JPS6211442B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6211442B2 JPS6211442B2 JP54053256A JP5325679A JPS6211442B2 JP S6211442 B2 JPS6211442 B2 JP S6211442B2 JP 54053256 A JP54053256 A JP 54053256A JP 5325679 A JP5325679 A JP 5325679A JP S6211442 B2 JPS6211442 B2 JP S6211442B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- present
- temperature
- pbtio
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 13
- 229910019653 Mg1/3Nb2/3 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910020215 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 5
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 238000009766 low-temperature sintering Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は高誘電率系磁器組成物に係り、複合酸
化物の固相反応によつて合成されたPb（Mg1/3
Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3―
Pb（Mn1/2Ｗ1/2）O3系酸化物で、特に低温度焼
結が可能で、高誘電率、かつ誘電体損失が小さ
く、絶縁抵抗の優れた高誘電率系磁器組成物に関
するものである。従来より高誘電率磁器組成物と
して、BaTiO3系を主成物としてBaSnO3、
CaTIO3、PbTiO3などを基本として、その置換固
溶体あるいは他の結晶構造を有する化合物との複
合誘電体磁器が、種々の要求特性に対して、広く
実用化されている。これ等の磁器誘電体は、特性
改善の為に常温での誘電率を最大にすると誘電率
の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化
を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実
用上種々の問題点があり、その改善が望まれてい
た。更に、BaTiO3系を主成分としたものである
ために通常1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を
必要とするために焼結時、多量の熱エネルギーを
必要とし、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失
が激しく、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の
欠点があつた。また最近急速に普及しつつある積
層磁器コンデンサにあつては、製造法上、内部電
極を磁器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あり、焼結温度が1200℃を超える従来の磁器誘電
体では、1300℃以上の高温で安定ではあるが高価
な貴金属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合
金を使用しなければならなかつた。もし1000℃程
度の低温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コン
デンサとして用いることが可能であれば、埋込み
内部電極に銀系、アルミル系、アルミ系等の安価
な金属材料を内部電極として使用出来ることにな
り、製造コスト面で極めて有利である。もちろん
低温度焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が
高く、誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さ
く、かつ温度変化等の優れたものが必要とされ
る。従来、これ等の条件を備えた低温度焼結によ
る安定な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれ
ていた。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3系組成物でPb（Mg1/3Nb2/3）O3
―PbTiO3，PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3、Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3―Pb（Mg1/3Nb2/3）O3の各
二成分組成線上にある酸化物組成比を除き、三成
分組成図におけるＡ・Ｂ・Ｃ・Ｄ・Ｅに囲まれる
組成範囲内の酸化物で、 PbO 63.98〜73.09重量％ Nb2O5 0.02〜26.96重量％ MgO 0.45〜5.16重量％ WO3 0.04〜23.7重量％ TiO2 0.23〜23.52重量％ の範囲の酸化物に対してPb（Mn1/2Ｗ1/2）O3を
0.05〜5.0重量％添加含有したことを特徴とする
高誘電率系磁器組成物に関するものである。 すなわち、本発明者らはすでに低温度で焼結で
きるPb（Mg1/3Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3系からなる３成分系高誘電率系磁
器組成物を提案しているが、本発明はこの３成分
系に副成分としてPb（Mn1/2Ｗ1/2）O3を添加含
有せしめるもので絶縁抵抗を極めて高くせしめる
ことによつて温度特性が極めて安定したかつ焼結
性の優れた高誘電率系磁器組成物を提供するもの
である。すなわち、本発明は850〜1050℃附近の
低温領域で極めて安定して焼結することが可能
で、かつ特性の優れた高誘電率系磁器組成物を提
供するものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛（PbO）、酸化ニオブ
（Nb2O5）、酸化マグネシユム（MgO）、酸化タン
グステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化マ
ンガン（MnO）を用い、第１表に示した配合比
となるように秤量した。これ等の原料配合物を合
成樹脂ボールミルで、湿式混合した後、700〜850
℃で２時間仮焼し、化学反応を行なわせしめた。
この反応物を、ふたたびボールミルを用いて、粒
子径数μ程度に粉砕混合する。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール（PVA）を適当量加え、約３トン／cm3の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約850
〜1050℃で２時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を焼付する。このよう
にして製造した試料を、それぞれ電気特性を測定
した結果を第１表に示す。 ここで誘電率εｓおよび誘電体損失（tanδ）
は、周波数1KHzで測定した。絶縁抵抗は、直流
500Vを印加して、室温20℃で測定した。
化物の固相反応によつて合成されたPb（Mg1/3
Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3―
Pb（Mn1/2Ｗ1/2）O3系酸化物で、特に低温度焼
結が可能で、高誘電率、かつ誘電体損失が小さ
く、絶縁抵抗の優れた高誘電率系磁器組成物に関
するものである。従来より高誘電率磁器組成物と
して、BaTiO3系を主成物としてBaSnO3、
CaTIO3、PbTiO3などを基本として、その置換固
溶体あるいは他の結晶構造を有する化合物との複
合誘電体磁器が、種々の要求特性に対して、広く
実用化されている。これ等の磁器誘電体は、特性
改善の為に常温での誘電率を最大にすると誘電率
の温度変化が大きくなり、一方誘電率の温度変化
を小さくすれば誘電率の最大値が減少するなど実
用上種々の問題点があり、その改善が望まれてい
た。更に、BaTiO3系を主成分としたものである
ために通常1200〜1400℃附近の高温領域で焼結を
必要とするために焼結時、多量の熱エネルギーを
必要とし、更に高温下の焼成炉材の熱的劣化損失
が激しく、従つて焼成装置の保全費がかさむ等の
欠点があつた。また最近急速に普及しつつある積
層磁器コンデンサにあつては、製造法上、内部電
極を磁器誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あり、焼結温度が1200℃を超える従来の磁器誘電
体では、1300℃以上の高温で安定ではあるが高価
な貴金属・白金、パラジウムもしくはこれ等の合
金を使用しなければならなかつた。もし1000℃程
度の低温度焼結可能な磁器誘電体を積層磁器コン
デンサとして用いることが可能であれば、埋込み
内部電極に銀系、アルミル系、アルミ系等の安価
な金属材料を内部電極として使用出来ることにな
り、製造コスト面で極めて有利である。もちろん
低温度焼結で得られた磁器誘電体は、絶縁抵抗が
高く、誘電率が比較的大きく、誘電体損失が小さ
く、かつ温度変化等の優れたものが必要とされ
る。従来、これ等の条件を備えた低温度焼結によ
る安定な磁器誘電体は少なく、その実現が望まれ
ていた。 本発明者等は、上述の要請に鑑み、鋭意研究の
結果、本発明に到達したものであり、その要旨
は、Pb（Mg1/3Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3系組成物でPb（Mg1/3Nb2/3）O3
―PbTiO3，PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3、Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3―Pb（Mg1/3Nb2/3）O3の各
二成分組成線上にある酸化物組成比を除き、三成
分組成図におけるＡ・Ｂ・Ｃ・Ｄ・Ｅに囲まれる
組成範囲内の酸化物で、 PbO 63.98〜73.09重量％ Nb2O5 0.02〜26.96重量％ MgO 0.45〜5.16重量％ WO3 0.04〜23.7重量％ TiO2 0.23〜23.52重量％ の範囲の酸化物に対してPb（Mn1/2Ｗ1/2）O3を
0.05〜5.0重量％添加含有したことを特徴とする
高誘電率系磁器組成物に関するものである。 すなわち、本発明者らはすでに低温度で焼結で
きるPb（Mg1/3Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3系からなる３成分系高誘電率系磁
器組成物を提案しているが、本発明はこの３成分
系に副成分としてPb（Mn1/2Ｗ1/2）O3を添加含
有せしめるもので絶縁抵抗を極めて高くせしめる
ことによつて温度特性が極めて安定したかつ焼結
性の優れた高誘電率系磁器組成物を提供するもの
である。すなわち、本発明は850〜1050℃附近の
低温領域で極めて安定して焼結することが可能
で、かつ特性の優れた高誘電率系磁器組成物を提
供するものである。 以下実施例によつて本発明を詳述する。 出発原料として酸化鉛（PbO）、酸化ニオブ
（Nb2O5）、酸化マグネシユム（MgO）、酸化タン
グステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化マ
ンガン（MnO）を用い、第１表に示した配合比
となるように秤量した。これ等の原料配合物を合
成樹脂ボールミルで、湿式混合した後、700〜850
℃で２時間仮焼し、化学反応を行なわせしめた。
この反応物を、ふたたびボールミルを用いて、粒
子径数μ程度に粉砕混合する。 この混合物に粘結剤としてポリビニールアルコ
ール（PVA）を適当量加え、約３トン／cm3の成
形圧力で直径16.5mm、厚さ0.6mmの円板状成形物
を作成した。成形物は高温での鉛成分の蒸発を防
ぐ為、マグネシア磁器製容器に密閉して、約850
〜1050℃で２時間本焼成する。こうして得られた
磁器素体の両端面に銀電極を焼付する。このよう
にして製造した試料を、それぞれ電気特性を測定
した結果を第１表に示す。 ここで誘電率εｓおよび誘電体損失（tanδ）
は、周波数1KHzで測定した。絶縁抵抗は、直流
500Vを印加して、室温20℃で測定した。
【表】
【表】
第１表において、試料No.１，５，６，10，11，
15，16，20，21，25は本発明の範囲外のものであ
り、比較の為示した。 第１表より明らかなように、本発明範囲内のも
のは、比誘電率（εｓ）が約2610〜9820の高い値
を示し、誘電体損失（tanδ）は0.2〜1.4％の極
めて小さな値を示し、絶縁抵抗（IR）が８×1011
Ωを示している状態でしかも1000℃未満の低温度
で焼結が可能である。すなわち、この組成範囲か
らはずれるものでは第１表に示すように望ましい
特性を得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 Pb（Mn1/2Ｗ1/2）O3が0.05重量％以下では誘
電体損失（tanδ）及び絶縁抵抗（IR）の改善効
果がなく実用的でない。又5.0重量％以上では誘
電率（εｓ）が低下して好ましくなく誘電体損失
（tanδ）絶縁抵抗（IR）が悪化して実用的でな
い。 なお、実施例においてMgO等は炭酸塩の形で
用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発明
の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb（Mg1/3Nb2/3）O3―
PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3―Pb（Mn1/2Ｗ
1/2）O3系高誘電率磁器組成物によると、低温度
焼結が可能となり、かつ誘電率（εｓ）が高く、
誘電体損失（tanδ）、絶縁抵抗（IR）の極めて
良好な新規な磁器組成物が得られ、また積層磁器
コンデンサに使用した場合、埋込内部電極に銀
系・ニツケル系・アルミ系の如き低融点金属の使
用が可能となつた。 したがつて、従来の高温領域焼結材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。
15，16，20，21，25は本発明の範囲外のものであ
り、比較の為示した。 第１表より明らかなように、本発明範囲内のも
のは、比誘電率（εｓ）が約2610〜9820の高い値
を示し、誘電体損失（tanδ）は0.2〜1.4％の極
めて小さな値を示し、絶縁抵抗（IR）が８×1011
Ωを示している状態でしかも1000℃未満の低温度
で焼結が可能である。すなわち、この組成範囲か
らはずれるものでは第１表に示すように望ましい
特性を得ることはできなかつた。 その限定理由を具体的に述べる。 Pb（Mn1/2Ｗ1/2）O3が0.05重量％以下では誘
電体損失（tanδ）及び絶縁抵抗（IR）の改善効
果がなく実用的でない。又5.0重量％以上では誘
電率（εｓ）が低下して好ましくなく誘電体損失
（tanδ）絶縁抵抗（IR）が悪化して実用的でな
い。 なお、実施例においてMgO等は炭酸塩の形で
用いたが他の形の例えば硝酸塩のものでも本発明
の技術思想に包含されることは明らかである。 以上の様に本発明のPb（Mg1/3Nb2/3）O3―
PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3―Pb（Mn1/2Ｗ
1/2）O3系高誘電率磁器組成物によると、低温度
焼結が可能となり、かつ誘電率（εｓ）が高く、
誘電体損失（tanδ）、絶縁抵抗（IR）の極めて
良好な新規な磁器組成物が得られ、また積層磁器
コンデンサに使用した場合、埋込内部電極に銀
系・ニツケル系・アルミ系の如き低融点金属の使
用が可能となつた。 したがつて、従来の高温領域焼結材に比較し
て、多量の熱エネルギー、焼成炉材等の保全費に
格段の効果があるので省エネルギーの観点からコ
スト面で極めて有利な高誘電率系磁器組成物を提
供することができるので工業上の利益に大なるも
のがある。
第１図は本発明によるPb（Mg1/3Nb2/3）O3
―PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3系高誘電率磁
器組成物の三成分組成図を示す。 第１図において点Ａ・Ｂ・Ｃ・Ｄ・Ｅに囲まれ
る範囲が本発明の範囲である。（只しＡ・Ｂ，
Ｂ・Ｃ，Ｃ・Ｄ，Ｄ・Ａ線上は除く）。
―PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3系高誘電率磁
器組成物の三成分組成図を示す。 第１図において点Ａ・Ｂ・Ｃ・Ｄ・Ｅに囲まれ
る範囲が本発明の範囲である。（只しＡ・Ｂ，
Ｂ・Ｃ，Ｃ・Ｄ，Ｄ・Ａ線上は除く）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Pb（Mg1/3Nb2/3）O3―PbTiO3―Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3系組成物でPb（Mg1/3Nb2/3）O3
―PbTiO3，PbTiO3―Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3，Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3Pb（Mg1/3Nb2/3）O3の各二
成分組成線上にある酸化物組成比を除き、三成分
組成図におけるＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅに囲まれる組
成範囲内の酸化物で、 PbO 63.98〜73.09重量％ Nb2O5 0.02〜26.96重量％ MgO 0.45〜5.16重量％ WO3 0.04〜23.7重量％ TiO2 0.23〜23.52重量％ の範囲の酸化物に対してPb（Mn1/2Ｗ1/2）O3を
0.05〜5.0重量％添加含有したことを特徴とする
高誘電率系磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5325679A JPS55144610A (en) | 1979-04-28 | 1979-04-28 | High dielectric series porcelain composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5325679A JPS55144610A (en) | 1979-04-28 | 1979-04-28 | High dielectric series porcelain composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55144610A JPS55144610A (en) | 1980-11-11 |
| JPS6211442B2 true JPS6211442B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=12937695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5325679A Granted JPS55144610A (en) | 1979-04-28 | 1979-04-28 | High dielectric series porcelain composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55144610A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4450240A (en) * | 1982-03-17 | 1984-05-22 | Nippon Electric Co., Ltd. | Ceramic compositions having high dielectric constant and high specific resistivity |
-
1979
- 1979-04-28 JP JP5325679A patent/JPS55144610A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55144610A (en) | 1980-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3028503B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
| JPH10310469A (ja) | 誘電体セラミック原料粉末の製造方法および誘電体セラミック組成物 | |
| JP2978580B2 (ja) | 高誘電率誘電体磁器組成物 | |
| JPS6128619B2 (ja) | ||
| JPS6128621B2 (ja) | ||
| JPH0583508B2 (ja) | ||
| JPS6211444B2 (ja) | ||
| JPS6211443B2 (ja) | ||
| JPS6128620B2 (ja) | ||
| JPS6211442B2 (ja) | ||
| JPS6135144B2 (ja) | ||
| JPS6217805B2 (ja) | ||
| JPS6138140B2 (ja) | ||
| JPS6216481B2 (ja) | ||
| JPS6134206B2 (ja) | ||
| JPS6346925B2 (ja) | ||
| JPS6216482B2 (ja) | ||
| JPS629961B2 (ja) | ||
| JPS6223406B2 (ja) | ||
| JPH0637322B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6217804B2 (ja) | ||
| JPS6216483B2 (ja) | ||
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPH0562403B2 (ja) | ||
| JPS6216484B2 (ja) |