JPH11322416A - 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH11322416A JPH11322416A JP10131735A JP13173598A JPH11322416A JP H11322416 A JPH11322416 A JP H11322416A JP 10131735 A JP10131735 A JP 10131735A JP 13173598 A JP13173598 A JP 13173598A JP H11322416 A JPH11322416 A JP H11322416A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界強度１０ｋＶ／ｍｍでのＣＲ積が室温で
５０００Ω・Ｆ、１５０℃で２００Ω・Ｆ以上と高く、
絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、Ｂ特性およびＸ７Ｒ特
性を満足し、ＤＣバイアス特性や絶縁耐力や耐候性能や
耐めっき液性に優れ、内部電極にＮｉを使用した積層セ
ラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック層２ａ，２ｂのための誘電体
磁器組成物は、｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋Ｒ2 Ｏ3 ＋Ｂａ
ＺｒＯ3 ＋ＭｇＯ＋ＭｎＯ（Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ 3 、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ 3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の少なくとも１種）系
の主成分１００重量部と、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2Ｏ3 −（Ｓ
ｉ，Ｔｉ）Ｏ2 またはＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ（Ｍ
ＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ
の少なくとも１種）系の副成分０．２〜３．０重量部と
を含有する。
５０００Ω・Ｆ、１５０℃で２００Ω・Ｆ以上と高く、
絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、Ｂ特性およびＸ７Ｒ特
性を満足し、ＤＣバイアス特性や絶縁耐力や耐候性能や
耐めっき液性に優れ、内部電極にＮｉを使用した積層セ
ラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック層２ａ，２ｂのための誘電体
磁器組成物は、｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋Ｒ2 Ｏ3 ＋Ｂａ
ＺｒＯ3 ＋ＭｇＯ＋ＭｎＯ（Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ 3 、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ 3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の少なくとも１種）系
の主成分１００重量部と、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2Ｏ3 −（Ｓ
ｉ，Ｔｉ）Ｏ2 またはＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ（Ｍ
ＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯ
の少なくとも１種）系の副成分０．２〜３．０重量部と
を含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
および積層セラミックコンデンサに関するものである。
および積層セラミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサは
以下のようにして製造されるのが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料が準備される。誘電体材料としては、たと
えばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料が用いられる。次
に、この電極材料を塗布したシート状の誘電体材料を積
層して熱圧着し、一体化したものを大気雰囲気中におい
て１２５０〜１３５０℃で焼成することによって、内部
電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、こ
のセラミック積層体の端面に、内部電極と電気的に導通
する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミック
コンデンサが得られる。
以下のようにして製造されるのが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料が準備される。誘電体材料としては、たと
えばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料が用いられる。次
に、この電極材料を塗布したシート状の誘電体材料を積
層して熱圧着し、一体化したものを大気雰囲気中におい
て１２５０〜１３５０℃で焼成することによって、内部
電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、こ
のセラミック積層体の端面に、内部電極と電気的に導通
する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミック
コンデンサが得られる。
【０００３】この積層セラミックコンデンサの内部電極
の材料として、従来は、一般的に、白金、金、パラジウ
ムあるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が用いられ
ていた。しかしながら、これらの電極材料は優れた特性
を有する反面、高価であるため、製造コストを上昇させ
る要因となっていた。そのため、現在は、製造コストを
低下させるために卑金属のＮｉを内部電極とする積層コ
ンデンサが提案され、使用量が増大している。
の材料として、従来は、一般的に、白金、金、パラジウ
ムあるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が用いられ
ていた。しかしながら、これらの電極材料は優れた特性
を有する反面、高価であるため、製造コストを上昇させ
る要因となっていた。そのため、現在は、製造コストを
低下させるために卑金属のＮｉを内部電極とする積層コ
ンデンサが提案され、使用量が増大している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化、高
機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデンサ
に対しても、低価格化、絶縁耐力の向上、絶縁性の向
上、信頼性の向上、大容量化の要求が強くなっている。
電子機器の低価格化のためには、内部電極にニッケルを
用いた低価格の積層セラミックコンデンサを使うことが
有利であるが、従来の誘電体磁器材料は、低い電界強度
下で使用されることを前提として設計されていたので、
高い電界強度下で使用すると、絶縁抵抗値、絶縁耐力お
よび信頼性が極端に低下するという問題が生じた。すな
わち、内部電極にニッケルを用いながら、高電界強度下
で使用できる積層セラミックコンデンサはなかった。
機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデンサ
に対しても、低価格化、絶縁耐力の向上、絶縁性の向
上、信頼性の向上、大容量化の要求が強くなっている。
電子機器の低価格化のためには、内部電極にニッケルを
用いた低価格の積層セラミックコンデンサを使うことが
有利であるが、従来の誘電体磁器材料は、低い電界強度
下で使用されることを前提として設計されていたので、
高い電界強度下で使用すると、絶縁抵抗値、絶縁耐力お
よび信頼性が極端に低下するという問題が生じた。すな
わち、内部電極にニッケルを用いながら、高電界強度下
で使用できる積層セラミックコンデンサはなかった。
【０００５】具体的には、特公昭５７−４２５８８号公
報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電
体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた誘
電体磁器の結晶粒が大きく、その結果、高い電界強度下
で使用した場合、積層セラミックコンデンサにおける絶
縁耐力が低くなったり、高温負荷試験の平均寿命時間が
短くなるという欠点があった。
報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電
体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた誘
電体磁器の結晶粒が大きく、その結果、高い電界強度下
で使用した場合、積層セラミックコンデンサにおける絶
縁耐力が低くなったり、高温負荷試験の平均寿命時間が
短くなるという欠点があった。
【０００６】また、特公昭６１−１４６１１号公報に示
される誘電体材料では、低電界強度下で得られる誘電率
は２０００〜２８００と高いものの、高い電界強度下で
使用したときには、誘電率すなわち静電容量が著しく低
くなるという欠点があった。また、同時に絶縁抵抗値が
低いという欠点もあった。また、積層セラミックコンデ
ンサにおいては、表面実装に対応するため、外部電極と
しての導電性金属粉末の焼付けによる電極上には、半田
などのめっき膜が形成される。このめっき膜の形成に
は、一般的に、電気めっき法が採用される。他方、積層
セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成する
誘電体磁器には、焼結助剤としてホウ素を含む酸化物あ
るいはガラスが添加されたものがある。
される誘電体材料では、低電界強度下で得られる誘電率
は２０００〜２８００と高いものの、高い電界強度下で
使用したときには、誘電率すなわち静電容量が著しく低
くなるという欠点があった。また、同時に絶縁抵抗値が
低いという欠点もあった。また、積層セラミックコンデ
ンサにおいては、表面実装に対応するため、外部電極と
しての導電性金属粉末の焼付けによる電極上には、半田
などのめっき膜が形成される。このめっき膜の形成に
は、一般的に、電気めっき法が採用される。他方、積層
セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成する
誘電体磁器には、焼結助剤としてホウ素を含む酸化物あ
るいはガラスが添加されたものがある。
【０００７】しかしながら、このような添加物を用いる
と、耐めっき性が悪くなり、そのため、めっき膜を形成
するため、めっき液に積層セラミックコンデンサを浸漬
すると、その電気的特性の劣化を招くという問題があ
る。そこで、本発明の目的は、高電界強度、具体的には
１０ｋＶ／ｍｍ程度の高い電界強度で使用したときに、
絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）で表した場合に、
室温および１５０℃で、それぞれ５０００Ω・Ｆおよび
２００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さ
く、ＤＣバイアス電圧に対する静電容量の安定性に優
れ、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格
で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特
性をそれぞれ満足し、高温負荷などの耐候性能に優れ、
また、外部電極にめっき膜を形成しても、めっき液によ
る信頼性の低下を招かない、たとえば積層セラミックコ
ンデンサの誘電体セラミック層を構成し得る誘電体磁器
組成物を提供しようとすること、ならびに、このような
誘電体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いると
ともに、内部電極をＮｉまたはＮｉ合金で構成した、積
層セラミックコンデンサを提供しようとすることであ
る。
と、耐めっき性が悪くなり、そのため、めっき膜を形成
するため、めっき液に積層セラミックコンデンサを浸漬
すると、その電気的特性の劣化を招くという問題があ
る。そこで、本発明の目的は、高電界強度、具体的には
１０ｋＶ／ｍｍ程度の高い電界強度で使用したときに、
絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ積）で表した場合に、
室温および１５０℃で、それぞれ５０００Ω・Ｆおよび
２００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さ
く、ＤＣバイアス電圧に対する静電容量の安定性に優
れ、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格
で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特
性をそれぞれ満足し、高温負荷などの耐候性能に優れ、
また、外部電極にめっき膜を形成しても、めっき液によ
る信頼性の低下を招かない、たとえば積層セラミックコ
ンデンサの誘電体セラミック層を構成し得る誘電体磁器
組成物を提供しようとすること、ならびに、このような
誘電体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いると
ともに、内部電極をＮｉまたはＮｉ合金で構成した、積
層セラミックコンデンサを提供しようとすることであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器組成物は、アルカリ金属酸化物
の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、
酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から
選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸
化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次
の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１
≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００
１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ
≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にあ
る。）で表される主成分を含有するとともに、第１の副
成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸
化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ
系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、
ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種で
ある。）の酸化物としたときに、該第１または第２の副
成分のどちらか一方を、前記主成分１００重量部に対し
て、０．２〜３．０重量部含有していることを特徴とす
る。
め、本発明の誘電体磁器組成物は、アルカリ金属酸化物
の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、
酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から
選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸
化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、かつ、次
の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１
≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００
１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ
≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にあ
る。）で表される主成分を含有するとともに、第１の副
成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸
化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ
系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、
ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種で
ある。）の酸化物としたときに、該第１または第２の副
成分のどちらか一方を、前記主成分１００重量部に対し
て、０．２〜３．０重量部含有していることを特徴とす
る。
【０００９】本発明の誘電体磁器組成物は、他の局面で
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下
のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イ
ットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、か
つ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、０．００１≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．
０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦
０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０
３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有すると
ともに、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，
Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる
少なくとも１種である。）の酸化物としたときに、該第
１または第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１
００重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有してい
ることを特徴とする。
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下
のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび酸化イ
ットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなり、か
つ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、０．００１≦α≦０．０６、０．００５≦β≦０．
０６、０．００１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦
０．１２、γ＋ｇ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０
３５の範囲内にある。）で表される主成分を含有すると
ともに、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，
Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −
Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、
ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる
少なくとも１種である。）の酸化物としたときに、該第
１または第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１
００重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有してい
ることを特徴とする。
【００１０】本発明の誘電体磁器組成物は、さらに他の
局面では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量
％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび
酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユーロピウ
ム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび酸化ジス
プロシウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコ
ン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンと
からなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢ
ａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 およびＤｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１
種であり、α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表し、
０．００１≦α≦０．０５、０．００１≦β≦０．０
５、０．００５≦γ≦０．０６、０．００１＜ｇ≦０．
１２、０．００１＜ｈ≦０．１２、α＋β≦０．０６、
ｇ＋ｈ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲
内にある。）で表される主成分を含有するとともに、第
１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2
系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3
−ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍ
ｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも
１種である。）の酸化物としたときに、該第１または第
２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１００重量部
に対して、０．２〜３．０重量部含有していることを特
徴とする。
局面では、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量
％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよび
酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユーロピウ
ム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび酸化ジス
プロシウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコ
ン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンと
からなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢ
ａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 およびＤｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１
種であり、α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表し、
０．００１≦α≦０．０５、０．００１≦β≦０．０
５、０．００５≦γ≦０．０６、０．００１＜ｇ≦０．
１２、０．００１＜ｈ≦０．１２、α＋β≦０．０６、
ｇ＋ｈ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲
内にある。）で表される主成分を含有するとともに、第
１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2
系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3
−ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍ
ｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも
１種である。）の酸化物としたときに、該第１または第
２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１００重量部
に対して、０．２〜３．０重量部含有していることを特
徴とする。
【００１１】本発明の誘電体磁器組成物において、好ま
しくは、第１の副成分は、ｘＬｉ2Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 （ただし、ｘ、ｙおよびｚはモ
ル％であり、ｗは０．３０≦ｗ＜１．０の範囲内にあ
る。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元
組成図のＡ（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝
１９、ｙ＝１、ｚ＝８０）、Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ
＝５０）、Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ
＝２０、ｙ＝７５、ｚ＝５）、Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、
ｚ＝２０）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の
内部または線上にあることを特徴とする。
しくは、第１の副成分は、ｘＬｉ2Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 （ただし、ｘ、ｙおよびｚはモ
ル％であり、ｗは０．３０≦ｗ＜１．０の範囲内にあ
る。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元
組成図のＡ（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝
１９、ｙ＝１、ｚ＝８０）、Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ
＝５０）、Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ
＝２０、ｙ＝７５、ｚ＝５）、Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、
ｚ＝２０）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の
内部または線上にあることを特徴とする。
【００１２】また、第１の副成分中には、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ
2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物１００重量部に
対してＡｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を合
計で２０重量部以下（ただし、ＺｒＯ2 は１０重量部以
下）含有することが好ましい。また、本発明の誘電体磁
器組成物において、好ましくは、第２の副成分は、ｘＢ
2 Ｏ3 −ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＭＯ（ただし、ｘ、ｙおよび
ｚはモル％である。）で表したとき、それぞれの成分を
頂点とする三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４
０、ｚ＝５０）、Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７
０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあるこ
とを特徴とする。
2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物１００重量部に
対してＡｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を合
計で２０重量部以下（ただし、ＺｒＯ2 は１０重量部以
下）含有することが好ましい。また、本発明の誘電体磁
器組成物において、好ましくは、第２の副成分は、ｘＢ
2 Ｏ3 −ｙＡｌ2 Ｏ3 −ｚＭＯ（ただし、ｘ、ｙおよび
ｚはモル％である。）で表したとき、それぞれの成分を
頂点とする三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４
０、ｚ＝５０）、Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７
０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあるこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明は、また、複数の誘電体セラミック
層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極
と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したような本発明に係る誘電体磁器組成物
によって構成され、また、内部電極がニッケルまたはニ
ッケル合金によって構成される。
層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極
と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したような本発明に係る誘電体磁器組成物
によって構成され、また、内部電極がニッケルまたはニ
ッケル合金によって構成される。
【００１４】本発明に係る積層セラミックコンデンサに
おいて、外部電極は、導電性金属粉末、またはガラスフ
リットを添加した導電性金属粉末の焼結層を備えていた
り、あるいは、導電性金属粉末、またはガラスフリット
を添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、
その上のめっき層からなる第２層とを備えていたりす
る。
おいて、外部電極は、導電性金属粉末、またはガラスフ
リットを添加した導電性金属粉末の焼結層を備えていた
り、あるいは、導電性金属粉末、またはガラスフリット
を添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、
その上のめっき層からなる第２層とを備えていたりす
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一実施形態による
積層セラミックコンデンサの基本的構造を図面により説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示
す断面図、図２は、図１の積層セラミックコンデンサの
うち、内部電極を有する誘電体セラミック層部分を示す
平面図、図３は、図１の積層セラミックコンデンサのう
ち、セラミック積層体部分を示す分解斜視図である。
積層セラミックコンデンサの基本的構造を図面により説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示
す断面図、図２は、図１の積層セラミックコンデンサの
うち、内部電極を有する誘電体セラミック層部分を示す
平面図、図３は、図１の積層セラミックコンデンサのう
ち、セラミック積層体部分を示す分解斜視図である。
【００１６】本実施形態による積層セラミックコンデン
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを積層して得られ
た、直方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミ
ック積層体３の両端面上には、内部電極４の特定のもの
に電気的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形
成され、その上には、ニッケル、銅などの第１のめっき
層６が形成され、さらにその上には、半田、錫などの第
２のめっき層７が形成されている。
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを積層して得られ
た、直方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミ
ック積層体３の両端面上には、内部電極４の特定のもの
に電気的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形
成され、その上には、ニッケル、銅などの第１のめっき
層６が形成され、さらにその上には、半田、錫などの第
２のめっき層７が形成されている。
【００１７】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの主成分となる、所定の組
成比率に秤量し混合したチタン酸バリウム系の原料粉末
を用意する。すなわち、前述したように、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウ
ムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中
から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなる主成
分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重
量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよ
び酸化イットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バ
リウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからな
る主成分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が０．
０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウ
ムおよび酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユ
ーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび
酸化ジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも１種
と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化
マンガンとからなる主成分を含有するとともに、Ｌｉ 2
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の第１の副成分ま
たはＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢ
ａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの
中から選ばれる少なくとも１種である。）の第２の副成
分のどちらか一方を含有する、誘電体磁器組成物を生成
し得る原料粉末を用意する。
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの主成分となる、所定の組
成比率に秤量し混合したチタン酸バリウム系の原料粉末
を用意する。すなわち、前述したように、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウ
ムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中
から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなる主成
分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重
量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムおよ
び酸化イットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸バ
リウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからな
る主成分、または、アルカリ金属酸化物の含有量が０．
０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウ
ムおよび酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユ
ーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび
酸化ジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも１種
と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化
マンガンとからなる主成分を含有するとともに、Ｌｉ 2
Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の第１の副成分ま
たはＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢ
ａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの
中から選ばれる少なくとも１種である。）の第２の副成
分のどちらか一方を含有する、誘電体磁器組成物を生成
し得る原料粉末を用意する。
【００１８】次いで、この原料粉末に有機バインダを加
えてスラリー化し、このスラリーをシート状に成形し
て、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのためのグリー
ンシートを得る。その後、誘電体セラミック層２ｂとな
るグリーンシートの一方主面上にニッケルまたはニッケ
ル合金からなる内部電極４を形成する。前述したような
誘電体磁器組成物を用いて誘電体セラミック層２ａおよ
び２ｂを形成すれば、内部電極４の材料として、卑金属
としてのニッケルまたはニッケル合金を用いることがで
きる。なお、内部電極４は、スクリーン印刷法などによ
って形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成
されてもよい。
えてスラリー化し、このスラリーをシート状に成形し
て、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのためのグリー
ンシートを得る。その後、誘電体セラミック層２ｂとな
るグリーンシートの一方主面上にニッケルまたはニッケ
ル合金からなる内部電極４を形成する。前述したような
誘電体磁器組成物を用いて誘電体セラミック層２ａおよ
び２ｂを形成すれば、内部電極４の材料として、卑金属
としてのニッケルまたはニッケル合金を用いることがで
きる。なお、内部電極４は、スクリーン印刷法などによ
って形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成
されてもよい。
【００１９】次いで、内部電極４を有する誘電体セラミ
ック層２ｂのためのグリーンシートを、必要枚数積層し
た後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セ
ラミック層２ａのためのグリーンシートによって挟んだ
状態とし、これを圧着することによって、生の積層体を
得る。その後、この生の積層体を還元雰囲気中、所定の
温度にて焼成し、セラミック積層体３を得る。
ック層２ｂのためのグリーンシートを、必要枚数積層し
た後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セ
ラミック層２ａのためのグリーンシートによって挟んだ
状態とし、これを圧着することによって、生の積層体を
得る。その後、この生の積層体を還元雰囲気中、所定の
温度にて焼成し、セラミック積層体３を得る。
【００２０】次に、セラミック積層体３の両端面に、内
部電極４と電気的に接続されるように、外部電極５を形
成する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と
同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウ
ム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金などが使用可能で
あり、また、これらの金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス
などのガラスフリットを添加したものも使用されるが、
積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを
考慮に入れて適当な材料が選択される。また、外部電極
５は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た
セラミック積層体３に塗布して、焼き付けることによっ
て形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体
３と同時に焼き付けることによって形成されてもよい。
部電極４と電気的に接続されるように、外部電極５を形
成する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と
同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウ
ム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金などが使用可能で
あり、また、これらの金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス
などのガラスフリットを添加したものも使用されるが、
積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを
考慮に入れて適当な材料が選択される。また、外部電極
５は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た
セラミック積層体３に塗布して、焼き付けることによっ
て形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体
３と同時に焼き付けることによって形成されてもよい。
【００２１】その後、外部電極５上に、ニッケル、銅な
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
【００２２】以上のように、誘電体セラミック層２ａお
よび２ｂを構成するため、前述したような誘電体磁器組
成物を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成して
も、その特性が劣化することはない。すなわち、１０ｋ
Ｖ／ｍｍの高い電界強度下で使用した場合であっても、
絶縁抵抗と静電容量との積（ＣＲ積）が、室温および１
５０℃で、それぞれ、５０００Ω・Ｆおよび２００Ω・
Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５ｋＶ
／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４５％
以下と小さく、絶縁耐力がＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以
上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ以上と高く、静電容量の
温度特性が−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規
定するＢ特性および−５５℃〜＋１２５℃の範囲でＥＩ
Ａ規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃および
ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの高温負荷に対する耐候性能に優れ
る特性が得られる。また、外部電極にめっき層を電気め
っき法により形成しても、めっき液による信頼性の低下
を招かなくすることができる。
よび２ｂを構成するため、前述したような誘電体磁器組
成物を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成して
も、その特性が劣化することはない。すなわち、１０ｋ
Ｖ／ｍｍの高い電界強度下で使用した場合であっても、
絶縁抵抗と静電容量との積（ＣＲ積）が、室温および１
５０℃で、それぞれ、５０００Ω・Ｆおよび２００Ω・
Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５ｋＶ
／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４５％
以下と小さく、絶縁耐力がＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以
上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ以上と高く、静電容量の
温度特性が−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規
定するＢ特性および−５５℃〜＋１２５℃の範囲でＥＩ
Ａ規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃および
ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの高温負荷に対する耐候性能に優れ
る特性が得られる。また、外部電極にめっき層を電気め
っき法により形成しても、めっき液による信頼性の低下
を招かなくすることができる。
【００２３】また、この誘電体磁器組成物の主成分のう
ち、チタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒ
Ｏ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 などのその他の酸化物のうち、特にアルカリ金属酸化
物の含有量が電気的特性に大きく影響することが確認さ
れている。そして、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｕ
2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ 3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 などの希土
類酸化物の添加量が増大すると比誘電率は低下するが、
チタン酸バリウム中に不純物として存在するアルカリ金
属酸化物を０．０２重量％以下にすることにより、比誘
電率を実使用上問題のない１０００〜１６００に維持す
ることができる。
ち、チタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒ
Ｏ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 などのその他の酸化物のうち、特にアルカリ金属酸化
物の含有量が電気的特性に大きく影響することが確認さ
れている。そして、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｕ
2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ 3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 などの希土
類酸化物の添加量が増大すると比誘電率は低下するが、
チタン酸バリウム中に不純物として存在するアルカリ金
属酸化物を０．０２重量％以下にすることにより、比誘
電率を実使用上問題のない１０００〜１６００に維持す
ることができる。
【００２４】また、誘電体磁器組成物中にＬｉ2 Ｏ−Ｂ
2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物を添加すること
によって、焼結性が向上するとともに、ホウ素を含む酸
化物あるいはガラスを添加する場合に比べて、耐めっき
性を向上させることができる。さらに、前記Ｌｉ2 Ｏ−
Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物にＡｌ2 Ｏ 3
やＺｒＯ2 を添加含有させることで、より高い絶縁抵抗
を得ることが可能となる。
2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物を添加すること
によって、焼結性が向上するとともに、ホウ素を含む酸
化物あるいはガラスを添加する場合に比べて、耐めっき
性を向上させることができる。さらに、前記Ｌｉ2 Ｏ−
Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物にＡｌ2 Ｏ 3
やＺｒＯ2 を添加含有させることで、より高い絶縁抵抗
を得ることが可能となる。
【００２５】また、誘電体磁器組成物中にＢ2 Ｏ3 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍ
ｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも
１種）の酸化物を添加することによって、焼結性が向上
するとともに、ホウ素を含む酸化物あるいはガラスを添
加する場合に比べて、耐めっき性を向上させることがで
きる。
ｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍ
ｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも
１種）の酸化物を添加することによって、焼結性が向上
するとともに、ホウ素を含む酸化物あるいはガラスを添
加する場合に比べて、耐めっき性を向上させることがで
きる。
【００２６】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体
的に説明するが、本発明の範囲内における実施の形態
は、このような実施例のみに限定されるものではない。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させた。この沈殿物を１０００
℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
的に説明するが、本発明の範囲内における実施の形態
は、このような実施例のみに限定されるものではない。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させた。この沈殿物を１０００
℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
【００２７】
【表１】
【００２８】また、第１の副成分として０．２５Ｌｉ2
Ｏ−０．３０Ｂ2 Ｏ3 −０．０３ＴｉＯ2 −０．４２Ｓ
ｉＯ2 （モル比）の組成割合になるように、各成分の酸
化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合粉砕して粉
末を得た。同様に、第２の副成分として０．５５Ｂ2 Ｏ
3 −０．２５Ａｌ2 Ｏ3 −０．０３ＭｎＯ−０．１７Ｂ
ａＯ（モル比）の組成割合になるように、各成分の酸化
物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合粉砕して粉末
を得た。
Ｏ−０．３０Ｂ2 Ｏ3 −０．０３ＴｉＯ2 −０．４２Ｓ
ｉＯ2 （モル比）の組成割合になるように、各成分の酸
化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合粉砕して粉
末を得た。同様に、第２の副成分として０．５５Ｂ2 Ｏ
3 −０．２５Ａｌ2 Ｏ3 −０．０３ＭｎＯ−０．１７Ｂ
ａＯ（モル比）の組成割合になるように、各成分の酸化
物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合粉砕して粉末
を得た。
【００２９】次に、これら第１および第２の副成分酸化
物粉末を別々の白金るつぼ中において、１５００℃まで
加熱した後、急冷し、粉砕することによって、平均粒径
が１μｍ以下のそれぞれの酸化物粉末を得た。次に、チ
タン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するための
ＢａＣＯ3 と、純度９９％以上のＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ
3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、Ｍｇ
ＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料粉末と第１ま
たは第２のどちらか一方の副成分である上記酸化物粉末
を表２および表３に示す組成になるように秤量した。な
お、第１、第２の副成分の添加量は、主成分［｛Ｂａ
Ｏ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇ
Ｏ＋ｇＭｎＯ］１００重量部に対する添加部数である。
物粉末を別々の白金るつぼ中において、１５００℃まで
加熱した後、急冷し、粉砕することによって、平均粒径
が１μｍ以下のそれぞれの酸化物粉末を得た。次に、チ
タン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するための
ＢａＣＯ3 と、純度９９％以上のＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ
3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、Ｍｇ
ＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料粉末と第１ま
たは第２のどちらか一方の副成分である上記酸化物粉末
を表２および表３に示す組成になるように秤量した。な
お、第１、第２の副成分の添加量は、主成分［｛Ｂａ
Ｏ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇ
Ｏ＋ｇＭｎＯ］１００重量部に対する添加部数である。
【００３０】
【表２】
【００３１】
【表３】
【００３２】次いで、この秤量物にポリビニルブチラー
ル系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリー
を調整した。このセラミックスラリーをドクターブレー
ド法によりシート成形し、厚み３５μｍの矩形のグリー
ンシートを得た。その後、このセラミックグリーンシー
ト上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部
電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
ル系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリー
を調整した。このセラミックスラリーをドクターブレー
ド法によりシート成形し、厚み３５μｍの矩形のグリー
ンシートを得た。その後、このセラミックグリーンシー
ト上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部
電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
【００３３】その後、導電ペースト層が形成されたセラ
ミックグリーンシートを導電ペーストが引き出されてい
る側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得
た。この積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に
加熱し、バインダを分解させた後、酸素分圧１０-9〜１
０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性
雰囲気中において表４および表５に示す温度で２時間焼
成し、セラミック焼結体を得た。
ミックグリーンシートを導電ペーストが引き出されてい
る側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得
た。この積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に
加熱し、バインダを分解させた後、酸素分圧１０-9〜１
０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性
雰囲気中において表４および表５に示す温度で２時間焼
成し、セラミック焼結体を得た。
【００３４】焼成後、得られたセラミック焼結体の両端
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして得ら
れた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅：５．０
ｍｍ、長さ：５．７ｍｍ、厚さ：２．４ｍｍであり、誘
電体セラミック層の厚みは３０μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５７であり、１層当たり
の対向電極の面積は８．２×１０-6ｍ2 であった。
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして得ら
れた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅：５．０
ｍｍ、長さ：５．７ｍｍ、厚さ：２．４ｍｍであり、誘
電体セラミック層の厚みは３０μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５７であり、１層当たり
の対向電極の面積は８．２×１０-6ｍ2 であった。
【００３５】次に、硫酸ニッケル、塩化ニッケルおよび
ホウ酸を含有するニッケルめっき液を用意し、バレルめ
っき法にて、外部電極上にニッケルめっき層を形成し
た。最後に、ＡＳ（アルカノールスルホン酸）浴からな
る半田めっき液を用意し、バレルめっき法にて、ニッケ
ルめっき層上に半田めっき層を形成した。次に、これら
積層セラミックコンデンサの電気的特性を測定した。静
電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は自動ブリッ
ジ式測定器を用いて、周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温
度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出
した。その後、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁
抵抗計を用い、３１５Ｖ（すなわち、１０ｋＶ／ｍ
ｍ）、および９４５Ｖ（すなわち、３０ｋＶ／ｍｍ）の
直流電圧を２分間印加して２５℃および１５０℃での絶
縁抵抗を測定し、静電容量と絶縁抵抗との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。
ホウ酸を含有するニッケルめっき液を用意し、バレルめ
っき法にて、外部電極上にニッケルめっき層を形成し
た。最後に、ＡＳ（アルカノールスルホン酸）浴からな
る半田めっき液を用意し、バレルめっき法にて、ニッケ
ルめっき層上に半田めっき層を形成した。次に、これら
積層セラミックコンデンサの電気的特性を測定した。静
電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は自動ブリッ
ジ式測定器を用いて、周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温
度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率（ε）を算出
した。その後、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁
抵抗計を用い、３１５Ｖ（すなわち、１０ｋＶ／ｍ
ｍ）、および９４５Ｖ（すなわち、３０ｋＶ／ｍｍ）の
直流電圧を２分間印加して２５℃および１５０℃での絶
縁抵抗を測定し、静電容量と絶縁抵抗との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。
【００３６】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５
℃とでの変化率（ΔＣ／Ｃ２０）、ならびに、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃と１２５℃とでの変
化率（ΔＣ／Ｃ２５）および−５５℃〜１２５℃の範囲
内で絶対値としてその変化率の最大となった値（｜ΔＣ
｜max ）を求めた。
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５
℃とでの変化率（ΔＣ／Ｃ２０）、ならびに、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃と１２５℃とでの変
化率（ΔＣ／Ｃ２５）および−５５℃〜１２５℃の範囲
内で絶対値としてその変化率の最大となった値（｜ΔＣ
｜max ）を求めた。
【００３７】また、ＤＣバイアス特性を評価した。すな
わち、まず１ｋＨｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した
ときの静電容量を測定した。次に、ＤＣ１５０Ｖと１ｋ
Ｈｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電
容量を測定した。そして、ＤＣ電圧を負荷したことによ
る静電容量の低下率ΔＣ／Ｃを算出した。また、高温負
荷試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて
７５０Ｖ（すなわち、２５ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値が１０6 Ω以下に
なったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を
求めた。
わち、まず１ｋＨｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した
ときの静電容量を測定した。次に、ＤＣ１５０Ｖと１ｋ
Ｈｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電
容量を測定した。そして、ＤＣ電圧を負荷したことによ
る静電容量の低下率ΔＣ／Ｃを算出した。また、高温負
荷試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて
７５０Ｖ（すなわち、２５ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値が１０6 Ω以下に
なったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を
求めた。
【００３８】さらに、絶縁破壊電圧は昇圧速度１００Ｖ
／秒でＡＣ電圧およびＤＣ電圧をそれぞれ印加し、ＡＣ
電圧およびＤＣ電圧での破壊電圧を測定した。以上の結
果を表４および表５に示す。
／秒でＡＣ電圧およびＤＣ電圧をそれぞれ印加し、ＡＣ
電圧およびＤＣ電圧での破壊電圧を測定した。以上の結
果を表４および表５に示す。
【００３９】
【表４】
【００４０】
【表５】
【００４１】表１〜表５から明らかなように、本発明の
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００４２】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００４３】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ
2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種であり、α、β、γおよびｇ
はモル比を表す。）において、試料番号１のように、Ｒ
2 Ｏ3 量αが０．００１未満の場合には絶縁抵抗が低
く、ＣＲ積が小さくなるので好ましくない。一方、試料
番号２のようにＲ2 Ｏ3量αが０．０６を超える場合に
は、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、信頼性
が悪くなるので好ましくない。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量
αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好ましい。
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ
2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2
Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中か
ら選ばれる少なくとも１種であり、α、β、γおよびｇ
はモル比を表す。）において、試料番号１のように、Ｒ
2 Ｏ3 量αが０．００１未満の場合には絶縁抵抗が低
く、ＣＲ積が小さくなるので好ましくない。一方、試料
番号２のようにＲ2 Ｏ3量αが０．０６を超える場合に
は、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、信頼性
が悪くなるので好ましくない。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量
αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好ましい。
【００４４】また、試料番号３のように、ＢａＺｒＯ3
量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を
含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好まし
くない。一方、試料番号４のように、ＢａＺｒＯ3 量β
が０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好ましくな
い。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００５≦β≦
０．０６の範囲が好ましい。
量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を
含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好まし
くない。一方、試料番号４のように、ＢａＺｒＯ3 量β
が０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好ましくな
い。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００５≦β≦
０．０６の範囲が好ましい。
【００４５】また、試料番号５のように、ＭｇＯ量γが
０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ特性
／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一方、試
料番号６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を超えると、
焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を超え、しか
も、平均寿命時間が短くなるので好ましくない。したが
って、ＭｇＯ量γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が
好ましい。
０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ特性
／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一方、試
料番号６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を超えると、
焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を超え、しか
も、平均寿命時間が短くなるので好ましくない。したが
って、ＭｇＯ量γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が
好ましい。
【００４６】また、試料番号７のように、ＭｎＯ量ｇが
０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり好ま
しくない。一方、試料番号８のように、ＭｎＯ量ｇが
０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満足せ
ず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ましく
ない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．
１２の範囲が好ましい。
０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり好ま
しくない。一方、試料番号８のように、ＭｎＯ量ｇが
０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満足せ
ず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ましく
ない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．
１２の範囲が好ましい。
【００４７】また、試料番号９のように、ＭｇＯとＭｎ
Ｏ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失が
２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くなる
ので好ましくない。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合
計γ＋ｇはγ＋ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、
試料番号１０のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０
００未満の場合、半導体化のため測定不能となり好まし
くない。また、試料番号１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ
2 比ｍが１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよ
びＤＣの破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましく
ない。一方、試料番号１２および１３のように、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３５を超えた場合、焼結不足の
ため測定不能となり好ましくない。したがって、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が
好ましい。
Ｏ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失が
２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くなる
ので好ましくない。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合
計γ＋ｇはγ＋ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、
試料番号１０のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０
００未満の場合、半導体化のため測定不能となり好まし
くない。また、試料番号１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ
2 比ｍが１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよ
びＤＣの破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましく
ない。一方、試料番号１２および１３のように、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３５を超えた場合、焼結不足の
ため測定不能となり好ましくない。したがって、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が
好ましい。
【００４８】また、試料番号１４および１６のように、
第１の副成分の添加量および第２の副成分の添加量が０
の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。
一方、試料番号１５および１７のように、第１の副成分
の添加量または第２の副成分の添加量が３．０重量部を
超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、また、絶縁抵
抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間も短くなり
好ましくない。したがって、第１または第２の副成分の
どちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量部の範囲が
好ましい。
第１の副成分の添加量および第２の副成分の添加量が０
の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。
一方、試料番号１５および１７のように、第１の副成分
の添加量または第２の副成分の添加量が３．０重量部を
超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、また、絶縁抵
抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間も短くなり
好ましくない。したがって、第１または第２の副成分の
どちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量部の範囲が
好ましい。
【００４９】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１８のように、アルカリ金
属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合には、
誘電率の低下を生じるからである。 （実施例２）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３５
Ｅｕ2 Ｏ3 ＋０．０２ＢａＺｒＯ3 ＋０．０３ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表６に示す平均
粒径１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）
Ｏ2 系の酸化物を第１の副成分として添加して、その他
は実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作
製した。なお、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 の添加量は、第１
の副成分［ｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ（Ｓｉ，Ｔｉ）
Ｏ2 ］１００重量部に対する添加部数である。また、作
製した積層セラミックコンデンサの寸法形状は実施例１
と同様である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１８のように、アルカリ金
属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合には、
誘電率の低下を生じるからである。 （実施例２）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３５
Ｅｕ2 Ｏ3 ＋０．０２ＢａＺｒＯ3 ＋０．０３ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表６に示す平均
粒径１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）
Ｏ2 系の酸化物を第１の副成分として添加して、その他
は実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作
製した。なお、Ａｌ2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 の添加量は、第１
の副成分［ｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ（Ｓｉ，Ｔｉ）
Ｏ2 ］１００重量部に対する添加部数である。また、作
製した積層セラミックコンデンサの寸法形状は実施例１
と同様である。
【００５０】
【表６】
【００５１】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。ただし、絶縁抵抗は、３１５Ｖ（すなわ
ち、１０ｋＶ／ｍｍ）においてのみ測定し、静電容量と
絶縁抵抗との積、すなわちＣＲ積を求めた。また、この
ＣＲ積は、めっき前とめっき後の双方について求めた
が、その他の特性は、めっき後の試料についてのみ求め
た。その結果を表７に示す。
を測定した。ただし、絶縁抵抗は、３１５Ｖ（すなわ
ち、１０ｋＶ／ｍｍ）においてのみ測定し、静電容量と
絶縁抵抗との積、すなわちＣＲ積を求めた。また、この
ＣＲ積は、めっき前とめっき後の双方について求めた
が、その他の特性は、めっき後の試料についてのみ求め
た。その結果を表７に示す。
【００５２】
【表７】
【００５３】表６および表７から明らかなように、図４
に示すｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）
Ｏ2 系の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝０、ｙ＝２０、
ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝１、ｚ＝８０）、Ｃ
（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝
５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ＝２０、ｙ＝７５、ｚ＝５）、
Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０）（ただし、ｘ、ｙお
よびｚはモル％であり、ｗは０．３０≦ｗ＜１．０の範
囲内）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部
または線上にある酸化物が添加された試料番号１０１〜
１１４のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量
低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は１．０％以
下で、温度に対する静電容量の変化率が−２５℃〜８５
℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満足し、
−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定するＸ７
Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得られる。
に示すｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）
Ｏ2 系の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝０、ｙ＝２０、
ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝１、ｚ＝８０）、Ｃ
（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝
５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ＝２０、ｙ＝７５、ｚ＝５）、
Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０）（ただし、ｘ、ｙお
よびｚはモル％であり、ｗは０．３０≦ｗ＜１．０の範
囲内）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部
または線上にある酸化物が添加された試料番号１０１〜
１１４のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量
低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は１．０％以
下で、温度に対する静電容量の変化率が−２５℃〜８５
℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満足し、
−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定するＸ７
Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得られる。
【００５４】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成
可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成
可能である。
【００５５】さらに、めっき前後のＣＲ積を比べればわ
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓ
ｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物が上記組成範囲外の場合
は、試料番号１１５〜１１８に示すとおり、焼結不足と
なるか、焼結しても、めっきによって極端に絶縁抵抗が
低下して好ましくない。
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓ
ｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物が上記組成範囲外の場合
は、試料番号１１５〜１１８に示すとおり、焼結不足と
なるか、焼結しても、めっきによって極端に絶縁抵抗が
低下して好ましくない。
【００５６】また、上記組成範囲内にあっても、試料番
号１１９のように、Ｓｉ量ｗの値が０．３０未満の場合
には、焼結不足となり、また、試料番号１２０のよう
に、Ｓｉ量ｗの値が１．０の場合には、１０ｋＶ／ｍｍ
の高電界強度下でのめっき後の絶縁抵抗が極端に低くな
り好ましくない。したがって、Ｓｉ量ｗは、０．３０≦
ｗ＜１．０の範囲が好ましい。
号１１９のように、Ｓｉ量ｗの値が０．３０未満の場合
には、焼結不足となり、また、試料番号１２０のよう
に、Ｓｉ量ｗの値が１．０の場合には、１０ｋＶ／ｍｍ
の高電界強度下でのめっき後の絶縁抵抗が極端に低くな
り好ましくない。したがって、Ｓｉ量ｗは、０．３０≦
ｗ＜１．０の範囲が好ましい。
【００５７】また、試料番号１１１〜１１４のように、
Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物
に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含有させるこ
とで、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における２５℃、１
５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・Ｆ、３００Ω・Ｆ以上
の積層コンデンサが得られるが、試料番号１２１および
１２２のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量として２０重量部お
よびＺｒＯ2 添加量として１０重量部を超えると、焼結
性が極端に低下する。
Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物
に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含有させるこ
とで、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における２５℃、１
５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・Ｆ、３００Ω・Ｆ以上
の積層コンデンサが得られるが、試料番号１２１および
１２２のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量として２０重量部お
よびＺｒＯ2 添加量として１０重量部を超えると、焼結
性が極端に低下する。
【００５８】（実施例３）誘電体粉末として、表１のＡ
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2
＋０．０２５Ｈｏ2 Ｏ3 ＋０．０１５ＢａＺｒＯ3 ＋
０．０２ＭｇＯ＋０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準
備し、これに、１３００〜１５００℃で加熱して作製し
た表８に示す平均粒径１μｍ以下のＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ
3 −ＭＯ系の酸化物を第２の副成分として添加して、そ
の他は実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサ
を作製した。なお、作製した積層コンデンサの外形寸法
などは、実施例１と同様である。
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2
＋０．０２５Ｈｏ2 Ｏ3 ＋０．０１５ＢａＺｒＯ3 ＋
０．０２ＭｇＯ＋０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準
備し、これに、１３００〜１５００℃で加熱して作製し
た表８に示す平均粒径１μｍ以下のＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ
3 −ＭＯ系の酸化物を第２の副成分として添加して、そ
の他は実施例１と同様にして積層セラミックコンデンサ
を作製した。なお、作製した積層コンデンサの外形寸法
などは、実施例１と同様である。
【００５９】
【表８】
【００６０】次いで、実施例２と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表９に示す。
を測定した。その結果を表９に示す。
【００６１】
【表９】
【００６２】表８および表９から明らかなように、図５
に示すＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系の酸化物の三元組
成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４）、Ｂ（ｘ＝７
０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝５０、ｙ＝３０、
ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４０、ｚ＝５０）、Ｅ
（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ
＝１、ｚ＝３９）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた
領域の内部または線上にある酸化物が添加された試料番
号２０１〜２１０のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で温度に対する静電容量の変化率が、−２
５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格
を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果
が得られる。
に示すＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系の酸化物の三元組
成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４）、Ｂ（ｘ＝７
０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝５０、ｙ＝３０、
ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４０、ｚ＝５０）、Ｅ
（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ
＝１、ｚ＝３９）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた
領域の内部または線上にある酸化物が添加された試料番
号２０１〜２１０のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で温度に対する静電容量の変化率が、−２
５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格
を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果
が得られる。
【００６３】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成
可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成
可能である。
【００６４】さらに、めっき前後のＣＲ積を比べればわ
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｍ
Ｏ系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、試料番号２１
１〜２１６に示すように焼結不足となるか、焼結して
も、めっきによって極端に絶縁抵抗が低下するので好ま
しくない。
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｍ
Ｏ系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、試料番号２１
１〜２１６に示すように焼結不足となるか、焼結して
も、めっきによって極端に絶縁抵抗が低下するので好ま
しくない。
【００６５】（実施例４）実施例１と同様の方法によ
り、表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ 3 ）、第１の副成分としての酸化物粉末、および第２
の副成分としての酸化物粉末を得た。次に、チタン酸バ
リウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するためのＢａＣＯ
3 と、純度９９％以上のＳｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＺ
ｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料
粉末と第１または第２のどちらか一方の副成分である上
記酸化物粉末を表１０および表１１に示す組成になるよ
うに秤量した。なお、第１、第２の副成分の添加量は、
主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ］１００重量部に対する添
加部数である。そして、この秤量物を用いて、実施例１
と同様の方法により、積層セラミックコンデンサを作製
した。また、作製した積層セラミックコンデンサの外形
寸法などは、実施例１と同様である。
り、表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ 3 ）、第１の副成分としての酸化物粉末、および第２
の副成分としての酸化物粉末を得た。次に、チタン酸バ
リウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するためのＢａＣＯ
3 と、純度９９％以上のＳｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、ＢａＺ
ｒＯ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料
粉末と第１または第２のどちらか一方の副成分である上
記酸化物粉末を表１０および表１１に示す組成になるよ
うに秤量した。なお、第１、第２の副成分の添加量は、
主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ］１００重量部に対する添
加部数である。そして、この秤量物を用いて、実施例１
と同様の方法により、積層セラミックコンデンサを作製
した。また、作製した積層セラミックコンデンサの外形
寸法などは、実施例１と同様である。
【００６６】
【表１０】
【００６７】
【表１１】
【００６８】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表１２および表１３に示す。
を測定した。その結果を表１２および表１３に示す。
【００６９】
【表１２】
【００７０】
【表１３】
【００７１】表１０〜表１３から明らかなように、本発
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００７２】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００７３】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ
2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方であり、α、
β、γおよびｇはモル比を表す。）において、試料番号
３０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未満の場合
には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなり
好ましくない。一方、試料番号３０２のようにＭ2 Ｏ3
量αが０．０６を超える場合には、比誘電率が１０００
未満まで小さくなり好ましくない。したがって、Ｍ2 Ｏ
3 量αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好ましい。
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺ
ｒＯ3 ＋γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ（ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ
2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方であり、α、
β、γおよびｇはモル比を表す。）において、試料番号
３０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未満の場合
には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなり
好ましくない。一方、試料番号３０２のようにＭ2 Ｏ3
量αが０．０６を超える場合には、比誘電率が１０００
未満まで小さくなり好ましくない。したがって、Ｍ2 Ｏ
3 量αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好ましい。
【００７４】また、試料番号３０３のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ
3 を含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好
ましくない。一方、試料番号３０４のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特
性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好
ましくない。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００
５≦β≦０．０６の範囲が好ましい。
Ｏ3 量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ
3 を含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好
ましくない。一方、試料番号３０４のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特
性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好
ましくない。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００
５≦β≦０．０６の範囲が好ましい。
【００７５】また、試料番号３０５のように、ＭｇＯ量
γが０．００１の場合、絶縁抵抗すなわちＣＲ積が低
く、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好
ましくない。一方、試料番号３０６のように、ＭｇＯ量
γが０．１２を超えると、焼結温度が高くなり、誘電損
失が２．０％を超え、しかも、平均寿命時間が短くなる
ので好ましくない。したがって、ＭｇＯ量γは０．００
１＜γ≦０．１２の範囲が好ましい。
γが０．００１の場合、絶縁抵抗すなわちＣＲ積が低
く、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好
ましくない。一方、試料番号３０６のように、ＭｇＯ量
γが０．１２を超えると、焼結温度が高くなり、誘電損
失が２．０％を超え、しかも、平均寿命時間が短くなる
ので好ましくない。したがって、ＭｇＯ量γは０．００
１＜γ≦０．１２の範囲が好ましい。
【００７６】また、試料番号３０７のように、ＭｎＯ量
ｇが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号３０８のように、ＭｎＯ
量ｇが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦
０．１２の範囲が好ましい。
ｇが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号３０８のように、ＭｎＯ
量ｇが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦
０．１２の範囲が好ましい。
【００７７】また、試料番号３０９のように、ＭｇＯと
ＭｎＯ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
るので好ましくない。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の
合計γ＋ｇはγ＋ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。ま
た、試料番号３１０のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００未満の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。また、試料番号３１１のように、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、
ＡＣおよびＤＣの破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く
好ましくない。一方、試料番号３１２および３１３のよ
うに、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３５を超えた場
合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。した
がって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．
０３５の範囲が好ましい。
ＭｎＯ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
るので好ましくない。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の
合計γ＋ｇはγ＋ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。ま
た、試料番号３１０のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００未満の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。また、試料番号３１１のように、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、
ＡＣおよびＤＣの破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く
好ましくない。一方、試料番号３１２および３１３のよ
うに、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３５を超えた場
合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。した
がって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．
０３５の範囲が好ましい。
【００７８】また、試料番号３１４および３１６のよう
に、第１の副成分の添加量および第２の副成分の添加量
が０の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくな
い。一方、試料番号３１５および３１７のように、第１
の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が３．０
重量部を超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、ま
た、絶縁抵抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間
も短くなり好ましくない。したがって、第１または第２
の副成分のどちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量
部の範囲が好ましい。
に、第１の副成分の添加量および第２の副成分の添加量
が０の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくな
い。一方、試料番号３１５および３１７のように、第１
の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が３．０
重量部を超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、ま
た、絶縁抵抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間
も短くなり好ましくない。したがって、第１または第２
の副成分のどちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量
部の範囲が好ましい。
【００７９】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号３１８のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例５）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.015 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３５
Ｙ2 Ｏ3 ＋０．０３５ＢａＺｒＯ3 ＋０．０６ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表６に示すのと
同様の平均粒径１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓ
ｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物を第１の副成分として添加し
て、その他は実施例１と同様にして積層セラミックコン
デンサを作製した。なお、作製した積層セラミックコン
デンサの寸法形状は実施例１と同様である。そして、実
施例２と同様にして電気的特性を測定した。その結果を
表１４に示す。なお、表１４において、試料番号４０１
〜４２２は、それぞれ、表６の試料番号１０１〜１２２
に対応しており、たとえば、表１４の試料番号４０１
は、表６の試料番号１０１の副成分を添加して得たもの
である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号３１８のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例５）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.015 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３５
Ｙ2 Ｏ3 ＋０．０３５ＢａＺｒＯ3 ＋０．０６ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表６に示すのと
同様の平均粒径１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓ
ｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物を第１の副成分として添加し
て、その他は実施例１と同様にして積層セラミックコン
デンサを作製した。なお、作製した積層セラミックコン
デンサの寸法形状は実施例１と同様である。そして、実
施例２と同様にして電気的特性を測定した。その結果を
表１４に示す。なお、表１４において、試料番号４０１
〜４２２は、それぞれ、表６の試料番号１０１〜１２２
に対応しており、たとえば、表１４の試料番号４０１
は、表６の試料番号１０１の副成分を添加して得たもの
である。
【００８０】
【表１４】
【００８１】図４に示すｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物の三元組成図のＡ
（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝
１、ｚ＝８０）、Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０）、
Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ＝２０、ｙ
＝７５、ｚ＝５）、Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０）
（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であり、ｗは０．３
０≦ｗ＜１．０の範囲内）で示される各点を結ぶ直線で
囲まれた領域の内部または線上にある酸化物が添加され
た表６の試料番号１０１〜１１４の酸化物を副成分とし
て添加したものは、表１４の試料番号４０１〜４１４に
おいて見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時
の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は１．
０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２５℃
〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満
足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定す
るＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得ら
れる。
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物の三元組成図のＡ
（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝
１、ｚ＝８０）、Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０）、
Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ＝２０、ｙ
＝７５、ｚ＝５）、Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０）
（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であり、ｗは０．３
０≦ｗ＜１．０の範囲内）で示される各点を結ぶ直線で
囲まれた領域の内部または線上にある酸化物が添加され
た表６の試料番号１０１〜１１４の酸化物を副成分とし
て添加したものは、表１４の試料番号４０１〜４１４に
おいて見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時
の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は１．
０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２５℃
〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満
足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定す
るＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得ら
れる。
【００８２】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００８３】さらに、めっき前後のＣＲ積を比べればわ
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表６の試料番号１１５〜１
１８のように、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3−（Ｓｉw Ｔ
ｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、表
１４の試料番号４１５〜４１８において見られるよう
に、焼結不足となるか、焼結しても、めっきによって極
端に絶縁抵抗が低下して好ましくない。
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表６の試料番号１１５〜１
１８のように、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3−（Ｓｉw Ｔ
ｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、表
１４の試料番号４１５〜４１８において見られるよう
に、焼結不足となるか、焼結しても、めっきによって極
端に絶縁抵抗が低下して好ましくない。
【００８４】また、上記組成範囲内にあっても、表６の
試料番号１１９のように、Ｓｉ量ｗの値が０．３０未満
の場合には、表１４の試料番号４１９において見られる
ように、焼結不足となり、また、表６の試料番号１２０
のように、Ｓｉ量ｗの値が１．０の場合には、表１４の
試料番号４２０において見られるように、１０ｋＶ／ｍ
ｍの高電界強度下でのめっき後の絶縁抵抗が極端に低く
なり好ましくない。したがって、Ｓｉ量ｗは、０．３０
≦ｗ＜１．０の範囲が好ましい。
試料番号１１９のように、Ｓｉ量ｗの値が０．３０未満
の場合には、表１４の試料番号４１９において見られる
ように、焼結不足となり、また、表６の試料番号１２０
のように、Ｓｉ量ｗの値が１．０の場合には、表１４の
試料番号４２０において見られるように、１０ｋＶ／ｍ
ｍの高電界強度下でのめっき後の絶縁抵抗が極端に低く
なり好ましくない。したがって、Ｓｉ量ｗは、０．３０
≦ｗ＜１．０の範囲が好ましい。
【００８５】また、表６の試料番号１１１〜１１４のよ
うに、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸
化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含有させ
ることで、表１４の試料番号４１１〜４１４において見
られるように、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における２
５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５３９０Ω・Ｆ、２９０Ω
・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、表６の試料番
号１２１および１２２のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量とし
て２０重量部およびＺｒＯ2 添加量として１０重量部を
超えると、表１４の試料番号４２１および４２２におい
て見られるように、焼結性が極端に低下する。
うに、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸
化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含有させ
ることで、表１４の試料番号４１１〜４１４において見
られるように、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における２
５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５３９０Ω・Ｆ、２９０Ω
・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、表６の試料番
号１２１および１２２のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量とし
て２０重量部およびＺｒＯ2 添加量として１０重量部を
超えると、表１４の試料番号４２１および４２２におい
て見られるように、焼結性が極端に低下する。
【００８６】（実施例６）誘電体粉末として、表１のＡ
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.015 ・ＴｉＯ2
＋０．０３５Ｓｃ2 Ｏ3 ＋０．０３５ＢａＺｒＯ3 ＋
０．０６ＭｇＯ＋０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準
備し、これに、１３００〜１５００℃で加熱して作製し
た表８に示すのと同様の平均粒径１μｍ以下のＢ2 Ｏ3
−Ａｌ2 Ｏ3−ＭＯ系の酸化物を第２の副成分として添
加して、その他は実施例１と同様にして積層セラミック
コンデンサを作製した。作製した積層コンデンサの外形
寸法などは、実施例１と同様である。そして、実施例２
と同様にして電気的特性を測定した。その結果を表１５
に示す。なお、表１５において、試料番号５０１〜５１
６は、それぞれ、表８の試料番号２０１〜２１６に対応
しており、たとえば、表１５の試料番号５０１は、表８
の試料番号２０１の副成分を添加して得たものである。
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.015 ・ＴｉＯ2
＋０．０３５Ｓｃ2 Ｏ3 ＋０．０３５ＢａＺｒＯ3 ＋
０．０６ＭｇＯ＋０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準
備し、これに、１３００〜１５００℃で加熱して作製し
た表８に示すのと同様の平均粒径１μｍ以下のＢ2 Ｏ3
−Ａｌ2 Ｏ3−ＭＯ系の酸化物を第２の副成分として添
加して、その他は実施例１と同様にして積層セラミック
コンデンサを作製した。作製した積層コンデンサの外形
寸法などは、実施例１と同様である。そして、実施例２
と同様にして電気的特性を測定した。その結果を表１５
に示す。なお、表１５において、試料番号５０１〜５１
６は、それぞれ、表８の試料番号２０１〜２１６に対応
しており、たとえば、表１５の試料番号５０１は、表８
の試料番号２０１の副成分を添加して得たものである。
【００８７】
【表１５】
【００８８】図５に示すＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系
の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４
０、ｚ＝５０）、Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７
０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にある酸
化物が添加された表８の試料番号２０１〜２１０の酸化
物を副成分として添加したものは、表１５の試料番号５
０１〜５１０において見られるように、５ｋＶ／ｍｍの
ＤＣ電圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、
誘電損失は１．０％以下で温度に対する静電容量の変化
率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定する
Ｂ特性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥ
ＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好
ましい結果が得られる。
の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４
０、ｚ＝５０）、Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７
０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にある酸
化物が添加された表８の試料番号２０１〜２１０の酸化
物を副成分として添加したものは、表１５の試料番号５
０１〜５１０において見られるように、５ｋＶ／ｍｍの
ＤＣ電圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、
誘電損失は１．０％以下で温度に対する静電容量の変化
率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定する
Ｂ特性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥ
ＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好
ましい結果が得られる。
【００８９】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００９０】さらに、めっき前後のＣＲ積を比べればわ
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表８の試料番号２１１〜２
１６のように、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ 3 −ＭＯ系の酸化物
が上記組成範囲外の場合は、表１５の試料番号５１１〜
５１６において見られるように、焼結不足となるか、焼
結しても、めっきによって極端に絶縁抵抗が低下するの
で好ましくない。
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表８の試料番号２１１〜２
１６のように、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ 3 −ＭＯ系の酸化物
が上記組成範囲外の場合は、表１５の試料番号５１１〜
５１６において見られるように、焼結不足となるか、焼
結しても、めっきによって極端に絶縁抵抗が低下するの
で好ましくない。
【００９１】（実施例７）実施例１と同様の方法によ
り、表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ 3 ）、第１の副成分としての酸化物粉末、および第２
の副成分としての酸化物粉末を得た。次に、チタン酸バ
リウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するためのＢａＣＯ
3 と、純度９９％以上のＳｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｕ2
Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ 3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、ＢａＺｒ
Ｏ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料粉
末と第１または第２のどちらか一方の副成分である上記
酸化物粉末を表１６および表１７に示す組成になるよう
に秤量した。なお、第１、第２の副成分の添加量は、主
成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3
＋γＢａＺｒＯ 3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ］１００重量部
に対する添加部数である。そして、この秤量物を用い
て、実施例１と同様の方法により、積層セラミックコン
デンサを作製した。また、作製した積層セラミックコン
デンサの外形寸法などは、実施例１と同様である。
り、表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ 3 ）、第１の副成分としての酸化物粉末、および第２
の副成分としての酸化物粉末を得た。次に、チタン酸バ
リウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するためのＢａＣＯ
3 と、純度９９％以上のＳｃ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 、Ｅｕ2
Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ 3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、ＢａＺｒ
Ｏ3 、ＭｇＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料粉
末と第１または第２のどちらか一方の副成分である上記
酸化物粉末を表１６および表１７に示す組成になるよう
に秤量した。なお、第１、第２の副成分の添加量は、主
成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3
＋γＢａＺｒＯ 3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ］１００重量部
に対する添加部数である。そして、この秤量物を用い
て、実施例１と同様の方法により、積層セラミックコン
デンサを作製した。また、作製した積層セラミックコン
デンサの外形寸法などは、実施例１と同様である。
【００９２】
【表１６】
【００９３】
【表１７】
【００９４】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表１８および表１９に示す。
を測定した。その結果を表１８および表１９に示す。
【００９５】
【表１８】
【００９６】
【表１９】
【００９７】表１６〜表１９から明らかなように、本発
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００９８】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００９９】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ
3 ＋γＢａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ（ただし、Ｍ
2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方、
Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 および
Ｄｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種であり、
α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表す。）において、
試料番号６０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足し
なくなり好ましくない。一方、試料番号６０２のように
Ｍ2 Ｏ3 量αが０．０５を超える場合には、比誘電率が
１０００未満まで小さくなり好ましくない。したがっ
て、Ｍ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．０５の範囲が
好ましい。
明する。｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ
3 ＋γＢａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ（ただし、Ｍ
2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少なくとも一方、
Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 および
Ｄｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種であり、
α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表す。）において、
試料番号６０１のように、Ｍ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足し
なくなり好ましくない。一方、試料番号６０２のように
Ｍ2 Ｏ3 量αが０．０５を超える場合には、比誘電率が
１０００未満まで小さくなり好ましくない。したがっ
て、Ｍ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．０５の範囲が
好ましい。
【０１００】また、試料番号６０３のように、Ｒ2 Ｏ3
量βが０．００１未満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ
積が小さくなるので好ましくない。一方、試料番号６０
４のようにＲ2 Ｏ3 量βが０．０５を超える場合には、
温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪
くなるので好ましくない。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量βは
０．００１≦β≦０．０５の範囲が好ましい。
量βが０．００１未満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ
積が小さくなるので好ましくない。一方、試料番号６０
４のようにＲ2 Ｏ3 量βが０．０５を超える場合には、
温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪
くなるので好ましくない。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量βは
０．００１≦β≦０．０５の範囲が好ましい。
【０１０１】また、試料番号６０５のように、Ｍ2 Ｏ3
とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋βが０．０６を超えると、誘電
損失が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短
くなる。したがって、Ｍ2 Ｏ3 とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋
βはα＋β≦０．０６の範囲が好ましい。また、試料番
号６０６のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０の場合には、
絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を含む系よりも絶縁抵抗
の電圧依存性が大きいので好ましくない。一方、試料番
号６０７のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０．０６を超え
た場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せ
ず、平均寿命時間が短いので好ましくない。したがっ
て、ＢａＺｒＯ3 量γは０．００５≦γ≦０．０６の範
囲が好ましい。
とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋βが０．０６を超えると、誘電
損失が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短
くなる。したがって、Ｍ2 Ｏ3 とＲ2 Ｏ3 量の合計α＋
βはα＋β≦０．０６の範囲が好ましい。また、試料番
号６０６のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０の場合には、
絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を含む系よりも絶縁抵抗
の電圧依存性が大きいので好ましくない。一方、試料番
号６０７のように、ＢａＺｒＯ3 量γが０．０６を超え
た場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足せ
ず、平均寿命時間が短いので好ましくない。したがっ
て、ＢａＺｒＯ3 量γは０．００５≦γ≦０．０６の範
囲が好ましい。
【０１０２】また、試料番号６０８のように、ＭｇＯ量
ｇが０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ
特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一
方、試料番号６０９のように、ＭｇＯ量ｇが０．１２を
超えると、焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を
超え、しかも、平均寿命時間が短くなるので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．１
２の範囲が好ましい。
ｇが０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ
特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一
方、試料番号６０９のように、ＭｇＯ量ｇが０．１２を
超えると、焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を
超え、しかも、平均寿命時間が短くなるので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．１
２の範囲が好ましい。
【０１０３】また、試料番号６１０のように、ＭｎＯ量
ｈが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号６１１のように、ＭｎＯ
量ｈが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｈは０．００１＜ｈ≦
０．１２の範囲が好ましい。
ｈが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号６１１のように、ＭｎＯ
量ｈが０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量ｈは０．００１＜ｈ≦
０．１２の範囲が好ましい。
【０１０４】また、試料番号６１２のように、ＭｇＯと
ＭｎＯ量の合計ｇ＋ｈが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
るので好ましくない。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の
合計ｇ＋ｈはｇ＋ｈ≦０．１３の範囲が好ましい。ま
た、試料番号６１３のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００未満の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。また、試料番号６１４のように、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、
ＡＣおよびＤＣの破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く
好ましくない。一方、試料番号６１５および６１６のよ
うに、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３５を超えた場
合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。した
がって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．
０３５の範囲が好ましい。
ＭｎＯ量の合計ｇ＋ｈが０．１３を超えると、誘電損失
が２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
るので好ましくない。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の
合計ｇ＋ｈはｇ＋ｈ≦０．１３の範囲が好ましい。ま
た、試料番号６１３のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００未満の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。また、試料番号６１４のように、ＢａＯ
／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、
ＡＣおよびＤＣの破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く
好ましくない。一方、試料番号６１５および６１６のよ
うに、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３５を超えた場
合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。した
がって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．
０３５の範囲が好ましい。
【０１０５】また、試料番号６１７および６１９のよう
に、第１の副成分の添加量および第２の副成分の添加量
が０の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくな
い。一方、試料番号６１８および６２０のように、第１
の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が３．０
重量部を超えた場合、誘電損失が２．０％を超え、ま
た、絶縁抵抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間
も短くなり好ましくない。したがって、第１または第２
の副成分のどちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量
部の範囲が好ましい。
に、第１の副成分の添加量および第２の副成分の添加量
が０の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくな
い。一方、試料番号６１８および６２０のように、第１
の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が３．０
重量部を超えた場合、誘電損失が２．０％を超え、ま
た、絶縁抵抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間
も短くなり好ましくない。したがって、第１または第２
の副成分のどちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量
部の範囲が好ましい。
【０１０６】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号６２１のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例８）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０１２
Ｙ2 Ｏ3 ＋０．００８Ｇｄ2 Ｏ3 ＋０．０１ＢａＺｒＯ
3 ＋０．０６ＭｇＯ＋０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料
を準備し、これに、１２００〜１５００℃で加熱して作
製した表６に示すのと同様の平均粒径１μｍ以下のＬｉ
2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物を第１
の副成分として添加して、その他は実施例１と同様にし
て積層セラミックコンデンサを作製した。なお、作製し
た積層セラミックコンデンサの寸法形状は実施例１と同
様である。そして、実施例２と同様にして電気的特性を
測定した。その結果を表２０に示す。なお、表２０にお
いて、試料番号７０１〜７２２は、それぞれ、表６の試
料番号１０１〜１２２に対応しており、たとえば、表２
０の試料番号７０１は、表６の試料番号１０１の副成分
を添加して得たものである。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号６２１のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例８）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０１２
Ｙ2 Ｏ3 ＋０．００８Ｇｄ2 Ｏ3 ＋０．０１ＢａＺｒＯ
3 ＋０．０６ＭｇＯ＋０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料
を準備し、これに、１２００〜１５００℃で加熱して作
製した表６に示すのと同様の平均粒径１μｍ以下のＬｉ
2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物を第１
の副成分として添加して、その他は実施例１と同様にし
て積層セラミックコンデンサを作製した。なお、作製し
た積層セラミックコンデンサの寸法形状は実施例１と同
様である。そして、実施例２と同様にして電気的特性を
測定した。その結果を表２０に示す。なお、表２０にお
いて、試料番号７０１〜７２２は、それぞれ、表６の試
料番号１０１〜１２２に対応しており、たとえば、表２
０の試料番号７０１は、表６の試料番号１０１の副成分
を添加して得たものである。
【０１０７】
【表２０】
【０１０８】図４に示すｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ2 Ｏ3 −ｚ
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物の三元組成図のＡ
（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝
１、ｚ＝８０）、Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０）、
Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ＝２０、ｙ
＝７５、ｚ＝５）、Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０）
（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であり、ｗは０．３
０≦ｗ＜１．０の範囲内）で示される各点を結ぶ直線で
囲まれた領域の内部または線上にある酸化物が添加され
た表６の試料番号１０１〜１１４の酸化物を副成分とし
て添加したものは、表２０の試料番号７０１〜７１４に
おいて見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時
の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は１．
０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２５℃
〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満
足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定す
るＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得ら
れる。
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物の三元組成図のＡ
（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０）、Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝
１、ｚ＝８０）、Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０）、
Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５）、Ｅ（ｘ＝２０、ｙ
＝７５、ｚ＝５）、Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０）
（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であり、ｗは０．３
０≦ｗ＜１．０の範囲内）で示される各点を結ぶ直線で
囲まれた領域の内部または線上にある酸化物が添加され
た表６の試料番号１０１〜１１４の酸化物を副成分とし
て添加したものは、表２０の試料番号７０１〜７１４に
おいて見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時
の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は１．
０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２５℃
〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満
足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定す
るＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得ら
れる。
【０１０９】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【０１１０】さらに、めっき前後のＣＲ積を比べればわ
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表６の試料番号１１５〜１
１８のように、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3−（Ｓｉw Ｔ
ｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、表
２０の試料番号７１５〜７１８において見られるよう
に、焼結不足となるか、焼結しても、めっきによって極
端に絶縁抵抗が低下して好ましくない。
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表６の試料番号１１５〜１
１８のように、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3−（Ｓｉw Ｔ
ｉ1-w ）Ｏ2 系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、表
２０の試料番号７１５〜７１８において見られるよう
に、焼結不足となるか、焼結しても、めっきによって極
端に絶縁抵抗が低下して好ましくない。
【０１１１】また、上記組成範囲内にあっても、表６の
試料番号１１９のように、Ｓｉ量ｗの値が０．３０未満
の場合には、表２０の試料番号７１９において見られる
ように、焼結不足となり、また、表６の試料番号１２０
のように、Ｓｉ量ｗの値が１．０の場合には、表２０の
試料番号７２０において見られるように、１０ｋＶ／ｍ
ｍの高電界強度下でのめっき後の絶縁抵抗が極端に低く
なり好ましくない。したがって、Ｓｉ量ｗは、０．３０
≦ｗ＜１．０の範囲が好ましい。
試料番号１１９のように、Ｓｉ量ｗの値が０．３０未満
の場合には、表２０の試料番号７１９において見られる
ように、焼結不足となり、また、表６の試料番号１２０
のように、Ｓｉ量ｗの値が１．０の場合には、表２０の
試料番号７２０において見られるように、１０ｋＶ／ｍ
ｍの高電界強度下でのめっき後の絶縁抵抗が極端に低く
なり好ましくない。したがって、Ｓｉ量ｗは、０．３０
≦ｗ＜１．０の範囲が好ましい。
【０１１２】また、表６の試料番号１１１〜１１４のよ
うに、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸
化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含有させ
ることで、表２０の試料番号７１１〜７１４において見
られるように、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における２
５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・Ｆ、３００Ω
・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、表６の試料番
号１２１および１２２のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量とし
て２０重量部およびＺｒＯ2 添加量として１０重量部を
超えると、表２０の試料番号７２１および７２２におい
て見られるように、焼結性が極端に低下する。
うに、Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸
化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含有させ
ることで、表２０の試料番号７１１〜７１４において見
られるように、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における２
５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・Ｆ、３００Ω
・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、表６の試料番
号１２１および１２２のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量とし
て２０重量部およびＺｒＯ2 添加量として１０重量部を
超えると、表２０の試料番号７２１および７２２におい
て見られるように、焼結性が極端に低下する。
【０１１３】（実施例９）誘電体粉末として、表１のＡ
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2
＋０．０１８Ｙ2 Ｏ3 ＋０．００２Ｅｕ2 Ｏ3 ＋０．０
１ＢａＺｒＯ3 ＋０．０４ＭｇＯ＋０．００９ＭｎＯ
（モル比）の原料を準備し、これに、１３００〜１５０
０℃で加熱して作製した表８に示すのと同様の平均粒径
１μｍ以下のＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系の酸化物を
第２の副成分として添加して、その他は実施例１と同様
にして積層セラミックコンデンサを作製した。作製した
積層コンデンサの外形寸法などは、実施例１と同様であ
る。そして、実施例２と同様にして電気的特性を測定し
た。その結果を表２１に示す。なお、表２１において、
試料番号８０１〜８１６は、それぞれ、表８の試料番号
２０１〜２１６に対応しており、たとえば、表２１の試
料番号８０１は、表８の試料番号２０１の副成分を添加
して得たものである。
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2
＋０．０１８Ｙ2 Ｏ3 ＋０．００２Ｅｕ2 Ｏ3 ＋０．０
１ＢａＺｒＯ3 ＋０．０４ＭｇＯ＋０．００９ＭｎＯ
（モル比）の原料を準備し、これに、１３００〜１５０
０℃で加熱して作製した表８に示すのと同様の平均粒径
１μｍ以下のＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系の酸化物を
第２の副成分として添加して、その他は実施例１と同様
にして積層セラミックコンデンサを作製した。作製した
積層コンデンサの外形寸法などは、実施例１と同様であ
る。そして、実施例２と同様にして電気的特性を測定し
た。その結果を表２１に示す。なお、表２１において、
試料番号８０１〜８１６は、それぞれ、表８の試料番号
２０１〜２１６に対応しており、たとえば、表２１の試
料番号８０１は、表８の試料番号２０１の副成分を添加
して得たものである。
【０１１４】
【表２１】
【０１１５】図５に示すＢ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系
の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４
０、ｚ＝５０）、Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７
０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にある酸
化物が添加された表８の試料番号２０１〜２１０の酸化
物を副成分として添加したものは、表２１の試料番号８
０１〜８１０において見られるように、５ｋＶ／ｍｍの
ＤＣ電圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、
誘電損失は１．０％以下で温度に対する静電容量の変化
率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定する
Ｂ特性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥ
ＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好
ましい結果が得られる。
の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４
０、ｚ＝５０）、Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７
０）、Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にある酸
化物が添加された表８の試料番号２０１〜２１０の酸化
物を副成分として添加したものは、表２１の試料番号８
０１〜８１０において見られるように、５ｋＶ／ｍｍの
ＤＣ電圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、
誘電損失は１．０％以下で温度に対する静電容量の変化
率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定する
Ｂ特性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥ
ＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好
ましい結果が得られる。
【０１１６】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【０１１７】さらに、めっき前後のＣＲ積を比べればわ
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表８の試料番号２１１〜２
１６のように、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ 3 −ＭＯ系の酸化物
が上記組成範囲外の場合は、表２１の試料番号８１１〜
８１６において見られるように、焼結不足となるか、焼
結しても、めっきによって極端に絶縁抵抗が低下するの
で好ましくない。
かるように、めっきを施しても、電気的特性が実質的に
劣化しない。これに対して、表８の試料番号２１１〜２
１６のように、Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ 3 −ＭＯ系の酸化物
が上記組成範囲外の場合は、表２１の試料番号８１１〜
８１６において見られるように、焼結不足となるか、焼
結しても、めっきによって極端に絶縁抵抗が低下するの
で好ましくない。
【０１１８】以上、各実施例では、チタン酸バリウムと
して、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに限
定するものではなく、たとえばアルコキシド法あるいは
水熱合成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用
いてもよい。これらの粉末を用いることにより、積層セ
ラミックコンデンサの特性が、前述の各実施例で示した
特性よりも向上することもあり得る。
して、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに限
定するものではなく、たとえばアルコキシド法あるいは
水熱合成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用
いてもよい。これらの粉末を用いることにより、積層セ
ラミックコンデンサの特性が、前述の各実施例で示した
特性よりも向上することもあり得る。
【０１１９】また、出発原料として、Ｓｃ2 Ｏ3 、Ｙ2
Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＢａＺｒＯ3 などの酸化物粉
末を用いたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、この発明の範囲の誘電体セラミック層を構成するよ
うに配合すれば、アルコキシド、有機金属などの溶液を
用いても、得られる特性を何ら損なうものではない。
Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ
2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＢａＺｒＯ3 などの酸化物粉
末を用いたが、本発明はこれに限定されるものではな
く、この発明の範囲の誘電体セラミック層を構成するよ
うに配合すれば、アルコキシド、有機金属などの溶液を
用いても、得られる特性を何ら損なうものではない。
【０１２０】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係る誘電体磁器組成物によれば、還元雰囲気中で焼成し
ても還元されず、半導体化せず、しかも１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能である。したがって、この誘電
体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いて、積層
セラミックコンデンサを構成するようにすれば、電極材
料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用
いることができるので、積層セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
係る誘電体磁器組成物によれば、還元雰囲気中で焼成し
ても還元されず、半導体化せず、しかも１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能である。したがって、この誘電
体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いて、積層
セラミックコンデンサを構成するようにすれば、電極材
料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用
いることができるので、積層セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
【０１２１】また、この誘電体磁器組成物を用いた積層
セラミックコンデンサは、従来の内部電極にニッケルま
たはニッケル合金を用いた積層セラミックコンデンサで
は絶縁抵抗が低く、信頼性が確保できなかった１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用した場合に、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温および１
５０℃での絶縁抵抗がそれぞれ５０００Ω・Ｆ、２００
Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５
ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４
５％以下と小さく、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特
性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規
定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／
ｍｍ印加の高温負荷などの耐候性能に優れた積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
セラミックコンデンサは、従来の内部電極にニッケルま
たはニッケル合金を用いた積層セラミックコンデンサで
は絶縁抵抗が低く、信頼性が確保できなかった１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用した場合に、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温および１
５０℃での絶縁抵抗がそれぞれ５０００Ω・Ｆ、２００
Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、５
ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対値が４
５％以下と小さく、絶縁耐力が高く、静電容量の温度特
性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で規
定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃、ＤＣ２５ｋＶ／
ｍｍ印加の高温負荷などの耐候性能に優れた積層セラミ
ックコンデンサを得ることができる。
【０１２２】また、本発明に係る誘電体磁器組成物を用
いた積層セラミックコンデンサは、めっき液によって電
気的特性の劣化を招くことが実質的にないので、表面実
装に好適に対応させるための半田等のめっきを外部電極
に施すことを問題なく行なうことができる。
いた積層セラミックコンデンサは、めっき液によって電
気的特性の劣化を招くことが実質的にないので、表面実
装に好適に対応させるための半田等のめっきを外部電極
に施すことを問題なく行なうことができる。
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックコン
デンサを示す断面図である。
デンサを示す断面図である。
【図２】図１の積層セラミックコンデンサのうち内部電
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
【図３】図１の積層セラミックコンデンサのうちセラミ
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
【図４】Ｌｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2
系の酸化物の三元組成図である。
系の酸化物の三元組成図である。
【図５】Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系の酸化物の三元
組成図である。
組成図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ａ，２ｂ 誘電体セラミック層 ３ セラミック積層体 ４ 内部電極 ５ 外部電極 ６，７ めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 秀彦 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (9)
- 【請求項１】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、
酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムお
よび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１
種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸
化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、 ０．００１≦α≦０．０６ ０．００５≦β≦０．０６ ０．００１＜γ≦０．１２ ０．００１＜ｇ≦０．１２ γ＋ｇ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔ
ｉ）Ｏ2 系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少
なくとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１
または第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１０
０重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有している
ことを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムお
よび酸化イットリウムの少なくとも一方と、ジルコン酸
バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとから
なり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方であり、α、β、γおよびｇはモル比を表
し、 ０．００１≦α≦０．０６ ０．００５≦β≦０．０６ ０．００１＜γ≦０．１２ ０．００１＜ｇ≦０．１２ γ＋ｇ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔ
ｉ）Ｏ2 系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少
なくとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１
または第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１０
０重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有している
ことを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化スカンジウムお
よび酸化イットリウムの少なくとも一方と、酸化ユーロ
ピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウムおよび酸化
ジスプロシウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジ
ルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガ
ンとからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＭ2 Ｏ3 ＋βＲ2 Ｏ3 ＋γＢ
ａＺｒＯ3 ＋ｇＭｇＯ＋ｈＭｎＯ （ただし、Ｍ2 Ｏ3 はＳｃ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の少な
くとも一方、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 およびＤｙ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１
種であり、α、β、γ、ｇおよびｈはモル比を表し、 ０．００１≦α≦０．０５ ０．００１≦β≦０．０５ ０．００５≦γ≦０．０６ ０．００１＜ｇ≦０．１２ ０．００１＜ｈ≦０．１２ α＋β≦０．０６ ｇ＋ｈ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔ
ｉ）Ｏ2 系の酸化物とし、第２の副成分をＢ2 Ｏ3 −Ａ
ｌ2 Ｏ3 −ＭＯ系（ただし、ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少
なくとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１
または第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１０
０重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有している
ことを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記第１の副成分は、ｘＬｉ2 Ｏ−ｙＢ
2 Ｏ3 −ｚ（ＳｉwＴｉ1-w ）Ｏ2 （ただし、ｘ、ｙお
よびｚはモル％であり、ｗは０．３０≦ｗ＜１．０の範
囲内にある。）で表したとき、それぞれの成分を頂点と
する三元組成図の Ａ（ｘ＝０、ｙ＝２０、ｚ＝８０） Ｂ（ｘ＝１９、ｙ＝１、ｚ＝８０） Ｃ（ｘ＝４９、ｙ＝１、ｚ＝５０） Ｄ（ｘ＝４５、ｙ＝５０、ｚ＝５） Ｅ（ｘ＝２０、ｙ＝７５、ｚ＝５） Ｆ（ｘ＝０、ｙ＝８０、ｚ＝２０） で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または
線上にあることを特徴とする、請求項１ないし３のいず
れかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記第１の副成分中には、前記Ｌｉ2 Ｏ
−Ｂ2 Ｏ3 −（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 系の酸化物１００重量
部に対してＡｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方
を合計で２０重量部以下（ただし、ＺｒＯ2 は１０重量
部以下）含有することを特徴とする、請求項４に記載の
誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記第２の副成分は、ｘＢ2 Ｏ3 −ｙＡ
ｌ2 Ｏ3 −ｚＭＯ（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％で
ある。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三
元組成図の Ａ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４） Ｂ（ｘ＝７０、ｙ＝２０、ｚ＝１０） Ｃ（ｘ＝５０、ｙ＝３０、ｚ＝２０） Ｄ（ｘ＝１０、ｙ＝４０、ｚ＝５０） Ｅ（ｘ＝１０、ｙ＝２０、ｚ＝７０） Ｆ（ｘ＝６０、ｙ＝１、ｚ＝３９） で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または
線上にあることを特徴とする、請求項１ないし３のいず
れかに記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 複数の誘電体セラミック層と、該誘電体
セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に
電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が請求
項１ないし６のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構
成され、前記内部電極がニッケルまたはニッケル合金で
構成されていることを特徴とする、積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項８】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層を
備えることを特徴とする、請求項７に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項９】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層か
らなる第１層と、その上のめっき層からなる第２層とを
備えることを特徴とする、請求項７または８に記載の積
層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13173598A JP4491842B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13173598A JP4491842B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11322416A true JPH11322416A (ja) | 1999-11-24 |
| JP4491842B2 JP4491842B2 (ja) | 2010-06-30 |
Family
ID=15064979
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13173598A Expired - Lifetime JP4491842B2 (ja) | 1998-05-14 | 1998-05-14 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4491842B2 (ja) |
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| US6809052B2 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-26 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition and electronic device |
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1998
- 1998-05-14 JP JP13173598A patent/JP4491842B2/ja not_active Expired - Lifetime
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