JP3130961B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP3130961B2 JP3130961B2 JP03156827A JP15682791A JP3130961B2 JP 3130961 B2 JP3130961 B2 JP 3130961B2 JP 03156827 A JP03156827 A JP 03156827A JP 15682791 A JP15682791 A JP 15682791A JP 3130961 B2 JP3130961 B2 JP 3130961B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、比誘電率が高く、かつ
その温度依存性が小さい誘電体磁器組成物に関し、高容
量の積層型磁器コンデンサに適した組成物に関する。
その温度依存性が小さい誘電体磁器組成物に関し、高容
量の積層型磁器コンデンサに適した組成物に関する。
【０００２】
【従来技術】積層型磁器コンデンサ等に用いられる誘電
体磁器材料としては、これまで、ＢａＴｉＯ3 を主成分
とするものが用いられていたが、これに代わる新たな誘
電体磁器材料として、低温で焼成できかつ比誘電率が大
きなＰｂ（Ｆｅ，Ｎｄ，Ｎｂ）Ｏ3 系のプロブスカイト
型構造化合物の組成物がある（特開昭６２−２１６１０
６号）。この誘電体磁器材料によれば、これまで使用さ
れていた高価なＰｄでなく、低温焼成用の安価な銀−パ
ラジウム系電極材料が使用でき、またＢａＴｉＯ3 を主
成分とする材料の場合に比べて比誘電率がＢａＴｉＯ3
系に比較して約２倍程度となるために高容量化が可能
で、また同じ容量においては誘電体層の積層数が低減
し、小型化を図れる等の利点を有するものである。
体磁器材料としては、これまで、ＢａＴｉＯ3 を主成分
とするものが用いられていたが、これに代わる新たな誘
電体磁器材料として、低温で焼成できかつ比誘電率が大
きなＰｂ（Ｆｅ，Ｎｄ，Ｎｂ）Ｏ3 系のプロブスカイト
型構造化合物の組成物がある（特開昭６２−２１６１０
６号）。この誘電体磁器材料によれば、これまで使用さ
れていた高価なＰｄでなく、低温焼成用の安価な銀−パ
ラジウム系電極材料が使用でき、またＢａＴｉＯ3 を主
成分とする材料の場合に比べて比誘電率がＢａＴｉＯ3
系に比較して約２倍程度となるために高容量化が可能
で、また同じ容量においては誘電体層の積層数が低減
し、小型化を図れる等の利点を有するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の誘電体磁器
材料は、比誘電率の温度依存性が大きく、たとえば−３
０℃〜８５℃の温度域で、室温での比誘電率に対して＋
１５％〜−７５％と大きく変動する。そのために、高容
量コンデンサの市場において、一般に用いられる電解コ
ンデンサに比較して特性が劣り、実用化の障壁となって
いた。
材料は、比誘電率の温度依存性が大きく、たとえば−３
０℃〜８５℃の温度域で、室温での比誘電率に対して＋
１５％〜−７５％と大きく変動する。そのために、高容
量コンデンサの市場において、一般に用いられる電解コ
ンデンサに比較して特性が劣り、実用化の障壁となって
いた。
【０００４】よって、本発明の目的は、比誘電率の温度
依存性が小さく、しかも磁器強度が大きく、かつ比誘電
率が大きい誘電体磁器組成物を提供することにある。
依存性が小さく、しかも磁器強度が大きく、かつ比誘電
率が大きい誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3に対してＰｂ（Ｚｎ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3およびＰｂ（Ｓｍ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3を添
加することにより、高誘電率を有するとともに機械的強
度を向上させることができ、さらにかかる系に対してＢ
ａＴｉＯ3を添加することにより結晶の純度が向上し、
絶縁性が改善され、さらにＭｎＯ2を添加することによ
り比誘電率の温度依存性を低減できることを知見した。
物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3に対してＰｂ（Ｚｎ
1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3およびＰｂ（Ｓｍ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3を添
加することにより、高誘電率を有するとともに機械的強
度を向上させることができ、さらにかかる系に対してＢ
ａＴｉＯ3を添加することにより結晶の純度が向上し、
絶縁性が改善され、さらにＭｎＯ2を添加することによ
り比誘電率の温度依存性を低減できることを知見した。
【０００６】即ち、本発明はＰｂ（Ｍｇ1/2 Ｎｂ 2/3）
Ｏ3 と、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ 2/3）Ｏ3 と、Ｐｂ（Ｓｍ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 の３成分を主成分として構成され、
これらの成分は、その組成を一般式（１）
Ｏ3 と、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ 2/3）Ｏ3 と、Ｐｂ（Ｓｍ
1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 の３成分を主成分として構成され、
これらの成分は、その組成を一般式（１）
【０００７】
【化１】
【０００８】で表した時、ｘ、ｙ、ｚ値が図１の三角ダ
イヤグラムにおいて、下記の座標Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ
（但し、線分ＡＥを除く） Ａ（０．７６９、０．２３１、０）、 Ｂ（０．７０６、０．２１２、０．０８２）、 Ｃ（０．３９９、０．５１７、０．０８４）、 Ｄ（０．２８２、０．６５８、０．０６０）、 Ｅ（０．４１７、０．５８３、０） で結ばれる領域の内部に位置する組成から構成されるこ
とを特徴とするものであり、また、かかる系に対してＢ
ａＴｉＯ3 を１０モル％未満の割合で添加されるもので
ある。さらにかかる系に対してＭｎＯ2 を０．０１〜
０．６重量％の割合で添加することにより温度特性の改
善を図ったものである。
イヤグラムにおいて、下記の座標Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ
（但し、線分ＡＥを除く） Ａ（０．７６９、０．２３１、０）、 Ｂ（０．７０６、０．２１２、０．０８２）、 Ｃ（０．３９９、０．５１７、０．０８４）、 Ｄ（０．２８２、０．６５８、０．０６０）、 Ｅ（０．４１７、０．５８３、０） で結ばれる領域の内部に位置する組成から構成されるこ
とを特徴とするものであり、また、かかる系に対してＢ
ａＴｉＯ3 を１０モル％未満の割合で添加されるもので
ある。さらにかかる系に対してＭｎＯ2 を０．０１〜
０．６重量％の割合で添加することにより温度特性の改
善を図ったものである。
【０００９】本発明の上記構成の主成分の組成を示す図
１の三角ダイアグラムにおいて、組成物の組成が座標
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅで囲まれる領域において、線分ＡＢ
よりもｘ値が大きい場合は、焼結した後の磁器密度が低
下し、温度に対する容量変化率が大きく変動してしま
う。また、線分ＢＣまたは線分ＣＤよりもｚ値が大きい
場合、比誘電率εが４０００未満となり、高誘電率を有
する磁器組成物が得られない。また、線分ＤＥを超える
場合、すなわちｘ値が小さくかつｙ値が大きい場合は、
比誘電率が４０００未満となり、また焼結が困難とな
る。さらに、線分ＡＥ上、すなわちｚ＝０の場合は、破
断モードが粒界となり、磁器強度が大きく低下してしま
う。
１の三角ダイアグラムにおいて、組成物の組成が座標
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅで囲まれる領域において、線分ＡＢ
よりもｘ値が大きい場合は、焼結した後の磁器密度が低
下し、温度に対する容量変化率が大きく変動してしま
う。また、線分ＢＣまたは線分ＣＤよりもｚ値が大きい
場合、比誘電率εが４０００未満となり、高誘電率を有
する磁器組成物が得られない。また、線分ＤＥを超える
場合、すなわちｘ値が小さくかつｙ値が大きい場合は、
比誘電率が４０００未満となり、また焼結が困難とな
る。さらに、線分ＡＥ上、すなわちｚ＝０の場合は、破
断モードが粒界となり、磁器強度が大きく低下してしま
う。
【００１０】また、本発明の組成物は、上述の一般式
（１）で示される主成分に対してＢａＴｉＯ3 を固溶さ
せることができる。その場合、全体組成は一般式（２）
で示される。
（１）で示される主成分に対してＢａＴｉＯ3 を固溶さ
せることができる。その場合、全体組成は一般式（２）
で示される。
【００１１】
【化２】
【００１２】しかし、ＢａＴｉＯ3 の添加量が１０モル
％以上、一般式（２）ではα値が０．１より大きいと、
比誘電率εが大きく低下してしまうため望ましくない。
％以上、一般式（２）ではα値が０．１より大きいと、
比誘電率εが大きく低下してしまうため望ましくない。
【００１３】さらに、本発明によれば、上記系に対して
ＭｎＯ2 を０．０１〜０．６重量％、特に０．１〜０．
６の割合で添加することにより静電容量の温度依存性の
低減を図ることができ、このＭｎＯ2 の量が０．０１重
量％未満ではその効果が小さく、０．６重量％を超える
と比誘電率が低下するため好ましくない。
ＭｎＯ2 を０．０１〜０．６重量％、特に０．１〜０．
６の割合で添加することにより静電容量の温度依存性の
低減を図ることができ、このＭｎＯ2 の量が０．０１重
量％未満ではその効果が小さく、０．６重量％を超える
と比誘電率が低下するため好ましくない。
【００１４】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｐｂ（Ｍｇ1/3
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、
Ｐｂ（Ｓｍ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 とを所定の割合で調整す
ることにより高誘電率、高い磁器強度、温度に対する静
電容量の変化が小さい誘電体となるが、これにＢａＴｉ
Ｏ3を添加することにより、磁器を構成する結晶の純度
を高める作用をなし、それにより絶縁抵抗を向上させる
ことができる。さらにＭｎＯ2 を添加することによりさ
らに静電容量の温度依存性を低減し小さくすることがで
きる。
Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、Ｐｂ（Ｚｎ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 と、
Ｐｂ（Ｓｍ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3 とを所定の割合で調整す
ることにより高誘電率、高い磁器強度、温度に対する静
電容量の変化が小さい誘電体となるが、これにＢａＴｉ
Ｏ3を添加することにより、磁器を構成する結晶の純度
を高める作用をなし、それにより絶縁抵抗を向上させる
ことができる。さらにＭｎＯ2 を添加することによりさ
らに静電容量の温度依存性を低減し小さくすることがで
きる。
【００１５】これにより、比誘電率εが４０００以上、
磁器密度が７．８ｇ／ｃｍ3 以上、−３０℃及び８５℃
における室温の比誘電率に対する変化率がそれぞれ＋３
０％及び−６０％の範囲、及び磁器の破断モードが粒内
モードでありかつ磁器強度が良好な誘電体磁器を得るこ
とができる。この破断モードは粒界モードの場合では強
度がおよそ６〜８ｋｇ／ｍｍ2 程度であるのに対して、
粒内モードでは、１０〜１２ｋｇ／ｍｍ2 程度と向上す
るものである。
磁器密度が７．８ｇ／ｃｍ3 以上、−３０℃及び８５℃
における室温の比誘電率に対する変化率がそれぞれ＋３
０％及び−６０％の範囲、及び磁器の破断モードが粒内
モードでありかつ磁器強度が良好な誘電体磁器を得るこ
とができる。この破断モードは粒界モードの場合では強
度がおよそ６〜８ｋｇ／ｍｍ2 程度であるのに対して、
粒内モードでは、１０〜１２ｋｇ／ｍｍ2 程度と向上す
るものである。
【００１６】本発明の誘電体磁器組成物を、たとえば積
層セラミックコンデンサに用いると、温度に対する静電
容量の変化が小さく、磁器強度が優れた高い静電容量の
コンデンサが得られ、さらに焼成を１０５０℃以下の低
温で実施することができるとともに、内部電極材料にＡ
ｇの含有率の高いＰｄ材料が使用できることから安価な
積層コンデンサを得ることができる。
層セラミックコンデンサに用いると、温度に対する静電
容量の変化が小さく、磁器強度が優れた高い静電容量の
コンデンサが得られ、さらに焼成を１０５０℃以下の低
温で実施することができるとともに、内部電極材料にＡ
ｇの含有率の高いＰｄ材料が使用できることから安価な
積層コンデンサを得ることができる。
【００１７】
【実施例】出発原料として、ＰｂＯ、ＢａＣＯ3、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｓｍ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2およびＭｎ
Ｏ2の各粉末を用意した。各酸化物の純度は９９．５％
以上であり、特にＳｍ2Ｏ3純度は９９．９％以上であ
る。
Ｏ、ＺｎＯ、Ｓｍ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、ＴｉＯ2およびＭｎ
Ｏ2の各粉末を用意した。各酸化物の純度は９９．５％
以上であり、特にＳｍ2Ｏ3純度は９９．９％以上であ
る。
【００１８】各酸化物を表１、表２及び表３に示した組
成になるように秤量して全量が２００ｇになるように
し、ボールミルにて混合した。そして、これをＡｌ2 Ｏ
3 製ルツボに入れて８００℃で仮焼した。仮焼後に粗砕
して、さらにジルコニアボールを用いてボールミルにて
粉砕した。さらにビニールアルコールを１％添加して造
粒し、直径１２ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円板状に加圧成形
した。この円板状成形体をマグネシア製こう鉢に入れ、
大気中で９５０〜１０５０℃で４時間焼成した。
成になるように秤量して全量が２００ｇになるように
し、ボールミルにて混合した。そして、これをＡｌ2 Ｏ
3 製ルツボに入れて８００℃で仮焼した。仮焼後に粗砕
して、さらにジルコニアボールを用いてボールミルにて
粉砕した。さらにビニールアルコールを１％添加して造
粒し、直径１２ｍｍ、厚さ約１ｍｍの円板状に加圧成形
した。この円板状成形体をマグネシア製こう鉢に入れ、
大気中で９５０〜１０５０℃で４時間焼成した。
【００１９】得られた焼結体の電気特性を評価するため
に、上述の焼結体の両主面にインジウム−ガリウム合金
が配置された円板状コンデンサを作成し、試料とした。
に、上述の焼結体の両主面にインジウム−ガリウム合金
が配置された円板状コンデンサを作成し、試料とした。
【００２０】電気特性として次の項目について調べた。
静電容量及び誘電損失ｔａｎδは、基準温度２５℃、周
波数１ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｎｓの信号を入力
し、ディジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ製４２７４Ａ）を
用いて測定した。また、比誘電率εの温度変化率は、−
３０℃〜＋８５℃の範囲で測定し、＋２５℃における比
誘電率εを基準とした、さらに絶縁抵抗は、直流電圧５
０Ｖを１分間印加したときの値を測定した。なお、比誘
電率εは試料の寸法を考慮して算出し、ＣＲ値は容量と
絶縁抵抗値から算出し、磁器密度ρは嵩密度を測定して
求めた。さらに、磁器の強度については、試料を破断し
たときの破断モードに基づいて判断した。
静電容量及び誘電損失ｔａｎδは、基準温度２５℃、周
波数１ｋＨｚ、測定電圧１．０Ｖｒｎｓの信号を入力
し、ディジタルＬＣＲメータ（ＹＨＰ製４２７４Ａ）を
用いて測定した。また、比誘電率εの温度変化率は、−
３０℃〜＋８５℃の範囲で測定し、＋２５℃における比
誘電率εを基準とした、さらに絶縁抵抗は、直流電圧５
０Ｖを１分間印加したときの値を測定した。なお、比誘
電率εは試料の寸法を考慮して算出し、ＣＲ値は容量と
絶縁抵抗値から算出し、磁器密度ρは嵩密度を測定して
求めた。さらに、磁器の強度については、試料を破断し
たときの破断モードに基づいて判断した。
【００２１】評価基準として磁器密度ρが７．８０ｇ／
ｃｍ3 を超えるものを良好とした。
ｃｍ3 を超えるものを良好とした。
【００２２】この磁器密度ρが７．８０ｇ／ｃｍ3 以下
ではコンデンサの耐湿性が低下するためである。また比
誘電率εは、小型で高い誘電率のコンデンサを作成ため
の重要な特性であり、その値が４０００を超えるものを
良好とした。ＣＲ値は２０００ΩＦを超えるものを良好
とした。ＣＲ値が２０００ΩＦ以下の場合は、コンデン
サの寿命が短くなる。比誘電率の温度変化率は、−３０
℃〜８５℃の温度範囲において、＋３０％〜−６０％内
であれば良好とした。強度は、破断モードに基づいて判
断し、機械的な破断の結果、破断が粒内で起こっている
ものを「○」、結晶粒の粒界で起こっているものを
「×」として示した。なお、誘電損失ｔａｎδは、誘電
体磁器のグリーンシートの薄膜化を実現して小型かつ大
容量の積層セラミックコンデンサを作成するための重要
な特性であり、小さい値が望ましい。
ではコンデンサの耐湿性が低下するためである。また比
誘電率εは、小型で高い誘電率のコンデンサを作成ため
の重要な特性であり、その値が４０００を超えるものを
良好とした。ＣＲ値は２０００ΩＦを超えるものを良好
とした。ＣＲ値が２０００ΩＦ以下の場合は、コンデン
サの寿命が短くなる。比誘電率の温度変化率は、−３０
℃〜８５℃の温度範囲において、＋３０％〜−６０％内
であれば良好とした。強度は、破断モードに基づいて判
断し、機械的な破断の結果、破断が粒内で起こっている
ものを「○」、結晶粒の粒界で起こっているものを
「×」として示した。なお、誘電損失ｔａｎδは、誘電
体磁器のグリーンシートの薄膜化を実現して小型かつ大
容量の積層セラミックコンデンサを作成するための重要
な特性であり、小さい値が望ましい。
【００２３】測定の結果を表１、表２、表３に示す。表
には、キュリー温度及びキュリー温度における比誘電率
もそれぞれ示した。なお、試料番号１３、３１、３４、
３０及び２２は、図１の三角ダイヤグラムの座標（ｘ、
ｙ、ｚ）がそれぞれ本発明の範囲を規定する座標Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥ上に位置している。また、各表におい
て、＊を付した試料番号は比較例である。
には、キュリー温度及びキュリー温度における比誘電率
もそれぞれ示した。なお、試料番号１３、３１、３４、
３０及び２２は、図１の三角ダイヤグラムの座標（ｘ、
ｙ、ｚ）がそれぞれ本発明の範囲を規定する座標Ａ、
Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＥ上に位置している。また、各表におい
て、＊を付した試料番号は比較例である。
【００２４】
【表１】
【００２５】
【表２】
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】試料番号２４、２６のように、ｘ、ｙ、ｚ
が本発明の範囲内であるが、ＢａＴｉＯ3 が１０モル％
以上の場合は、磁器密度が７．５９ｇ／ｃｍ3 、７．６
２ｇ／ｃｍ3 となり、比誘電率εが３１７０、２６３０
となり、特に比誘電率εが大きく低下する傾向が見られ
る。したがって、ＢａＴｉＯ3 の添加量は１０モル％未
満が望ましいことがわかる。
が本発明の範囲内であるが、ＢａＴｉＯ3 が１０モル％
以上の場合は、磁器密度が７．５９ｇ／ｃｍ3 、７．６
２ｇ／ｃｍ3 となり、比誘電率εが３１７０、２６３０
となり、特に比誘電率εが大きく低下する傾向が見られ
る。したがって、ＢａＴｉＯ3 の添加量は１０モル％未
満が望ましいことがわかる。
【００２９】試料番号２３、２５のように、αが１０モ
ル％未満であっても、ｘ、ｙ、ｚの座標が図１の線分Ａ
Ｂを大きく超えると、磁器密度が７．７５、７．７６と
なり、さらに、常温に対する容量変化率が大きくなる傾
向がある。
ル％未満であっても、ｘ、ｙ、ｚの座標が図１の線分Ａ
Ｂを大きく超えると、磁器密度が７．７５、７．７６と
なり、さらに、常温に対する容量変化率が大きくなる傾
向がある。
【００３０】試料番号４１のように、αが１０モル％未
満であっても、ｘ、ｙ、ｚの座標が図１の線分ＢＣを超
えると、比誘電率が大きく低下する傾向がある。また、
試料番号１９のように、αが１０モル％未満であって
も、ｘ、ｙ、ｚの座標が線分ＣＤ及びＤＥを超えると、
磁器密度が７．７６ｇ／ｃｍ3 、比誘電率εが２１２
０、誘電損失が４．２１％、８５℃における容量変化率
が＋１８１％、破断モードが粒界破断それぞれなり、誘
電体磁器として実用が不可能なものとなってしまう。
満であっても、ｘ、ｙ、ｚの座標が図１の線分ＢＣを超
えると、比誘電率が大きく低下する傾向がある。また、
試料番号１９のように、αが１０モル％未満であって
も、ｘ、ｙ、ｚの座標が線分ＣＤ及びＤＥを超えると、
磁器密度が７．７６ｇ／ｃｍ3 、比誘電率εが２１２
０、誘電損失が４．２１％、８５℃における容量変化率
が＋１８１％、破断モードが粒界破断それぞれなり、誘
電体磁器として実用が不可能なものとなってしまう。
【００３１】さらに、試料番号１、２、６、８、９、１
３、１５、２１、２２、４０のように、αが１０モル％
未満であっても、ｘ、ｙ、ｚの座標が線分ＡＥ上（ｚ＝
０）であると、破断モードが粒界破断となり、磁器強度
が充分に得られない。また、特に試料番号６から分かる
ように、座標Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの中心的な領域であっ
ても、ｚが０であると、誘電損失が５．９６％と極めて
大きくなり、温度容量変化率が極めて大きくなる。
３、１５、２１、２２、４０のように、αが１０モル％
未満であっても、ｘ、ｙ、ｚの座標が線分ＡＥ上（ｚ＝
０）であると、破断モードが粒界破断となり、磁器強度
が充分に得られない。また、特に試料番号６から分かる
ように、座標Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅの中心的な領域であっ
ても、ｚが０であると、誘電損失が５．９６％と極めて
大きくなり、温度容量変化率が極めて大きくなる。
【００３２】したがって、比誘電率εが４０００以上、
磁器密度が７．８ｇ／ｃｍ3 以上−３０℃及び８５℃に
おいて室温の比誘電率に対する変動率が＋３０％及び−
６０％の範囲、及び磁器の破断モードが粒内破断であり
かつ磁器強度が良好な誘電体磁器を得るには、一般式
（１）におけるｘ、ｙ、ｚの座標を本発明の範囲内に設
定し、さらに上述の組成物に対してＢａＴｉＯ3 を１０
モル％未満添加することが重要である。
磁器密度が７．８ｇ／ｃｍ3 以上−３０℃及び８５℃に
おいて室温の比誘電率に対する変動率が＋３０％及び−
６０％の範囲、及び磁器の破断モードが粒内破断であり
かつ磁器強度が良好な誘電体磁器を得るには、一般式
（１）におけるｘ、ｙ、ｚの座標を本発明の範囲内に設
定し、さらに上述の組成物に対してＢａＴｉＯ3 を１０
モル％未満添加することが重要である。
【００３３】ＭｎＯ2 の添加効果に関し、表４によれ
ば、試料番号４８〜５６、試料番号５７〜６０、６２〜
６６において、ＭｎＯ2 量を０．０１重量％〜０．６重
量％の範囲内でその量を増加するに従い、温度係数の絶
対値が小さくなっており、ＭｎＯ2 の添加による温度特
性の改善効果が認められた。しかし、ＭｎＯ2 量が０．
６重量％を越える試料番号６１では、比誘電率が低下
し、特性が劣化することがわかる。
ば、試料番号４８〜５６、試料番号５７〜６０、６２〜
６６において、ＭｎＯ2 量を０．０１重量％〜０．６重
量％の範囲内でその量を増加するに従い、温度係数の絶
対値が小さくなっており、ＭｎＯ2 の添加による温度特
性の改善効果が認められた。しかし、ＭｎＯ2 量が０．
６重量％を越える試料番号６１では、比誘電率が低下
し、特性が劣化することがわかる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物によれば、高
誘電率、低誘電損失で、しかも比誘電率の温度依存性が
小さく、磁器密度、磁器強度が良好で、さらに低温焼成
が可能な誘電体が得られ、Ａｇ−Ｐｄ電極を用いた積層
セラミックコンデンサ等への適用が可能となる。
誘電率、低誘電損失で、しかも比誘電率の温度依存性が
小さく、磁器密度、磁器強度が良好で、さらに低温焼成
が可能な誘電体が得られ、Ａｇ−Ｐｄ電極を用いた積層
セラミックコンデンサ等への適用が可能となる。
【図１】Ｐｂ（Ｍｇ1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 、Ｐｂ（Ｚｎ
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｓｍ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3
の三角ダイヤグラムである。
1/3 Ｎｂ2/3 ）Ｏ3 及びＰｂ（Ｓｍ1/2 Ｎｂ1/2 ）Ｏ3
の三角ダイヤグラムである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/00 H01B 3/12 H01G 4/12
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3と、Ｐｂ
（Ｚｎ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3およびＰｂ（Ｓｍ1/2Ｎｂ1/2）
Ｏ3とを含む誘電体磁器組成物であって、これらの成分
の割合をx Ｐｂ（Ｍｇ1/3Ｎｂ2/3）Ｏ3−yＰｂ（Ｚｎ1/3Ｎ
ｂ2/3）Ｏ3−zＰｂ（Ｓｍ1/2Ｎｂ1/2）Ｏ3 （式中、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１） ・・・（１） で表した時、ｘ、ｙ、ｚ値が図１の三角ダイヤグラムに
おいて、下記の座標Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ（但し、線分Ａ
Ｅを除く）の内部に位置することを特徴とする誘電体磁
器組成物。 Ａ（０．７６９、０．２３１、０） Ｂ（０．７０６、０．２１２、０．０８２） Ｃ（０．３９９、０．５１７、０．０８４） Ｄ（０．２８２、０．６５８、０．０６０） Ｅ（０．４１７、０．５８３、０） - 【請求項２】 請求項１記載の誘電体磁器組成物におい
て、ＢａＴｉＯ3が１０モル％未満の割合で添加される
ことを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２の誘電体磁器組
成物において、ＭｎＯ2が０．０１〜０．６重量％の割
合で添加されることを特徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 Ｐｂ（Ｍｇ 1/3 Ｎｂ 2/3 ）Ｏ 3 及びＰｂ
（Ｓｍ 1/2 Ｎｂ l/2 ）Ｏ 3 を主成分とする比誘電率が４０
００以上のペロブスカイト型構造の誘電体磁器組成物に
対して、ＭｎＯ 2 を０．１〜０．６重量％の割合で添加
し、比誘電率の温度依存性を低減したことを特徴とする
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03156827A JP3130961B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-06-27 | 誘電体磁器組成物 |
| US07/905,005 US5284810A (en) | 1991-06-27 | 1992-06-26 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9130991 | 1991-03-28 | ||
| JP3-91309 | 1991-03-28 | ||
| JP03156827A JP3130961B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-06-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357158A JPH04357158A (ja) | 1992-12-10 |
| JP3130961B2 true JP3130961B2 (ja) | 2001-01-31 |
Family
ID=26432771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03156827A Expired - Fee Related JP3130961B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-06-27 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3130961B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-27 JP JP03156827A patent/JP3130961B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04357158A (ja) | 1992-12-10 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |