JPH10172856A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH10172856A JPH10172856A JP8326912A JP32691296A JPH10172856A JP H10172856 A JPH10172856 A JP H10172856A JP 8326912 A JP8326912 A JP 8326912A JP 32691296 A JP32691296 A JP 32691296A JP H10172856 A JPH10172856 A JP H10172856A
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
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- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 低コストの小型大容量の積層セラミックコン
デンサを提供する。 【解決手段】 次の組成式、(1-α-β){BaO}m・TiO2+αR
e2O3+β(Mn1-x-yNixCoy)O(ただし、Re2O3は、Y2O3,Tb2O
3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Yb2O3の中から選ばれる少なくと
も1種類以上、α,β,m,x,yは、0.0025≦α≦0.025、0.0
025≦β≦0.05、β/α≦4、0≦x＜1.0、0≦y＜1.0、0≦
x+y＜1.0、1.000＜m≦1.035)で表される主成分100モル
に対して、副成分として、酸化マグネシウムをMgOに換
算して0.1〜3.0モル添加含有し、さらに前記主成分およ
び前記酸化マグネシウムの合計を100重量部として、Al2
O3-MO-B2O3系(ただし、MOは、BaO,CaO,SrO,MgO,ZnO,MnO
の中から選ばれる少なくとも1種類以上の酸化物)の酸化
物ガラスを0.2〜3.0重量部含有した材料によって構成さ
れる積層セラミックコンデンサである。
デンサを提供する。 【解決手段】 次の組成式、(1-α-β){BaO}m・TiO2+αR
e2O3+β(Mn1-x-yNixCoy)O(ただし、Re2O3は、Y2O3,Tb2O
3,Dy2O3,Ho2O3,Er2O3,Yb2O3の中から選ばれる少なくと
も1種類以上、α,β,m,x,yは、0.0025≦α≦0.025、0.0
025≦β≦0.05、β/α≦4、0≦x＜1.0、0≦y＜1.0、0≦
x+y＜1.0、1.000＜m≦1.035)で表される主成分100モル
に対して、副成分として、酸化マグネシウムをMgOに換
算して0.1〜3.0モル添加含有し、さらに前記主成分およ
び前記酸化マグネシウムの合計を100重量部として、Al2
O3-MO-B2O3系(ただし、MOは、BaO,CaO,SrO,MgO,ZnO,MnO
の中から選ばれる少なくとも1種類以上の酸化物)の酸化
物ガラスを0.2〜3.0重量部含有した材料によって構成さ
れる積層セラミックコンデンサである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子機器に用い
られるセラミックコンデンサ、特にニッケルあるいはニ
ッケル合金からなる内部電極を有する積層セラミックコ
ンデンサに関する。
られるセラミックコンデンサ、特にニッケルあるいはニ
ッケル合金からなる内部電極を有する積層セラミックコ
ンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサの
製造工程は、以下のようなものが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体セラミック材料が準備される。誘電体セラミッ
ク材料としては、たとえばＢａＴｉＯ3を主成分とする
材料が用いられる。次に、この電極材料を塗布したシー
ト状の誘電体セラミック材料を積層して熱圧着し、一体
化したものを自然雰囲気中において１２５０〜１３５０
℃で焼成することで、内部電極を有する誘電体セラミッ
クが得られる。そして、この誘電体セラミックの端面
に、内部電極と導通する外部電極を焼き付けることによ
り、積層セラミックコンデンサが得られる。
製造工程は、以下のようなものが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体セラミック材料が準備される。誘電体セラミッ
ク材料としては、たとえばＢａＴｉＯ3を主成分とする
材料が用いられる。次に、この電極材料を塗布したシー
ト状の誘電体セラミック材料を積層して熱圧着し、一体
化したものを自然雰囲気中において１２５０〜１３５０
℃で焼成することで、内部電極を有する誘電体セラミッ
クが得られる。そして、この誘電体セラミックの端面
に、内部電極と導通する外部電極を焼き付けることによ
り、積層セラミックコンデンサが得られる。
【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。 （ａ）誘電体セラミックと内部電極とが同時に焼成され
るので、誘電体セラミックが焼成される温度以上の融点
を有すること。 （ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸化されず、し
かも誘電体セラミックと反応しないこと。 このような条件を満足させる電極としては、白金、金、
パラジウムあるいは銀−パラジウム合金などのような貴
金属が用いられてきた。しかしながら、これらの電極材
料は優れた特性を有する反面、高価であった。そのた
め、積層セラミックコンデンサに占める電極材料費の割
合が高くなり、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。
のような条件を満たす必要がある。 （ａ）誘電体セラミックと内部電極とが同時に焼成され
るので、誘電体セラミックが焼成される温度以上の融点
を有すること。 （ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸化されず、し
かも誘電体セラミックと反応しないこと。 このような条件を満足させる電極としては、白金、金、
パラジウムあるいは銀−パラジウム合金などのような貴
金属が用いられてきた。しかしながら、これらの電極材
料は優れた特性を有する反面、高価であった。そのた
め、積層セラミックコンデンサに占める電極材料費の割
合が高くなり、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。
【０００４】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏ等の卑金属があるが、これら
の卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化されて
しまい、電極としての役目を果たさなくなってしまう。
そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデンサ
の内部電極として使用するためには、誘電体セラミック
とともに中性または還元性雰囲気中で焼成する必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体セラミック材料では、
このような中性または還元性雰囲気で焼成すると著しく
還元してしまい、半導体化してしまうという欠点があっ
た。
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏ等の卑金属があるが、これら
の卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化されて
しまい、電極としての役目を果たさなくなってしまう。
そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデンサ
の内部電極として使用するためには、誘電体セラミック
とともに中性または還元性雰囲気中で焼成する必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体セラミック材料では、
このような中性または還元性雰囲気で焼成すると著しく
還元してしまい、半導体化してしまうという欠点があっ
た。
【０００５】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体セラミ
ック材料や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示され
るように、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎｄ，Ｓ
ｍ，Ｄｙ，Ｙ等の希土類酸化物を添加した誘電体セラミ
ック材料が提案されてきた。
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体セラミ
ック材料や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示され
るように、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎｄ，Ｓ
ｍ，Ｄｙ，Ｙ等の希土類酸化物を添加した誘電体セラミ
ック材料が提案されてきた。
【０００６】また、誘電率の温度変化を小さくしたもの
として、たとえば特開昭６２−２５６４２２号公報に示
されるＢａＴｉＯ3−ＣａＺｒＯ3−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の
組成や、特公昭６１−１４６１１号公報に示されるＢａ
ＴｉＯ3−（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系の組成の誘電体セラミック材料が提案されてき
た。
として、たとえば特開昭６２−２５６４２２号公報に示
されるＢａＴｉＯ3−ＣａＺｒＯ3−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の
組成や、特公昭６１−１４６１１号公報に示されるＢａ
ＴｉＯ3−（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2Ｏ3−Ｓ
ｉＯ2系の組成の誘電体セラミック材料が提案されてき
た。
【０００７】このような誘電体セラミック材料を使用す
ることによって、還元性雰囲気で焼成しても半導体化し
ない誘電体セラミックを得ることができ、内部電極とし
てニッケル等の卑金属を使用した積層セラミックコンデ
ンサの製造が可能となった。
ることによって、還元性雰囲気で焼成しても半導体化し
ない誘電体セラミックを得ることができ、内部電極とし
てニッケル等の卑金属を使用した積層セラミックコンデ
ンサの製造が可能となった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化、大容量化の傾向が顕著
になってきた。そのため、誘電体セラミック材料の高誘
電率化と誘電体セラミック層の薄層化が急速な勢いで進
んでいる。したがって、高誘電率で、誘電率の温度変化
が小さく、信頼性に優れる誘電体セラミック材料に対す
る需要が大きくなっている。
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化、大容量化の傾向が顕著
になってきた。そのため、誘電体セラミック材料の高誘
電率化と誘電体セラミック層の薄層化が急速な勢いで進
んでいる。したがって、高誘電率で、誘電率の温度変化
が小さく、信頼性に優れる誘電体セラミック材料に対す
る需要が大きくなっている。
【０００９】しかしながら、特公昭５７−４２５８８号
公報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘
電体セラミック材料は、大きな誘電率が得られるもの
の、得られた誘電体セラミックの結晶粒が大きくなり、
積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層
厚みが１０μｍ以下のような薄膜になると、１つの層中
に存在する結晶粒の数が減少し、信頼性が低下してしま
う欠点があった。しかも、誘電率の温度変化が大きいと
いう問題もあり、市場の要求に応えられていない。
公報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘
電体セラミック材料は、大きな誘電率が得られるもの
の、得られた誘電体セラミックの結晶粒が大きくなり、
積層セラミックコンデンサにおける誘電体セラミック層
厚みが１０μｍ以下のような薄膜になると、１つの層中
に存在する結晶粒の数が減少し、信頼性が低下してしま
う欠点があった。しかも、誘電率の温度変化が大きいと
いう問題もあり、市場の要求に応えられていない。
【００１０】また、特開昭６２−２５６４２２号公報に
示される誘電体セラミック材料では、誘電率が比較的高
く、得られた誘電体セラミックの結晶粒も小さく、誘電
率の温度変化も小さいものの、ＣａＺｒＯ3や焼成過程
で生成するＣａＴｉＯ3が、Ｍｎなどとともに二次相を
生成しやすいため、高温での信頼性に問題があった。
示される誘電体セラミック材料では、誘電率が比較的高
く、得られた誘電体セラミックの結晶粒も小さく、誘電
率の温度変化も小さいものの、ＣａＺｒＯ3や焼成過程
で生成するＣａＴｉＯ3が、Ｍｎなどとともに二次相を
生成しやすいため、高温での信頼性に問題があった。
【００１１】また、特公昭６１−１４６１１号公報に示
される誘電体セラミック材料では、得られる誘電体セラ
ミックの誘電率が２０００〜２８００であり、積層セラ
ミックコンデンサの小型大容量化という点で不利である
という欠点があった。しかも、ＥＩＡ規格で規定される
Ｘ７Ｒ特性、すなわち、温度範囲−５５℃〜＋１２５℃
の間で静電容量の変化率が±１５％以内を満足し得ない
という問題があった。
される誘電体セラミック材料では、得られる誘電体セラ
ミックの誘電率が２０００〜２８００であり、積層セラ
ミックコンデンサの小型大容量化という点で不利である
という欠点があった。しかも、ＥＩＡ規格で規定される
Ｘ７Ｒ特性、すなわち、温度範囲−５５℃〜＋１２５℃
の間で静電容量の変化率が±１５％以内を満足し得ない
という問題があった。
【００１２】さらに、特開昭６３−１０３８６１号公報
に開示されている非還元性誘電体セラミックでは、絶縁
抵抗および容量の温度変化率が主成分であるＢａＴｉＯ
3の結晶粒径に大きく影響を受け、安定した特性を得る
ための制御が困難である。しかも、絶縁抵抗を静電容量
との積（ＣＲ積）で示した場合１０００〜２０００ＭΩ
・μＦであり、実用的であるとは言えなかった。
に開示されている非還元性誘電体セラミックでは、絶縁
抵抗および容量の温度変化率が主成分であるＢａＴｉＯ
3の結晶粒径に大きく影響を受け、安定した特性を得る
ための制御が困難である。しかも、絶縁抵抗を静電容量
との積（ＣＲ積）で示した場合１０００〜２０００ＭΩ
・μＦであり、実用的であるとは言えなかった。
【００１３】そこで、上記問題点を解決すべく、特開平
５−９０６６号公報、特開平５−９０６７号公報、特開
平５−９０６８号公報に種々の組成が提案されている。
しかし、その後のさらなる小型大容量化の要求により、
誘電体セラミック層の薄層化と並行して信頼性に対する
市場要求がより厳しくなり、さらに信頼性に優れた薄層
化対応の誘電体セラミック材料への要求が高まってきて
いる。
５−９０６６号公報、特開平５−９０６７号公報、特開
平５−９０６８号公報に種々の組成が提案されている。
しかし、その後のさらなる小型大容量化の要求により、
誘電体セラミック層の薄層化と並行して信頼性に対する
市場要求がより厳しくなり、さらに信頼性に優れた薄層
化対応の誘電体セラミック材料への要求が高まってきて
いる。
【００１４】しかしながら、所定の定格電圧で誘電体セ
ラミック層を単純に薄層化すると、一層当たりの電界強
度が大きくなる。したがって、室温、高温での絶縁抵抗
が低くなってしまい、信頼性が著しく低下してしまう。
そのため、従来の誘電体セラミック材料では、誘電体セ
ラミック層を薄層化する際には、定格電圧を下げる必要
があった。
ラミック層を単純に薄層化すると、一層当たりの電界強
度が大きくなる。したがって、室温、高温での絶縁抵抗
が低くなってしまい、信頼性が著しく低下してしまう。
そのため、従来の誘電体セラミック材料では、誘電体セ
ラミック層を薄層化する際には、定格電圧を下げる必要
があった。
【００１５】そこで、誘電体セラミック層を薄層化して
も定格電圧を下げる必要のない、高電界強度下での絶縁
抵抗が高く、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサ
を提案する必要が生じてきた。
も定格電圧を下げる必要のない、高電界強度下での絶縁
抵抗が高く、信頼性に優れた積層セラミックコンデンサ
を提案する必要が生じてきた。
【００１６】ところで、小型大容量の積層セラミックコ
ンデンサにおいては、表面実装に対応するため、外部電
極として導電性金属粉末の焼き付け電極の上にはんだな
どのメッキ膜が形成される。メッキ膜の形成方法として
は、電解メッキ法が一般的である。通常、導電性金属粉
末の焼き付け電極は、微細な空隙が生じる。その焼き付
け電極の上にメッキ被膜を形成する際、メッキ液中に積
層セラミックコンデンサを浸漬すると、焼き付け電極の
空隙からメッキ液が浸入し、内部電極と誘電体セラミッ
ク層の界面にまでメッキ液が達して、信頼性の低下を招
くという問題がある。
ンデンサにおいては、表面実装に対応するため、外部電
極として導電性金属粉末の焼き付け電極の上にはんだな
どのメッキ膜が形成される。メッキ膜の形成方法として
は、電解メッキ法が一般的である。通常、導電性金属粉
末の焼き付け電極は、微細な空隙が生じる。その焼き付
け電極の上にメッキ被膜を形成する際、メッキ液中に積
層セラミックコンデンサを浸漬すると、焼き付け電極の
空隙からメッキ液が浸入し、内部電極と誘電体セラミッ
ク層の界面にまでメッキ液が達して、信頼性の低下を招
くという問題がある。
【００１７】それゆえに、この発明の主たる目的は、誘
電率が３０００以上、絶縁抵抗を静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、２ｋＶ／ｍｍでの室温および１２
５℃での絶縁抵抗がそれぞれ６０００ＭΩ・μＦ、２０
００ＭΩ・μＦ以上、２０ｋＶ／ｍｍでの室温および１
２５℃での絶縁抵抗がそれぞれ２０００ＭΩ・μＦ、５
００ＭΩ・μＦ以上と高く、静電容量の温度特性がＪＩ
Ｓ規格で規定するところのＢ特性およびＥＩＡ規格で規
定するところのＸ７Ｒ特性を満足し、外部電極にメッキ
層を形成しても信頼性の高い、低コストの小型大容量の
積層セラミックコンデンサを提供することにある。
電率が３０００以上、絶縁抵抗を静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、２ｋＶ／ｍｍでの室温および１２
５℃での絶縁抵抗がそれぞれ６０００ＭΩ・μＦ、２０
００ＭΩ・μＦ以上、２０ｋＶ／ｍｍでの室温および１
２５℃での絶縁抵抗がそれぞれ２０００ＭΩ・μＦ、５
００ＭΩ・μＦ以上と高く、静電容量の温度特性がＪＩ
Ｓ規格で規定するところのＢ特性およびＥＩＡ規格で規
定するところのＸ７Ｒ特性を満足し、外部電極にメッキ
層を形成しても信頼性の高い、低コストの小型大容量の
積層セラミックコンデンサを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】すなわち、第１の発明
は、複数の誘電体セラミック層と、それぞれの端縁が前
記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘
電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、露
出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けら
れた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおい
て、前記誘電体セラミック層が、不純物として含まれる
アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチ
タン酸バリウムと、酸化イットリウム、酸化テルビニウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも
１種類以上と、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッ
ケルの中から選ばれる少なくとも１種類以上とからな
り、次の組成式、（１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2
＋αＲｅ2Ｏ3＋β（Ｍｎ1-x-yＮｉxＣｏy）Ｏ（ただ
し、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｙ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2
Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3の中から選ばれる少なくとも
１種類以上であり、α，β，ｍ，ｘ，ｙは、０．００２
５≦α≦０．０２５、０．００２５≦β≦０．０５、β
／α≦４、０≦ｘ＜１．０、０≦ｙ＜１．０、０≦ｘ＋
ｙ＜１．０、１．０００＜ｍ≦１．０３５）で表される
主成分１００モルに対して、副成分として、酸化マグネ
シウムをＭｇＯに換算して０．１〜３．０モル添加含有
し、さらに前記主成分および前記酸化マグネシウムの合
計を１００重量部として、Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系
（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，
ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種類以上
の酸化物）の酸化物ガラスを０．２〜３．０重量部含有
した材料によって構成され、前記内部電極はニッケルま
たはニッケル合金によって構成される積層セラミックコ
ンデンサである。
は、複数の誘電体セラミック層と、それぞれの端縁が前
記誘電体セラミック層の両端面に露出するように前記誘
電体セラミック層間に形成された複数の内部電極と、露
出した前記内部電極に電気的に接続されるように設けら
れた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにおい
て、前記誘電体セラミック層が、不純物として含まれる
アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチ
タン酸バリウムと、酸化イットリウム、酸化テルビニウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも
１種類以上と、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッ
ケルの中から選ばれる少なくとも１種類以上とからな
り、次の組成式、（１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2
＋αＲｅ2Ｏ3＋β（Ｍｎ1-x-yＮｉxＣｏy）Ｏ（ただ
し、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｙ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2
Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3の中から選ばれる少なくとも
１種類以上であり、α，β，ｍ，ｘ，ｙは、０．００２
５≦α≦０．０２５、０．００２５≦β≦０．０５、β
／α≦４、０≦ｘ＜１．０、０≦ｙ＜１．０、０≦ｘ＋
ｙ＜１．０、１．０００＜ｍ≦１．０３５）で表される
主成分１００モルに対して、副成分として、酸化マグネ
シウムをＭｇＯに換算して０．１〜３．０モル添加含有
し、さらに前記主成分および前記酸化マグネシウムの合
計を１００重量部として、Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系
（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，
ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種類以上
の酸化物）の酸化物ガラスを０．２〜３．０重量部含有
した材料によって構成され、前記内部電極はニッケルま
たはニッケル合金によって構成される積層セラミックコ
ンデンサである。
【００１９】また、第２の発明は、前記Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ
−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる少なくと
も１種類以上の酸化物）の酸化物ガラスが、｛Ａｌ
2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝の三角図（ただし、単位はモル
％）としたときに、Ａ（１，１４，８５）、Ｂ（２０，
１０，７０）、Ｃ（３０，２０，５０）、Ｄ（４０，５
０，１０）、Ｅ（２０，７０，１０）、Ｆ（１，３９，
６０）の６点を結ぶ６本の直線で囲まれた領域の内部ま
たは線上にある積層セラミックコンデンサである。
−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，Ｓｒ
Ｏ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる少なくと
も１種類以上の酸化物）の酸化物ガラスが、｛Ａｌ
2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝の三角図（ただし、単位はモル
％）としたときに、Ａ（１，１４，８５）、Ｂ（２０，
１０，７０）、Ｃ（３０，２０，５０）、Ｄ（４０，５
０，１０）、Ｅ（２０，７０，１０）、Ｆ（１，３９，
６０）の６点を結ぶ６本の直線で囲まれた領域の内部ま
たは線上にある積層セラミックコンデンサである。
【００２０】また、第３の発明は、前記外部電極が、導
電性金属粉末、またはガラスフリットを添加した導電性
金属粉末の焼結層によって構成されている積層セラミッ
クコンデンサである。
電性金属粉末、またはガラスフリットを添加した導電性
金属粉末の焼結層によって構成されている積層セラミッ
クコンデンサである。
【００２１】さらに、第４の発明は、前記外部電極が、
導電性金属粉末、またはガラスフリットを添加した導電
性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ
層からなる第２層とからなる積層セラミックコンデンサ
である。
導電性金属粉末、またはガラスフリットを添加した導電
性金属粉末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ
層からなる第２層とからなる積層セラミックコンデンサ
である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて説明する。この発明の積層セラミックコンデンサ
は、誘電体セラミック層の材料として、チタン酸バリウ
ムと、酸化イットリウム、酸化テルビウム、酸化ジスプ
ロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッ
テルビウムの中から選ばれる少なくとも１種類以上の希
土類酸化物と、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッ
ケルの中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物と
を、上述の組成比に調整し、酸化マグネシウムと、Ａｌ
2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる
少なくとも１種類以上の酸化物）の酸化物ガラスとを添
加含有させた誘電体セラミック材料を用いることによっ
て、還元性雰囲気中で焼成しても、その特性を劣化させ
ることなく焼成することができ、静電容量の温度特性が
ＪＩＳ規格で規定されているＢ特性およびＥＩＡ規格で
規定されているＸ７Ｒ特性を満足し、高電界強度下での
室温および高温において、絶縁抵抗が高く、信頼性が高
い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
いて説明する。この発明の積層セラミックコンデンサ
は、誘電体セラミック層の材料として、チタン酸バリウ
ムと、酸化イットリウム、酸化テルビウム、酸化ジスプ
ロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッ
テルビウムの中から選ばれる少なくとも１種類以上の希
土類酸化物と、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッ
ケルの中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物と
を、上述の組成比に調整し、酸化マグネシウムと、Ａｌ
2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる
少なくとも１種類以上の酸化物）の酸化物ガラスとを添
加含有させた誘電体セラミック材料を用いることによっ
て、還元性雰囲気中で焼成しても、その特性を劣化させ
ることなく焼成することができ、静電容量の温度特性が
ＪＩＳ規格で規定されているＢ特性およびＥＩＡ規格で
規定されているＸ７Ｒ特性を満足し、高電界強度下での
室温および高温において、絶縁抵抗が高く、信頼性が高
い積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００２３】また、得られる誘電体セラミック層の結晶
粒径が１μｍ以下と小さいため、１つの誘電体セラミッ
ク層中に存在する結晶粒の数を増やすことができ、積層
セラミックコンデンサの誘電体セラミック層の厚みを薄
くしても信頼性の低下を防ぐことができる。
粒径が１μｍ以下と小さいため、１つの誘電体セラミッ
ク層中に存在する結晶粒の数を増やすことができ、積層
セラミックコンデンサの誘電体セラミック層の厚みを薄
くしても信頼性の低下を防ぐことができる。
【００２４】また、誘電体セラミック層がチタン酸バリ
ウムと、酸化イットリウム、酸化テルビウム、酸化ジス
プロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イ
ッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種類以上の
希土類酸化物と、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニ
ッケルの中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物
とにより構成される誘電体セラミック材料の主成分のう
ち、そのチタン酸バリウム中に不純物として存在するＳ
ｒＯ，ＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2Ｏ，
Ｋ2Ｏ等のアルカリ金属酸化物、その他Ａｌ2Ｏ3，Ｓｉ
Ｏ2等の酸化物の中で、特にＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ等のアルカ
リ金属酸化物の含有量が電気的特性に大きく影響するこ
とを確認している。つまり、不純物として存在するアル
カリ金属酸化物量が０．０２重量％未満のチタン酸バリ
ウムを用いることで、３０００以上の誘電率が得られる
ことを確認している。
ウムと、酸化イットリウム、酸化テルビウム、酸化ジス
プロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イ
ッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種類以上の
希土類酸化物と、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニ
ッケルの中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物
とにより構成される誘電体セラミック材料の主成分のう
ち、そのチタン酸バリウム中に不純物として存在するＳ
ｒＯ，ＣａＯ等のアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2Ｏ，
Ｋ2Ｏ等のアルカリ金属酸化物、その他Ａｌ2Ｏ3，Ｓｉ
Ｏ2等の酸化物の中で、特にＮａ2Ｏ，Ｋ2Ｏ等のアルカ
リ金属酸化物の含有量が電気的特性に大きく影響するこ
とを確認している。つまり、不純物として存在するアル
カリ金属酸化物量が０．０２重量％未満のチタン酸バリ
ウムを用いることで、３０００以上の誘電率が得られる
ことを確認している。
【００２５】さらに、誘電体セラミック層中にＡｌ2Ｏ3
−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，Ｓ
ｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる少なく
とも１種類以上の酸化物）を主成分とする酸化物ガラス
を添加させることによって、焼結性が良くなるととも
に、耐メッキ性が向上することも確認している。
−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，Ｓ
ｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる少なく
とも１種類以上の酸化物）を主成分とする酸化物ガラス
を添加させることによって、焼結性が良くなるととも
に、耐メッキ性が向上することも確認している。
【００２６】上述したような誘電体セラミック材料を用
いて誘電体セラミック層を形成すれば、表面実装に対応
可能で、静電容量の温度変化が小さく、信頼性が高い小
型大容量の積層セラミックコンデンサを実現することが
可能となるとともに、ニッケルまたはニッケル合金ある
いはそれらにセラミック粉末を少量添加したものを内部
電極とすることが可能となる。
いて誘電体セラミック層を形成すれば、表面実装に対応
可能で、静電容量の温度変化が小さく、信頼性が高い小
型大容量の積層セラミックコンデンサを実現することが
可能となるとともに、ニッケルまたはニッケル合金ある
いはそれらにセラミック粉末を少量添加したものを内部
電極とすることが可能となる。
【００２７】また、外部電極の組成は特に限定されるも
のではない。例えば、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｃｕ合金等の種々の導電性金属粉末の焼結層、または、
上記導電性金属粉末と、Ｂ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−Ｂ
ａＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
−ＺｎＯ系、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系等の種々のガ
ラスフリットとを配合した焼結層によって構成されてい
ればよい。また、少量であれば、導電性金属粉末とガラ
スフリットとともに、セラミック粉末を添加してもよ
い。より好ましくは、この焼結層の上にメッキ層を被覆
する場合であり、メッキ層は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｃｕ
合金等からなるメッキ層のみでもよいし、さらにその上
にはんだ、錫などのメッキ層を有してもよい。
のではない。例えば、Ａｇ，Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，
Ｃｕ合金等の種々の導電性金属粉末の焼結層、または、
上記導電性金属粉末と、Ｂ2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−Ｂ
ａＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＢａＯ系、Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2
−ＺｎＯ系、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系等の種々のガ
ラスフリットとを配合した焼結層によって構成されてい
ればよい。また、少量であれば、導電性金属粉末とガラ
スフリットとともに、セラミック粉末を添加してもよ
い。より好ましくは、この焼結層の上にメッキ層を被覆
する場合であり、メッキ層は、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｎｉ−Ｃｕ
合金等からなるメッキ層のみでもよいし、さらにその上
にはんだ、錫などのメッキ層を有してもよい。
【００２８】次に、この発明を実施例に基づき、さらに
具体的に説明するが、この発明はかかる実施例のみに限
定されるものではない。この発明の一実施例である積層
セラミックコンデンサについて説明する。図１は一実施
例の積層セラミックコンデンサの概略断面図、図２は一
実施例の内部電極を有する誘電体セラミック層の概略平
面図、図３は一実施例のセラミック積層体の分解斜視図
を示す。この発明にかかる積層セラミックコンデンサ１
は、図１に示すように、内部電極４を介在して複数枚の
誘電体セラミック層２ａ，２ｂを積層して得られたセラ
ミック積層体３の両端面に外部電極５およびニッケル、
銅などのメッキ第１層６、はんだ、錫などのメッキ第２
層７が形成された直方体形状のチップタイプである。
具体的に説明するが、この発明はかかる実施例のみに限
定されるものではない。この発明の一実施例である積層
セラミックコンデンサについて説明する。図１は一実施
例の積層セラミックコンデンサの概略断面図、図２は一
実施例の内部電極を有する誘電体セラミック層の概略平
面図、図３は一実施例のセラミック積層体の分解斜視図
を示す。この発明にかかる積層セラミックコンデンサ１
は、図１に示すように、内部電極４を介在して複数枚の
誘電体セラミック層２ａ，２ｂを積層して得られたセラ
ミック積層体３の両端面に外部電極５およびニッケル、
銅などのメッキ第１層６、はんだ、錫などのメッキ第２
層７が形成された直方体形状のチップタイプである。
【００２９】次に、この発明にかかる積層セラミックコ
ンデンサ１の製造方法について、製造工程順に説明す
る。まず、セラミック積層体３を形成する。このセラミ
ック積層体３は次のようにして製造される。図２に示す
ように、チタン酸バリウムと、酸化イットリウム、酸化
テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸
化エルビウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる少
なくとも１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガン、
酸化コバルト、酸化ニッケルの中から選ばれる少なくと
も１種類以上の酸化物と、酸化マグネシウムと、Ａｌ2
Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる
少なくとも１種類以上の酸化物）を主成分とする酸化物
ガラスとからなる材料粉末をスラリー化してシート状と
した誘電体セラミック層２（グリーンシート）を用意
し、その一面にニッケルまたはニッケル合金からなる内
部電極４を形成する。なお、内部電極４を形成する方法
は、スクリーン印刷などによる形成でも、蒸着、メッキ
法による形成でもどちらでも構わない。
ンデンサ１の製造方法について、製造工程順に説明す
る。まず、セラミック積層体３を形成する。このセラミ
ック積層体３は次のようにして製造される。図２に示す
ように、チタン酸バリウムと、酸化イットリウム、酸化
テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸
化エルビウム、酸化イッテルビウムの中から選ばれる少
なくとも１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガン、
酸化コバルト、酸化ニッケルの中から選ばれる少なくと
も１種類以上の酸化物と、酸化マグネシウムと、Ａｌ2
Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、ＢａＯ，Ｃａ
Ｏ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中から選ばれる
少なくとも１種類以上の酸化物）を主成分とする酸化物
ガラスとからなる材料粉末をスラリー化してシート状と
した誘電体セラミック層２（グリーンシート）を用意
し、その一面にニッケルまたはニッケル合金からなる内
部電極４を形成する。なお、内部電極４を形成する方法
は、スクリーン印刷などによる形成でも、蒸着、メッキ
法による形成でもどちらでも構わない。
【００３０】次に、内部電極４を有する誘電体セラミッ
ク層２ｂが必要枚数積層され、図３に示す如く、内部電
極４を有しない誘電体セラミック層２ａにて挟んで圧着
し、積層体とする。その後、この積層された誘電体セラ
ミック層２ａ，２ｂ，・・・，２ｂ，２ａを還元性雰囲
気中、所定の温度にて焼成し、セラミック積層体３が形
成される。次に、セラミック積層体３の両端面に、内部
電極４と接続するように、二つの外部電極５を形成す
る。
ク層２ｂが必要枚数積層され、図３に示す如く、内部電
極４を有しない誘電体セラミック層２ａにて挟んで圧着
し、積層体とする。その後、この積層された誘電体セラ
ミック層２ａ，２ｂ，・・・，２ｂ，２ａを還元性雰囲
気中、所定の温度にて焼成し、セラミック積層体３が形
成される。次に、セラミック積層体３の両端面に、内部
電極４と接続するように、二つの外部電極５を形成す
る。
【００３１】この外部電極５の材料としては、内部電極
４と同じ材料を使用することができる。また、銀、パラ
ジウム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金等が使用可能
であり、また、これらの金属粉末にＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスな
どのガラスフリットを添加したものも使用されるが、積
層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを考
慮に入れて、適当な材料が選択される。
４と同じ材料を使用することができる。また、銀、パラ
ジウム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金等が使用可能
であり、また、これらの金属粉末にＢ2Ｏ3−ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系ガラスな
どのガラスフリットを添加したものも使用されるが、積
層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを考
慮に入れて、適当な材料が選択される。
【００３２】また、外部電極５は、材料となる金属粉末
から構成される導電ペーストを、焼成により得たセラミ
ック積層体３に塗布して、焼き付けることで形成される
が、焼成前のセラミック積層体３に導電ペーストを塗布
して、セラミック積層体３の焼成と同時に外部電極５を
形成してもよい。この後、外部電極５上にニッケル、銅
などのメッキを施し、メッキ第１層６を形成する。最後
に、このメッキ第１層６の上にはんだ、錫などのメッキ
第２層７を形成し、チップ型の積層セラミックコンデン
サ１が製造される。
から構成される導電ペーストを、焼成により得たセラミ
ック積層体３に塗布して、焼き付けることで形成される
が、焼成前のセラミック積層体３に導電ペーストを塗布
して、セラミック積層体３の焼成と同時に外部電極５を
形成してもよい。この後、外部電極５上にニッケル、銅
などのメッキを施し、メッキ第１層６を形成する。最後
に、このメッキ第１層６の上にはんだ、錫などのメッキ
第２層７を形成し、チップ型の積層セラミックコンデン
サ１が製造される。
【００３３】以下に、この発明を実施例に基づきより詳
細に説明する。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4とＢａ（ＮＯ3）2とを準備して秤量した後、蓚酸に
より蓚酸チタニルバリウム（ＢａＴｉＯ（Ｃ2Ｏ4）・４
Ｈ2Ｏ）として沈澱させ、沈澱物を得た。この沈澱物を
１０００℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類
のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）を合成した。
細に説明する。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4とＢａ（ＮＯ3）2とを準備して秤量した後、蓚酸に
より蓚酸チタニルバリウム（ＢａＴｉＯ（Ｃ2Ｏ4）・４
Ｈ2Ｏ）として沈澱させ、沈澱物を得た。この沈澱物を
１０００℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類
のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）を合成した。
【００３４】
【表１】
【００３５】また０．２５Ａｌ2Ｏ3−０．１７ＢａＯ−
０．０３ＭｎＯ−０．５５Ｂ2Ｏ3（モル比）の組成割合
になるように、各成分の酸化物、炭酸塩および水酸化物
を秤量し、混合粉砕した後、蒸発乾燥して粉末を得た。
この粉末を白金るつぼ中において、１４００℃に加熱溶
融した後、急冷し、粉砕することで平均粒径が１μｍ以
下の酸化物ガラス粉末を得た。
０．０３ＭｎＯ−０．５５Ｂ2Ｏ3（モル比）の組成割合
になるように、各成分の酸化物、炭酸塩および水酸化物
を秤量し、混合粉砕した後、蒸発乾燥して粉末を得た。
この粉末を白金るつぼ中において、１４００℃に加熱溶
融した後、急冷し、粉砕することで平均粒径が１μｍ以
下の酸化物ガラス粉末を得た。
【００３６】次に、チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3と、純度９９％以上の
Ｙ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙ
ｂ2Ｏ3，ＭｎＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＭｇＯを準備した。
これらの原料粉末と上記酸化物ガラス粉末とを表２に示
す組成比となるように配合し、配合物を得た。
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3と、純度９９％以上の
Ｙ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙ
ｂ2Ｏ3，ＭｎＯ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，ＭｇＯを準備した。
これらの原料粉末と上記酸化物ガラス粉末とを表２に示
す組成比となるように配合し、配合物を得た。
【００３７】
【表２】
【００３８】この配合物に、ポリビニルブチラール系バ
インダーおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボー
ルミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調整し
た。しかる後、セラミックスラリーをドクターブレード
法によりシート成形し、厚み１１μｍの矩形のグリーン
シートを得た。次に、上記セラミックグリーンシート上
に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極
を構成するための導電ペースト層を形成した。
インダーおよびエタノール等の有機溶剤を加えて、ボー
ルミルにより湿式混合し、セラミックスラリーを調整し
た。しかる後、セラミックスラリーをドクターブレード
法によりシート成形し、厚み１１μｍの矩形のグリーン
シートを得た。次に、上記セラミックグリーンシート上
に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部電極
を構成するための導電ペースト層を形成した。
【００３９】導電ペースト層が形成されたセラッミクグ
リーンシートを導電ペーストの引き出されている側が互
い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。得ら
れた積層体を、Ｎ2雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱
し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０
-12ＭＰａのＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスからなる還元性雰囲気
中において表３に示す温度で２時間焼成し、セラミック
焼結体を得た。得られたセラミック焼結体表面を走査型
電子顕微鏡にて、倍率１５００倍で観察し、グレインサ
イズを測定した。
リーンシートを導電ペーストの引き出されている側が互
い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。得ら
れた積層体を、Ｎ2雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱
し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０
-12ＭＰａのＨ2−Ｎ2−Ｈ2Ｏガスからなる還元性雰囲気
中において表３に示す温度で２時間焼成し、セラミック
焼結体を得た。得られたセラミック焼結体表面を走査型
電子顕微鏡にて、倍率１５００倍で観察し、グレインサ
イズを測定した。
【００４０】焼成後、得られた焼結体の両端面にＢ2Ｏ3
−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラスフリットを含有
する銀ペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中において６００
℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外
部電極を形成した。上記のようにして得られた積層セラ
ミックコンデンサの外形寸法は、幅：１．６ｍｍ、長
さ：３．２ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍであり、内部電極間
に介在する誘電体セラミック層の厚みは８μｍであっ
た。また、有効誘電体セラミック層の総数は１９であ
り、一層当たりの対向電極の面積は２．１ｍｍ2であっ
た。
−Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラスフリットを含有
する銀ペーストを塗布し、Ｎ2雰囲気中において６００
℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外
部電極を形成した。上記のようにして得られた積層セラ
ミックコンデンサの外形寸法は、幅：１．６ｍｍ、長
さ：３．２ｍｍ、厚さ：１．２ｍｍであり、内部電極間
に介在する誘電体セラミック層の厚みは８μｍであっ
た。また、有効誘電体セラミック層の総数は１９であ
り、一層当たりの対向電極の面積は２．１ｍｍ2であっ
た。
【００４１】そして、これらについて電気的特性を測定
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するた
めに、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの直流電圧を２分間印
加して、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を測定
し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。また、２０ｋＶ／ｍｍの電界での絶縁
抵抗（Ｒ）を測定するために、１６０Ｖの直流電圧を２
分間印加して、同様に、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗
（Ｒ）を測定して、ＣＲ積を求めた。
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するた
めに、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの直流電圧を２分間印
加して、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を測定
し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。また、２０ｋＶ／ｍｍの電界での絶縁
抵抗（Ｒ）を測定するために、１６０Ｖの直流電圧を２
分間印加して、同様に、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗
（Ｒ）を測定して、ＣＲ積を求めた。
【００４２】さらに、温度変化に対する静電容量の変化
率を測定した。なお、温度変化に対する静電容量の変化
率については、２０℃での静電容量を基準とした−２５
℃と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ２０℃）と、２５℃で
の静電容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率
（ΔＣ／Ｃ２５℃）および−５５℃〜１２５℃の範囲内
で絶対値としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／△
Ｃ２５℃｜ｍａｘ）を示した。
率を測定した。なお、温度変化に対する静電容量の変化
率については、２０℃での静電容量を基準とした−２５
℃と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ２０℃）と、２５℃で
の静電容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率
（ΔＣ／Ｃ２５℃）および−５５℃〜１２５℃の範囲内
で絶対値としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／△
Ｃ２５℃｜ｍａｘ）を示した。
【００４３】さらに、高温負荷寿命試験として、各試料
を３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6
Ω以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿
命時間を示す。以上の結果を表３に示した。
を３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6
Ω以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿
命時間を示す。以上の結果を表３に示した。
【００４４】
【表３】
【００４５】表１、表２、表３から明かなように、この
発明の積層セラミックコンデンサは誘電率が３０００以
上と高く、誘電損失は２．５％以下で、温度に対する静
電容量の変化率が、−２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ
規格に規定されているＢ特性規格および、−５５℃と１
２５℃での範囲内でＥＩＡ規格に規定されているＸ７Ｒ
特性規格を満足する。また、２０ｋＶ／ｍｍと高電界強
度での２５℃、１２５℃における絶縁抵抗をＣＲ積で表
したときに、それぞれ２０００ＭΩ・μＦ、５００ＭΩ
・μＦ以上と高い値を示す。また、平均寿命時間が５０
０時間以上と長い。さらに、焼成温度も１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても１μｍ
以下と小さい。
発明の積層セラミックコンデンサは誘電率が３０００以
上と高く、誘電損失は２．５％以下で、温度に対する静
電容量の変化率が、−２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ
規格に規定されているＢ特性規格および、−５５℃と１
２５℃での範囲内でＥＩＡ規格に規定されているＸ７Ｒ
特性規格を満足する。また、２０ｋＶ／ｍｍと高電界強
度での２５℃、１２５℃における絶縁抵抗をＣＲ積で表
したときに、それぞれ２０００ＭΩ・μＦ、５００ＭΩ
・μＦ以上と高い値を示す。また、平均寿命時間が５０
０時間以上と長い。さらに、焼成温度も１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても１μｍ
以下と小さい。
【００４６】ここで、この発明の積層セラミックコンデ
ンサに用いる誘電体セラミック材料の組成限定理由につ
いて説明する。 （１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2＋αＲｅ2Ｏ3＋β
（Ｍｎ1-x-yＮｉxＣｏy）Ｏ（ただし、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｙ2
Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙｂ2
Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種類以上）におい
て、試料番号１のように、Ｒｅ2Ｏ3量αが０．００２５
未満の場合には、誘電率が３０００より低く、静電容量
の温度変化率も大きくなり、低電界強度、高電界強度に
関係なく、１２５℃での絶縁抵抗が低くなり、平均寿命
時間が極端に短くなるからである。試料番号１７のよう
にＲｅ2Ｏ3量αが０．０２５を超える場合には、誘電率
が３０００より低く、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が
低下し、平均寿命時間が短くなり、焼結温度が高くなる
からである。
ンサに用いる誘電体セラミック材料の組成限定理由につ
いて説明する。 （１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2＋αＲｅ2Ｏ3＋β
（Ｍｎ1-x-yＮｉxＣｏy）Ｏ（ただし、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｙ2
Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，Ｈｏ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙｂ2
Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種類以上）におい
て、試料番号１のように、Ｒｅ2Ｏ3量αが０．００２５
未満の場合には、誘電率が３０００より低く、静電容量
の温度変化率も大きくなり、低電界強度、高電界強度に
関係なく、１２５℃での絶縁抵抗が低くなり、平均寿命
時間が極端に短くなるからである。試料番号１７のよう
にＲｅ2Ｏ3量αが０．０２５を超える場合には、誘電率
が３０００より低く、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が
低下し、平均寿命時間が短くなり、焼結温度が高くなる
からである。
【００４７】試料番号２のように（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）
Ｏ量βが０．００２５未満の場合には、還元性雰囲気で
焼成すると誘電体セラミックが還元され、半導体化して
絶縁抵抗が低下してしまうからである。試料番号１８の
ように（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βが０．０５を超える
場合には、低電界強度、高電界強度に関係なく、１２５
℃での絶縁抵抗が低くなり、平均寿命時間が短くなる。
また、静電容量の温度変化率が大きくなり、ＥＩＡ規格
のＸ７Ｒ特性を満足しなくなるからである。
Ｏ量βが０．００２５未満の場合には、還元性雰囲気で
焼成すると誘電体セラミックが還元され、半導体化して
絶縁抵抗が低下してしまうからである。試料番号１８の
ように（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βが０．０５を超える
場合には、低電界強度、高電界強度に関係なく、１２５
℃での絶縁抵抗が低くなり、平均寿命時間が短くなる。
また、静電容量の温度変化率が大きくなり、ＥＩＡ規格
のＸ７Ｒ特性を満足しなくなるからである。
【００４８】試料番号１９，２０のように、ＮｉＯ量ｘ
またはＣｏＯ量ｙが１．０の場合には、２．０ｋＶ／ｍ
ｍにおける１２５℃での絶縁抵抗が低下するとともに、
２０ｋＶ／ｍｍでの２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が、
それぞれ２０００ＭΩ・μＦ、５００ＭΩ・μＦを満足
せず、平均寿命時間が５００時間よりも短くなるからで
ある。
またはＣｏＯ量ｙが１．０の場合には、２．０ｋＶ／ｍ
ｍにおける１２５℃での絶縁抵抗が低下するとともに、
２０ｋＶ／ｍｍでの２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が、
それぞれ２０００ＭΩ・μＦ、５００ＭΩ・μＦを満足
せず、平均寿命時間が５００時間よりも短くなるからで
ある。
【００４９】試料番号２１のように、Ｒｅ2Ｏ3量αと
（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βの比率β／αが４よりも大
きくなる場合には、静電容量の温度変化率が大きくな
り、さらに、２．０ｋＶ／ｍｍ、２０ｋＶ／ｍｍにおけ
る１２５℃での絶縁抵抗が、それぞれ２０００ＭΩ・μ
Ｆ、５００ＭΩ・μＦを満足せず、平均寿命時間が５０
０時間よりも短くなるからである。
（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βの比率β／αが４よりも大
きくなる場合には、静電容量の温度変化率が大きくな
り、さらに、２．０ｋＶ／ｍｍ、２０ｋＶ／ｍｍにおけ
る１２５℃での絶縁抵抗が、それぞれ２０００ＭΩ・μ
Ｆ、５００ＭΩ・μＦを満足せず、平均寿命時間が５０
０時間よりも短くなるからである。
【００５０】試料番号３，４のように、チタン酸バリウ
ムのモル比ｍが１．０００以下の場合には、還元性雰囲
気で焼成したとき、半導体化して絶縁抵抗が低下し、高
温、高電界強度での絶縁抵抗も低下し、平均寿命時間が
極端に短くなるからである。試料番号２２のように、モ
ル比ｍが１．０３５を超える場合には、焼結性が極端に
悪くなるからである。
ムのモル比ｍが１．０００以下の場合には、還元性雰囲
気で焼成したとき、半導体化して絶縁抵抗が低下し、高
温、高電界強度での絶縁抵抗も低下し、平均寿命時間が
極端に短くなるからである。試料番号２２のように、モ
ル比ｍが１．０３５を超える場合には、焼結性が極端に
悪くなるからである。
【００５１】試料番号５のように、ＭｇＯ量が０．１モ
ル未満の場合には、２０ｋＶ／ｍｍでの絶縁抵抗が低下
し、平均寿命時間が５００時間よりも短くなり、静電容
量の温度変化率はＪＩＳ規格が規定するＢ特性規格を満
足するものの、ＥＩＡ規格が規定するＸ７Ｒ特性規格を
満足することができないからである。試料番号２３のよ
うにＭｇＯ量が３．０モルを超える場合には、焼結温度
が高くなり、誘電率が３０００より低く、平均寿命時間
も５００時間を超えないからである。
ル未満の場合には、２０ｋＶ／ｍｍでの絶縁抵抗が低下
し、平均寿命時間が５００時間よりも短くなり、静電容
量の温度変化率はＪＩＳ規格が規定するＢ特性規格を満
足するものの、ＥＩＡ規格が規定するＸ７Ｒ特性規格を
満足することができないからである。試料番号２３のよ
うにＭｇＯ量が３．０モルを超える場合には、焼結温度
が高くなり、誘電率が３０００より低く、平均寿命時間
も５００時間を超えないからである。
【００５２】試料番号６のように、Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ
2Ｏ3系の酸化物ガラスの量が０．２重量部未満の場合に
は、焼結不足となるからである。試料番号２４のよう
に、Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスの量が
３．０重量部を超える場合には、誘電率が３０００を越
えないからである。
2Ｏ3系の酸化物ガラスの量が０．２重量部未満の場合に
は、焼結不足となるからである。試料番号２４のよう
に、Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスの量が
３．０重量部を超える場合には、誘電率が３０００を越
えないからである。
【００５３】試料番号２５のように、チタン酸バリウム
に不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の量が０．
０２重量部を越える場合には、誘電率の低下を生じるか
らである。
に不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の量が０．
０２重量部を越える場合には、誘電率の低下を生じるか
らである。
【００５４】（実施例２）誘電体セラミック材料とし
て、表１のＡのチタン酸バリウムを用いて、９８．０
｛ＢａＯ｝1.010・ＴｉＯ2＋０．９Ｄｙ2Ｏ3＋０．１Ｅ
ｒ2Ｏ3＋１．０（Ｍｎ0.3Ｎｉ0.7）Ｏ（モル比）に対し
て、ＭｇＯが１．２モルになるように配合された原料を
準備し、実施例１と同様の方法で１３００℃〜１５００
℃で加熱して作製した表４に示す平均粒径１μｍ以下の
Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスを添加して、
実施例１と同様の方法で内部電極と電気的に接続された
銀からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデン
サを作製した。なお、作製した積層セラミックコンデン
サの外形寸法などは、実施例１と同様である。
て、表１のＡのチタン酸バリウムを用いて、９８．０
｛ＢａＯ｝1.010・ＴｉＯ2＋０．９Ｄｙ2Ｏ3＋０．１Ｅ
ｒ2Ｏ3＋１．０（Ｍｎ0.3Ｎｉ0.7）Ｏ（モル比）に対し
て、ＭｇＯが１．２モルになるように配合された原料を
準備し、実施例１と同様の方法で１３００℃〜１５００
℃で加熱して作製した表４に示す平均粒径１μｍ以下の
Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスを添加して、
実施例１と同様の方法で内部電極と電気的に接続された
銀からなる外部電極を形成した積層セラミックコンデン
サを作製した。なお、作製した積層セラミックコンデン
サの外形寸法などは、実施例１と同様である。
【００５５】
【表４】
【００５６】そして、これらについて電気的特性を測定
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、２０ｋＶ／ｍｍの電界での絶
縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、１
６０Ｖの直流電圧を２分間印加して、２５℃、１２５℃
での絶縁抵抗（Ｒ）を測定し、ＣＲ積を求めた。
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ｋＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、２０ｋＶ／ｍｍの電界での絶
縁抵抗（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、１
６０Ｖの直流電圧を２分間印加して、２５℃、１２５℃
での絶縁抵抗（Ｒ）を測定し、ＣＲ積を求めた。
【００５７】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。なお、温度変化に対する静電容量の変化率
については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃
と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ２０℃）と、２５℃での
静電容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率
（ΔＣ／Ｃ２５℃）および−５５℃〜１２５℃の範囲内
で絶対値としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
２５℃｜ｍａｘ）を示した。
を測定した。なお、温度変化に対する静電容量の変化率
については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃
と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ２０℃）と、２５℃での
静電容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率
（ΔＣ／Ｃ２５℃）および−５５℃〜１２５℃の範囲内
で絶対値としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
２５℃｜ｍａｘ）を示した。
【００５８】これらの測定の後、硫酸ニッケルおよび塩
化ニッケル、ホウ酸からなるニッケルメッキ液を用意
し、バレルメッキ法にて銀外部電極上にニッケルメッキ
した。最後に、ＡＳ浴（アルカノ−ルスルホン酸）から
なるはんだメッキ液を用意し、バレルメッキ法にて、こ
のニッケルメッキ被膜上にはんだメッキして、外部電極
上にメッキ被膜された積層セラミックコンデンサを得
た。
化ニッケル、ホウ酸からなるニッケルメッキ液を用意
し、バレルメッキ法にて銀外部電極上にニッケルメッキ
した。最後に、ＡＳ浴（アルカノ−ルスルホン酸）から
なるはんだメッキ液を用意し、バレルメッキ法にて、こ
のニッケルメッキ被膜上にはんだメッキして、外部電極
上にメッキ被膜された積層セラミックコンデンサを得
た。
【００５９】得られた積層セラミックコンデンサについ
て、静電容量（Ｃ）を自動ブリッジ式測定器を用いて周
波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定した。
次に、２０ｋＶ／ｍｍの電界での絶縁抵抗（Ｒ）を測定
するために、絶縁抵抗計を用い、１６０Ｖの直流電圧を
２分間印加して、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）
を測定し、ＣＲ積を求めた。以上の結果を表５に示し
た。
て、静電容量（Ｃ）を自動ブリッジ式測定器を用いて周
波数１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定した。
次に、２０ｋＶ／ｍｍの電界での絶縁抵抗（Ｒ）を測定
するために、絶縁抵抗計を用い、１６０Ｖの直流電圧を
２分間印加して、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）
を測定し、ＣＲ積を求めた。以上の結果を表５に示し
た。
【００６０】
【表５】
【００６１】表４、表５から明かなように、この発明の
Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスを添加含有し
た誘電体セラミック層から構成される積層セラミックコ
ンデンサは誘電率が３０００以上と高く、誘電損失が
２．５％以下で、温度に対する静電容量の変化率が、−
２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ規格に規定されている
Ｂ特性規格および、−５５℃と１２５℃での範囲内でＥ
ＩＡ規格に規定されているＸ７Ｒ特性規格を満足する。
しかも、メッキを施しても、電気的特性が劣化しない。
Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスを添加含有し
た誘電体セラミック層から構成される積層セラミックコ
ンデンサは誘電率が３０００以上と高く、誘電損失が
２．５％以下で、温度に対する静電容量の変化率が、−
２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ規格に規定されている
Ｂ特性規格および、−５５℃と１２５℃での範囲内でＥ
ＩＡ規格に規定されているＸ７Ｒ特性規格を満足する。
しかも、メッキを施しても、電気的特性が劣化しない。
【００６２】ここで、この発明の積層セラミックコンデ
ンサに用いる酸化物ガラスの組成限定理由について説明
する。Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、Ｂ
ａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中か
ら選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物）の酸化物ガ
ラスは、図４に示す｛Ａｌ2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝の三角
図としたときに、Ａｌ2Ｏ3が１モル％、ＭＯが１４モル
％、Ｂ2Ｏ3が８５モル％の組成を示す点Ａと、Ａｌ2Ｏ3
が２０モル％、ＭＯが１０モル％、Ｂ2Ｏ3が７０モル％
の組成を示す点Ｂと、Ａｌ2Ｏ3が３０モル％、ＭＯが２
０モル％、Ｂ2Ｏ3が５０モル％の組成を示す点Ｃと、Ａ
ｌ2Ｏ3が４０モル％、ＭＯが５０モル％、Ｂ2Ｏ3が１０
モル％の組成を示す点Ｄと、Ａｌ2Ｏ3が２０モル％、Ｍ
Ｏが７０モル％、Ｂ2Ｏ3が１０モル％の組成を示す点Ｅ
と、Ａｌ2Ｏ3が１モル％、ＭＯが３９モル％、Ｂ2Ｏ3が
６０モル％の組成を示す点Ｆとの６点を結ぶ６本の直線
で囲まれた領域の内部または線上の範囲外にある試料番
号３６〜４１については、焼結不足となるか、焼結して
もメッキによって極端に絶縁抵抗が低下するからであ
る。
ンサに用いる酸化物ガラスの組成限定理由について説明
する。Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただし、ＭＯは、Ｂ
ａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，ＺｎＯ，ＭｎＯの中か
ら選ばれる少なくとも１種類以上の酸化物）の酸化物ガ
ラスは、図４に示す｛Ａｌ2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝の三角
図としたときに、Ａｌ2Ｏ3が１モル％、ＭＯが１４モル
％、Ｂ2Ｏ3が８５モル％の組成を示す点Ａと、Ａｌ2Ｏ3
が２０モル％、ＭＯが１０モル％、Ｂ2Ｏ3が７０モル％
の組成を示す点Ｂと、Ａｌ2Ｏ3が３０モル％、ＭＯが２
０モル％、Ｂ2Ｏ3が５０モル％の組成を示す点Ｃと、Ａ
ｌ2Ｏ3が４０モル％、ＭＯが５０モル％、Ｂ2Ｏ3が１０
モル％の組成を示す点Ｄと、Ａｌ2Ｏ3が２０モル％、Ｍ
Ｏが７０モル％、Ｂ2Ｏ3が１０モル％の組成を示す点Ｅ
と、Ａｌ2Ｏ3が１モル％、ＭＯが３９モル％、Ｂ2Ｏ3が
６０モル％の組成を示す点Ｆとの６点を結ぶ６本の直線
で囲まれた領域の内部または線上の範囲外にある試料番
号３６〜４１については、焼結不足となるか、焼結して
もメッキによって極端に絶縁抵抗が低下するからであ
る。
【００６３】なお、上記実施例では、チタン酸バリウム
として、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに
限定するものではなく、アルコキシド法あるいは水熱合
成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用いても
よい。これらの粉末を用いることにより、この実施例で
示した特性よりも向上することも有り得る。また、酸化
イットリウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、
酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウ
ム、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルおよび
酸化マグネシウムなども、酸化物粉末を用いたが、これ
に限定されるものではなく、この発明の範囲の誘電体セ
ラミック層を構成するように配合すれば、アルコキシ
ド、有機金属などの溶液を用いても、得られる特性を何
等損なうものではない。
として、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに
限定するものではなく、アルコキシド法あるいは水熱合
成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用いても
よい。これらの粉末を用いることにより、この実施例で
示した特性よりも向上することも有り得る。また、酸化
イットリウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、
酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウ
ム、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルおよび
酸化マグネシウムなども、酸化物粉末を用いたが、これ
に限定されるものではなく、この発明の範囲の誘電体セ
ラミック層を構成するように配合すれば、アルコキシ
ド、有機金属などの溶液を用いても、得られる特性を何
等損なうものではない。
【００６４】
【発明の効果】この発明の積層セラミックコンデンサ
は、還元性雰囲気中で焼成しても還元されず、半導体化
しない誘電体セラミック材料から構成されているので、
電極材料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合
金を用いることができ、１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能であり、積層セラミックコンデンサのコストダ
ウンを図ることができる。
は、還元性雰囲気中で焼成しても還元されず、半導体化
しない誘電体セラミック材料から構成されているので、
電極材料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合
金を用いることができ、１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能であり、積層セラミックコンデンサのコストダ
ウンを図ることができる。
【００６５】また、この誘電体セラミック材料を用いた
積層セラミックコンデンサでは、誘電率が３０００以上
あり、かつ静電容量の温度変化率が小さい。また、高電
界での絶縁抵抗が高く、高温での寿命時間も長い。した
がって、誘電体セラミック層を薄層化しても、定格電圧
を下げる必要がない。
積層セラミックコンデンサでは、誘電率が３０００以上
あり、かつ静電容量の温度変化率が小さい。また、高電
界での絶縁抵抗が高く、高温での寿命時間も長い。した
がって、誘電体セラミック層を薄層化しても、定格電圧
を下げる必要がない。
【００６６】さらに、結晶粒径が１μｍ以下と小さいた
め、誘電体セラミック層を薄層化したときに、従来の積
層セラミックコンデンサに比較して層中に存在する結晶
粒の量を多くできる。このため、信頼性が高く、しかも
小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ることが
できる。また、メッキによる電気的特性の劣化がないた
め、表面実装に対応させることが可能である。
め、誘電体セラミック層を薄層化したときに、従来の積
層セラミックコンデンサに比較して層中に存在する結晶
粒の量を多くできる。このため、信頼性が高く、しかも
小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ることが
できる。また、メッキによる電気的特性の劣化がないた
め、表面実装に対応させることが可能である。
【図１】この発明の一実施例である積層セラミックコン
デンサの概略断面図である。
デンサの概略断面図である。
【図２】この発明の一実施例である内部電極を有する誘
電体セラミック層の概略平面図である。
電体セラミック層の概略平面図である。
【図３】この発明の一実施例であるセラミック積層体の
分解斜視図である。
分解斜視図である。
【図４】Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系の酸化物ガラスの組
成範囲を示す｛Ａｌ2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝の３成分組成
図である。
成範囲を示す｛Ａｌ2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝の３成分組成
図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 誘電体セラミック層 ２ａ 内部電極を有しない誘電体セラミック層 ２ｂ 内部電極を有する誘電体セラミック層 ３ セラミック積層体 ４ 内部電極 ５ 外部電極 ６ メッキ第１層 ７ メッキ第２層
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の誘電体セラミック層と、 それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露
出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複
数の内部電極と、 露出した前記内部電極に電気的に接続されるように設け
られた外部電極とを含む積層セラミックコンデンサにお
いて、 前記誘電体セラミック層が、 不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が
０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、 酸化イットリウム、酸化テルビニウム、酸化ジスプロシ
ウム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテル
ビウムの中から選ばれる少なくとも１種類以上と、 酸化マンガン、酸化コバルト、酸化ニッケルの中から選
ばれる少なくとも１種類以上とからなり、 次の組成式、 （１−α−β）｛ＢａＯ｝m・ＴｉＯ2＋αＲｅ2Ｏ3＋β
（Ｍｎ1-x-yＮｉxＣｏy）Ｏ （ただし、Ｒｅ2Ｏ3は、Ｙ2Ｏ3，Ｔｂ2Ｏ3，Ｄｙ2Ｏ3，
Ｈｏ2Ｏ3，Ｅｒ2Ｏ3，Ｙｂ2Ｏ3の中から選ばれる少なく
とも１種類以上であり、α，β，ｍ，ｘ，ｙは、 ０．００２５≦α≦０．０２５ ０．００２５≦β≦０．０５ β／α≦４ ０≦ｘ＜１．０ ０≦ｙ＜１．０ ０≦ｘ＋ｙ＜１．０ １．０００＜ｍ≦１．０３５） で表される主成分１００モルに対して、 副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して
０．１〜３．０モル添加含有し、 さらに前記主成分および前記酸化マグネシウムの合計を
１００重量部として、Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただ
し、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸
化物）の酸化物ガラスを０．２〜３．０重量部含有した
材料によって構成され、 前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構
成されることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記Ａｌ2Ｏ3−ＭＯ−Ｂ2Ｏ3系（ただ
し、ＭＯは、ＢａＯ，ＣａＯ，ＳｒＯ，ＭｇＯ，Ｚｎ
Ｏ，ＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種類以上の酸
化物）の酸化物ガラスが、｛Ａｌ2Ｏ3，ＭＯ，Ｂ2Ｏ3｝
の三角図（ただし、単位はモル％）としたときに、 Ａ（ １，１４，８５） Ｂ（２０，１０，７０） Ｃ（３０，２０，５０） Ｄ（４０，５０，１０） Ｅ（２０，７０，１０） Ｆ（ １，３９，６０） の６点を結ぶ６本の直線で囲まれた領域の内部または線
上にあることを特徴とする請求項１に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項３】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層に
よって構成されていることを特徴とする請求項１または
請求項２のいずれかに記載の積層セラミックコンデン
サ。 - 【請求項４】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層か
らなる第１層と、その上のメッキ層からなる第２層とか
らなることを特徴とする請求項１または請求項２のいず
れかに記載の積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8326912A JP3039403B2 (ja) | 1996-12-06 | 1996-12-06 | 積層セラミックコンデンサ |
| DE69720168T DE69720168T2 (de) | 1996-12-06 | 1997-12-01 | Keramische Zusammensetzung und diese verwendender keramischer Kondensator |
| EP97121058A EP0851444B1 (en) | 1996-12-06 | 1997-12-01 | Ceramic composition and multilayer ceramic capacitor made therefrom |
| CN97114196A CN1111883C (zh) | 1996-12-06 | 1997-12-05 | 陶瓷组合物及由其制备的多层陶瓷电容器 |
| US08/985,825 US5877934A (en) | 1996-12-06 | 1997-12-05 | Ceramic composition and multilayer ceramic capacitor made therefrom |
| KR1019970066472A KR100271726B1 (ko) | 1996-12-06 | 1997-12-06 | 세라믹 조성물 및 이 세라믹 조성물로 제조된 적층 세라믹커패시터 |
Applications Claiming Priority (1)
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