JPS62138360A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS62138360A JPS62138360A JP60277610A JP27761085A JPS62138360A JP S62138360 A JPS62138360 A JP S62138360A JP 60277610 A JP60277610 A JP 60277610A JP 27761085 A JP27761085 A JP 27761085A JP S62138360 A JPS62138360 A JP S62138360A
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- ceramic composition
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- dielectric ceramic
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
- C04B35/499—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides containing also titanates
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は誘電体磁器組成物に係り、特に絶縁抵抗及び容
量抵抗積が高く、低温焼結が可能な高誘電率の磁器組成
物に関するものである。
量抵抗積が高く、低温焼結が可能な高誘電率の磁器組成
物に関するものである。
[従来の技術]
従来、高誘電率磁器組成物としては、チタン醸バリウム
(BaTiOa)を主体とする組成物が一般に使用され
ている。即ち、BaTi0tを基体とし、これにキュリ
4室温付近に移動させるシフター剤と容量温度特性を改
善するデプレッサ剤、さらに焼結促進剤、還元防止剤な
どを加えた組成とするのが一般的である。
(BaTiOa)を主体とする組成物が一般に使用され
ている。即ち、BaTi0tを基体とし、これにキュリ
4室温付近に移動させるシフター剤と容量温度特性を改
善するデプレッサ剤、さらに焼結促進剤、還元防止剤な
どを加えた組成とするのが一般的である。
シフター剤としては、BaSnO3,BaZrO3、C
aZrO3、Ca5nOa 、5rTiOg 、 P
b T i O3、L a 20 z 、 Ce 0
2などが用いられ、デプレッサ剤としては、CaTi0
a + M g T i O3+ B l 2 (
S n O3) g +B i 2 (T i
Oa ) 3 、 N i S n
O3、M g Z rOg + M g S n 0
3などが用いられている。また焼結促進剤としては、A
KL20g 、S io2゜Z n O、Ce O2、
B 203. N b 205゜W 03などが用いら
れ、還元防止剤としては、MnO2,F e203 、
CuOなどが用いられている。
aZrO3、Ca5nOa 、5rTiOg 、 P
b T i O3、L a 20 z 、 Ce 0
2などが用いられ、デプレッサ剤としては、CaTi0
a + M g T i O3+ B l 2 (
S n O3) g +B i 2 (T i
Oa ) 3 、 N i S n
O3、M g Z rOg + M g S n 0
3などが用いられている。また焼結促進剤としては、A
KL20g 、S io2゜Z n O、Ce O2、
B 203. N b 205゜W 03などが用いら
れ、還元防止剤としては、MnO2,F e203 、
CuOなどが用いられている。
[発明が解決しようとする問題点]
しかしながら、チタン酸バリウムを主成分とする組成物
は、焼結温度が1300−1400℃の高温であるため
、焼成コストが高く、特にこれを積層コンデンサに利用
する場合には、内部電極として、Pd、Pt等の高価な
高融点貴金属を用いなければならず、コンデンサのコス
ト低減の大きな障害になでいた。
は、焼結温度が1300−1400℃の高温であるため
、焼成コストが高く、特にこれを積層コンデンサに利用
する場合には、内部電極として、Pd、Pt等の高価な
高融点貴金属を用いなければならず、コンデンサのコス
ト低減の大きな障害になでいた。
このため、従来より、積層コンデンサの内部電極として
、安価な銀を主成分とする電極を使用し得、積層コンデ
ンサの製造コストを低減し得る、低温焼結が可能な誘電
体材料の出現が要望されていた。
、安価な銀を主成分とする電極を使用し得、積層コンデ
ンサの製造コストを低減し得る、低温焼結が可能な誘電
体材料の出現が要望されていた。
[問題点を解決するための手段及び作用]本発明は、上
記従来の実情に鑑み、焼結温度が低く、しかも誘電率、
絶縁抵抗及び容量抵抗積の大きい磁器組成物を提供する
べくなされたものであって、 (Pb、La)(Zr、Ti)Oa及びPb(Mg1/
3Nb2/3)O3を、下記一般式で示されるような組
成比で含んでなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
記従来の実情に鑑み、焼結温度が低く、しかも誘電率、
絶縁抵抗及び容量抵抗積の大きい磁器組成物を提供する
べくなされたものであって、 (Pb、La)(Zr、Ti)Oa及びPb(Mg1/
3Nb2/3)O3を、下記一般式で示されるような組
成比で含んでなることを特徴とする誘電体磁器組成物。
X(Pb La )(Zr Ti )01−
u u l−マ マ 3” (l X
) P b (Mgy、N b H) 03を要旨とす
るものである。
u u l−マ マ 3” (l X
) P b (Mgy、N b H) 03を要旨とす
るものである。
以下に本発明の詳細な説明[る。
本発明の誘電体磁器組成物は、(Pb、La)(Zr、
Ti)O:+及びP b (M g y、 N b H
) 03を、一般式(I) X(Pb La )(Zr Ti
)Ol−u u 1−マ マ 3− (1
−X)Pb (Mg、Nb%)03・・・ (I) で表わした場合、 0、lO≦U≦0.28 0.25≦V≦1.00 0.03≦X≦0.50 となるように含有するものである。
Ti)O:+及びP b (M g y、 N b H
) 03を、一般式(I) X(Pb La )(Zr Ti
)Ol−u u 1−マ マ 3− (1
−X)Pb (Mg、Nb%)03・・・ (I) で表わした場合、 0、lO≦U≦0.28 0.25≦V≦1.00 0.03≦X≦0.50 となるように含有するものである。
また1本発明の誘電体磁器組成物は、更にPb(Feb
W h ) 03を0〜9モル%の割合で、また、P’
b (M g 34WH) 03 、 Pb(N i
3+WH)03及びPb(FebW局)03よりなる群
から選ばれる少なくとも1種(ただし、Pb (Feb
W 局) 03のみの場合を除く、)を総量で5モル%
以下の割合で含有していても良い。
W h ) 03を0〜9モル%の割合で、また、P’
b (M g 34WH) 03 、 Pb(N i
3+WH)03及びPb(FebW局)03よりなる群
から選ばれる少なくとも1種(ただし、Pb (Feb
W 局) 03のみの場合を除く、)を総量で5モル%
以下の割合で含有していても良い。
以下に、本発明の誘電体磁器組成物の組成比の限定理由
について説明する。
について説明する。
前記(I)式中、Uが0.1未満であると得られる組成
物の絶縁抵抗ないし容量抵抗積が小さくなり、Uが0.
28を超えるとキューリ一点が著しく低温側に変化して
誘電率が下がることとなる。このため、Uは0.10以
上0.28以下の範囲とする。
物の絶縁抵抗ないし容量抵抗積が小さくなり、Uが0.
28を超えるとキューリ一点が著しく低温側に変化して
誘電率が下がることとなる。このため、Uは0.10以
上0.28以下の範囲とする。
また、(1)式中、Vが0.25未満では、得られる組
成物の焼結温度が高くなる。このためVは0.25以上
1.00以下の範囲とする。
成物の焼結温度が高くなる。このためVは0.25以上
1.00以下の範囲とする。
更に(I)式中、Xが0.03未満では、得られる組成
物の絶縁抵抗ないし容量抵抗積が小さくなり、Xが0.
50を超えると誘電率が小さくなる。このため、Xは0
.03以上0.50以下の範囲とする。
物の絶縁抵抗ないし容量抵抗積が小さくなり、Xが0.
50を超えると誘電率が小さくなる。このため、Xは0
.03以上0.50以下の範囲とする。
本発明の組成物中にPb(FebW s ) 03、P
b (Mg W )03及びP b (N t
h W局)繕 鍾 o3よりなる群から選ばれる少なくとも1種が含まれる
場合には、得られる組成物の焼結温度が低いという効果
がある。
b (Mg W )03及びP b (N t
h W局)繕 鍾 o3よりなる群から選ばれる少なくとも1種が含まれる
場合には、得られる組成物の焼結温度が低いという効果
がある。
しかるに、これらのうち、Pb(FebW月)03のみ
を含み、その割合が9モル%を超える場合、あるいは、
Pb(Mg局W局)Os、Pb(N l 3AW h
) 03を単独又は上記群の2種以上を含み、その割合
(2種以上の場合には総量)が5モル%を超える場合、
には、得られる組成物の誘電率が小さくなり、好ましく
ない。
を含み、その割合が9モル%を超える場合、あるいは、
Pb(Mg局W局)Os、Pb(N l 3AW h
) 03を単独又は上記群の2種以上を含み、その割合
(2種以上の場合には総量)が5モル%を超える場合、
には、得られる組成物の誘電率が小さくなり、好ましく
ない。
このような本発明の誘電体磁器組成物を製造するには、
例えば、酸化鉛、酸化ランタン、酸化ジルコニウム、酸
化チタン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ等の粉末を、
所定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用い
て十分に混合する。
例えば、酸化鉛、酸化ランタン、酸化ジルコニウム、酸
化チタン、酸化マグネシウム、酸化ニオブ等の粉末を、
所定の割合となるよう秤量し、湿式ボールミル等を用い
て十分に混合する。
次にこの混合物を乾燥した後、必要に応じ、700〜8
50℃の範囲で数時間仮焼成する。この仮焼成は必ずし
も行う必要はないが、これを行うことにより粒子がより
均一化され、誘電特性が向上する傾向がある。仮焼成を
行った場合には、仮焼成物を更に湿式ボールミル等で粉
砕し、乾燥後、ポリビニルアルコールなどの適当なバイ
ンダを加えて、顆粒を作り、これを所定の形状にプレス
成形した後、本焼成を行う、この本焼成は、1000〜
1200℃の温度範囲で数時間行う。
50℃の範囲で数時間仮焼成する。この仮焼成は必ずし
も行う必要はないが、これを行うことにより粒子がより
均一化され、誘電特性が向上する傾向がある。仮焼成を
行った場合には、仮焼成物を更に湿式ボールミル等で粉
砕し、乾燥後、ポリビニルアルコールなどの適当なバイ
ンダを加えて、顆粒を作り、これを所定の形状にプレス
成形した後、本焼成を行う、この本焼成は、1000〜
1200℃の温度範囲で数時間行う。
本発明で限定される組成比の誘電体磁器組成物は、誘電
率、絶縁抵抗及び容量抵抗積が大きく。
率、絶縁抵抗及び容量抵抗積が大きく。
磁器コンデンサ材料として優れた特性を有する。
その上、焼成温度が低く、誘電損失も低いという利点も
有している。
有している。
[実施例]
以下に本発明を実施例を挙げて更に具体的に説明するが
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限
定されるものではない。
実施例1
原料としてP bO、La2O3、Z ro2゜TiO
2、MgO,Nb2O5、Nip。
2、MgO,Nb2O5、Nip。
F e 203 、 WO3を使用し、これらを第1
表に示す配合比となるように秤量し、ボールミル中で2
0時時間式混合した0次いで、混合物を脱水、乾燥後、
750℃で2時間保持して仮焼し、再びボールミル中で
20時時間式粉砕した後、脱水。
表に示す配合比となるように秤量し、ボールミル中で2
0時時間式混合した0次いで、混合物を脱水、乾燥後、
750℃で2時間保持して仮焼し、再びボールミル中で
20時時間式粉砕した後、脱水。
乾燥した。
得られた粉末に、有機バインダを加え、成形圧力3to
n/crn’で、直径16mm、厚さ0.8mmの円板
に加圧成形した。この成形物をマグネシア磁器容器に入
れて、第1表に示す如く、1000−1140℃の温度
で1時間焼成した。
n/crn’で、直径16mm、厚さ0.8mmの円板
に加圧成形した。この成形物をマグネシア磁器容器に入
れて、第1表に示す如く、1000−1140℃の温度
で1時間焼成した。
得られた円板形状の誘電体の両面に、銀電極を700〜
800℃で焼付けて、その電気的特性を調べた。
800℃で焼付けて、その電気的特性を調べた。
結果を第1表に示す。
なお、誘電率及び誘電損失は、YHPデジタルLCRメ
ータモデル4274Aを用い、測定周波数IKHz、%
定電圧1 、OV rmにて測定した。また、絶縁抵抗
はYHPモデル4329Aを使用し、印加電圧100V
にて、1分値の測定により求めた。
ータモデル4274Aを用い、測定周波数IKHz、%
定電圧1 、OV rmにて測定した。また、絶縁抵抗
はYHPモデル4329Aを使用し、印加電圧100V
にて、1分値の測定により求めた。
また、第1表中、A−Cは。
A = P b (F e hWy、 ) 03B =
P b (M g 34W、、l)03C=Pb(N
i局W繕)0・ を示す。
P b (M g 34W、、l)03C=Pb(N
i局W繕)0・ を示す。
第1表より明らかなように、本発明の範囲内の組成物は
いずれも、誘電率、絶縁抵抗及び容量抵抗積が大きく、
磁器コンデンサ材料として優れた特性を有し、しかも焼
結温度が低く、誘電損失も低いという利点も有している
。
いずれも、誘電率、絶縁抵抗及び容量抵抗積が大きく、
磁器コンデンサ材料として優れた特性を有し、しかも焼
結温度が低く、誘電損失も低いという利点も有している
。
また、Pb (Fe、W届)03 、Pb CMgy2
W )03 、Pb (Ni%W%)03の配合は絶
坏 縁抵抗を良好に保持したまま、焼結温度を低下させると
いう優れた効果を有する。
W )03 、Pb (Ni%W%)03の配合は絶
坏 縁抵抗を良好に保持したまま、焼結温度を低下させると
いう優れた効果を有する。
[発明の効果コ
以上詳述した通り、本発明の誘電体磁器組成物は1.i
8定率、絶縁抵抗及び容量抵抗積が大きく、かつ誘電損
失が小さい。このため1本発明の磁器組成物を用いるこ
とにより、信頼性の高い小型大容量コンデンサを得るこ
とができる。
8定率、絶縁抵抗及び容量抵抗積が大きく、かつ誘電損
失が小さい。このため1本発明の磁器組成物を用いるこ
とにより、信頼性の高い小型大容量コンデンサを得るこ
とができる。
しかも、本発明の誘電体磁器組成物は、焼成温度が低い
ため、焼成コストが廉価で、積層コンチングに用いた場
合5比較的安価な銀系などの内部電極を用いることがで
きる。このため、t1層コン、二++t−ドa、4−訓
1−畳一、一つPL+−7Icτ−he」−1,@/F
%H喜苓;44tも−L−h−日1に低減することがで
きる。
ため、焼成コストが廉価で、積層コンチングに用いた場
合5比較的安価な銀系などの内部電極を用いることがで
きる。このため、t1層コン、二++t−ドa、4−訓
1−畳一、一つPL+−7Icτ−he」−1,@/F
%H喜苓;44tも−L−h−日1に低減することがで
きる。
代理人 弁理士 重 野 剛
手糸売ネ市正書
1■和61年1月16日
1 ζ19ヂI−の表示
昭和60年特許願第277610号
2 発明の名称
誘電体磁器組成物
3 補正をする者
19件との関係 特許出願人
名 称 三菱鉱業セメント株式会社4 代理人
住 所 東京都港区赤坂4丁目8番19号〒107
赤坂表町ビル502号 自 発 6 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
赤坂表町ビル502号 自 発 6 補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄。
7 補正の内容
(1) 明細書第3頁第15行に「障害になていた」と
あるのを「障害になっていたJと訂正する。
あるのを「障害になっていたJと訂正する。
(2) 明細書第7頁第2行に「場合、には」とあるの
を「場合には1と訂正する。
を「場合には1と訂正する。
(3) 明細書第13頁第17行〜第18行に「積層フ
ンデンダ」とあるのを「積層コンデンサjと訂正する。
ンデンダ」とあるのを「積層コンデンサjと訂正する。
以 上
Claims (3)
- (1)(Pb、La)(Zr、Ti)O_3及びPb(
Mg_1_/_3Nb_2_/_3)O_3を、下記一
般式で示されるような組成比で含んでなることを特徴と
する誘電体磁器組成物。 X(Pb_1_−_uLa_u)(Zr_1_−_vT
i_v)O_3・(1−X)Pb(Mg_1_/_3N
b_2_/_3)O_3式中、0.10≦u≦0.28 0.25≦v≦1.00 0.03≦X≦0.50 - (2)Pb(Fe_2_/_3W_1_/_3)O_3
を0〜9モル%含むことを特徴とする特許請求の範囲第
1項に記載の誘電体磁器組成物。 - (3)Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3
、Pb(Ni_1_/_2W_1_/_2)O_3及び
Pb(Fe_2_/_3W_1_/_3)O_3よりな
る群から選ばれる少なくとも1種(ただし、Pb(Fe
_2_/_3W_1_/_3)O_3のみの場合を除く
。)を総量で5モル%以下含むことを特徴とする特許請
求の範囲第1項に記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277610A JPS62138360A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 誘電体磁器組成物 |
US06/930,581 US4716134A (en) | 1985-12-10 | 1986-11-12 | Dielectric ceramic composition |
GB8628041A GB2183628B (en) | 1985-12-10 | 1986-11-24 | Dielectric ceramic composition |
BE0/217493A BE905865A (fr) | 1985-12-10 | 1986-12-04 | Composition ceramique dielectrique. |
NL8603118A NL8603118A (nl) | 1985-12-10 | 1986-12-08 | Dielektrische keramische samenstelling. |
FR868617213A FR2591220B1 (fr) | 1985-12-10 | 1986-12-09 | Composition ceramique dielectrique |
DE19863642226 DE3642226A1 (de) | 1985-12-10 | 1986-12-10 | Dielektrische keramische masse |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60277610A JPS62138360A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62138360A true JPS62138360A (ja) | 1987-06-22 |
JPH0232227B2 JPH0232227B2 (ja) | 1990-07-19 |
Family
ID=17585820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60277610A Granted JPS62138360A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4716134A (ja) |
JP (1) | JPS62138360A (ja) |
BE (1) | BE905865A (ja) |
DE (1) | DE3642226A1 (ja) |
FR (1) | FR2591220B1 (ja) |
GB (1) | GB2183628B (ja) |
NL (1) | NL8603118A (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR910001362B1 (ko) * | 1987-07-14 | 1991-03-04 | 미쓰이 세끼유 가가꾸 고오교오 가부시끼가이샤 | 강유전성 세라믹 |
JPH0719485B2 (ja) * | 1987-12-16 | 1995-03-06 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器及びその製造方法 |
EP0464773B1 (en) * | 1990-07-03 | 1998-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | The use of dielectric ceramic compositions and dielectric microwave resonator |
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