JP3250923B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＢａＴｉＯ3 を主成分
とし、Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＭｎＯ、Ｐｒ6Ｏ11または
Ｇｄ2 Ｏ3 を含有する誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
とし、Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，ＭｎＯ、Ｐｒ6Ｏ11または
Ｇｄ2 Ｏ3 を含有する誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
【０００２】
【従来技術】従来、誘電体磁器組成物は、積層セラミッ
クコンデンサ等の材料として使用されている。このよう
な積層セラミックコンデンサは内部電極が形成された誘
電体磁器組成物の生シートを所定容量になるように複数
枚積層した後、一体的に焼成して構成されている。例え
ば、Ｘ７Ｒ（ＥＩＡ規格：静電容量の温度特性が−５５
℃〜１２５℃において±１５％以内）の積層セラミック
コンデンサに使用される誘電体磁器組成物は、＋２５℃
における比誘電率が２５００以上と高く、かつ、一枚当
たりの生シートの厚みが１５μｍ以下であって、焼成温
度が例えば１３００℃以下であることが重要となってく
る。
クコンデンサ等の材料として使用されている。このよう
な積層セラミックコンデンサは内部電極が形成された誘
電体磁器組成物の生シートを所定容量になるように複数
枚積層した後、一体的に焼成して構成されている。例え
ば、Ｘ７Ｒ（ＥＩＡ規格：静電容量の温度特性が−５５
℃〜１２５℃において±１５％以内）の積層セラミック
コンデンサに使用される誘電体磁器組成物は、＋２５℃
における比誘電率が２５００以上と高く、かつ、一枚当
たりの生シートの厚みが１５μｍ以下であって、焼成温
度が例えば１３００℃以下であることが重要となってく
る。
【０００３】即ち、２５℃における比誘電率が２５００
以上であって、生シートの厚みを１５μｍ以下にするこ
とにより、内部電極間の生シートの厚みや対向面積の極
小化が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化
が達成できる。また、焼成温度を１３００℃以下にする
ことにより、内部電極の材料の選択幅が増え、例えば、
高価なＰｄ１００％の材料から安価なＰｄ−Ａｇの使用
が可能となる。尚、上記に加え、誘電体磁器組成物とし
ての諸特性である誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗を充分に
考慮しなくてはならず、さらに、誘電損失の交流電圧依
存性が小さいことが望まれる。
以上であって、生シートの厚みを１５μｍ以下にするこ
とにより、内部電極間の生シートの厚みや対向面積の極
小化が可能となり、積層セラミックコンデンサの小型化
が達成できる。また、焼成温度を１３００℃以下にする
ことにより、内部電極の材料の選択幅が増え、例えば、
高価なＰｄ１００％の材料から安価なＰｄ−Ａｇの使用
が可能となる。尚、上記に加え、誘電体磁器組成物とし
ての諸特性である誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗を充分に
考慮しなくてはならず、さらに、誘電損失の交流電圧依
存性が小さいことが望まれる。
【０００４】従来、比誘電率を向上させたものとして、
ＢａＴｉＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｎＯを含む誘電体磁器組
成物がすでに提案されている（特開昭５９−１８１６２
号公報、特開昭５９−１８１５９号公報等参照）。この
ような誘電体磁器組成物によれば、比誘電率を２０００
〜３０００とすることができる。しかしながら、上述の
誘電体磁器組成物は高い比誘電率を得ることができて
も、誘電損失ｔａｎδが大きいため、生シートを薄くす
ることができず、結局、積層コンデンサに使用した場
合、高い比誘電率が得られなかった。
ＢａＴｉＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＺｎＯを含む誘電体磁器組
成物がすでに提案されている（特開昭５９−１８１６２
号公報、特開昭５９−１８１５９号公報等参照）。この
ような誘電体磁器組成物によれば、比誘電率を２０００
〜３０００とすることができる。しかしながら、上述の
誘電体磁器組成物は高い比誘電率を得ることができて
も、誘電損失ｔａｎδが大きいため、生シートを薄くす
ることができず、結局、積層コンデンサに使用した場
合、高い比誘電率が得られなかった。
【０００５】このように誘電損失ｔａｎδを小さくする
ために開発された系として、ＢａＴｉＯ3 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｌａ2 Ｏ3 を含む誘電体磁器組成物が
すでに提案されている（特公平５−１０７６６号公報参
照）。また、ＢａＴｉＯ3 にＮｂ2Ｏ5 ／ＭｇＯのモル
比を２．３〜４の範囲になるようにＮｂ2 Ｏ5 とＭｇＯ
を加え、これに希土類を０．１〜０．５重量％添加した
組成物が開示されている（特公昭５５−１９００７号公
報参照）。
ために開発された系として、ＢａＴｉＯ3 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，ＭｇＯ，Ｌａ2 Ｏ3 を含む誘電体磁器組成物が
すでに提案されている（特公平５−１０７６６号公報参
照）。また、ＢａＴｉＯ3 にＮｂ2Ｏ5 ／ＭｇＯのモル
比を２．３〜４の範囲になるようにＮｂ2 Ｏ5 とＭｇＯ
を加え、これに希土類を０．１〜０．５重量％添加した
組成物が開示されている（特公昭５５−１９００７号公
報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、上記
したいずれの誘電体磁器でも、比誘電率が２２００程度
以下と小さく小型大容量化に対応できない。また、未だ
誘電損失が大きく、生シートを薄くすることが困難であ
るという問題があった。
したいずれの誘電体磁器でも、比誘電率が２２００程度
以下と小さく小型大容量化に対応できない。また、未だ
誘電損失が大きく、生シートを薄くすることが困難であ
るという問題があった。
【０００７】さらに、上記したいずれの誘電体磁器で
も、誘電損失の交流電圧依存性が大きくなり、誘電体の
薄層化に対応することができなくなることが考えられ、
この場合には、コンデンサの小型化、大容量化に対応で
きないという問題があった。
も、誘電損失の交流電圧依存性が大きくなり、誘電体の
薄層化に対応することができなくなることが考えられ、
この場合には、コンデンサの小型化、大容量化に対応で
きないという問題があった。
【０００８】
【問題点を解決するための手段】本発明者等は上記問題
点に鑑みて鋭意検討した結果、チタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3を主成分とし、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｐｒ6Ｏ11また
はＧｄ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＳｉＯ2および／またはＡｌ2Ｏ3
を所定の組成比で含有するもので、Ｎｂ2Ｏ5のＭｇＯに
対するモル比を０．５〜２．２とすることにより、比誘
電率が２５００以上で、静電容量の温度変化率がＥＩＡ
規格のＸ７Ｒを満たし、誘電損失が２．５％以下と小さ
く、交流電圧を２０００Ｖ／ｃｍ印加した時でも誘電損
失が３．０％以下と交流電圧依存性が小さく、薄層化が
可能な誘電体磁器を得ることができることを見出し、本
発明に至った。
点に鑑みて鋭意検討した結果、チタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3を主成分とし、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｐｒ6Ｏ11また
はＧｄ2Ｏ3、ＭｎＯ、ＳｉＯ2および／またはＡｌ2Ｏ3
を所定の組成比で含有するもので、Ｎｂ2Ｏ5のＭｇＯに
対するモル比を０．５〜２．２とすることにより、比誘
電率が２５００以上で、静電容量の温度変化率がＥＩＡ
規格のＸ７Ｒを満たし、誘電損失が２．５％以下と小さ
く、交流電圧を２０００Ｖ／ｃｍ印加した時でも誘電損
失が３．０％以下と交流電圧依存性が小さく、薄層化が
可能な誘電体磁器を得ることができることを見出し、本
発明に至った。
【０００９】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂａ
ＴｉＯ3１００重量部に対して、Ｎｂ2Ｏ5を０．８０〜
２．５重量部、ＭｇＯを０．０６〜０．７０重量部、Ｐ
ｒ6Ｏ11またはＧｄ2Ｏ3を０．００５〜０．５２０重量
部、ＭｎＯをＭｎＣＯ3に換算して０．０１〜０．３０
重量部、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3のうち少なくとも一種
を０．０５〜０．５０重量部含有するとともに、Ｎｂ2
Ｏ5のＭｇＯに対するモル比が０．５〜２．２の範囲内
にあるものである。また、ＢａＴｉＯ3１００重量部に
対して、ＺｎＯを０．５重量部以下含有することが望ま
しい。
ＴｉＯ3１００重量部に対して、Ｎｂ2Ｏ5を０．８０〜
２．５重量部、ＭｇＯを０．０６〜０．７０重量部、Ｐ
ｒ6Ｏ11またはＧｄ2Ｏ3を０．００５〜０．５２０重量
部、ＭｎＯをＭｎＣＯ3に換算して０．０１〜０．３０
重量部、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3のうち少なくとも一種
を０．０５〜０．５０重量部含有するとともに、Ｎｂ2
Ｏ5のＭｇＯに対するモル比が０．５〜２．２の範囲内
にあるものである。また、ＢａＴｉＯ3１００重量部に
対して、ＺｎＯを０．５重量部以下含有することが望ま
しい。
【００１０】本発明において、ＢａＴｉＯ3 １００重量
部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を０．８０〜２．５重量部含有
としたのは、０．８０重量部未満では、誘電損失が悪化
し、温度特性、焼結性が悪く、また、２．５重量部を越
えると比誘電率が低下し、温度特性が大きく劣化してし
まうからである。Ｎｂ2 Ｏ5 はＢａＴｉＯ3 １００重量
部に対して１．３〜２．０重量部含有することが望まし
い。
部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を０．８０〜２．５重量部含有
としたのは、０．８０重量部未満では、誘電損失が悪化
し、温度特性、焼結性が悪く、また、２．５重量部を越
えると比誘電率が低下し、温度特性が大きく劣化してし
まうからである。Ｎｂ2 Ｏ5 はＢａＴｉＯ3 １００重量
部に対して１．３〜２．０重量部含有することが望まし
い。
【００１１】また、ＭｇＯを０．０６〜０．７０重量部
としたのは、０．０６重量部未満では比誘電率及び絶縁
抵抗が低下し、温度特性が悪く粒成長し、誘電損失の電
圧依存性が大となってしまうからである。また、０．７
０重量部よりも多いと誘電率が低下し、絶縁抵抗も低下
するからである。ＭｇＯは０．１〜０．４重量部である
ことが望ましい。
としたのは、０．０６重量部未満では比誘電率及び絶縁
抵抗が低下し、温度特性が悪く粒成長し、誘電損失の電
圧依存性が大となってしまうからである。また、０．７
０重量部よりも多いと誘電率が低下し、絶縁抵抗も低下
するからである。ＭｇＯは０．１〜０．４重量部である
ことが望ましい。
【００１２】さらに、Ｐｒ6 Ｏ11またはＧｄ2 Ｏ3 を
０．００５〜０．５２０重量部としたのは、Ｐｒ6 Ｏ11
またはＧｄ2 Ｏ3 が０．００５重量部未満では、比誘電
率が低下し、焼結性が悪く、０．５２０重量部を越える
と温度特性が劣化するからである。Ｐｒ6 Ｏ11またはＧ
ｄ2 Ｏ3 は０．００５〜０．２重量部であることが望ま
しい。
０．００５〜０．５２０重量部としたのは、Ｐｒ6 Ｏ11
またはＧｄ2 Ｏ3 が０．００５重量部未満では、比誘電
率が低下し、焼結性が悪く、０．５２０重量部を越える
と温度特性が劣化するからである。Ｐｒ6 Ｏ11またはＧ
ｄ2 Ｏ3 は０．００５〜０．２重量部であることが望ま
しい。
【００１３】またＭｎＯをＭｎＣＯ3 換算で０．０１〜
０．３０重量部としたのは０．０１重量部未満では、絶
縁抵抗が低下し、誘電損失及び焼結性が悪化し、０．３
０重量部を越えると比誘電率が低下してしまうからであ
る。ＭｎＯはＭｎＣＯ3 換算で０．０４〜０．１０重量
部であることが望ましい。
０．３０重量部としたのは０．０１重量部未満では、絶
縁抵抗が低下し、誘電損失及び焼結性が悪化し、０．３
０重量部を越えると比誘電率が低下してしまうからであ
る。ＭｎＯはＭｎＣＯ3 換算で０．０４〜０．１０重量
部であることが望ましい。
【００１４】そして、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに対するモル
比を０．５〜２．２としたのは、モル比が０．５より小
さいと比誘電率が悪化し、温度特性、焼結性が悪く、ま
た２．２より大きいと、温度特性が悪く、比誘電率が低
下するからである。本発明では、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに
対するモル比を、特に、０．６〜１．４とすることが望
ましい。
比を０．５〜２．２としたのは、モル比が０．５より小
さいと比誘電率が悪化し、温度特性、焼結性が悪く、ま
た２．２より大きいと、温度特性が悪く、比誘電率が低
下するからである。本発明では、Ｎｂ2 Ｏ5 のＭｇＯに
対するモル比を、特に、０．６〜１．４とすることが望
ましい。
【００１５】また、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て、さらにＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3のうち少なくとも
一種を０．０５〜０．５０重量部含有したのは、０．０
５重量部よりも少ない場合には比誘電率向上の効果、焼
結性向上の効果、電圧依存性向上の効果が殆どないから
であり、０．５０重量部よりも大きいと比誘電率が低下
する傾向にあるからである。ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3
のうち少なくとも一種は、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．１〜０．２重量部含有することが望まし
い。
て、さらにＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3のうち少なくとも
一種を０．０５〜０．５０重量部含有したのは、０．０
５重量部よりも少ない場合には比誘電率向上の効果、焼
結性向上の効果、電圧依存性向上の効果が殆どないから
であり、０．５０重量部よりも大きいと比誘電率が低下
する傾向にあるからである。ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3
のうち少なくとも一種は、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．１〜０．２重量部含有することが望まし
い。
【００１６】さらに、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対し
て、ＺｎＯは０．５重量部以下であることが望ましい
が、これは、ＺｎＯが０．５重量部よりも多い場合には
温度特性が悪く誘電損失が増加する傾向にあるからであ
る。ＺｎＯは、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して０．
３重量部以下であることが望ましい。
て、ＺｎＯは０．５重量部以下であることが望ましい
が、これは、ＺｎＯが０．５重量部よりも多い場合には
温度特性が悪く誘電損失が増加する傾向にあるからであ
る。ＺｎＯは、ＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して０．
３重量部以下であることが望ましい。
【００１７】本発明に使用されるＢａＴｉＯ3 は、例え
ば、固相法，ゾルゲル法，しゅう酸法，水熱合成法等い
ずれかの方法により生成された平均結晶粒径１．０μｍ
以下のＢａＴｉＯ3 粉末を主成分として、このＢａＴｉ
Ｏ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、Ｐｒ
6 Ｏ11またはＧｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＺｎＯ各粉末を所定量秤量し、ボールミル等に
て２０〜４８時間湿式粉砕し、乾燥後、バインダーを所
定量添加して、これを所定形状に成形し、大気中におい
て１２３０℃〜１３００℃で１〜２時間焼成することに
より製造される。積層セラミックコンデンサを作製する
場合には、上記粉末をスラリー化し、これをドクターブ
レード法の手法によりシート状に成形し、そのシート状
成形体に適宜Ａｇ−Ｐｄなどの内部電極を塗布し、これ
らを複数枚積層し、上記焼成条件で同時焼成すれば良
い。
ば、固相法，ゾルゲル法，しゅう酸法，水熱合成法等い
ずれかの方法により生成された平均結晶粒径１．０μｍ
以下のＢａＴｉＯ3 粉末を主成分として、このＢａＴｉ
Ｏ3 １００重量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、Ｐｒ
6 Ｏ11またはＧｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＺｎＯ各粉末を所定量秤量し、ボールミル等に
て２０〜４８時間湿式粉砕し、乾燥後、バインダーを所
定量添加して、これを所定形状に成形し、大気中におい
て１２３０℃〜１３００℃で１〜２時間焼成することに
より製造される。積層セラミックコンデンサを作製する
場合には、上記粉末をスラリー化し、これをドクターブ
レード法の手法によりシート状に成形し、そのシート状
成形体に適宜Ａｇ−Ｐｄなどの内部電極を塗布し、これ
らを複数枚積層し、上記焼成条件で同時焼成すれば良
い。
【００１８】本発明に使用されるＮｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、
Ｐｒ6 Ｏ11またはＧｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ各粉末の代わりに、Ｎｂ，Ｍｇ，Ｐ
ｒまたはＧｄ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｚｎの水酸化物、炭
酸塩，硝酸塩、しゅう酸塩，アルコキシド等、焼結温度
以下で分解し、酸化物となるものも用いることができ
る。
Ｐｒ6 Ｏ11またはＧｄ2 Ｏ3 、ＭｎＣＯ3 、ＳｉＯ2 、
Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｎＯ各粉末の代わりに、Ｎｂ，Ｍｇ，Ｐ
ｒまたはＧｄ，Ｍｎ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｚｎの水酸化物、炭
酸塩，硝酸塩、しゅう酸塩，アルコキシド等、焼結温度
以下で分解し、酸化物となるものも用いることができ
る。
【００１９】交流電圧依存性を向上するには、焼結体の
平均結晶粒径ｄをｄ＜１．０μｍに制御することが好ま
しい。このように、焼結体の平均結晶粒径ｄをｄ＜１．
０μｍに制御するには、出発原料として平均結晶粒径
１．０μｍ以下のチタン酸バリウム粉末を用いたり、長
時間湿式粉砕して粉砕後の粒径を０．８μｍ以下に管理
したり、焼成温度をなるべく低く設定し焼成時間も短時
間とする必要がある。
平均結晶粒径ｄをｄ＜１．０μｍに制御することが好ま
しい。このように、焼結体の平均結晶粒径ｄをｄ＜１．
０μｍに制御するには、出発原料として平均結晶粒径
１．０μｍ以下のチタン酸バリウム粉末を用いたり、長
時間湿式粉砕して粉砕後の粒径を０．８μｍ以下に管理
したり、焼成温度をなるべく低く設定し焼成時間も短時
間とする必要がある。
【００２０】
【作用】本発明の誘電体磁器組成物では、静電容量の温
度特性が−５５℃〜１２５℃の範囲において±１５％以
内で、＋２５℃における比誘電率が２５００以上とな
り、グリーンシートの厚みが１５μｍであっても誘電損
失が２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖ／cmに
おける誘電損失が３％以下と小さい値を示すことができ
る。このため、小型で大容量の積層コンデンサーを得る
ことができる。
度特性が−５５℃〜１２５℃の範囲において±１５％以
内で、＋２５℃における比誘電率が２５００以上とな
り、グリーンシートの厚みが１５μｍであっても誘電損
失が２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖ／cmに
おける誘電損失が３％以下と小さい値を示すことができ
る。このため、小型で大容量の積層コンデンサーを得る
ことができる。
【００２１】また、焼成温度が１３００℃以下となるた
め工業的にも製造しやすく、かつ、内部電極に安価な銀
−パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝２０／８０〜４０／６０）
を使用した積層コンデンサなどに使用できる誘電体磁器
が達成される。さらに、誘電体磁器として基本的な特性
である誘電損失が２．５％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）が１
０4 ＭΩ以上と充分に満足できる誘電体磁器が達成され
る。
め工業的にも製造しやすく、かつ、内部電極に安価な銀
−パラジウム（Ａｇ／Ｐｄ＝２０／８０〜４０／６０）
を使用した積層コンデンサなどに使用できる誘電体磁器
が達成される。さらに、誘電体磁器として基本的な特性
である誘電損失が２．５％以下、絶縁抵抗（ＩＲ）が１
０4 ＭΩ以上と充分に満足できる誘電体磁器が達成され
る。
【００２２】
【実施例】以下、本発明の実施例を、参考例を基に詳細
に説明する。
に説明する。
【００２３】（参考例１） しゅう酸法により生成された平均粒径１．０μｍ以下の
ＢａＴｉＯ3粉末を主成分として、このＢａＴｉＯ3１０
０重量部に対して、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｐｒ6Ｏ11、Ｍ
ｎＣＯ3の各粉末を表１に示すように秤量し、ボールミ
ルにて２０〜４８時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を
添加し、しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ１５
μｍのテープ状に成形した。このテープを１３０ｍｍ×
１００ｍｍに裁断し、２０枚重ね、積層体を作製する。
ＢａＴｉＯ3粉末を主成分として、このＢａＴｉＯ3１０
０重量部に対して、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｐｒ6Ｏ11、Ｍ
ｎＣＯ3の各粉末を表１に示すように秤量し、ボールミ
ルにて２０〜４８時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を
添加し、しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ１５
μｍのテープ状に成形した。このテープを１３０ｍｍ×
１００ｍｍに裁断し、２０枚重ね、積層体を作製する。
【００２４】
【表１】
【００２５】尚、内部電極として、Ａｇ−Ｐｄ系ペース
ト（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０）を印刷した。この積層体
を３．２ｍｍ×１．６ｍｍに裁断し、空気中にて１２３
０〜１３３０℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペ
ーストによる電極を８００℃、１０分間焼き付けて、測
定用試料をとした。
ト（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０）を印刷した。この積層体
を３．２ｍｍ×１．６ｍｍに裁断し、空気中にて１２３
０〜１３３０℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペ
ーストによる電極を８００℃、１０分間焼き付けて、測
定用試料をとした。
【００２６】このような試料について、静電容量および
誘電損失を基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定
電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。また、容量の温度変化
率は、−５５〜＋１２５℃の範囲で測定し、＋２５℃に
おける容量を基準とした。さらに、絶縁抵抗は、直流電
圧２５Ｖを１分間印加した時を測定した。比誘電率は静
電容量から逆算した。 焼結体の平均粒径は、走査型電
子顕微鏡にて焼結体表面を１５０００倍で観察し、ライ
ンインターセプト法にて５００以上の粒子を測定し算出
した。さらに、周波数１ｋＨｚで２０００Ｖｒｍｓ／ｃ
ｍの電圧を印加した時の誘電損失を測定した。以上の結
果を表２に示す。
誘電損失を基準温度２５℃、周波数１．０ｋＨｚ、測定
電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。また、容量の温度変化
率は、−５５〜＋１２５℃の範囲で測定し、＋２５℃に
おける容量を基準とした。さらに、絶縁抵抗は、直流電
圧２５Ｖを１分間印加した時を測定した。比誘電率は静
電容量から逆算した。 焼結体の平均粒径は、走査型電
子顕微鏡にて焼結体表面を１５０００倍で観察し、ライ
ンインターセプト法にて５００以上の粒子を測定し算出
した。さらに、周波数１ｋＨｚで２０００Ｖｒｍｓ／ｃ
ｍの電圧を印加した時の誘電損失を測定した。以上の結
果を表２に示す。
【００２７】
【表２】
【００２８】本発明の範囲内の誘電体磁器はいずれも比
誘電率が２５００以上と大きく、しかもＥＩＡ規格のＸ
７Ｒ特性（−５５℃〜１２５℃の温度範囲で容量変化率
が±１５％以内）を満足する。さらに、誘電損失ｔａｎ
δが２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖｒｍｓ
／ｃｍ下でも３．０％以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗（ＩＲ）は１０4 ＭΩ以上を有する。
誘電率が２５００以上と大きく、しかもＥＩＡ規格のＸ
７Ｒ特性（−５５℃〜１２５℃の温度範囲で容量変化率
が±１５％以内）を満足する。さらに、誘電損失ｔａｎ
δが２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖｒｍｓ
／ｃｍ下でも３．０％以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗（ＩＲ）は１０4 ＭΩ以上を有する。
【００２９】表１において、試料番号１〜５は誘電体磁
器組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2
Ｏ5 の添加量を０．７〜２．６重量部まで値を夫々変化
させた。この時、ＭｇＯ、Ｐｒ6 Ｏ11、及びＭｎＣＯ3
の添加量を０．２重量部、０．２重量部、０．１重量部
にした。
器組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2
Ｏ5 の添加量を０．７〜２．６重量部まで値を夫々変化
させた。この時、ＭｇＯ、Ｐｒ6 Ｏ11、及びＭｎＣＯ3
の添加量を０．２重量部、０．２重量部、０．１重量部
にした。
【００３０】試料番号１（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．７
重量部）では、比誘電率εｒが３４６０と良品になるも
のの、誘電損失ｔａｎδが３．３％となってしまう。更
に、温度特性が−２５％となってしまう。また、試料番
号２〜４（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．８〜２．５重量
部）では、比誘電率εｒが２６７０〜３６４０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．４％以下であり、温度特性が±
１４％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時の
ｔａｎδが２．８％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜９
×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒ
が高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、
さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が
達成される。更に、試料番号５（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：
２．６重量部）では、比誘電率εが２２９０、温度特性
が−２０％に悪化してしまう。従って、本発明において
はチタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2 Ｏ5
の重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重量部
に対して、０．８〜２．５重量部の範囲とした。
重量部）では、比誘電率εｒが３４６０と良品になるも
のの、誘電損失ｔａｎδが３．３％となってしまう。更
に、温度特性が−２５％となってしまう。また、試料番
号２〜４（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．８〜２．５重量
部）では、比誘電率εｒが２６７０〜３６４０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．４％以下であり、温度特性が±
１４％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時の
ｔａｎδが２．８％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜９
×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒ
が高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、
さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が
達成される。更に、試料番号５（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：
２．６重量部）では、比誘電率εが２２９０、温度特性
が−２０％に悪化してしまう。従って、本発明において
はチタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ2 Ｏ5
の重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００重量部
に対して、０．８〜２．５重量部の範囲とした。
【００３１】試料番号６〜１０は誘電体磁器組成物の主
成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｇＯの添加量を
０．０５〜０．７５重量部まで値を夫々変化させた。こ
の時、Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量を０．８〜２．５重量部、Ｐ
ｒ6 Ｏ11、及びＭｎＣＯ3 の添加量をそれぞれ０．２重
量部、０．１重量部にした。
成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｇＯの添加量を
０．０５〜０．７５重量部まで値を夫々変化させた。こ
の時、Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量を０．８〜２．５重量部、Ｐ
ｒ6 Ｏ11、及びＭｎＣＯ3 の添加量をそれぞれ０．２重
量部、０．１重量部にした。
【００３２】試料番号６（ＭｇＯの添加量：０．０５重
量部）では、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎ
δが４．０％になってしまう。また、試料番号７〜９
（ＭｇＯの添加量：０．０６〜０．７０重量部）では、
比誘電率εｒが２６６０〜３０５０となり、誘電損失ｔ
ａｎσが２．１％以下であり、温度特性が±１３％以内
になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎσが
２．７％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３〜８×１０4 Ｍ
Ωと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒが高く、温
度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、さらに誘電
損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成され
る。更に、試料番号１０（ＭｇＯの添加量：０．７５重
量部）では、誘電損失ｔａｎδが１．７％と良品の範囲
となるものの、比誘電率εｒが２１５０となってしま
う。従って、本発明においてはチタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3 に添加するＭｇＯ重量は、チタン酸バルウムＢａ
ＴｉＯ3１００重量部に対して、０．０６〜０．７０重
量部の範囲とした。試料番号１１〜１５は誘電体磁器組
成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＰｒ6 Ｏ11
の添加量を０．００４〜０．５３重量部まで値を夫々変
化させた。
量部）では、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎ
δが４．０％になってしまう。また、試料番号７〜９
（ＭｇＯの添加量：０．０６〜０．７０重量部）では、
比誘電率εｒが２６６０〜３０５０となり、誘電損失ｔ
ａｎσが２．１％以下であり、温度特性が±１３％以内
になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎσが
２．７％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３〜８×１０4 Ｍ
Ωと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒが高く、温
度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、さらに誘電
損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成され
る。更に、試料番号１０（ＭｇＯの添加量：０．７５重
量部）では、誘電損失ｔａｎδが１．７％と良品の範囲
となるものの、比誘電率εｒが２１５０となってしま
う。従って、本発明においてはチタン酸バリウムＢａＴ
ｉＯ3 に添加するＭｇＯ重量は、チタン酸バルウムＢａ
ＴｉＯ3１００重量部に対して、０．０６〜０．７０重
量部の範囲とした。試料番号１１〜１５は誘電体磁器組
成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＰｒ6 Ｏ11
の添加量を０．００４〜０．５３重量部まで値を夫々変
化させた。
【００３３】この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＭｎＣＯ
3 の添加量をそれぞれ１．８重量部、０．３重量部、
０．１重量部にした。
3 の添加量をそれぞれ１．８重量部、０．３重量部、
０．１重量部にした。
【００３４】試料番号１１（Ｐｒ6 Ｏ11の添加量：０．
００４重量部）では、誘電損失ｔａｎδが２．５％とな
るものの、比誘電率εｒが２４１０と低くなってしま
う。また、試料番号１２〜１４（Ｐｒ6 Ｏ11の添加量：
０．００５〜０．５２重量部）では、比誘電率εｒが２
７６０〜３５６０となり、誘電損失ｔａｎδが２．０％
以下であり、温度特性が±１１％以内になり、交流電圧
２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎδが２．９％以下で、
絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜７×１０4 ＭΩと良品の範囲と
なる。即ち、比誘電率εｒが高く、温度特性に優れ、誘
電損失ｔａｎσが小さく、さらに誘電損失の交流電圧依
存性が小さい誘電体磁器が達成される。更に、試料番号
１５（Ｐｒ6 Ｏ11の添加量：０．５３重量部）では、比
誘電率εｒが３７５０、誘電損失ｔａｎδが１．８％と
良品の範囲となるものの、温度特性が−２２％に悪化し
てしまう。従って、本発明においてはチタン酸バリウム
ＢａＴｉＯ3 に添加するＰｒ6 Ｏ11の重量は、チタン酸
バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、０．００
５〜０．５２重量部の範囲とした。
００４重量部）では、誘電損失ｔａｎδが２．５％とな
るものの、比誘電率εｒが２４１０と低くなってしま
う。また、試料番号１２〜１４（Ｐｒ6 Ｏ11の添加量：
０．００５〜０．５２重量部）では、比誘電率εｒが２
７６０〜３５６０となり、誘電損失ｔａｎδが２．０％
以下であり、温度特性が±１１％以内になり、交流電圧
２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎδが２．９％以下で、
絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜７×１０4 ＭΩと良品の範囲と
なる。即ち、比誘電率εｒが高く、温度特性に優れ、誘
電損失ｔａｎσが小さく、さらに誘電損失の交流電圧依
存性が小さい誘電体磁器が達成される。更に、試料番号
１５（Ｐｒ6 Ｏ11の添加量：０．５３重量部）では、比
誘電率εｒが３７５０、誘電損失ｔａｎδが１．８％と
良品の範囲となるものの、温度特性が−２２％に悪化し
てしまう。従って、本発明においてはチタン酸バリウム
ＢａＴｉＯ3 に添加するＰｒ6 Ｏ11の重量は、チタン酸
バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、０．００
５〜０．５２重量部の範囲とした。
【００３５】試料番号１６〜２０は誘電体磁器組成物の
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の添加
量を０．００５〜０．４０重量部まで値を夫々変化させ
た。
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の添加
量を０．００５〜０．４０重量部まで値を夫々変化させ
た。
【００３６】この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＰｒ6 Ｏ
11の添加量を１．８重量部、０．３重量部、０．２重量
部にした。
11の添加量を１．８重量部、０．３重量部、０．２重量
部にした。
【００３７】試料番号１６（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．
００５重量部）では、比誘電率εｒが２９６０となるも
のの、誘電損失ｔａｎδが２．６％となってしまう。さ
らに絶縁抵抗が８×１０3 となる。また、試料番号１７
〜１９（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．０１〜０．３重量
部）では、比誘電率εｒが２６４０〜２９２０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性が±
６％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔ
ａｎδが３．０％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３×１０
4 〜１×１０5 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電
率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小
さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体
磁器が達成される。更に、試料番号２０（ＭｎＣＯ3 の
添加量：０．４０重量部）では、誘電損失ｔａｎδが
１．５％と良品の範囲となるものの、比誘電率εｒが２
１９０と低くなってしまう。従って、本発明においては
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の
重量は、チタン酸バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．０１〜０．３重量部の範囲とした。
００５重量部）では、比誘電率εｒが２９６０となるも
のの、誘電損失ｔａｎδが２．６％となってしまう。さ
らに絶縁抵抗が８×１０3 となる。また、試料番号１７
〜１９（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．０１〜０．３重量
部）では、比誘電率εｒが２６４０〜２９２０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性が±
６％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔ
ａｎδが３．０％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も３×１０
4 〜１×１０5 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電
率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小
さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体
磁器が達成される。更に、試料番号２０（ＭｎＣＯ3 の
添加量：０．４０重量部）では、誘電損失ｔａｎδが
１．５％と良品の範囲となるものの、比誘電率εｒが２
１９０と低くなってしまう。従って、本発明においては
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の
重量は、チタン酸バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．０１〜０．３重量部の範囲とした。
【００３８】試料番号２１〜２９はＮｂ2Ｏ5のＭｇＯに
対する比を０．４〜２．３に変化させた。比が０．４と
小さい場合、また２．３と大きい場合いずれも、比誘電
率が２３１０、２１３０と２５００より低く、また温度
特性もはずれてしまう。これに対し、比が０．５〜２．
２の場合、誘電率が２５００以上であり温度特性その他
の特性も満足される。 （実施例１） 表１の試料Ｎｏ．１３の組成に、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，
ＺｎＯ粉末を、表３に示すように添加含有させ、参考例
１と同様に、テープ状に成形した後、このテープを積層
し、内部電極を形成し、積層体を作製した。そして、参
考例１と同様に、各特性を測定し、表４に記した。
対する比を０．４〜２．３に変化させた。比が０．４と
小さい場合、また２．３と大きい場合いずれも、比誘電
率が２３１０、２１３０と２５００より低く、また温度
特性もはずれてしまう。これに対し、比が０．５〜２．
２の場合、誘電率が２５００以上であり温度特性その他
の特性も満足される。 （実施例１） 表１の試料Ｎｏ．１３の組成に、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，
ＺｎＯ粉末を、表３に示すように添加含有させ、参考例
１と同様に、テープ状に成形した後、このテープを積層
し、内部電極を形成し、積層体を作製した。そして、参
考例１と同様に、各特性を測定し、表４に記した。
【００３９】尚、試料の組成は、ＢａＴｉＯ3 １００重
量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を１．８重量部、ＭｇＯを
０．３重量部、Ｐｒ6 Ｏ11を０．２重量部、ＭｎＯをＭ
ｎＣＯ3 換算で０．１重量部含有し、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｎＯをＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所定
量含有するものである。
量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を１．８重量部、ＭｇＯを
０．３重量部、Ｐｒ6 Ｏ11を０．２重量部、ＭｎＯをＭ
ｎＣＯ3 換算で０．１重量部含有し、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｎＯをＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所定
量含有するものである。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】これらの表３，４から、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｎＯを含有することにより、これらの化合物を
含有しない場合（試料Ｎo.１３）よりも焼成温度が低下
し、誘電率が高くなることが判る。
Ｏ3 ，ＺｎＯを含有することにより、これらの化合物を
含有しない場合（試料Ｎo.１３）よりも焼成温度が低下
し、誘電率が高くなることが判る。
【００４３】（参考例２） しゅう酸法により生成された平均粒径１．０μｍ以下の
ＢａＴｉＯ3粉末を主成分として、このＢａＴｉＯ3１０
０重量部に対して、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｍｎ
ＣＯ3の各粉末を表５に示すように秤量し、ボールミル
にて２０〜４８時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を添
加し、しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ１５μ
ｍのテープ状に成形した。このテープを１３０ｍｍ×１
００ｍｍに裁断し、２０枚重ね、積層体を作製する。
ＢａＴｉＯ3粉末を主成分として、このＢａＴｉＯ3１０
０重量部に対して、Ｎｂ2Ｏ5、ＭｇＯ、Ｇｄ2Ｏ3、Ｍｎ
ＣＯ3の各粉末を表５に示すように秤量し、ボールミル
にて２０〜４８時間湿式粉砕した後、有機系粘結剤を添
加し、しかる後攪拌、ドクターブレード法で厚さ１５μ
ｍのテープ状に成形した。このテープを１３０ｍｍ×１
００ｍｍに裁断し、２０枚重ね、積層体を作製する。
【００４４】
【表５】
【００４５】尚、内部電極として、Ａｇ−Ｐｄ系ペース
ト（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０）を印刷した。この積層体
を３．２ｍｍ×１．６ｍｍに裁断し、空気中にて１２４
０〜１３２０℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペ
ーストによる電極を８００℃、１０分間焼き付けて、測
定用試料をとした。
ト（Ａｇ／Ｐｄ＝３０／７０）を印刷した。この積層体
を３．２ｍｍ×１．６ｍｍに裁断し、空気中にて１２４
０〜１３２０℃で２時間焼成した。さらに両端面に銀ペ
ーストによる電極を８００℃、１０分間焼き付けて、測
定用試料をとした。
【００４６】このような形成された試料について、静電
容量および誘電損失を基準温度２５℃、周波数１．０ｋ
Ｈｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。また、容量
の温度変化率は、−５５〜＋１２５℃の範囲で測定し、
＋２５℃における容量を基準とした。さらに、絶縁抵抗
は、直流電圧２５Ｖを１分間印加した時を測定した。
容量および誘電損失を基準温度２５℃、周波数１．０ｋ
Ｈｚ、測定電圧１．０Ｖｒｍｓで測定した。また、容量
の温度変化率は、−５５〜＋１２５℃の範囲で測定し、
＋２５℃における容量を基準とした。さらに、絶縁抵抗
は、直流電圧２５Ｖを１分間印加した時を測定した。
【００４７】比誘電率は静電容量から逆算した。焼結体
の平均粒径は、走査型電子顕微鏡にて焼結体表面を１５
０００倍で観察し、ラインインターセプト法にて５００
以上の粒子を測定し算出した。さらに、周波数１ｋＨｚ
で２０００Ｖｒｍｓ／ｃｍの電圧を印加した時の誘電損
失を測定した。以上の結果を表６に示す。
の平均粒径は、走査型電子顕微鏡にて焼結体表面を１５
０００倍で観察し、ラインインターセプト法にて５００
以上の粒子を測定し算出した。さらに、周波数１ｋＨｚ
で２０００Ｖｒｍｓ／ｃｍの電圧を印加した時の誘電損
失を測定した。以上の結果を表６に示す。
【００４８】
【表６】
【００４９】本発明の範囲内の誘電体磁器はいずれも比
誘電率が２５００以上と大きく、しかもＥＩＡ規格のＸ
７Ｒ特性（−５５℃〜１２５℃の温度範囲で容量変化率
が±１５％以内）を満足する。さらに、誘電損失ｔａｎ
δが２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖｒｍｓ
／ｃｍ下でも３．０％以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗（ＩＲ）は１０4 ＭΩ以上を有する。
誘電率が２５００以上と大きく、しかもＥＩＡ規格のＸ
７Ｒ特性（−５５℃〜１２５℃の温度範囲で容量変化率
が±１５％以内）を満足する。さらに、誘電損失ｔａｎ
δが２．５％以下と小さく、交流電圧２０００Ｖｒｍｓ
／ｃｍ下でも３．０％以下の損失を示す。さらに絶縁抵
抗（ＩＲ）は１０4 ＭΩ以上を有する。
【００５０】表５において、試料番号４４〜４８は誘電
体磁器組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮ
ｂ2 Ｏ5 の添加量を０．７〜２．６重量部まで値を夫々
変化させた。この時、ＭｇＯ、Ｇｄ2 Ｏ3 、及びＭｎＣ
Ｏ3 の添加量を０．２重量部、０．２重量部、０．１重
量部にした。
体磁器組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＮ
ｂ2 Ｏ5 の添加量を０．７〜２．６重量部まで値を夫々
変化させた。この時、ＭｇＯ、Ｇｄ2 Ｏ3 、及びＭｎＣ
Ｏ3 の添加量を０．２重量部、０．２重量部、０．１重
量部にした。
【００５１】試料番号４４（Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量：０．
７重量部）では、比誘電率εｒが３５３０と良品になる
ものの、誘電損失ｔａｎδが３．０％となってしまう。
更に、温度特性が−２２％となってしまう。また、試料
番号４５〜４７（Ｎｂ2 Ｏ5の添加量：０．８〜２．５
重量部）では、比誘電率εｒが２７２０〜３７１０とな
り、誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性
が±１３％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加
時のｔａｎδが２．７％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も６
〜９×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率
εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さ
く、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁
器が達成される。更に、試料番号４８（Ｎｂ2 Ｏ5 の添
加量：２．６重量部）では、比誘電率εが２３３０、温
度特性が−１８％に悪化してしまう。従って、本発明に
おいてはチタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ
2Ｏ5 の重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００
重量部に対して、０．８〜２．５重量部の範囲とした。
７重量部）では、比誘電率εｒが３５３０と良品になる
ものの、誘電損失ｔａｎδが３．０％となってしまう。
更に、温度特性が−２２％となってしまう。また、試料
番号４５〜４７（Ｎｂ2 Ｏ5の添加量：０．８〜２．５
重量部）では、比誘電率εｒが２７２０〜３７１０とな
り、誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性
が±１３％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加
時のｔａｎδが２．７％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も６
〜９×１０4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率
εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さ
く、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁
器が達成される。更に、試料番号４８（Ｎｂ2 Ｏ5 の添
加量：２．６重量部）では、比誘電率εが２３３０、温
度特性が−１８％に悪化してしまう。従って、本発明に
おいてはチタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＮｂ
2Ｏ5 の重量は、チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 １００
重量部に対して、０．８〜２．５重量部の範囲とした。
【００５２】試料番号４９〜５３は誘電体磁器組成物の
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｇＯの添加量を
０．０５〜０．７５重量部まで値を夫々変化させた。こ
の時、Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量を０．８〜２．５重量部、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 及びＭｎＣＯ3 の添加量をそれぞれ０．２重量
部、０．１重量部にした。
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｇＯの添加量を
０．０５〜０．７５重量部まで値を夫々変化させた。こ
の時、Ｎｂ2 Ｏ5 の添加量を０．８〜２．５重量部、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 及びＭｎＣＯ3 の添加量をそれぞれ０．２重量
部、０．１重量部にした。
【００５３】試料番号４９（ＭｇＯの添加量：０．０５
重量部）では、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａ
ｎδが４．０％になってしまう。また、試料番号５０〜
５２（ＭｇＯの添加量：０．０６〜０．７０重量部）で
は、比誘電率εｒが２７１０〜３１１０となり、誘電損
失ｔａｎσが２．０％以下であり、温度特性が±１２％
以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎ
σが２．６％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜８×１０
4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒが高
く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、さら
に誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成
される。更に、試料番号５３（ＭｇＯの添加量：０．７
５重量部）では、誘電損失ｔａｎδが１．６％と良品の
範囲となるものの、比誘電率εｒが２１９０となってし
まう。従って、本発明においてはチタン酸バリウムＢａ
ＴｉＯ3 に添加するＭｇＯ重量は、チタン酸バルウムＢ
ａＴｉＯ3 １００重量部に対して、０．０６〜０．７０
重量部の範囲とした。試料番号５４〜５８は誘電体磁器
組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＧｄ2 Ｏ
3 の添加量を０．００４〜０．５３重量部まで値を夫々
変化させた。
重量部）では、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａ
ｎδが４．０％になってしまう。また、試料番号５０〜
５２（ＭｇＯの添加量：０．０６〜０．７０重量部）で
は、比誘電率εｒが２７１０〜３１１０となり、誘電損
失ｔａｎσが２．０％以下であり、温度特性が±１２％
以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎ
σが２．６％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜８×１０
4 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電率εｒが高
く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小さく、さら
に誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体磁器が達成
される。更に、試料番号５３（ＭｇＯの添加量：０．７
５重量部）では、誘電損失ｔａｎδが１．６％と良品の
範囲となるものの、比誘電率εｒが２１９０となってし
まう。従って、本発明においてはチタン酸バリウムＢａ
ＴｉＯ3 に添加するＭｇＯ重量は、チタン酸バルウムＢ
ａＴｉＯ3 １００重量部に対して、０．０６〜０．７０
重量部の範囲とした。試料番号５４〜５８は誘電体磁器
組成物の主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＧｄ2 Ｏ
3 の添加量を０．００４〜０．５３重量部まで値を夫々
変化させた。
【００５４】この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＭｎＣＯ
3 の添加量をそれぞれ１．８重量部、０．３重量部、
０．１重量部にした。
3 の添加量をそれぞれ１．８重量部、０．３重量部、
０．１重量部にした。
【００５５】試料番号５４（Ｇｄ2 Ｏ3 の添加量：０．
００４重量部）では、誘電損失ｔａｎδが２．３％とな
るものの、比誘電率εｒが２４４０と低くなってしま
う。また、試料番号５５〜５７（Ｇｄ2 Ｏ3 の添加量：
０．００５〜０．５２重量部）では、比誘電率εｒが２
８２０〜３６３０となり、誘電損失ｔａｎδが１．９％
以下であり、温度特性が±１０％以内になり、交流電圧
２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎδが２．８％以下で、
絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜７×１０4 ＭΩと良品の範囲と
なる。即ち、比誘電率εｒが高く、温度特性に優れ、誘
電損失ｔａｎσが小さく、さらに誘電損失の交流電圧依
存性が小さい誘電体磁器が達成される。更に、試料番号
５８（Ｇｄ2 Ｏ3 の添加量：０．５３重量部）では、比
誘電率εｒが３８２０、誘電損失ｔａｎδが１．７％と
良品の範囲となるものの、温度特性が−２０％に悪化し
てしまう。従って、本発明においてはチタン酸バリウム
ＢａＴｉＯ3 に添加するＧｄ2 Ｏ3 の重量は、チタン酸
バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、０．００
５〜０．５２重量部の範囲とした。
００４重量部）では、誘電損失ｔａｎδが２．３％とな
るものの、比誘電率εｒが２４４０と低くなってしま
う。また、試料番号５５〜５７（Ｇｄ2 Ｏ3 の添加量：
０．００５〜０．５２重量部）では、比誘電率εｒが２
８２０〜３６３０となり、誘電損失ｔａｎδが１．９％
以下であり、温度特性が±１０％以内になり、交流電圧
２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔａｎδが２．８％以下で、
絶縁抵抗（ＩＲ）も５〜７×１０4 ＭΩと良品の範囲と
なる。即ち、比誘電率εｒが高く、温度特性に優れ、誘
電損失ｔａｎσが小さく、さらに誘電損失の交流電圧依
存性が小さい誘電体磁器が達成される。更に、試料番号
５８（Ｇｄ2 Ｏ3 の添加量：０．５３重量部）では、比
誘電率εｒが３８２０、誘電損失ｔａｎδが１．７％と
良品の範囲となるものの、温度特性が−２０％に悪化し
てしまう。従って、本発明においてはチタン酸バリウム
ＢａＴｉＯ3 に添加するＧｄ2 Ｏ3 の重量は、チタン酸
バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して、０．００
５〜０．５２重量部の範囲とした。
【００５６】試料番号５９〜６３は誘電体磁器組成物の
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の添加
量を０．００５〜０．４０重量部まで値を夫々変化させ
た。
主成分となるＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の添加
量を０．００５〜０．４０重量部まで値を夫々変化させ
た。
【００５７】この時、Ｎｂ2 Ｏ5 、ＭｇＯ及びＧｄ2 Ｏ
3 の添加量を１．８重量部、０．３重量部、０．２重量
部にした。
3 の添加量を１．８重量部、０．３重量部、０．２重量
部にした。
【００５８】試料番号５９（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．
００５重量部）では、比誘電率εｒが３０２０となるも
のの、誘電損失ｔａｎδが２．６％となってしまう。さ
らに絶縁抵抗が８×１０3 となる。また、試料番号６０
〜６２（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．０１〜０．３重量
部）では、比誘電率εｒが２６４０〜２９７０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性が±
８％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔ
ａｎδが２．９％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５×１０
4 〜１×１０5 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電
率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小
さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体
磁器が達成される。更に、試料番号６３（ＭｎＣＯ3 の
添加量：０．４０重量部）では、誘電損失ｔａｎδが
１．５％と良品の範囲となるものの、比誘電率εｒが２
２３０と低くなってしまう。従って、本発明においては
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の
重量は、チタン酸バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．０１〜０．３重量部の範囲とした。
００５重量部）では、比誘電率εｒが３０２０となるも
のの、誘電損失ｔａｎδが２．６％となってしまう。さ
らに絶縁抵抗が８×１０3 となる。また、試料番号６０
〜６２（ＭｎＣＯ3 の添加量：０．０１〜０．３重量
部）では、比誘電率εｒが２６４０〜２９７０となり、
誘電損失ｔａｎδが２．２％以下であり、温度特性が±
８％以内になり、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加時のｔ
ａｎδが２．９％以下で、絶縁抵抗（ＩＲ）も５×１０
4 〜１×１０5 ＭΩと良品の範囲となる。即ち、比誘電
率εｒが高く、温度特性に優れ、誘電損失ｔａｎδが小
さく、さらに誘電損失の交流電圧依存性が小さい誘電体
磁器が達成される。更に、試料番号６３（ＭｎＣＯ3 の
添加量：０．４０重量部）では、誘電損失ｔａｎδが
１．５％と良品の範囲となるものの、比誘電率εｒが２
２３０と低くなってしまう。従って、本発明においては
チタン酸バリウムＢａＴｉＯ3 に添加するＭｎＣＯ3 の
重量は、チタン酸バルウムＢａＴｉＯ3 １００重量部に
対して、０．０１〜０．３重量部の範囲とした。
【００５９】試料番号６４〜７２はＮｂ2Ｏ5のＭｇＯに
対する比を０．４〜２．３に変化させた。比が０．４と
小さい場合、また２．３と大きい場合いずれも、誘電率
が２３５０、２１７０と２５００より低く、また温度特
性もはずれてしまう。これに対し、比が０．５〜２．２
場合、誘電率が２５００以上であり温度特性その他の特
性も満足される。 （実施例２） 表５の試料Ｎｏ．５６の組成に、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，
ＺｎＯ粉末を、表７に示すように添加含有させ、参考例
２と同様に、テープ状に成形した後、このテープを積層
し、内部電極を形成し、積層体を作製した。そして、参
考例２と同様に、各特性を測定し、表８に記した。
対する比を０．４〜２．３に変化させた。比が０．４と
小さい場合、また２．３と大きい場合いずれも、誘電率
が２３５０、２１７０と２５００より低く、また温度特
性もはずれてしまう。これに対し、比が０．５〜２．２
場合、誘電率が２５００以上であり温度特性その他の特
性も満足される。 （実施例２） 表５の試料Ｎｏ．５６の組成に、ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，
ＺｎＯ粉末を、表７に示すように添加含有させ、参考例
２と同様に、テープ状に成形した後、このテープを積層
し、内部電極を形成し、積層体を作製した。そして、参
考例２と同様に、各特性を測定し、表８に記した。
【００６０】尚、試料の組成は、ＢａＴｉＯ3 １００重
量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を１．８重量部、ＭｇＯを
０．３重量部、Ｇｄ2 Ｏ3 ０．２重量部、ＭｎＯをＭｎ
ＣＯ3換算で０．１重量部含有し、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｎＯをＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所定量
含有するものである。
量部に対して、Ｎｂ2 Ｏ5 を１．８重量部、ＭｇＯを
０．３重量部、Ｇｄ2 Ｏ3 ０．２重量部、ＭｎＯをＭｎ
ＣＯ3換算で０．１重量部含有し、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ
3 ，ＺｎＯをＢａＴｉＯ3 １００重量部に対して所定量
含有するものである。
【００６１】
【表７】
【００６２】
【表８】
【００６３】これらの表７，８から、ＳｉＯ2 ，Ａｌ2
Ｏ3 ，ＺｎＯを含有することにより、これらの化合物を
含有しない場合（試料Ｎo.５６）よりも焼成温度が低下
し、誘電率が高くなることが判る。
Ｏ3 ，ＺｎＯを含有することにより、これらの化合物を
含有しない場合（試料Ｎo.５６）よりも焼成温度が低下
し、誘電率が高くなることが判る。
【００６４】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｘ７Ｒ
特性を満足し、比誘電率εｒが２５００以上で、且つ焼
成温度が１３００℃以下となる。またその他の諸特性と
して、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が１０4 ＭΩ以上、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加
時のｔａｎδが３％以下の誘電体磁器組成物を得ること
ができる。
特性を満足し、比誘電率εｒが２５００以上で、且つ焼
成温度が１３００℃以下となる。またその他の諸特性と
して、誘電損失ｔａｎδが２．５％以下絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が１０4 ＭΩ以上、交流電圧２０００Ｖ／ｃｍ印加
時のｔａｎδが３％以下の誘電体磁器組成物を得ること
ができる。
【００６５】これにより、例えば積層セラミックコンデ
ンサを上述の誘電体磁器組成物で構成した場合、温度特
性に優れた小型・大容量のコンデンサを得ることがで
き、焼成温度が１３００℃以下となり、積層されたシー
ト間に内部電極として、安価な銀−パラジウムを使用す
ることも可能で、安価な積層セラミックコンデンサを得
ることができる。
ンサを上述の誘電体磁器組成物で構成した場合、温度特
性に優れた小型・大容量のコンデンサを得ることがで
き、焼成温度が１３００℃以下となり、積層されたシー
ト間に内部電極として、安価な銀−パラジウムを使用す
ることも可能で、安価な積層セラミックコンデンサを得
ることができる。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−112859（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−99208（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−183658（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−119728（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−169759（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−187780（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (2)
- 【請求項１】ＢａＴｉＯ3１００重量部に対して、Ｎｂ2
Ｏ5を０．８０〜２．５重量部、ＭｇＯを０．０６〜
０．７０重量部、Ｐｒ6Ｏ11またはＧｄ2Ｏ3を０．００
５〜０．５２０重量部、ＭｎＯをＭｎＣＯ3に換算して
０．０１〜０．３０重量部、ＳｉＯ2およびＡｌ2Ｏ3の
うち少なくとも一種を０．０５〜０．５０重量部含有す
るとともに、Ｎｂ2Ｏ5のＭｇＯに対するモル比が０．５
〜２．２の範囲内にあることを特徴とする誘電体磁器組
成物。 - 【請求項２】ＢａＴｉＯ3１００重量部に対して、Ｚｎ
Ｏを０．５重量部以下含有することを特徴とする請求項
１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29303094A JP3250923B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 誘電体磁器組成物 |
| US08/545,459 US5650367A (en) | 1994-01-28 | 1995-10-19 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29303094A JP3250923B2 (ja) | 1994-11-28 | 1994-11-28 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08151260A JPH08151260A (ja) | 1996-06-11 |
| JP3250923B2 true JP3250923B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=17789588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29303094A Expired - Fee Related JP3250923B2 (ja) | 1994-01-28 | 1994-11-28 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3250923B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3567759B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック組成物および積層セラミックコンデンサ |
| JP2002050536A (ja) | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 耐還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| TW200844072A (en) | 2006-11-29 | 2008-11-16 | Kyocera Corp | Dielectric ceramic and capacitor |
| WO2008066119A1 (fr) * | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Kyocera Corporation | Céramique diélectrique et condensateur |
| WO2010047181A1 (ja) | 2008-10-21 | 2010-04-29 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| WO2014097678A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| CN110002864A (zh) * | 2019-02-23 | 2019-07-12 | 天津大学 | 一种高绝缘抗还原型电介质材料的制备方法 |
-
1994
- 1994-11-28 JP JP29303094A patent/JP3250923B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08151260A (ja) | 1996-06-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |