JP6570478B2 - 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1(a)および図1(b)は、実施形態に係る積層セラミックコンデンサ100を例示する図である。なお、図1(a)および図1(b)で例示する積層セラミックコンデンサ100は一実施形態であって、図1(a)および図1(b)に示す形状以外のものにも適用できる。また、アレイに用いることもできる。
まず、セラミック誘電体層30の主成分であるセラミック材料の粉末に、目的に応じて所定の添加化合物を添加する。添加化合物としては、Mg,Mn,V,Cr,希土類元素(Y,Dy,Tm,Ho,Tb,YbおよびEr)の酸化物、並びに、Sm,Eu,Gd,Co,Ni,Li,B,Na,KおよびSiの酸化物もしくはガラスが挙げられる。例えば、まず、セラミック材料の粉末に添加化合物を含む化合物を混合して仮焼を行う。続いて、得られたセラミック材料の粒子を添加化合物とともに湿式混合し、乾燥および粉砕してセラミック材料の粉末を調製する。
次に、誘電体グリーンシートの表面に、内部電極形成用導電ペーストをスクリーン印刷、グラビア印刷等により印刷することで、内部電極層40のパターンを配置する。内部電極層形成用導電ペーストは、内部電極層40の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。バインダおよび溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。また、内部電極形成用導電ペーストには、共材として、セラミック誘電体層30の主成分であるセラミック材料を分散させてもよい。
次に、得られた成型体を、例えば、H2が1.5体積%程度の還元雰囲気中において、950℃程度の温度で2時間程度焼成する。それにより、セラミック誘電体層30および内部電極層40の焼成を行うことができ、焼結体が得られる。
次に、得られた焼結体の内部電極層パターンが露出する2端面に、下地導体層形成用導電ペーストを塗布する。下地導体層形成用導電ペーストは、下地導体層21の主成分金属の粉末と、バインダと、溶剤と、必要に応じてその他助剤とを含んでいる。バインダおよび溶剤は、上記したセラミックペーストと同様のものを使用できる。また、下地導体層形成用導電ペーストには、下地導体層21のセラミック積層体10への密着性を得るために、ガラスを形成する焼結助剤を分散させる。下地導体層形成用導電ペーストにおける当該焼結助剤の含有量を7重量%未満とする。焼結助剤としてB2O3およびSiO2から選択される1種以上の網目形成酸化物と、Al2O3,ZnO,CuO,Li2O,Na2O,K2O,MgO,CaO,BaO,ZrO2およびTiO2から選択される1種以上の網目修飾酸化物と用いる。次に、窒素雰囲気中で、上記焼結体を得るための焼成温度よりも低い温度(例えば、800℃〜900℃程度の温度)で焼成する。それにより、下地導体層21が焼き付けられ、積層セラミックコンデンサ100の半製品を得ることができる。なお、ガラスを下地導体層21に均一に分散するためには、上記焼結助剤には細かさが要求される。また、下地導体層21におけるガラスが大きすぎると、ガラスの偏析、ボイド発生等の不具合が生じる。そこで、焼結助剤の粒子径は、上記主成分金属の粒子径と同等もしくはそれ以下が好ましく、上記主成分金属の粒子径の1/2以下であることがより好ましい。
次に、半製品の下地導体層21上に、電解めっきにより第1めっき膜22を形成する。この場合において、第1めっき膜22の厚みTが下地導体層21の厚みtに対してt/2≦Tを満たすように電解めっきを行う。なお、積層セラミックコンデンサ100の大型化を抑制するために、t/2≦T≦tを満たすように厚みtを調整することが好ましい。さらに、第1めっき膜22上に、電解めっきにより第2めっき膜23を形成する。
上記実施形態に係る製造方法に従って、積層セラミックコンデンサ100を作製した。
20a,20b 外部電極
21 下地導体層
22 第1めっき膜
23 第2めっき膜
30 セラミック誘電体層
40 内部電極層
100 積層セラミックコンデンサ
Claims (5)
- セラミック誘電体層と、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極層と、が交互に積層され、積層された複数の前記内部電極層が交互に異なる端面に露出するように形成されたセラミック積層体と、
前記セラミック積層体の前記内部電極層が露出する端面に形成された少なくとも1対の外部電極と、を備え、
前記外部電極は、7重量%未満のガラスを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とし前記セラミック積層体に接して設けられた下地導体層と、前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して1/2以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第1めっき膜と、前記第1めっき膜を覆い、鉄族以外の遷移金属のうち前記第1めっき膜の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする第2めっき膜と、を備え、
前記下地導体層の前記第1めっき膜側の表面にボイドが形成されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 前記セラミック誘電体層は、CaZrO3を主成分とすることを特徴とする請求項1記載の積層セラミックコンデンサ。
- 前記下地導体層および前記第1めっき膜は、Cuを主成分とし、
前記第2めっき膜は、Snを主成分とすることを特徴とする請求項1または2に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 前記下地導体層の厚みをtとし、前記第1めっき膜の厚みをTとした場合に、t/2≦T≦tの関係を満たすことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の積層セラミックコンデンサ。
- セラミック誘電体層グリーンシートと、鉄族以外の遷移金属を主成分とする内部電極形成用導電ペーストと、を交互に積層し、
積層された複数の内部電極形成用導電ペーストを交互に異なる端面に露出させることによってセラミック積層体を形成し、
前記セラミック積層体を焼成し、
焼成後の前記セラミック積層体の前記内部電極形成用導電ペーストが露出する端面に、7重量%未満のガラスを含有し鉄族以外の遷移金属もしくは貴金属を主成分とする導電ペーストを配置し、当該導電ペーストに対して熱処理を行うことで前記ガラスが前記セラミック積層体とは反対側の表面に偏析するように下地導体層を焼き付け、
前記下地導体層を覆い前記下地導体層の厚みに対して1/2以上の厚みを有し鉄族以外の遷移金属を主成分とする第1めっき膜を形成し、前記第1めっき膜を覆い、鉄族以外の遷移金属のうち前記第1めっき膜の主成分の遷移金属とは異なる遷移金属を主成分とする第2めっき膜を形成する、ことを特徴とする積層セラミックコンデンサの製造方法。
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