JP2002226263A - 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器および積層セラミックコンデンサInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】結晶粒子を微粒子化した場合でも比誘電率が大
きく、かつＤＣバイアス特性が良好で、しかも比誘電率
の温度特性が良好な誘電体磁器、およびこの誘電体磁器
を用いた積層セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】金属成分として少なくともＢａ、Ｔｉおよ
びＺｒを含有する平均粒径０．３〜１μｍのペロブスカ
イト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ 2Ｏ3お
よびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種からなる粒成長抑制
粒子が存在するものである。ペロブスカイト型結晶粒子
が、モル比による組成式Ｂａ（Ｔｉ1-xＺｒx）Ｏ3（ｘ
は０．０５〜０．３）で表されることが望ましい。
きく、かつＤＣバイアス特性が良好で、しかも比誘電率
の温度特性が良好な誘電体磁器、およびこの誘電体磁器
を用いた積層セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】金属成分として少なくともＢａ、Ｔｉおよ
びＺｒを含有する平均粒径０．３〜１μｍのペロブスカ
イト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ 2Ｏ3お
よびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種からなる粒成長抑制
粒子が存在するものである。ペロブスカイト型結晶粒子
が、モル比による組成式Ｂａ（Ｔｉ1-xＺｒx）Ｏ3（ｘ
は０．０５〜０．３）で表されることが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器および
それを用いた積層セラミックコンデンサに関するもので
あり、例えば誘電体層に印加される直流電圧が２Ｖ／μ
ｍ以上である積層セラミックコンデンサに用いられる誘
電体磁器および積層セラミックコンデンサに関する。
それを用いた積層セラミックコンデンサに関するもので
あり、例えば誘電体層に印加される直流電圧が２Ｖ／μ
ｍ以上である積層セラミックコンデンサに用いられる誘
電体磁器および積層セラミックコンデンサに関する。
【０００２】
【従来技術】一般にコンデンサなどに使用される誘電体
材料には高い比誘電率が要求されることはもちろんのこ
と、誘電損失が小さく、温度特性が良好であり、直流電
圧に対する誘電特性の依存性が小さい等の種々の要求を
満足する必要がある。
材料には高い比誘電率が要求されることはもちろんのこ
と、誘電損失が小さく、温度特性が良好であり、直流電
圧に対する誘電特性の依存性が小さい等の種々の要求を
満足する必要がある。
【０００３】一方、近年電子機器の小型化、高性能化に
伴い、コンデンサ等の電子部品の小型化、大容量化の要
求が高まってきている。このような要求に応えるため
に、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣ）においては、
誘電体層を薄層化することにより静電容量を高めると共
に小型化を図る必要が生じている。公知の誘電体材料で
あるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系材料では粒径
を小さくすると比誘電率が低下するので積層数を増やす
ことで大容量化が図られている。
伴い、コンデンサ等の電子部品の小型化、大容量化の要
求が高まってきている。このような要求に応えるため
に、積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣ）においては、
誘電体層を薄層化することにより静電容量を高めると共
に小型化を図る必要が生じている。公知の誘電体材料で
あるチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系材料では粒径
を小さくすると比誘電率が低下するので積層数を増やす
ことで大容量化が図られている。
【０００４】また、チタン酸バリウムとチタン酸ジルコ
ニウムが固溶したペロブスカイト化合物であるチタン酸
ジルコン酸バリウム（Ｂａ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ3、以下Ｂ
ＴＺと記載する）は室温で大きな比誘電率を有するた
め、大容量のコンデンサ材料として利用されている。
ニウムが固溶したペロブスカイト化合物であるチタン酸
ジルコン酸バリウム（Ｂａ（Ｔｉ、Ｚｒ）Ｏ3、以下Ｂ
ＴＺと記載する）は室温で大きな比誘電率を有するた
め、大容量のコンデンサ材料として利用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＢＴＺ
系誘電体磁器は比誘電率の温度特性が悪いという問題が
あった。さらに薄層化するためには結晶粒子の微粒子化
を促進する必要があるが、通常焼成では非常に粒成長し
やすく、比誘電率は非常に大きくなるが、対照的に比誘
電率の温度特性は悪くなると言う問題があった。
系誘電体磁器は比誘電率の温度特性が悪いという問題が
あった。さらに薄層化するためには結晶粒子の微粒子化
を促進する必要があるが、通常焼成では非常に粒成長し
やすく、比誘電率は非常に大きくなるが、対照的に比誘
電率の温度特性は悪くなると言う問題があった。
【０００６】また、近年においては、温度特性が良好な
積層コンデンサを更に小型化、大容量化することが望ま
れており、このため誘電体磁器の結晶粒子を微粒子化し
てもそれほど比誘電率が低下することなく、比誘電率の
温度による変化率が小さい材料が要求されていた。
積層コンデンサを更に小型化、大容量化することが望ま
れており、このため誘電体磁器の結晶粒子を微粒子化し
てもそれほど比誘電率が低下することなく、比誘電率の
温度による変化率が小さい材料が要求されていた。
【０００７】さらに、積層コンデンサに印加される電圧
は年々大きくなる傾向にあり、積層コンデンサの小型
化、誘電体層の薄層化に伴って、印加される直流電圧に
対する誘電率の低下、つまり直流電圧に対する積層コン
デンサの静電容量低下が大きな課題となっている。
は年々大きくなる傾向にあり、積層コンデンサの小型
化、誘電体層の薄層化に伴って、印加される直流電圧に
対する誘電率の低下、つまり直流電圧に対する積層コン
デンサの静電容量低下が大きな課題となっている。
【０００８】このような問題を解決するために、特開平
１１−３２２４１６号公報では、チタン酸バリウムから
なる主成分にジルコン酸バリウムを添加することで、絶
縁抵抗値の向上、電圧依存性の抑制を図っている。しか
し、単にジルコン酸バリウムを添加するだけでは、微粒
子のまま焼結した場合、チタン酸バリウム粒子とジルコ
ン酸バリウムが固溶しにくいため、チタン酸バリウムの
比誘電率が支配的となり、積層コンデンサとしての静電
容量向上と電圧依存性の抑制の両方を共に満足すること
は困難であった。
１１−３２２４１６号公報では、チタン酸バリウムから
なる主成分にジルコン酸バリウムを添加することで、絶
縁抵抗値の向上、電圧依存性の抑制を図っている。しか
し、単にジルコン酸バリウムを添加するだけでは、微粒
子のまま焼結した場合、チタン酸バリウム粒子とジルコ
ン酸バリウムが固溶しにくいため、チタン酸バリウムの
比誘電率が支配的となり、積層コンデンサとしての静電
容量向上と電圧依存性の抑制の両方を共に満足すること
は困難であった。
【０００９】即ち、特開平１１−３２２４１６号公報で
は、誘電率が高ければ、高直流電圧を印加した際の静電
容量低下率（ＤＣバイアス特性）が大きく、一方、ＤＣ
バイアス特性を向上させようとすると、誘電率が低下し
ていた。例えば、誘電率が１５００程度であればＤＣバ
イアス特性が−３０％程度であり、ＤＣバイアス特性が
−１５％程度の場合には誘電率が１０００以下となるも
のであった。
は、誘電率が高ければ、高直流電圧を印加した際の静電
容量低下率（ＤＣバイアス特性）が大きく、一方、ＤＣ
バイアス特性を向上させようとすると、誘電率が低下し
ていた。例えば、誘電率が１５００程度であればＤＣバ
イアス特性が−３０％程度であり、ＤＣバイアス特性が
−１５％程度の場合には誘電率が１０００以下となるも
のであった。
【００１０】従って、本発明は、結晶粒子を微粒子化し
た場合でも比誘電率が大きく、かつＤＣバイアス特性が
良好で、しかも比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁
器、およびこの誘電体磁器を用いた積層セラミックコン
デンサを提供することを目的とする。
た場合でも比誘電率が大きく、かつＤＣバイアス特性が
良好で、しかも比誘電率の温度特性が良好な誘電体磁
器、およびこの誘電体磁器を用いた積層セラミックコン
デンサを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記問題点
に対して検討を重ねた結果、ＢＴＺ材料に、ＭｇＯ、Ｙ
2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3の少なくとも１種を添加する
ことにより通常焼成において、平均粒径の小さい緻密な
誘電体磁器が得られるとともに、比誘電率が大きく、比
誘電率の温度特性も良好で、しかも、高直流電圧を印加
した際の誘電率低下率（ＤＣバイアス特性）が小さくな
ることを見いだし、本発明に至った。
に対して検討を重ねた結果、ＢＴＺ材料に、ＭｇＯ、Ｙ
2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3の少なくとも１種を添加する
ことにより通常焼成において、平均粒径の小さい緻密な
誘電体磁器が得られるとともに、比誘電率が大きく、比
誘電率の温度特性も良好で、しかも、高直流電圧を印加
した際の誘電率低下率（ＤＣバイアス特性）が小さくな
ることを見いだし、本発明に至った。
【００１２】即ち、本発明の誘電体磁器は、金属成分と
して少なくともＢａ、ＴｉおよびＺｒを含有する平均粒
径０．３〜１μｍのペロブスカイト型結晶粒子の粒界
に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少
なくとも１種からなる粒成長抑制粒子が存在することを
特徴とする。
して少なくともＢａ、ＴｉおよびＺｒを含有する平均粒
径０．３〜１μｍのペロブスカイト型結晶粒子の粒界
に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少
なくとも１種からなる粒成長抑制粒子が存在することを
特徴とする。
【００１３】結晶粒子径が１μｍ以下になると比誘電率
が１７００〜５０００程度になり、ＤＣバイアス（２Ｖ
／μｍ）下の誘電率低下が大きいチタン酸バリウム系材
料と比較して、本発明では、平均結晶粒径を０．３〜１
μｍとした場合でも、ＢＴＺ材料の高い比誘電率を保持
したまま、比誘電率の温度特性を向上できるとともに、
ＤＣバイアスによる誘電率の低下を抑制でき、また、平
均粒径が小さいため薄層化できる。
が１７００〜５０００程度になり、ＤＣバイアス（２Ｖ
／μｍ）下の誘電率低下が大きいチタン酸バリウム系材
料と比較して、本発明では、平均結晶粒径を０．３〜１
μｍとした場合でも、ＢＴＺ材料の高い比誘電率を保持
したまま、比誘電率の温度特性を向上できるとともに、
ＤＣバイアスによる誘電率の低下を抑制でき、また、平
均粒径が小さいため薄層化できる。
【００１４】また、ペロブスカイト型結晶粒子が、モル
比による組成式Ｂａ（Ｔｉ1-xＺｒx）Ｏ3（ｘは０．０
５〜０．３）で表されることが望ましい。このようなペ
ロブスカイト型結晶粒子の組成とすることにより、結晶
粒子を微粒子化しても比誘電率が大きく温度特性が良好
で、ＤＣバイアス特性に優れた誘電体磁器が得られ、１
３００℃前後の焼成温度で緻密化することができる。
比による組成式Ｂａ（Ｔｉ1-xＺｒx）Ｏ3（ｘは０．０
５〜０．３）で表されることが望ましい。このようなペ
ロブスカイト型結晶粒子の組成とすることにより、結晶
粒子を微粒子化しても比誘電率が大きく温度特性が良好
で、ＤＣバイアス特性に優れた誘電体磁器が得られ、１
３００℃前後の焼成温度で緻密化することができる。
【００１５】さらに、粒成長抑制粒子は全量中３モル％
以下含有することが望ましい。これにより、結晶粒子が
有する比誘電率の高さを損なうことなく、焼成時の粒成
長を抑制し、微結晶焼結体を得ることができる。
以下含有することが望ましい。これにより、結晶粒子が
有する比誘電率の高さを損なうことなく、焼成時の粒成
長を抑制し、微結晶焼結体を得ることができる。
【００１６】また、ペロブスカイト型結晶粒子の粒界
に、少なくともＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラ
スが存在することが望ましい。これにより、焼結を促進
することができ、加圧を伴わない通常焼成においても微
細結晶からなる組織を有したＢＴＺ焼結体の作製を可能
にする。
に、少なくともＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラ
スが存在することが望ましい。これにより、焼結を促進
することができ、加圧を伴わない通常焼成においても微
細結晶からなる組織を有したＢＴＺ焼結体の作製を可能
にする。
【００１７】本発明の積層セラミックコンデンサは、上
記誘電体磁器と、卑金属からなる内部電極とを交互に積
層してなることを特徴とする。
記誘電体磁器と、卑金属からなる内部電極とを交互に積
層してなることを特徴とする。
【００１８】このような積層セラミックコンデンサで
は、比誘電率が大きく、ＤＣバイアス特性が良好で、誘
電率の温度特性も良好なＢＴＺ系誘電体磁器を誘電体層
に用いることにより、薄層化して積層数を増やすことな
く大容量のコンデンサが得られ、誘電体層の単位厚さあ
たりに印加される直流電圧を小さく抑えられることか
ら、コンデンサの直流電圧印加による容量低下を防止で
きる。また結晶粒径が小さいため誘電体層の薄層化が容
易で、静電容量の向上、さらなる小型化が実現できる。
さらに卑金属を電極として用いることにより、安価な積
層セラミックコンデンサが得られる。
は、比誘電率が大きく、ＤＣバイアス特性が良好で、誘
電率の温度特性も良好なＢＴＺ系誘電体磁器を誘電体層
に用いることにより、薄層化して積層数を増やすことな
く大容量のコンデンサが得られ、誘電体層の単位厚さあ
たりに印加される直流電圧を小さく抑えられることか
ら、コンデンサの直流電圧印加による容量低下を防止で
きる。また結晶粒径が小さいため誘電体層の薄層化が容
易で、静電容量の向上、さらなる小型化が実現できる。
さらに卑金属を電極として用いることにより、安価な積
層セラミックコンデンサが得られる。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器は、金属成分
として少なくともＢａ、ＴｉおよびＺｒを含有する平均
粒径０．３〜１μｍのペロブスカイト型結晶粒子と、該
ペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、
Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種からなる
粒成長抑制粒子が存在することを特徴とする。
として少なくともＢａ、ＴｉおよびＺｒを含有する平均
粒径０．３〜１μｍのペロブスカイト型結晶粒子と、該
ペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、
Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種からなる
粒成長抑制粒子が存在することを特徴とする。
【００２０】金属成分として少なくともＢａ、Ｔｉおよ
びＺｒを含有するペロブスカイト型結晶粒子の平均粒径
を０．３〜１μｍとしたのは、平均結晶粒径が０．３μ
ｍよりも小さい場合には比誘電率が小さくなり、１μｍ
よりも大きい場合には比誘電率は大きくなるが、比誘電
率の温度特性が劣化するためである。ペロブスカイト型
結晶粒子の平均粒径は、比誘電率の向上と温度特性の安
定性という点から０．３〜０．８μｍであることが望ま
しい。
びＺｒを含有するペロブスカイト型結晶粒子の平均粒径
を０．３〜１μｍとしたのは、平均結晶粒径が０．３μ
ｍよりも小さい場合には比誘電率が小さくなり、１μｍ
よりも大きい場合には比誘電率は大きくなるが、比誘電
率の温度特性が劣化するためである。ペロブスカイト型
結晶粒子の平均粒径は、比誘電率の向上と温度特性の安
定性という点から０．３〜０．８μｍであることが望ま
しい。
【００２１】この金属成分として少なくともＢａ、Ｔｉ
およびＺｒを含有するペロブスカイト型結晶粒子中に
は、粒成長抑制粒子であるＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3お
よびＹｂ2Ｏ3が一部固溶することがある。
およびＺｒを含有するペロブスカイト型結晶粒子中に
は、粒成長抑制粒子であるＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3お
よびＹｂ2Ｏ3が一部固溶することがある。
【００２２】また、金属成分として少なくともＢａ、Ｔ
ｉおよびＺｒを含有するペロブスカイト型結晶粒子は、
モル比による組成式Ｂａ（Ｔｉ1-xＺｒx）Ｏ3（ｘは
０．０５〜０．３）で表されるものであることが望まし
い。
ｉおよびＺｒを含有するペロブスカイト型結晶粒子は、
モル比による組成式Ｂａ（Ｔｉ1-xＺｒx）Ｏ3（ｘは
０．０５〜０．３）で表されるものであることが望まし
い。
【００２３】ペロブスカイト型結晶粒子のｘの値を０．
０５〜０．３としたのは、ｘが０．０５に満たない場合
は比誘電率が小さくなり、０．３を超えると焼結性が低
下して緻密な焼結体が得られにくくなるからである。こ
れにより、室温近傍で高い比誘電率と良好な温度特性を
発現することが可能である。また、ペロブスカイト型結
晶粒子のＡサイトであるＢａを定比組成よりも多くして
も良い。この場合には、還元焼成時にＢサイト原子の価
数変化を抑制し半導体化を防止することができる。
０５〜０．３としたのは、ｘが０．０５に満たない場合
は比誘電率が小さくなり、０．３を超えると焼結性が低
下して緻密な焼結体が得られにくくなるからである。こ
れにより、室温近傍で高い比誘電率と良好な温度特性を
発現することが可能である。また、ペロブスカイト型結
晶粒子のＡサイトであるＢａを定比組成よりも多くして
も良い。この場合には、還元焼成時にＢサイト原子の価
数変化を抑制し半導体化を防止することができる。
【００２４】また、ペロブスカイト型結晶粒子の粒界
に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少
なくとも１種からなる粒成長抑制粒子を存在せしめたの
は、これにより、Ｂａ、ＴｉおよびＺｒを含有するペロ
ブスカイト型結晶粒子同士のネックの形成を抑制し、粒
成長を抑制できるからである。固溶した場合の誘電特性
・温度特性への影響および粒成長抑制という観点から、
ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3からなる粒成長抑制粒子が望ましく、特
には、比誘電率の温度特性という点からＭｇＯとＹ2Ｏ3
が混合したものが望ましい。
に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少
なくとも１種からなる粒成長抑制粒子を存在せしめたの
は、これにより、Ｂａ、ＴｉおよびＺｒを含有するペロ
ブスカイト型結晶粒子同士のネックの形成を抑制し、粒
成長を抑制できるからである。固溶した場合の誘電特性
・温度特性への影響および粒成長抑制という観点から、
ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3からなる粒成長抑制粒子が望ましく、特
には、比誘電率の温度特性という点からＭｇＯとＹ2Ｏ3
が混合したものが望ましい。
【００２５】この粒成長抑制粒子は全量中３モル％以下
含有することが望ましい。粒成長抑制粒子が全量中３モ
ル％よりも多い場合には、低誘電率粒界相の形成により
比誘電率が低下する傾向があるからである。粒成長抑制
粒子は、特に粒成長抑制効果の発現と高い比誘電率維持
という理由から全量中０．５〜２．０モル％含有するこ
とが望ましい。
含有することが望ましい。粒成長抑制粒子が全量中３モ
ル％よりも多い場合には、低誘電率粒界相の形成により
比誘電率が低下する傾向があるからである。粒成長抑制
粒子は、特に粒成長抑制効果の発現と高い比誘電率維持
という理由から全量中０．５〜２．０モル％含有するこ
とが望ましい。
【００２６】さらに、本発明の誘電体磁器では、上記粒
成長抑制粒子の他に、ペロブスカイト型結晶粒子の粒界
に、ガラスが存在することが望ましい。特に少なくとも
Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラスが存在するこ
とが望ましい。
成長抑制粒子の他に、ペロブスカイト型結晶粒子の粒界
に、ガラスが存在することが望ましい。特に少なくとも
Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラスが存在するこ
とが望ましい。
【００２７】ペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、上記
した粒成長抑制粒子と、ガラス、特に少なくともＬｉ、
Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラスが存在することによ
り、焼結の際ＢＴＺ結晶の粒成長を抑制したまま磁器の
高密度化を可能にし、加圧を伴わない通常焼成において
も微細結晶からなる組織を有したＢＴＺ焼結体の作製を
可能にする。本発明のガラスは、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂ
ａを必須元素とするものであり、一部の元素が抜けると
特性が劣化する。
した粒成長抑制粒子と、ガラス、特に少なくともＬｉ、
Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラスが存在することによ
り、焼結の際ＢＴＺ結晶の粒成長を抑制したまま磁器の
高密度化を可能にし、加圧を伴わない通常焼成において
も微細結晶からなる組織を有したＢＴＺ焼結体の作製を
可能にする。本発明のガラスは、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂ
ａを必須元素とするものであり、一部の元素が抜けると
特性が劣化する。
【００２８】即ち、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｉは低融点ガラスを
形成し、比較的低温で焼結可能で特性を安定化させると
いう機能を有し、Ｂａは還元雰囲気焼成時の半導体化防
止という機能を有する。
形成し、比較的低温で焼結可能で特性を安定化させると
いう機能を有し、Ｂａは還元雰囲気焼成時の半導体化防
止という機能を有する。
【００２９】特にＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａはガラス化し
て焼結を促進し、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3はペロブス
カイト結晶の粒成長を抑制する効果が顕著である。
て焼結を促進し、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｙｂ2Ｏ3はペロブス
カイト結晶の粒成長を抑制する効果が顕著である。
【００３０】本発明の誘電体磁器を製造するには、例え
ばゾルゲル法、蓚酸法、水熱合成法により生成された、
上記した所定の組成を有する、平均粒径が０．１〜０．
５μｍのＢＴＺ粉末を用いて、このＢＴＺ粉末１００モ
ル％に対し、所定量のＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａの酸化物
を含有するガラス、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ
等の酸化物あるいは炭酸塩を加えて回転ミルなどで２０
〜４８時間湿式混合し、乾燥後、ＰＶＡ等の有機バイン
ダを所定量添加して造粒し、これを所定形状に成形し、
これを所望により大気中、真空中または窒素中で脱脂し
た後、大気中または還元雰囲気中で焼成する。
ばゾルゲル法、蓚酸法、水熱合成法により生成された、
上記した所定の組成を有する、平均粒径が０．１〜０．
５μｍのＢＴＺ粉末を用いて、このＢＴＺ粉末１００モ
ル％に対し、所定量のＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａの酸化物
を含有するガラス、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ
等の酸化物あるいは炭酸塩を加えて回転ミルなどで２０
〜４８時間湿式混合し、乾燥後、ＰＶＡ等の有機バイン
ダを所定量添加して造粒し、これを所定形状に成形し、
これを所望により大気中、真空中または窒素中で脱脂し
た後、大気中または還元雰囲気中で焼成する。
【００３１】この時、焼成温度は、１１５０〜１３５０
℃、特に１２００〜１３００℃で１〜１０時間焼成する
ことにより本発明の誘電体磁器を作製することができ
る。本発明の誘電体磁器では、ＢＴＺのみからなるもの
で、ＢａＴｉＯ3は存在しない。
℃、特に１２００〜１３００℃で１〜１０時間焼成する
ことにより本発明の誘電体磁器を作製することができ
る。本発明の誘電体磁器では、ＢＴＺのみからなるもの
で、ＢａＴｉＯ3は存在しない。
【００３２】本発明の積層セラミックコンデンサは、上
記誘電体磁器と、卑金属からなる内部電極とを交互に積
層してなるものである。卑金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ等
がある。
記誘電体磁器と、卑金属からなる内部電極とを交互に積
層してなるものである。卑金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ等
がある。
【００３３】このような積層セラミックコンデンサの製
造方法について説明する。まず、前記ＢＴＺ粉末に所定
量の所定量のＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａの酸化物を含有す
るガラス、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ等の酸化
物あるいは炭酸塩を加えて混合した原料粉末を用いて、
引き上げ法、ドクターブレード法、リバースロールコー
タ法、グラビアコータ法、スクリーン印刷法、グラビア
印刷等の周知の成形法により誘電体シートを作製する。
造方法について説明する。まず、前記ＢＴＺ粉末に所定
量の所定量のＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａの酸化物を含有す
るガラス、Ｍｇ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｙ、Ｅｒ、Ｙｂ等の酸化
物あるいは炭酸塩を加えて混合した原料粉末を用いて、
引き上げ法、ドクターブレード法、リバースロールコー
タ法、グラビアコータ法、スクリーン印刷法、グラビア
印刷等の周知の成形法により誘電体シートを作製する。
【００３４】また、この誘電体シートの厚みは、小型、
大容量化という理由から０．５〜１０μｍであることが
望ましい。
大容量化という理由から０．５〜１０μｍであることが
望ましい。
【００３５】次に、この誘電体シートの表面に、導電性
ペーストを内部電極パターン状にスクリーン印刷法、グ
ラビア印刷、オフセット印刷法等の周知の印刷方法によ
り塗布する。その厚みは、コンデンサの小型、高信頼性
化という点から２μｍ以下、特には１μｍ以下であるこ
とが望ましい。
ペーストを内部電極パターン状にスクリーン印刷法、グ
ラビア印刷、オフセット印刷法等の周知の印刷方法によ
り塗布する。その厚みは、コンデンサの小型、高信頼性
化という点から２μｍ以下、特には１μｍ以下であるこ
とが望ましい。
【００３６】そして、導電性ペーストが塗布された誘電
体シートを複数枚積層圧着し、この積層成形体を大気中
２５０〜３００℃または酸素分圧０．１〜１Ｐａの低酸
素雰囲気中５００〜８００℃で脱脂した後、非酸化性雰
囲気で１１５０〜１３００℃で２〜３時間焼成する。さ
らに、所望により、酸素分圧が０．１〜１０-4Ｐａ程度
の低酸素分圧下、９００〜１１００℃で５〜１５時間再
酸化処理を施すことにより還元された誘電体層が酸化さ
れることにより、良好な絶縁特性を有する誘電体層とな
る。
体シートを複数枚積層圧着し、この積層成形体を大気中
２５０〜３００℃または酸素分圧０．１〜１Ｐａの低酸
素雰囲気中５００〜８００℃で脱脂した後、非酸化性雰
囲気で１１５０〜１３００℃で２〜３時間焼成する。さ
らに、所望により、酸素分圧が０．１〜１０-4Ｐａ程度
の低酸素分圧下、９００〜１１００℃で５〜１５時間再
酸化処理を施すことにより還元された誘電体層が酸化さ
れることにより、良好な絶縁特性を有する誘電体層とな
る。
【００３７】最後に、得られた積層焼結体に対し、各端
面にＣｕペーストを塗布し、Ｎｉ／Ｓｎメッキを施し、
内部電極と電気的に接続された外部電極を形成して積層
セラミックコンデンサを作製することができる。
面にＣｕペーストを塗布し、Ｎｉ／Ｓｎメッキを施し、
内部電極と電気的に接続された外部電極を形成して積層
セラミックコンデンサを作製することができる。
【００３８】比誘電率が大きく誘電率の温度特性も良好
なＢＴＺ系誘電体磁器を誘電体層に用いることにより、
薄層化して積層数を増やすことなく大容量のコンデンサ
が得られ、誘電体層の単位厚さあたりに印加される直流
電圧が小さく抑えられることから、コンデンサの直流電
圧印加による容量低下を防止できる。さらに平均粒径の
小さい誘電体磁器を用いることにより、誘電体厚みを容
易に薄層化することができ、静電容量の向上、小型化が
可能になると共に、Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属を導体として
用いることにより、安価な積層セラミックコンデンサが
得られる。
なＢＴＺ系誘電体磁器を誘電体層に用いることにより、
薄層化して積層数を増やすことなく大容量のコンデンサ
が得られ、誘電体層の単位厚さあたりに印加される直流
電圧が小さく抑えられることから、コンデンサの直流電
圧印加による容量低下を防止できる。さらに平均粒径の
小さい誘電体磁器を用いることにより、誘電体厚みを容
易に薄層化することができ、静電容量の向上、小型化が
可能になると共に、Ｎｉ、Ｃｕ等の卑金属を導体として
用いることにより、安価な積層セラミックコンデンサが
得られる。
【００３９】
【実施例】水熱合成法により生成された、モル比による
組成式がＢａ0.995（Ｔｉ1-xＺｒ x）Ｏ3で表され、ｘが
表１に示す値の平均粒径０．３μｍのＢＴＺ粉末を用
い、このＢＴＺ粉末１００重量％に対し、Ｓｉ、Ｌｉ、
Ｃａ、Ｂａを含有するガラスフィラーを１．２重量％、
ＢＴＺ粉末１００モル％に対し、ＢａＣＯ3を１．０モ
ル％、及びＭｎＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、
Ｙｂ2Ｏ3粉末を表１に示す量だけ添加し、ＩＰＡを溶媒
として３ｍｍφのＺｒＯ2ボールを用いて回転ミルで２
４時間湿式混合した。スラリーを排出、乾燥した後、有
機バインダを約２重量％添加して造粒し、これを厚さ約
１ｍｍ、直径１６ｍｍに成形した。この成形体を脱脂し
た後、１２００℃〜１３５０℃で２時間焼成した。
組成式がＢａ0.995（Ｔｉ1-xＺｒ x）Ｏ3で表され、ｘが
表１に示す値の平均粒径０．３μｍのＢＴＺ粉末を用
い、このＢＴＺ粉末１００重量％に対し、Ｓｉ、Ｌｉ、
Ｃａ、Ｂａを含有するガラスフィラーを１．２重量％、
ＢＴＺ粉末１００モル％に対し、ＢａＣＯ3を１．０モ
ル％、及びＭｎＣＯ3、ＭｇＣＯ3、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3、
Ｙｂ2Ｏ3粉末を表１に示す量だけ添加し、ＩＰＡを溶媒
として３ｍｍφのＺｒＯ2ボールを用いて回転ミルで２
４時間湿式混合した。スラリーを排出、乾燥した後、有
機バインダを約２重量％添加して造粒し、これを厚さ約
１ｍｍ、直径１６ｍｍに成形した。この成形体を脱脂し
た後、１２００℃〜１３５０℃で２時間焼成した。
【００４０】得られた焼結体について、断面を走査型電
子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、インターセプト法によ
り平均粒径を求め、これをペロブスカイト型結晶粒子の
平均粒径とした。
子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、インターセプト法によ
り平均粒径を求め、これをペロブスカイト型結晶粒子の
平均粒径とした。
【００４１】また、上記試料を厚さ３５０μｍに研磨加
工し、試料上下面にＩｎ―Ｇａペーストを塗布して電極
とし、各種誘電特性の測定を行った。測定はＬＣＲメー
タによって行い、測定周波数ｆ＝１ｋＨｚ、印加電圧１
Ｖｒｍｓとして−５５℃〜１３０℃までの温度範囲で比
誘電率の変化率を測定し、―２５℃および８５℃におけ
る比誘電率の温度変化率を求めた。また、さらに２Ｖ／
μｍのＤＣバイアス電圧をかけた場合の比誘電率の変化
率（ＤＣバイアス特性）を測定し、その結果を表１に記
載した。
工し、試料上下面にＩｎ―Ｇａペーストを塗布して電極
とし、各種誘電特性の測定を行った。測定はＬＣＲメー
タによって行い、測定周波数ｆ＝１ｋＨｚ、印加電圧１
Ｖｒｍｓとして−５５℃〜１３０℃までの温度範囲で比
誘電率の変化率を測定し、―２５℃および８５℃におけ
る比誘電率の温度変化率を求めた。また、さらに２Ｖ／
μｍのＤＣバイアス電圧をかけた場合の比誘電率の変化
率（ＤＣバイアス特性）を測定し、その結果を表１に記
載した。
【００４２】
【表１】
【００４３】この表１から、本発明の試料では２５℃に
おいて１７００以上の比誘電率を示すと共に、それを基
準にした−２５℃および８５℃における比誘電率の温度
変化率がア２５％以内と比較的小さく、またＤＣバイア
ス特性が−２０％以内と優れていることが判る。
おいて１７００以上の比誘電率を示すと共に、それを基
準にした−２５℃および８５℃における比誘電率の温度
変化率がア２５％以内と比較的小さく、またＤＣバイア
ス特性が−２０％以内と優れていることが判る。
【００４４】一方、結晶粒子が平均粒径１μｍ以上に粒
成長した試料Ｎｏ．１、５、１３、２８、３２では、２
５℃における比誘電率は大きいが、−２５℃、８５℃に
おける誘電率の温度変化率が非常に大きく、ＤＣバイア
ス特性も２０％以上低下した。また、ｘ≦０．３とする
ことにより、２５℃における比誘電率を大きくできるこ
とが判る。
成長した試料Ｎｏ．１、５、１３、２８、３２では、２
５℃における比誘電率は大きいが、−２５℃、８５℃に
おける誘電率の温度変化率が非常に大きく、ＤＣバイア
ス特性も２０％以上低下した。また、ｘ≦０．３とする
ことにより、２５℃における比誘電率を大きくできるこ
とが判る。
【００４５】比較例１ 水熱合成法により生成された、平均粒径０．４μｍのＢ
Ｔ粉末１００モル％に対し、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａを
含有するガラスフィラーを１．２重量％、ＢａＣＯ3を
１．０モル％、ＭｎＣＯ3を０．３モル％、ＭｇＣＯ3お
よびＹ2Ｏ3をそれぞれ０．５モル％添加し、上記実施例
と同様なプロセスにて焼結体を作製・評価した。その結
果、平均粒径が０．４μｍ、２５℃の比誘電率が２４０
０、それを基準にした−２５℃と８５℃での比誘電率の
温度変化率がそれぞれ−２０％、＋１０％であった。ま
た、ＤＣバイアス特性は−３６％と大きかった。
Ｔ粉末１００モル％に対し、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｂａを
含有するガラスフィラーを１．２重量％、ＢａＣＯ3を
１．０モル％、ＭｎＣＯ3を０．３モル％、ＭｇＣＯ3お
よびＹ2Ｏ3をそれぞれ０．５モル％添加し、上記実施例
と同様なプロセスにて焼結体を作製・評価した。その結
果、平均粒径が０．４μｍ、２５℃の比誘電率が２４０
０、それを基準にした−２５℃と８５℃での比誘電率の
温度変化率がそれぞれ−２０％、＋１０％であった。ま
た、ＤＣバイアス特性は−３６％と大きかった。
【００４６】比較例２ 水熱合成法により生成された、平均粒径０．４μｍのＢ
Ｔ粉末１００モル％に対し、ＢａＣＯ3を１．０モル
％、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｂを含有するガラスフィラーを
１．０重量％、ＭｎＣＯ3を２．０モル％、ＭｇＯを
２．０モル％、Ｄｙ2Ｏ3及びＹｂ2Ｏ3をそれぞれ１．０
モル％添加し、さらにＢａＺｒＯ3を６．０モル％加
え、上記実施例と同様なプロセスにて焼結体を作製・評
価した。
Ｔ粉末１００モル％に対し、ＢａＣＯ3を１．０モル
％、Ｓｉ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｂを含有するガラスフィラーを
１．０重量％、ＭｎＣＯ3を２．０モル％、ＭｇＯを
２．０モル％、Ｄｙ2Ｏ3及びＹｂ2Ｏ3をそれぞれ１．０
モル％添加し、さらにＢａＺｒＯ3を６．０モル％加
え、上記実施例と同様なプロセスにて焼結体を作製・評
価した。
【００４７】その結果、平均粒径が０．４μｍ、２５℃
の比誘電率が１４００と低く、それを基準にした−２５
℃と８５℃での比誘電率の温度変化率がそれぞれ−６
％、−７％であった。またＤＣバイアス特性は−２２％
であった。比誘電率の温度特性プロファイルはＢａＴｉ
Ｏ3単組成の焼結体と相似であり、焼結体を粉砕しＸ線
回折により結晶相を調査したところ、ＢａＴｉＯ3及び
ＢａＺｒＯ3に相当するピークがそれぞれ認められ、Ｂ
ａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3の形成はみられなかった。
の比誘電率が１４００と低く、それを基準にした−２５
℃と８５℃での比誘電率の温度変化率がそれぞれ−６
％、−７％であった。またＤＣバイアス特性は−２２％
であった。比誘電率の温度特性プロファイルはＢａＴｉ
Ｏ3単組成の焼結体と相似であり、焼結体を粉砕しＸ線
回折により結晶相を調査したところ、ＢａＴｉＯ3及び
ＢａＺｒＯ3に相当するピークがそれぞれ認められ、Ｂ
ａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ3の形成はみられなかった。
【００４８】
【発明の効果】本発明によれば、金属成分として少なく
ともＢａ、ＴｉおよびＺｒを含有する平均粒径０．３〜
１μｍのペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、
Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種
からなる粒成長抑制粒子が存在するため、平均結晶粒径
を０．３〜１μｍとした場合でも、ＢＴＺ材料の高い比
誘電率を保持したまま、比誘電率の温度特性を向上させ
るとともに、ＤＣバイアスによる誘電率の低下を抑制す
ることが可能となり、平均粒径が小さいため薄層化でき
る。
ともＢａ、ＴｉおよびＺｒを含有する平均粒径０．３〜
１μｍのペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、
Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3およびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種
からなる粒成長抑制粒子が存在するため、平均結晶粒径
を０．３〜１μｍとした場合でも、ＢＴＺ材料の高い比
誘電率を保持したまま、比誘電率の温度特性を向上させ
るとともに、ＤＣバイアスによる誘電率の低下を抑制す
ることが可能となり、平均粒径が小さいため薄層化でき
る。
【００４９】これにより、静電容量が大きく、温度特性
に優れ、かつ高電圧が印加されても静電容量の低下率が
小さい積層セラミックコンデンサを実現することが可能
となる。
に優れ、かつ高電圧が印加されても静電容量の低下率が
小さい積層セラミックコンデンサを実現することが可能
となる。
Claims (5)
- 【請求項１】金属成分として少なくともＢａ、Ｔｉおよ
びＺｒを含有する平均粒径０．３〜１μｍのペロブスカ
イト型結晶粒子の粒界に、ＭｇＯ、Ｙ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3お
よびＹｂ2Ｏ3のうち少なくとも１種からなる粒成長抑制
粒子が存在することを特徴とする誘電体磁器。 - 【請求項２】ペロブスカイト型結晶粒子が、モル比によ
る組成式Ｂａ（Ｔｉ1- xＺｒx）Ｏ3（ｘは０．０５〜
０．３）で表されることを特徴とする請求項１記載の誘
電体磁器。 - 【請求項３】粒成長抑制粒子を全量中３モル％以下含有
することを特徴とする請求項１または２記載の誘電体磁
器。 - 【請求項４】ペロブスカイト型結晶粒子の粒界に、少な
くともＬｉ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂａを含有するガラスが存在
することを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに
記載の誘電体磁器。 - 【請求項５】請求項１乃至４のうちいずれかに記載の誘
電体磁器と、卑金属からなる内部電極とを交互に積層し
てなることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001022431A JP2002226263A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001022431A JP2002226263A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002226263A true JP2002226263A (ja) | 2002-08-14 |
Family
ID=18887847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001022431A Pending JP2002226263A (ja) | 2001-01-30 | 2001-01-30 | 誘電体磁器および積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002226263A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038744A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| JP2006160532A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサとそれらの製造方法 |
| JP2009256162A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| JP2011068524A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| CN114685163A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-01 | 李金凤 | 一种介电陶瓷的制备方法及其产品 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990303A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器物質 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH02270313A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JPH03112860A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JPH0652718A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| JPH0925162A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JPH10330158A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体原料粉末、該原料粉末の粒径制御方法及び該原料粉末を用いた誘電体磁器コンデンサ |
| JPH11130531A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-18 | Kyocera Corp | 誘電体磁器 |
| JPH11322416A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
-
2001
- 2001-01-30 JP JP2001022431A patent/JP2002226263A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5990303A (ja) * | 1982-11-15 | 1984-05-24 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器物質 |
| JPH02123614A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 高誘電率系磁器組成物 |
| JPH02270313A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JPH03112860A (ja) * | 1989-09-25 | 1991-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
| JPH0652718A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体磁器及び磁器コンデンサ |
| JPH0925162A (ja) * | 1995-07-11 | 1997-01-28 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物及びそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JPH10330158A (ja) * | 1997-05-28 | 1998-12-15 | Taiyo Yuden Co Ltd | 誘電体原料粉末、該原料粉末の粒径制御方法及び該原料粉末を用いた誘電体磁器コンデンサ |
| JPH11130531A (ja) * | 1997-10-31 | 1999-05-18 | Kyocera Corp | 誘電体磁器 |
| JPH11322416A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-24 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004038744A1 (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
| US7335328B2 (en) | 2002-10-28 | 2008-02-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing multilayer ceramic capacitor |
| CN100433210C (zh) * | 2002-10-28 | 2008-11-12 | 松下电器产业株式会社 | 层叠陶瓷电容器的制造方法 |
| JP2006160532A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd | 誘電体磁器組成物及び磁器コンデンサとそれらの製造方法 |
| JP2009256162A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびコンデンサ |
| JP2011068524A (ja) * | 2009-09-28 | 2011-04-07 | Kyocera Corp | 積層セラミックコンデンサ |
| CN114685163A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-07-01 | 李金凤 | 一种介电陶瓷的制备方法及其产品 |
| CN114685163B (zh) * | 2022-04-22 | 2023-11-10 | 李金凤 | 一种介电陶瓷的制备方法及其产品 |
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| JP4557708B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製法 |
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