JPH0283257A - 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 - Google Patents
温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法Info
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- JPH0283257A JPH0283257A JP63234200A JP23420088A JPH0283257A JP H0283257 A JPH0283257 A JP H0283257A JP 63234200 A JP63234200 A JP 63234200A JP 23420088 A JP23420088 A JP 23420088A JP H0283257 A JPH0283257 A JP H0283257A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は温度補償用高誘電率磁器組成物に係り。
特に、 ８ｒＴｉＯ，−ＣａＴｉＯ，−Ｎｂ、Ｏ，系
の温度補償用高誘電率磁器組成物の改良に関する。
の温度補償用高誘電率磁器組成物の改良に関する。
従来、高誘電率で高いＱ値を有すると同時に優れた電気
絶縁破壊電圧を有する磁器組成物であって、しかも高誘
電率の温度係数が多くの一般電気回路や素子特性の温度
係数を補償し得る温度補償用高誘電率磁器組成物が種々
開発されている。
絶縁破壊電圧を有する磁器組成物であって、しかも高誘
電率の温度係数が多くの一般電気回路や素子特性の温度
係数を補償し得る温度補償用高誘電率磁器組成物が種々
開発されている。
例えば、誘電率が１０〜５００．その温度係数が＋１０
０〜−５０００ＸＩ Ｏ−’／℃の範囲のものを求めよ
うとする場合１組成物としては、 ＢａＴｉ０． 、
５ｒＴｉＯ１゜ｃａ’ｒ １０ ｓ −ＭｇＴ ｉＯｓ
あるいはＬａ、０８． Ｔｉｅ、、 ＭｇＯ＠ＳｉＯ，
。
０〜−５０００ＸＩ Ｏ−’／℃の範囲のものを求めよ
うとする場合１組成物としては、 ＢａＴｉ０． 、
５ｒＴｉＯ１゜ｃａ’ｒ １０ ｓ −ＭｇＴ ｉＯｓ
あるいはＬａ、０８． Ｔｉｅ、、 ＭｇＯ＠ＳｉＯ，
。
Ｂ１．ｏ３・２ＴｉＯ，等の組成系から選択されるが、
一般に高誘電率−小温度係数−高Ｑ値の組合せを一つの
組成物に求めることは至難である。
一般に高誘電率−小温度係数−高Ｑ値の組合せを一つの
組成物に求めることは至難である。
即ち、上記組成系では、常温での誘電率とその温度係数
との関係は概略的に見て誘電率が大きくなる程温度係数
の値も大きくなる関係にあり、温度係数の利用を優先す
ると誘電率が小さくなってしまう。さらに高周波の損失
角の悪化も付随するため、これらの温度補償用組成物は
たとえ温度係数を十分小さくし得ても、マイナスの温度
係数を有する誘電率と、これと組合されるＱ値がいずれ
も温度補償対象の電気素子や回路特性よりも相当に劣っ
てしまい、実用的見地からみて必要十分な温度補償機能
を果し得ない。
との関係は概略的に見て誘電率が大きくなる程温度係数
の値も大きくなる関係にあり、温度係数の利用を優先す
ると誘電率が小さくなってしまう。さらに高周波の損失
角の悪化も付随するため、これらの温度補償用組成物は
たとえ温度係数を十分小さくし得ても、マイナスの温度
係数を有する誘電率と、これと組合されるＱ値がいずれ
も温度補償対象の電気素子や回路特性よりも相当に劣っ
てしまい、実用的見地からみて必要十分な温度補償機能
を果し得ない。
一例を示せば、温度係数を小さく、かつ自由に制御出来
、しかも誘電率が高く高周波の損失角が小さな温度補償
用高誘電率磁器組成物として提案された。 Ｃａ０−
Ｔｉｅ、−８ｉｎ、−８ｒＯ２系組成物は、その誘電率
が１８．４〜１４５ （ＩＭＨｚ ２５℃）と相当に低
い。
、しかも誘電率が高く高周波の損失角が小さな温度補償
用高誘電率磁器組成物として提案された。 Ｃａ０−
Ｔｉｅ、−８ｉｎ、−８ｒＯ２系組成物は、その誘電率
が１８．４〜１４５ （ＩＭＨｚ ２５℃）と相当に低
い。
さらにＣａＴ ｉｏ ｓ −Ｓｂｚ Ｏｓ ” ２ Ｍ
ｇＯ−Ｓ ｒｏ ＊ Ｎｂ２Ｏｓ系組成物またはＣａＴ
ｉ０ｓ−ＬａｚＯｓｅ ２ＴｉＯｉ−ＰｂＯ＊ＴｉＯ，
−ＢｉｚＯｓ・２ＴｉＯｉ系組成物でも誘電率は１００
〜１８０に止まっており、実用的な範囲とは云いがたい
。
ｇＯ−Ｓ ｒｏ ＊ Ｎｂ２Ｏｓ系組成物またはＣａＴ
ｉ０ｓ−ＬａｚＯｓｅ ２ＴｉＯｉ−ＰｂＯ＊ＴｉＯ，
−ＢｉｚＯｓ・２ＴｉＯｉ系組成物でも誘電率は１００
〜１８０に止まっており、実用的な範囲とは云いがたい
。
本出願人は先に、各種開発された高誘電率磁器組成物を
背景に優れた特性を有する温度補償用高誘電率磁器組成
物を提案した（特公昭５６−１７７７１号公報参照）。
背景に優れた特性を有する温度補償用高誘電率磁器組成
物を提案した（特公昭５６−１７７７１号公報参照）。
ところでこのような温度補償用高誘電率磁器組成物を製
造するとき７第７図に示す方式も一般的−ｃ’、６る。
造するとき７第７図に示す方式も一般的−ｃ’、６る。
即ち、 Ｓｒ（，０，、’Ｉ’＋０２ と酸化剤とし
てＭｎＣＯ３の原料を混合し、脱水乾燥後、仮成形、仮
焼成を行い粗粉砕してＳｒ’Ｌ’ｉ０．を完成する。同
様にｃａｃｏ３゜ＴｉＯ２、ＭｎＣＯ５＋７）原料も同
様の手順をふんでＣａＴ ＋ ０３を完成する。そして
両方のチタン酸塩（８ｒＴｉＯ，とＣａＴｉ０．）を混
合、脱水乾燥して所望の材料を完成するチタン酸塩方式
である。
てＭｎＣＯ３の原料を混合し、脱水乾燥後、仮成形、仮
焼成を行い粗粉砕してＳｒ’Ｌ’ｉ０．を完成する。同
様にｃａｃｏ３゜ＴｉＯ２、ＭｎＣＯ５＋７）原料も同
様の手順をふんでＣａＴ ＋ ０３を完成する。そして
両方のチタン酸塩（８ｒＴｉＯ，とＣａＴｉ０．）を混
合、脱水乾燥して所望の材料を完成するチタン酸塩方式
である。
上記組成物の基礎となるＳｒ’ｒｉＯ，−ＣａＴｉＯｓ
系磁器組成物は第４図に示す通り、相互の組成比の変化
に伴ないＱ値、誘電率ε、誘電率の温度係数Ｔ、Ｃが多
様に変化するため、実質的にはある一つの特性だけを利
用するにとどまっていた。
系磁器組成物は第４図に示す通り、相互の組成比の変化
に伴ないＱ値、誘電率ε、誘電率の温度係数Ｔ、Ｃが多
様に変化するため、実質的にはある一つの特性だけを利
用するにとどまっていた。
しかし本出願人の先の発明（特公昭５６−１７７７１号
公報）によれば、第６図に示すように、第３成分のＮｂ
、Ｏｓが誘戒率ε、Ｑ値に対する変化をコントロールし
、固有特性の高度利用を可能とするとともに、温度係数
Ｔ、Ｃ，に単純な変化を併起させることが出来る。従っ
て各組成点ごとに安定に現われるこの単純な温度係数の
変化範囲から、所要の温度補償に必要な温度係数を良い
特性値との組合せで求めることが出来るようになった。
公報）によれば、第６図に示すように、第３成分のＮｂ
、Ｏｓが誘戒率ε、Ｑ値に対する変化をコントロールし
、固有特性の高度利用を可能とするとともに、温度係数
Ｔ、Ｃ，に単純な変化を併起させることが出来る。従っ
て各組成点ごとに安定に現われるこの単純な温度係数の
変化範囲から、所要の温度補償に必要な温度係数を良い
特性値との組合せで求めることが出来るようになった。
ところが、これらノＳ ｒＴ ＋０３ ＣａＴ ＋０３
− Ｎｂｔ Ｏｓ 系磁器組成物の結晶粒径は通常１
０〜２５μｍと比較的大きい。
− Ｎｂｔ Ｏｓ 系磁器組成物の結晶粒径は通常１
０〜２５μｍと比較的大きい。
そして最近の誘電体素子１例えば積層チップコンデンサ
は小型、大容量化、コストダウン等が要求され２例えば
厚み１０μｍなどますます薄層化の方向へ進んでいる。
は小型、大容量化、コストダウン等が要求され２例えば
厚み１０μｍなどますます薄層化の方向へ進んでいる。
これを達成するためには、従来の結晶粒径１０〜２５μ
ｍでは不可能である。
ｍでは不可能である。
また、たとえコンデンサの１層当りのシート厚みを２０
〜３０μｍにする場合でも従来の結晶粒径の大きさでは
１シート当りの結晶粒が１〜２個となる計算になる。こ
れはデラミネーションを発生させ素子の絶縁抵抗や絶縁
破壊を低下させる原因となっていた。
〜３０μｍにする場合でも従来の結晶粒径の大きさでは
１シート当りの結晶粒が１〜２個となる計算になる。こ
れはデラミネーションを発生させ素子の絶縁抵抗や絶縁
破壊を低下させる原因となっていた。
従って本発明の目的は本出願人が先に発明した温度補償
用高誘電率磁器組成物の緒特性を損うことなく、その結
晶粒径を微小化した温度補償用高誘電率磁器組成物を提
供するものである。
用高誘電率磁器組成物の緒特性を損うことなく、その結
晶粒径を微小化した温度補償用高誘電率磁器組成物を提
供するものである。
本発明は上記目的を達成するため、 ５ｒＴｉＯｓ
６６〜７１ｗｔ％、 ＣａＴｉ０．２９〜３４ ｗｔ
％から成る組成物１００部に対して、 ＮｂｚＯｉを
０．２〜１１．０ｗｔ％、 ＳｉＱｚ０．１〜１．Ｏ
ｗｔ％添加しテ５ｒＴｉＯ，−ＣａＴｉＯ，−Ｎｂ、Ｏ
，−８ｉ０．系温度補償用高誘電率磁器組成物とするも
のである。
６６〜７１ｗｔ％、 ＣａＴｉ０．２９〜３４ ｗｔ
％から成る組成物１００部に対して、 ＮｂｚＯｉを
０．２〜１１．０ｗｔ％、 ＳｉＱｚ０．１〜１．Ｏ
ｗｔ％添加しテ５ｒＴｉＯ，−ＣａＴｉＯ，−Ｎｂ、Ｏ
，−８ｉ０．系温度補償用高誘電率磁器組成物とするも
のである。
本発明と本出願人による先の発明との相違点。
即ち改良点は、先の発明ノｓｒ’Ｉ’ｉｏ、−ｃａ’Ｔ
ｔｏ３− Ｎｂ５Ｏａ系温度補償用高誘電率磁器組成物
に８ ｉ ０２を添加するものであり、 Ｓｉｎ、の添
加はこの磁器組成物原料を仮焼成後の粉砕工程で添加す
る。
ｔｏ３− Ｎｂ５Ｏａ系温度補償用高誘電率磁器組成物
に８ ｉ ０２を添加するものであり、 Ｓｉｎ、の添
加はこの磁器組成物原料を仮焼成後の粉砕工程で添加す
る。
本発明によって先の発明の磁器組成物の仮焼成後の微粉
砕時にｓｉｏ、を所定量添加することにより。
砕時にｓｉｏ、を所定量添加することにより。
本焼成温度を低下させ、そのため組成物の結晶粒の成長
を抑制し、製造される磁器組成物の結晶粒径を小さくす
ることが出来る。
を抑制し、製造される磁器組成物の結晶粒径を小さくす
ることが出来る。
本発明の詳細な説明する。
市販の工業用原料である８ｒＣＯ，、ＣａＣ０，、Ｔｉ
０ｚ 。
０ｚ 。
Ｎｂｚ Ｏａを出発原料とし、焼成後の組成が後述する
第１表に示すものとなるように、 ８ｒＣＯ，、Ｃａ
Ｃ０，。
第１表に示すものとなるように、 ８ｒＣＯ，、Ｃａ
Ｃ０，。
ＴｉＯ□Ｎｂ、Ｏ，を秤量する。
さらに焼成時の還元性を防止するため酸化剤として、
ＭｎＣ０，を約０．２ ｗｔ％添加し、同時に焼結性を
よくするために鉱化剤としてＣｅＯ２、Ｌａ２０ｓ等の
希土類金属の酸化物等を添加する。
ＭｎＣ０，を約０．２ ｗｔ％添加し、同時に焼結性を
よくするために鉱化剤としてＣｅＯ２、Ｌａ２０ｓ等の
希土類金属の酸化物等を添加する。
この原料を磁製ポットミルで２０時時間式混合を行う（
第１図（ａ）参照）。
第１図（ａ）参照）。
次にこの混合物を脱水乾燥後、１１００〜１２００℃で
２時間仮焼成する（第１図（ｂ）参照）。
２時間仮焼成する（第１図（ｂ）参照）。
さらにこの仮焼成物を粗粉砕した後、 ＳｘＯ，を上記
の成分に対して第１表に示す添加量となるように添加し
、再度ポットミルで湿式混合、微粉砕を２０時間行う（
第１図（ｃ）参照）。
の成分に対して第１表に示す添加量となるように添加し
、再度ポットミルで湿式混合、微粉砕を２０時間行う（
第１図（ｃ）参照）。
これを脱水乾燥して材料を完成する（第１図（ｄ）参照
）。
）。
その後、材料にバインダーを添加して、１６．５φＸ０
．６ｚｍｍの円板を約３トン／ｄの圧力で加圧成形し、
１２４０〜１３２０’Ｃで２時間保持して本焼成を行い
、磁器組成物を得る。
．６ｚｍｍの円板を約３トン／ｄの圧力で加圧成形し、
１２４０〜１３２０’Ｃで２時間保持して本焼成を行い
、磁器組成物を得る。
得られた円板形の磁器組成物に銀電極を８５０’Ｃで焼
付け、リード線を半田付けし洗浄後、電気的緒特性等の
測定を行う。測定条件は室温２０’Ｃ以下で行い、横動
電機製作所製のＱメータ（４３４０Ａ）及びＩＲメータ
（４３２９Ａ）を使用し、誘電率の温度係数はＬＣＲメ
ータ４２７４Ａ、恒温槽はエレクトツブ社ｆｉＢＴ−Ｚ
ｏｏを使用し、測定電圧ＡＣＩＶ、周波数ＩＫＨｚで測
定する。
付け、リード線を半田付けし洗浄後、電気的緒特性等の
測定を行う。測定条件は室温２０’Ｃ以下で行い、横動
電機製作所製のＱメータ（４３４０Ａ）及びＩＲメータ
（４３２９Ａ）を使用し、誘電率の温度係数はＬＣＲメ
ータ４２７４Ａ、恒温槽はエレクトツブ社ｆｉＢＴ−Ｚ
ｏｏを使用し、測定電圧ＡＣＩＶ、周波数ＩＫＨｚで測
定する。
このような製造条件で製造した組成比の異なる磁器組成
物の特性値等を第１表に示す。表中１組成比は重ｉ％（
ｗｔ％）に換算して各組成内容を示しておシ、測定結果
は誘電率ε３．誘電率の温度係数Ｔ、Ｃ，，Ｑ値、絶縁
抵抗ＩＲ，結晶粒径、焼結性を示す。
物の特性値等を第１表に示す。表中１組成比は重ｉ％（
ｗｔ％）に換算して各組成内容を示しておシ、測定結果
は誘電率ε３．誘電率の温度係数Ｔ、Ｃ，，Ｑ値、絶縁
抵抗ＩＲ，結晶粒径、焼結性を示す。
なお１組成物の成形焼成以前の粉末の粒径は０．５〜１
．５μｍであることが望ましい。
．５μｍであることが望ましい。
以下余白
なお、資料番号にＸ印のついたものは本発明の範囲外の
ものである。
ものである。
第１表に示す如く２本発明の磁器組成物は誘電Ｓの温度
係数は（−５００〜−３０００）ＸＩＯ−’／’Ｃ。
係数は（−５００〜−３０００）ＸＩＯ−’／’Ｃ。
範囲で滑らかに変化していて、温度補償に最適の温度係
数全自在に求めることが出来る。また誘電率はこの種の
磁器組成物の従来値よシ際立って大きな２００〜３２０
を維持し、Ｑ値もほぼ１５００〜５０００の範囲であり
、 Ｎｂ！Ｏ，を添加することにより絶縁抵抗も従来の
０．８ Ｘ １０”Ωよシ大きな１〜１０ＸＩＯ”Ωの
値に改良できる。
数全自在に求めることが出来る。また誘電率はこの種の
磁器組成物の従来値よシ際立って大きな２００〜３２０
を維持し、Ｑ値もほぼ１５００〜５０００の範囲であり
、 Ｎｂ！Ｏ，を添加することにより絶縁抵抗も従来の
０．８ Ｘ １０”Ωよシ大きな１〜１０ＸＩＯ”Ωの
値に改良できる。
そして２本発明によって、 Ｓｉｎ、を仮焼成後の粉砕
工程で添加することによって１本焼成温度を１２４０〜
１３２０℃と低下することが出来る。それに伴って結晶
の粒成長が抑制される。
工程で添加することによって１本焼成温度を１２４０〜
１３２０℃と低下することが出来る。それに伴って結晶
の粒成長が抑制される。
第２図は磁器組成物の焼成温度と結晶粒径の相関を示し
、第３図は製造される磁器組成物の結晶の構造を示す写
真である。
、第３図は製造される磁器組成物の結晶の構造を示す写
真である。
第２図、第３図から明らかな如く２本発明のＳｉｎ、を
仮焼成後に添加して本焼成する生調合方式によれ、ば焼
成温度は１２８０℃以下で、製造される磁器組成物の結
晶粒径は２〜５ ｐｍと小さいものが得られる。なお、
この方式では焼成温度が１３２０℃以上では付着がおき
る。
仮焼成後に添加して本焼成する生調合方式によれ、ば焼
成温度は１２８０℃以下で、製造される磁器組成物の結
晶粒径は２〜５ ｐｍと小さいものが得られる。なお、
この方式では焼成温度が１３２０℃以上では付着がおき
る。
一方、 ５ｔＱｚを添加しない従来のチタン酸塩方式で
磁器組成物を製造する場合、焼成温度が１２８０℃では
焼は不足で焼結困難となるので、１３００℃以上で焼成
する必要がある。また製造される結晶粒径も１５〜２５
μｍ程度と比較的大きい。これは第８図の写真からも明
らかである。
磁器組成物を製造する場合、焼成温度が１２８０℃では
焼は不足で焼結困難となるので、１３００℃以上で焼成
する必要がある。また製造される結晶粒径も１５〜２５
μｍ程度と比較的大きい。これは第８図の写真からも明
らかである。
ここで２本発明の磁器組成物においてその特性と組成比
の相関について検討する。
の相関について検討する。
第４図は本発明の基礎となる８ｒＴｉＯｓ −ＣａＴｉ
Ｏ３系磁器組成物の組成比と特性との相関図である。
Ｏ３系磁器組成物の組成比と特性との相関図である。
第４図において、 ８ｒＴｉＯｓが７１ｗｔ％以上即
チ。
チ。
ｃａ’ｒｉ０３が２９ｗｔ％になると誘電率の温度係数
が大きくなり、焼結性が悪くなる。他方、 ５ｒＴｉＯ
ｓが６６ｗｔ％以下、即ち、 ＣａＴｉＯ３が３４ｗｔ
％以上でも同様に誘電率の温度係数が犬きくなり、Ｑ値
が低下していく。
が大きくなり、焼結性が悪くなる。他方、 ５ｒＴｉＯ
ｓが６６ｗｔ％以下、即ち、 ＣａＴｉＯ３が３４ｗｔ
％以上でも同様に誘電率の温度係数が犬きくなり、Ｑ値
が低下していく。
この傾向は本発明の如＜ Ｉ Ｎｂ２Ｏ５，５ｉ０２を
含む場合も同様であシ（例えば第１表Ｆ４ａ７ 、８参
照）。
含む場合も同様であシ（例えば第１表Ｆ４ａ７ 、８参
照）。
３ｒＴｉＯｓとＣａＴｉ０．の組成比は５ｒＴｉＯｓ＝
６６〜７１ｗｔ％、 ＣａＴｉＯｓ： ２９〜３４ｗ
ｔ％とするのが適当である０ 次にＮｂ ２０６とＳｉｎ、の添加量について検討する
。
６６〜７１ｗｔ％、 ＣａＴｉＯｓ： ２９〜３４ｗ
ｔ％とするのが適当である０ 次にＮｂ ２０６とＳｉｎ、の添加量について検討する
。
第５図、第６図は８ｒＴｉＯ＊ ： ６８ ｗｔ％ｒ
ＣａＴ ｒ Ｏｓ ：３２ｗｔ％の時のＮｂ、０．の添
加量と各特性との相関図である。
ＣａＴ ｒ Ｏｓ ：３２ｗｔ％の時のＮｂ、０．の添
加量と各特性との相関図である。
第５図、第６図から明らかなように、 Ｎｂ、０．の添
加量がＱ、 ２ｗｔ％以下では絶縁抵抗、誘電率の温度
係数を高める効果は顕著ではない。また、 Ｎｂｔ０６
の添加量が１１ｗｔ％以上になるとＱ値が著しく低下す
る。そしてこれらの傾向はＳ ｓ ０２を添加した場合
も同様であり（例えば第１表Ｎａ１ｌ、１２．１７参照
）、 Ｎｂ１ＯＢの添加量は０．２〜１１．０ｗｔ％の
範囲が適当である。また、 ＮｂりＯ５はＣａＯ−Ｎｂ
２Ｏ６の形で作用させても同様の総合的改良効果が得ら
れる。
加量がＱ、 ２ｗｔ％以下では絶縁抵抗、誘電率の温度
係数を高める効果は顕著ではない。また、 Ｎｂｔ０６
の添加量が１１ｗｔ％以上になるとＱ値が著しく低下す
る。そしてこれらの傾向はＳ ｓ ０２を添加した場合
も同様であり（例えば第１表Ｎａ１ｌ、１２．１７参照
）、 Ｎｂ１ＯＢの添加量は０．２〜１１．０ｗｔ％の
範囲が適当である。また、 ＮｂりＯ５はＣａＯ−Ｎｂ
２Ｏ６の形で作用させても同様の総合的改良効果が得ら
れる。
さらにＳｉｎｇの添加量がＱ、１ｗｔ％以下では本焼成
温度を下げる効果は顕著でなく、結晶粒径も小さくなら
ない（例えば第１表Ｎα１８，１９参照）０また８ｉ０
！の添加量がｌ、Ｑｗｔ％以上では誘電率が著しく低下
して実用的でない（例えば第１表に２３参照）。従って
Ｓｉｎ、の添加量は０．１〜１，０ｗｔ％が適当である
。
温度を下げる効果は顕著でなく、結晶粒径も小さくなら
ない（例えば第１表Ｎα１８，１９参照）０また８ｉ０
！の添加量がｌ、Ｑｗｔ％以上では誘電率が著しく低下
して実用的でない（例えば第１表に２３参照）。従って
Ｓｉｎ、の添加量は０．１〜１，０ｗｔ％が適当である
。
また、 Ｍｎ 、 Ｏｒ 、 Ｓｂ 、 Ｆｅの酸化物
、 Ｃｅ 、 Ｌａ等を含む希土類元素の酸化物ないし
カオリン、カオリナイト、ベントナイト等の粘土質物質
の一種ないし二種以上の元素を含有させることによって
磁器組成物の焼成温度条件を緩和するなど一層の工業的
有意義性が期待できる。
、 Ｃｅ 、 Ｌａ等を含む希土類元素の酸化物ないし
カオリン、カオリナイト、ベントナイト等の粘土質物質
の一種ないし二種以上の元素を含有させることによって
磁器組成物の焼成温度条件を緩和するなど一層の工業的
有意義性が期待できる。
本発明の如＜ ５ｒＴｉＯ，ＣａＴｉＯ３Ｎｂ２０ｓ
５ｉＯｚの４成分系で温度補償用高誘電率磁器組成物を
製造することにより、高い誘電率、小さい誘電率の温度
係数及び高いＱ値を得るとともに、結晶粒径の細かい良
好な性質を有するものを得ることが出来る。
５ｉＯｚの４成分系で温度補償用高誘電率磁器組成物を
製造することにより、高い誘電率、小さい誘電率の温度
係数及び高いＱ値を得るとともに、結晶粒径の細かい良
好な性質を有するものを得ることが出来る。
従ってこの磁器組成ｖＩＪを用いて、誘電体素子。
例えば薄層化した積層チップコンデンサ等ケ製造するこ
とが可能となった。
とが可能となった。
第１図は９本発明の磁器組成物の製造工程説明図。
第２図は、磁器組成物の焼成温度と結晶粒径の相関図。
第３図は２本発明のＳＩＯ！を添加した磁器組成物の結
晶の構造を示す写真。 第４図は、 Ｓｒ’Ｉ’ｉ０．−ＣａＴｉＯ，系磁器
組成物の組成比と特性の相関図。 第５図、第６図は、 Ｎｂ＊Ｏｓ添加量と特性の相関図
。 第７図は従来の磁器組成物の製造工程説明図。 第８図は従来の５ｉ０１を添加しない磁器組成物の結晶
の構造を示す写真である。
晶の構造を示す写真。 第４図は、 Ｓｒ’Ｉ’ｉ０．−ＣａＴｉＯ，系磁器
組成物の組成比と特性の相関図。 第５図、第６図は、 Ｎｂ＊Ｏｓ添加量と特性の相関図
。 第７図は従来の磁器組成物の製造工程説明図。 第８図は従来の５ｉ０１を添加しない磁器組成物の結晶
の構造を示す写真である。
Claims (4)
- （１）ＳｒＴｉＯ＿３が６６〜７１重量％，ＣａＴｉＯ
＿３が２９〜３４重量％からなる組成物１００部に対し
てＮｂ＿２Ｏ＿５を０．２〜１１．０重量％，ＳｉＯ＿
２を０．１〜１．０重量％添加することを特徴とする温
度補償用高誘電率磁器組成物。 - （２）ＳｒＴｉＯ＿３が６６〜７１重量％，ＣａＴｉＯ
＿３が２９〜３４重量％から成る組成物１００部に対し
てＮｂ＿２Ｏ＿５を０．２〜１１．０重量％，ＳｉＯ＿
２を０．１〜１．０重量％添加する温度補償用高誘電率
磁器組成分の製造方法において，原料の仮焼成後微粉砕
時にＳｉＯ＿２を０．１〜１．０重量％添加して本焼成
を行うことを特徴とする温度補償用高誘電率磁器組成物
の製造方法。 - （３）ＳｒＴｉＯ＿３が６６〜７１重量％，ＣａＴｉＯ
＿３が２９〜３４重量％，Ｎｂ＿２Ｏ＿５が０．２ 〜
１ １．０重量％，ＳｉＯ＿２が０．１〜１．０重量％
を主成分とする組成物に対して，副成分としてＭｎ，Ｃ
ｒ，Ｓｂ，Ｆｅの酸化物，Ｃｅ，Ｌａ等を含む希土類元
素の酸化物及び粘土物質のうち一種または二種以上を含
有することを特徴とする請求項（１）記載の温度補償用
高誘電率磁器組成物。 - （４）焼成後の組成物の粉体粒径が０．５〜１．５μｍ
からなることを特徴とする請求項（１）記載の温度補償
用高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234200A JP2505030B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234200A JP2505030B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283257A true JPH0283257A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2505030B2 JP2505030B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16967255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234200A Expired - Fee Related JP2505030B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505030B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001025164A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Tdk Corporation | Procede de production de composition ceramique dielectrique |
| US6427874B2 (en) | 1991-12-06 | 2002-08-06 | Seaquist Closures Foreign, Inc. | Dispensing valve |
| US6530504B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-03-11 | Seaquist Closures Foreign, Inc. | Multiple orifice valve |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515917A (en) * | 1978-07-12 | 1980-02-04 | Murata Manufacturing Co | Intergrain insulation type semiconductor porcelain composition |
| JPS63215019A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63234200A patent/JP2505030B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515917A (en) * | 1978-07-12 | 1980-02-04 | Murata Manufacturing Co | Intergrain insulation type semiconductor porcelain composition |
| JPS63215019A (ja) * | 1987-03-04 | 1988-09-07 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6427874B2 (en) | 1991-12-06 | 2002-08-06 | Seaquist Closures Foreign, Inc. | Dispensing valve |
| WO2001025164A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Tdk Corporation | Procede de production de composition ceramique dielectrique |
| US6544916B1 (en) | 1999-10-05 | 2003-04-08 | Tdk Corporation | Manufacture method of dielectric ceramic composition |
| CN1109005C (zh) * | 1999-10-05 | 2003-05-21 | Tdk株式会社 | 介电陶瓷组合物的制备方法 |
| US6530504B2 (en) | 2001-03-02 | 2003-03-11 | Seaquist Closures Foreign, Inc. | Multiple orifice valve |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505030B2 (ja) | 1996-06-05 |
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|---|---|---|---|
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