JPS63221506A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS63221506A JPS63221506A JP62054854A JP5485487A JPS63221506A JP S63221506 A JPS63221506 A JP S63221506A JP 62054854 A JP62054854 A JP 62054854A JP 5485487 A JP5485487 A JP 5485487A JP S63221506 A JPS63221506 A JP S63221506A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に積層コンデン
サなどの誘電体材料として好適な誘電体磁器組成物に関
する。
サなどの誘電体材料として好適な誘電体磁器組成物に関
する。
(従来技術)
従来、高誘電率系の磁器コンデンサ材料としてBaTi
Osを主体とした誘電体磁器組成物がある。
Osを主体とした誘電体磁器組成物がある。
(発明が解決しようとする問題点)
このような従来の誘電体磁器組成物では、温度変化に対
する静電容量値の変化率がJIS規格のB特性(+20
℃における静電容量値C2Oを基準とした一25℃〜+
85℃における静電容量値の変化率へC/ Ct。が±
10%以内にある特性)を満足すれば、室温での誘電率
が2,000と低い。
する静電容量値の変化率がJIS規格のB特性(+20
℃における静電容量値C2Oを基準とした一25℃〜+
85℃における静電容量値の変化率へC/ Ct。が±
10%以内にある特性)を満足すれば、室温での誘電率
が2,000と低い。
さらに、これらの従来の誘電体組成物は、その焼結温度
が1,300〜1,400℃と高い欠点を有していた。
が1,300〜1,400℃と高い欠点を有していた。
そのため、焼成コストが高くつく。
しかも、そのような従来の誘電体磁器組成物を用いて積
層磁器コンデンサを製造すれば、その内部電極の材料と
して、1.300℃以上の高温においても溶融したり酸
化したすせずかつ誘電体と反応することのない高融点の
貴金属類、たとえば白金やパラジウムなどの高価な材料
を用ε)なければならなかった。
層磁器コンデンサを製造すれば、その内部電極の材料と
して、1.300℃以上の高温においても溶融したり酸
化したすせずかつ誘電体と反応することのない高融点の
貴金属類、たとえば白金やパラジウムなどの高価な材料
を用ε)なければならなかった。
また、従来、焼結温度が1,100℃以下でかつ比誘電
率がio、ooo以上である、鉛成分を有する複合ペロ
プスカイト構造の誘電体磁器組成物が知られている。し
かし、これらは、温度変化に対する静電容量値の変化率
が大きい。
率がio、ooo以上である、鉛成分を有する複合ペロ
プスカイト構造の誘電体磁器組成物が知られている。し
かし、これらは、温度変化に対する静電容量値の変化率
が大きい。
そのため、従来、焼成時の鉛の揮発量を少なくし安定に
焼成するために1.000℃以下で焼成でき、しかも、
誘電率が高くかつ温度変化に対する静電容量値の変化率
が小さい、誘電体磁器組成物が望まれていた。
焼成するために1.000℃以下で焼成でき、しかも、
誘電率が高くかつ温度変化に対する静電容量値の変化率
が小さい、誘電体磁器組成物が望まれていた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、焼成温度が90
0〜1,000℃と低くかつ誘電率が5.000以上と
高くしかも温度変化に対する静電容量値の変化率が小さ
い、誘電体磁器組成物を提供することである。
0〜1,000℃と低くかつ誘電率が5.000以上と
高くしかも温度変化に対する静電容量値の変化率が小さ
い、誘電体磁器組成物を提供することである。
(問題点を解決するための手段)
この発明は、一般式XPb(Mg+z□W+7□)03
−YPbTiO,−ZPbZrO+で表されるモル%x
、yおよびZ(ただし、x+y+z=100)が、次の
各点A、B、CおよびD(モル%X2モル%Y1モル%
Z) A (52,0,44,0,4,0) B (47,0,38,0,15,0)C(42,0,
41,0,17,0) D (46,0,48,0,6,0) を頂点とした1多角形で囲まれる範囲にある組成のうち
Pbの一部を、Ba、BrおよびCaの中から選択され
た少なくとも1種以上で0.5〜10モル%置換した主
成分に、100重量部の主成分に対して、副成分として
MgOおよびZnOの一方を0.3〜4.0重量部含有
した、誘電体磁器組成物である。
−YPbTiO,−ZPbZrO+で表されるモル%x
、yおよびZ(ただし、x+y+z=100)が、次の
各点A、B、CおよびD(モル%X2モル%Y1モル%
Z) A (52,0,44,0,4,0) B (47,0,38,0,15,0)C(42,0,
41,0,17,0) D (46,0,48,0,6,0) を頂点とした1多角形で囲まれる範囲にある組成のうち
Pbの一部を、Ba、BrおよびCaの中から選択され
た少なくとも1種以上で0.5〜10モル%置換した主
成分に、100重量部の主成分に対して、副成分として
MgOおよびZnOの一方を0.3〜4.0重量部含有
した、誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、焼成温度が900〜1,000℃と
低くかつ誘電率がs、ooo以上と高くしかも温度変化
に対する静電容量値の変化率がJIs規格のB特性(+
20℃における静電容量値C2゜を基準とした一25℃
〜+85℃における静電容量値の変化率ΔC/cz。が
±10%以内にある特性)を満足する、誘電体磁器組成
物が得られる。
低くかつ誘電率がs、ooo以上と高くしかも温度変化
に対する静電容量値の変化率がJIs規格のB特性(+
20℃における静電容量値C2゜を基準とした一25℃
〜+85℃における静電容量値の変化率ΔC/cz。が
±10%以内にある特性)を満足する、誘電体磁器組成
物が得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
まず、出発原料として、工業用のPb3O4゜MgO,
WO,、TiO2,ZrO□、BaCO315rCOn
、CaC0,、、ZnOおよびMnO□を準備した。
WO,、TiO2,ZrO□、BaCO315rCOn
、CaC0,、、ZnOおよびMnO□を準備した。
そして、仮焼すれば主成分および副成分の重量比率が別
表1に示す重量比率になるように、これらの原料を秤量
し、それらをボールミルによって湿式混合を行った後蒸
発乾燥して、粉末混合物を得た。
表1に示す重量比率になるように、これらの原料を秤量
し、それらをボールミルによって湿式混合を行った後蒸
発乾燥して、粉末混合物を得た。
次に、粉末混合物を750℃で2時間仮焼し、所定の化
合物粉体を得た。
合物粉体を得た。
得られた化合物粉体に結合剤としての酢酸ビニル系バイ
ンダを5重量部加えた後、それらをボールミルによって
湿式混合して混合物を得た。
ンダを5重量部加えた後、それらをボールミルによって
湿式混合して混合物を得た。
その後、混合物を蒸発乾燥してから整粒して粉末原料を
作り、この粉末原料を2. 5 t o n/cnlの
圧力で直径10mm、厚さ1.2mmの円板状に成形し
て成形物を得た。
作り、この粉末原料を2. 5 t o n/cnlの
圧力で直径10mm、厚さ1.2mmの円板状に成形し
て成形物を得た。
この円板状の成形物を、Pb雰囲気を有する電気炉中で
、別表2に示す最適な各焼成温度で2時間焼成した。
、別表2に示す最適な各焼成温度で2時間焼成した。
それから、焼成物の両面にAgペーストを800℃で焼
き付けて電極を形成し、試料1〜33とした。
き付けて電極を形成し、試料1〜33とした。
そして、各試料について、誘電率εおよび誘電損失ta
nδを1kHz、lVrms、20℃の条件で測定した
。さらに、各試料について、+20℃における静電容量
値C2゜を基準とした一25℃〜+85℃における温度
変化に対する静電容量値の変化率へ〇 / C!。を測
定した。これらの測定結果を別表2に示した。なお、別
表2では、特性の悪い数値に下線を付した。この場合、
焼成温度については1.000℃を超えるものを、誘電
率については5,000未満のものを、誘電損失につい
ては1%より大きいものを、温度変化に対する静電容量
値の変化率へC/Czaについては±10%の範囲外の
ものを、それぞれ、特性の悪い数値として示した。
nδを1kHz、lVrms、20℃の条件で測定した
。さらに、各試料について、+20℃における静電容量
値C2゜を基準とした一25℃〜+85℃における温度
変化に対する静電容量値の変化率へ〇 / C!。を測
定した。これらの測定結果を別表2に示した。なお、別
表2では、特性の悪い数値に下線を付した。この場合、
焼成温度については1.000℃を超えるものを、誘電
率については5,000未満のものを、誘電損失につい
ては1%より大きいものを、温度変化に対する静電容量
値の変化率へC/Czaについては±10%の範囲外の
ものを、それぞれ、特性の悪い数値として示した。
さらに、図面に、各試料の主成分となるべきPb (M
g Iyt Wl/□) Os * P b T t
O3およびPbZr0iの3成分の組成の配合比を表
す3成分組成図(3角図)を示した。なお、この図面に
おいて丸印を付した番号は各試料番号を表す。また、こ
の図面に、この発明の範囲にある主成分となるべき組成
の配合比を表す領域を頂点A、B。
g Iyt Wl/□) Os * P b T t
O3およびPbZr0iの3成分の組成の配合比を表
す3成分組成図(3角図)を示した。なお、この図面に
おいて丸印を付した番号は各試料番号を表す。また、こ
の図面に、この発明の範囲にある主成分となるべき組成
の配合比を表す領域を頂点A、B。
CおよびDを有する多角形で表した。
すなわち、この発明の範囲にある組成物は、一般式X
P b (M g +/2 Wl/□)Oz YPb
TiOs Z P b Z r Osで表されるモル
%X、 YおよびZ(ただし、X+Y+Z= 100)
が、次の各点A、 B、 CおよびD(モル%X1モル
%Y。
P b (M g +/2 Wl/□)Oz YPb
TiOs Z P b Z r Osで表されるモル
%X、 YおよびZ(ただし、X+Y+Z= 100)
が、次の各点A、 B、 CおよびD(モル%X1モル
%Y。
モル%2)
A (52,0,44,0,4,0)
B (47,0,38,0,15,0)C(42,0,
41,0,17,0) D (46,0,48,0,6,0) を頂点とした多角形で囲まれる範囲にある組成のうちP
bの一部を、Ba、BrおよびCaの中から選択された
少なくとも1種以上で0.5〜10モル%置換した主成
分に、100重量部の主成分に対して、副成分としてM
gOおよびZnOの一方を0.3〜4.−0重量部含有
し、さらに、MnをMnO,に換算して0〜2.0重量
部含有した、誘電体磁器組成物である。
41,0,17,0) D (46,0,48,0,6,0) を頂点とした多角形で囲まれる範囲にある組成のうちP
bの一部を、Ba、BrおよびCaの中から選択された
少なくとも1種以上で0.5〜10モル%置換した主成
分に、100重量部の主成分に対して、副成分としてM
gOおよびZnOの一方を0.3〜4.−0重量部含有
し、さらに、MnをMnO,に換算して0〜2.0重量
部含有した、誘電体磁器組成物である。
この発明にかかる誘電体磁器組成物を上述の範囲に限定
したのは、次の理由による。
したのは、次の理由による。
つまり、試料番号2のように図面に示す組成点Aおよび
Bを結ぶ線分の外側の組成領域では、誘電率が5,00
0より低くかつ温度変化に対する静電容量値の変化率が
JIS規格のB特性を満足しないので好ましくない。
Bを結ぶ線分の外側の組成領域では、誘電率が5,00
0より低くかつ温度変化に対する静電容量値の変化率が
JIS規格のB特性を満足しないので好ましくない。
また、試料番号9およびlOのように、組成点BとCと
を結ぶ線分の外側の組成領域および組成点CとDとを結
ぶ線分の外側の組成領域では、温度変化に対する静電容
量値の変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好
ましくない。
を結ぶ線分の外側の組成領域および組成点CとDとを結
ぶ線分の外側の組成領域では、温度変化に対する静電容
量値の変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好
ましくない。
試料番号3のように、組成点りとAとを結ぶ線分の外側
の組成領域では、誘電損失が1%より大きくなりかつ温
度変化に対する静電容量値の変化率がJIS規格のB特
性を満足しないので好ましくない。
の組成領域では、誘電損失が1%より大きくなりかつ温
度変化に対する静電容量値の変化率がJIS規格のB特
性を満足しないので好ましくない。
さらに、試料番号12のように主成分となる良き組成の
うちPbの一部をSr、CaあるいはBaで置換しない
ときは、誘電率がs、oooより小さくなりかつ温度変
化に対する静電容量値の変化率がJIS規格のB特性を
満足しないので好ましくない。
うちPbの一部をSr、CaあるいはBaで置換しない
ときは、誘電率がs、oooより小さくなりかつ温度変
化に対する静電容量値の変化率がJIS規格のB特性を
満足しないので好ましくない。
また、試料番号15.18および21のように、主成分
のうちPbの一部をSr、CaあるいはBaで10モル
%より多く置換すると、誘電率が5.000より小さく
なりかつ焼成温度が1,000℃より高くなって好まし
くない。
のうちPbの一部をSr、CaあるいはBaで10モル
%より多く置換すると、誘電率が5.000より小さく
なりかつ焼成温度が1,000℃より高くなって好まし
くない。
一方、試料番号22.23および27のように、副成分
のMgOおよびZnOの1種以上の添加量が主成分に対
して0.3重量部より少ないときには、誘電損失が1%
より大きくなりかつ温度変化に対する静電容量値の変化
率がJIS規格のB特性を満足しないので好ましくない
。
のMgOおよびZnOの1種以上の添加量が主成分に対
して0.3重量部より少ないときには、誘電損失が1%
より大きくなりかつ温度変化に対する静電容量値の変化
率がJIS規格のB特性を満足しないので好ましくない
。
また、試料番号26および30のように、MgOおよび
ZnOの1種以上の添加量が4.0重量部より多いとき
には、誘電率がs、oooより小さくなって好ましくな
い。
ZnOの1種以上の添加量が4.0重量部より多いとき
には、誘電率がs、oooより小さくなって好ましくな
い。
さらに、試料番号33のようにMnO□の添加量が主成
分に対して2.0重量部より多いときには、誘電損失が
1%より大きくなりかつ温度変化に対する静電容量値の
変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好ましく
ない。
分に対して2.0重量部より多いときには、誘電損失が
1%より大きくなりかつ温度変化に対する静電容量値の
変化率がJIS規格のB特性を満足しないので好ましく
ない。
それに対して、この発明の範囲内の試料では、焼成温度
が900−1,000℃と低く誘電率が5.000以上
と高く誘電損失が1%以下と低くかつ温度変化に対する
静電容量値の変化率がJIS規格のB特性を満足する。
が900−1,000℃と低く誘電率が5.000以上
と高く誘電損失が1%以下と低くかつ温度変化に対する
静電容量値の変化率がJIS規格のB特性を満足する。
図面はこの発明の主成分となるべき組成の配合比の範囲
を示す3角図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (ほか1名)
を示す3角図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓 (ほか1名)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式XPb(Mg_1_/_2W_1_/_2)
O_3−YPbTiO_3−ZPbZrO_3で表され
るモル%X、YおよびZ(ただし、X+Y+Z=100
)が、次の各点A、B、CおよびD(モル%X、モル%
Y、モル%Z) A(52.0、44.0、4.0) B(47.0、38.0、15.0) C(42.0、41.0、17.0) D(46.0、48.0、6.0) を頂点とした多角形で囲まれる範囲にある組成のうちP
bの一部を、Ba、BrおよびCaの中から選択された
少なくとも1種以上で0.5〜10モル%置換した主成
分に、 100重量部の前記主成分に対して、副成分としてMg
OおよびZnOの一方を0.3〜4.0重量部含有した
、誘電体磁器組成物。 2 さらに、100重量部の前記主成分に対して、Mn
をMnO_2に換算して2.0重量部以下含有した、特
許請求の範囲第1項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62054854A JPH0815009B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62054854A JPH0815009B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63221506A true JPS63221506A (ja) | 1988-09-14 |
JPH0815009B2 JPH0815009B2 (ja) | 1996-02-14 |
Family
ID=12982178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62054854A Expired - Fee Related JPH0815009B2 (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0815009B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04296040A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック |
US5633215A (en) * | 1995-02-20 | 1997-05-27 | Nec Corporation | Dielectric porcelain composition having a high dielectric constant and a low sintering temperature |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62054854A patent/JPH0815009B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04296040A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック |
US5633215A (en) * | 1995-02-20 | 1997-05-27 | Nec Corporation | Dielectric porcelain composition having a high dielectric constant and a low sintering temperature |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0815009B2 (ja) | 1996-02-14 |
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