温度で焼結で
きるPb(Mg1/3Nb2/3)O3―PbTiO3系からなる
二成分系及びこの主成分系でPb元素をA、Mg、
Nb、Ti元素をBとし化学式をABO3と表わすと
き、そのA/Bモル比がBサイト元素を過剰添加
して0.9200≦A/B≦1.0000とすることによつて
誘電率が格段に向上することを見出した高誘電率
系磁器組成物を提案しているが本発明はこの主成
分系にMn及びMn化合物を副成分として添加含有
することにより絶縁抵抗及び誘電体損失が極めて
良好で焼結性の優れた高誘電率系磁器組成物に関
するものである。すなわち、本発明は1050〜1100
℃附近の低温領域で焼結することが可能で、誘電
率が高く、誘電体損失、絶縁抵抗の極めて優れた
高誘電率系磁器組成物を提供するものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化ニオブ
(Nb2O5)、炭酸マグネシユム(MgCO3)、酸化チ
タン(TiO2)、炭酸マンガン(MnCO3)、酸化ニ
オブ(Nb2O5)、酸化タングステン(WO3)、酸モ
リブデン(MO)、酸化タンタル(Ta2O5)を用
い、第1表に示した配合比となるように秤量し
た。これ等の原料配合物を合成樹脂ボールミル
で、湿式混合した後、700〜850℃で2時間仮焼
し、化学反応を行なわせしめた。この反応物を、
ふたたびボールミルを用いて、粒子径数μ程度に
粉砕混合する。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール(PVA)を適当量加え、約3トン/cm2の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約1050
〜1100℃で2時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を780℃で焼付する。
このようにして製造した試料を、それぞれ電気特
性を測定した結果を第1表に示す。 ここで誘電率sおよび誘電体損失(tanδ)
は、周波数1KHzで測定した。 絶縁抵抗は直流500Vを印加して、室温20℃で
測定した。
化物の固相反応によつて合成されたPb
(Mg1/3Nb2/3)O3―PbTiO3―Mn化合物系酸化
物であり、Pb元素をA、Mg、Nb、Ti元素をBと
しABO3と表わすとき、そのA/Bモル比が
0.9200≦A/B≦1.0000を主成分とし副成分とし
てMn又はMn化合物を含有することによつて誘電
率が格段に向上し低温度焼結が可能で、特に誘電
体損失が小さく、絶縁抵抗の極めて優れた高誘電
率系磁器組成物に関するものである。従来より高
誘電率磁器組成物として、チタン酸バリウム
(BaTiO3)系を主成分として、スズ酸バリウム
(BaSnO3)、チタン酸カルシウム(CaTiO3)チタ
ン酸鉛(PbTiO3)などを基本として、その置換固
溶体あるいは他の結晶構造を有する化合物との複
合誘電体磁器が、種々の要求特性に対して、広く
実用化されている。これ等の磁器誘電体は、特性
改善の為に常温での誘電率を最大にすると誘電率
の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化
を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実
用上種々の問題点があり、その改善が望まれてい
た。更に、BaTiO3系を主成分としたものである
ために通常1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を
必要とするために焼結時、多量の熱エネルギーを
必要とし、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失
が激しく、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の
欠点があつた。また最近急速に普及しつつある積
層磁器コンデンサにあつては、製造法上、内部電
極を磁器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あり、焼結温度が1200℃を超える従来の磁器誘電
体では、1300℃以上の高温で安定ではあるが高価
な貴金属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合
金を使用しなければならなかつた。もし1000℃程
度の低温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コン
デンサとして用いることが可能であれば、埋込み
内部電極に銀系、ニツケル系、アルミ系等の安価
な金属材料を内部電極として使用出来ることにな
り、製造コスト面で極めて有利である。もちろん
低温度焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が
高く、誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さ
く、かつ温度変化率の優れたものが必要とされ
る。従来、これ等の条件を備えた低温度焼結によ
る安定な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれ
ていた。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、「Pb(Mg1/3Nb2/3)O3―PbTiO3を主とす
る組成物であつて Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 ………88.0〜99.0モル% PbTiO3 ……………1.0〜12.0モル% の範囲内の組成においてPb元素をA、Mg、Nb、
Ti元素をBとし、これら複合化合物の化学式を
ABO3と表わす時、そのA/Bのモル比が0.9200
≦A/B≦1.0000の範囲内の主成分に対して副成
分としてMn又はMn化合物を0.001〜5.0重量%添
加含有してなることを特徴とする高誘電率系磁器
組成物」を特徴とする高誘電率磁器組成物に関す
るものである。 すなわち、本発明者らはすでに低温度で焼結で
きるPb(Mg1/3Nb2/3)O3―PbTiO3系からなる
二成分系及びこの主成分系でPb元素をA、Mg、
Nb、Ti元素をBとし化学式をABO3と表わすと
き、そのA/Bモル比がBサイト元素を過剰添加
して0.9200≦A/B≦1.0000とすることによつて
誘電率が格段に向上することを見出した高誘電率
系磁器組成物を提案しているが本発明はこの主成
分系にMn及びMn化合物を副成分として添加含有
することにより絶縁抵抗及び誘電体損失が極めて
良好で焼結性の優れた高誘電率系磁器組成物に関
するものである。すなわち、本発明は1050〜1100
℃附近の低温領域で焼結することが可能で、誘電
率が高く、誘電体損失、絶縁抵抗の極めて優れた
高誘電率系磁器組成物を提供するものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛(PbO)、酸化ニオブ
(Nb2O5)、炭酸マグネシユム(MgCO3)、酸化チ
タン(TiO2)、炭酸マンガン(MnCO3)、酸化ニ
オブ(Nb2O5)、酸化タングステン(WO3)、酸モ
リブデン(MO)、酸化タンタル(Ta2O5)を用
い、第1表に示した配合比となるように秤量し
た。これ等の原料配合物を合成樹脂ボールミル
で、湿式混合した後、700〜850℃で2時間仮焼
し、化学反応を行なわせしめた。この反応物を、
ふたたびボールミルを用いて、粒子径数μ程度に
粉砕混合する。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール(PVA)を適当量加え、約3トン/cm2の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約1050
〜1100℃で2時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を780℃で焼付する。
このようにして製造した試料を、それぞれ電気特
性を測定した結果を第1表に示す。 ここで誘電率sおよび誘電体損失(tanδ)
は、周波数1KHzで測定した。 絶縁抵抗は直流500Vを印加して、室温20℃で
測定した。
【表】
第1表において、試料No.1、4、9、13、14は
本発明の範囲外のものであり、比較の為示した。 第1表より明らかなように、本発明範囲内のも
のは、比誘電率(s)が約21800〜30800の高い値
を示し、誘電体損失(tanδ)は0.5〜1.2%、絶
縁抵抗(IR)が1×1011Ωと極めて小さな値を示
している状態でしかも1100℃未満の低温度で焼結
が可能である。すなわち、この組成範囲からはず
れるものでは第1表に示すように望ましい特性を
得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 MnO又はMn化合物が5.0重量%を超えると誘電
体損失(tanδ)及び絶縁抵抗(IR)が大巾に低
下して望ましくない。又、誘電率が低下する更に
0.001重量%以下で添加効果が認められない。 なお、実施例においてはMgO等は炭酸塩の形
で用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発
明の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb(Mg1/3Nb2/3)O3―
PbTiO3―Mn化合物系酸化物でありPb元素をA、
Mg、Nb、Ti元素をBとしABO3と表わすとき、
そのA/Bモル比が0.9200≦A/B≦1.0000を主
成分とし、副成分としてMn又はMn化合物を含有
することを特徴とする高誘電率系磁器組成物とす
ることによつて誘電率が格段に向上し、した状態
で誘電体損失(tanδ)、絶縁抵抗(IR)の極め
て良好な新規な磁器組成物が得られ、また積層磁
器コンデンサに使用した場合、埋込内部電極に銀
系・ニツケル系・アルミ系の如き低融点金属の使
用が可能となつた。 したがつて、従来の高温領域焼結材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。
本発明の範囲外のものであり、比較の為示した。 第1表より明らかなように、本発明範囲内のも
のは、比誘電率(s)が約21800〜30800の高い値
を示し、誘電体損失(tanδ)は0.5〜1.2%、絶
縁抵抗(IR)が1×1011Ωと極めて小さな値を示
している状態でしかも1100℃未満の低温度で焼結
が可能である。すなわち、この組成範囲からはず
れるものでは第1表に示すように望ましい特性を
得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 MnO又はMn化合物が5.0重量%を超えると誘電
体損失(tanδ)及び絶縁抵抗(IR)が大巾に低
下して望ましくない。又、誘電率が低下する更に
0.001重量%以下で添加効果が認められない。 なお、実施例においてはMgO等は炭酸塩の形
で用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発
明の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb(Mg1/3Nb2/3)O3―
PbTiO3―Mn化合物系酸化物でありPb元素をA、
Mg、Nb、Ti元素をBとしABO3と表わすとき、
そのA/Bモル比が0.9200≦A/B≦1.0000を主
成分とし、副成分としてMn又はMn化合物を含有
することを特徴とする高誘電率系磁器組成物とす
ることによつて誘電率が格段に向上し、した状態
で誘電体損失(tanδ)、絶縁抵抗(IR)の極め
て良好な新規な磁器組成物が得られ、また積層磁
器コンデンサに使用した場合、埋込内部電極に銀
系・ニツケル系・アルミ系の如き低融点金属の使
用が可能となつた。 したがつて、従来の高温領域焼結材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−PbTiO3を主とする
組成物であつて Pb(Mg1/3Nb2/3)O3
……88.0〜99.0モル% PbTiO3 ……………1.0〜12.0モル%の 範囲内の組成においてPb元素をA、Mg、Nb、Ti
元素をBとし、これら複合化合物の化学式を
ABO3と表わす時、そのA/Bのモル比が0.9200
≦A/B≦1.0000の範囲内の主成分に対して副成
分としてMn又は、Mn化合物を0.001〜5.0重量%
添加含有してなることを特徴とする高誘電率系磁
器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15257479A JPS5676111A (en) | 1979-11-26 | 1979-11-26 | Ferrodielectric porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15257479A JPS5676111A (en) | 1979-11-26 | 1979-11-26 | Ferrodielectric porcelain composition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5676111A JPS5676111A (en) | 1981-06-23 |
JPS6216483B2 true JPS6216483B2 (ja) | 1987-04-13 |
Family
ID=15543445
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15257479A Granted JPS5676111A (en) | 1979-11-26 | 1979-11-26 | Ferrodielectric porcelain composition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5676111A (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2608922B2 (ja) * | 1988-06-27 | 1997-05-14 | ティーディーケイ株式会社 | 高誘電率セラミックス組成物 |
-
1979
- 1979-11-26 JP JP15257479A patent/JPS5676111A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5676111A (en) | 1981-06-23 |