TWI704587B - 積層陶瓷電容器及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種於高頻帶下之損失較少之積層陶瓷電容器及其製造方法。 本發明之積層陶瓷電容器之特徵在於，具備：陶瓷積層體，其係由陶瓷介電體層、與以鐵族以外之過渡金屬為主成分之內部電極層交替積層，且以使所積層之複數個上述內部電極層交替露出於不同之端面之方式而形成；及至少1對外部電極，其等形成於上述陶瓷積層體之上述內部電極層露出之端面；且上述外部電極具備：基底導體層，其含有未達7重量%之玻璃，以鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分，且與上述陶瓷積層體相接而設置；及第1鍍覆膜，其覆蓋上述基底導體層，具有相對於上述基底導體層之厚度為1/2以上之厚度，且以鐵族以外之過渡金屬為主成分。

Description

積層陶瓷電容器及其製造方法
本發明係關於一種積層陶瓷電容器及其製造方法。
專利文獻1中揭示有一種技術，即，在將Cu、Ni等賤金屬用於內部電極及外部電極之積層陶瓷電容器中，為防止鍍覆液浸入，作為用於形成外部電極之導電性膏，使用於與導電成分之合計量中混合有5～50重量%之玻璃料者。 若外部電極膏內玻璃含量不足，則於晶片之密閉性方面有可能產生問題，或者若添加過剩之玻璃，則存在如下問題，即，於金屬燒結之後，產生由玻璃之表面溶出而導致之鍍覆不良。因此，專利文獻2中揭示有以如下方式改善上述問題之手法，即，使外部電極膏中包含10～90重量份之平均粒徑為0.3 μm以下之導電性金屬粒子，此外，使玻璃相對於導電性金屬粒子之含有比為0.3～2.0。另一方面，專利文獻3中揭示有以如下方式改善上述問題之手法，即，使外部電極中包含之玻璃之長度方向之平均值為10 μm以下。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2001-274035號公報 [專利文獻2]日本專利特開2013-048231號公報 [專利文獻3]日本專利特開2014-011449號公報
[發明所欲解決之問題] 然而，於基底電極部包含玻璃之情形時，該玻璃易於基底電極表面偏析。又，鍍覆液等水分會殘留於由該偏析之玻璃相之脫落或向鍍覆液之溶出而產生之孔隙中，由此易產生所謂焊料爆裂。為抑制該焊料爆裂，需要形成金屬鍍覆層。一般考慮該金屬鍍覆膜與零件安裝時之焊料之親和性而使用Ni鍍覆。自抑制爆裂之觀點而言，較佳為使Ni鍍覆較厚。另一方面，若考慮高頻帶之電氣特性，則Ni等相對磁導率較高之鐵族過渡金屬成分存在於信號線上會使電阻成分因高頻區域之集膚效應而增加，作為其結果，導致介電損失增大，故不佳。 本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種於高頻帶下之損失較少之積層陶瓷電容器及其製造方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之積層陶瓷電容器之特徵在於，具備：陶瓷積層體，其係由陶瓷介電體層、與以鐵族以外之過渡金屬為主成分之內部電極層交替積層，且以使所積層之複數個上述內部電極層交替露出於不同之端面之方式而形成；及至少1對外部電極，其等形成於上述陶瓷積層體之上述內部電極層露出之端面；且上述外部電極具備：基底導體層，其含有未達7重量%之玻璃，以鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分，且與上述陶瓷積層體相接而設置；及第1鍍覆膜，其覆蓋上述基底導體層，具有相對於上述基底導體層之厚度為1/2以上之厚度，且以鐵族以外之過渡金屬為主成分。 於上述積層陶瓷電容器，上述陶瓷介電體層亦可以CaZrO3 為主成分。 於上述積層陶瓷電容器中，亦可具備第2鍍覆膜，其覆蓋上述第1鍍覆膜，以鐵族以外之過渡金屬中之與上述第1鍍覆膜之主成分之過渡金屬所不同之過渡金屬為主成分。 於上述積層陶瓷電容器中，上述基底導體層及上述第1鍍覆膜亦可以Cu為主成分，上述第2鍍覆膜亦可以Sn為主成分。 本發明之積層陶瓷電容器之製造方法之特徵在於：將陶瓷介電體層坯片、與以鐵族以外之過渡金屬為主成分之內部電極形成用導電膏交替積層；藉由使所積層之複數個內部電極形成用導電膏交替露出於不同之端面而形成陶瓷積層體；燒成上述陶瓷積層體；於燒成後之上述陶瓷積層體之上述內部電極形成用導電膏露出之端面，配置含有未達7重量%之玻璃且以鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分之導電膏，對該導電膏進行熱處理，以此燒接基底導體層；及形成第1鍍覆膜，其覆蓋上述基底導體層，具有相對於上述基底導體層之厚度為1/2以上之厚度，且以鐵族以外之過渡金屬為主成分。 [發明之效果] 根據本發明，可提供一種於高頻帶下之損失較少之積層陶瓷電容器。
以下，一面參照圖式，一面對實施形態進行說明。 (實施形態) 圖1(a)及圖1(b)係例示實施形態之積層陶瓷電容器100之圖。再者，圖1(a)及圖1(b)中例示之積層陶瓷電容器100為一實施形態，亦可應用於除圖1(a)及圖1(b)所示之形狀以外。又，亦可用於陣列。 如圖1(a)所例示，積層陶瓷電容器100具備大致長方體形狀之陶瓷積層體10、及至少1對外部電極20a、20b。陶瓷積層體10具有由陶瓷介電體層30與內部電極層40交替積層之構造。於陶瓷積層體10中，所積層之複數個內部電極層40係以交替露出於不同之端面之方式而積層。於本實施形態中，所積層之複數個內部電極層40係以交替露出於對向之兩端面之方式而積層。外部電極20a設置於該兩端面之一者。外部電極20b設置於該兩端面之另一者。 陶瓷介電體層30係以具有由一般式ABO3 表示之鈣鈦礦構造之陶瓷材料為主成分。再者，該鈣鈦礦構造包含偏離化學計量組成之ABO3 － α 。例如，作為該陶瓷材料，可使用CaZrO3 (鋯酸鈣)、BaTiO3 (鈦酸鋇)、CaTiO3 (鈦酸鈣)、SrTiO3 (鈦酸鍶)、形成鈣鈦礦構造之Ba1 － x － y Cax Sry Ti1 － z Zrz O3 (0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1)等。 內部電極層40係以除鐵族(Fe、Co、Ni)以外之過渡金屬成分(Cu等)為主成分之導電薄膜。 外部電極20a、20b具備與陶瓷積層體10相接而設置之基底導體層21、與基底導體層21相接且覆蓋其之第1鍍覆膜22、及與第1鍍覆膜22相接且覆蓋其之第2鍍覆膜23。基底導體層21含有玻璃，且以除鐵族以外之過渡金屬(Cu等)或貴金屬(Ag、Au、Pt、Pd等)為主成分。由於基底導體層21以除鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分，故可獲得良好之高頻特性。基底導體層21例如具有4 μm～10 μm左右之厚度。 圖1(b)係基底導體層21之放大圖。如圖1(b)所例示，於基底導體層21中分散有玻璃24。基底導體層21中所含之玻璃24於基底導體層21對陶瓷積層體10之燒接時於軟化之後硬化，故發揮基底導體層21與陶瓷積層體10之密接性之效果。若基底導體層21之玻璃含量較多，則有時於第1鍍覆膜22上產生鍍覆之不連續。因此，基底導體層21含有未達7重量%之玻璃。玻璃並未特別限定，其係包含1種以上之網眼形成氧化物與1種以上之網眼修飾氧化物之非晶質體。例如，作為網眼形成氧化物，可使用B2 O3 、SiO2 等。作為網眼修飾氧化物，可使用Al2 O3 、ZnO、CuO、Li2 O、Na2 O、K2 O、MgO、CaO、BaO、ZrO2 、TiO2 等。 於基底導體層21中，存在玻璃24於基底導體層21之外側表面偏析之傾向。該情形時，存在如下情況，即，於第1鍍覆膜22形成時，鍍覆液等水分會殘留於基底導體層21中由玻璃24脫落而產生之孔隙中，於第1鍍覆膜22形成時，由玻璃24溶出至鍍覆液而產生之孔隙等中。藉此，於積層陶瓷電容器100之焊料安裝時，有產生焊料爆裂之虞。因此，第1鍍覆膜22具有相對於基底導體層21之厚度為1/2以上之厚度。該情形時，由於第1鍍覆膜22具有充分之厚度，故可抑制焊料爆裂。再者，存在若基底導體層21變厚則玻璃24對基底導體層21表面之偏析量變多之傾向。因此，基底導體層21變得越厚，則越可藉由加厚第1鍍覆膜22，從而抑制焊料爆裂。因此，並未規定第1鍍覆膜22之厚度之絕對值，作為相對於基底導體層21之厚度之相對值，第1鍍覆膜22具有相對於基底導體層21之厚度為1/2以上之厚度。 且說，若考慮與積層陶瓷電容器100安裝時使用之焊料之親和性，則較佳為於第1鍍覆膜22之形成中使用Ni鍍覆。然而，若考慮高頻帶之電氣特性，則Ni等相對磁導率較高之鐵族過渡金屬成分存在於信號線上會使電阻成分因高頻區域之集膚效應而增加。其結果導致介電損失增大。因此，於本實施形態中，使用鐵族以外之過渡金屬(Cu等)作為第1鍍覆膜22之主成分。藉此，可減小高頻帶下之介電損失。 第2鍍覆膜23係以鐵族以外之過渡金屬中之與第1鍍覆膜22之主成分之過渡金屬所不同之過渡金屬為主成分。例如，考慮與積層陶瓷電容器100安裝時使用之焊料之親和性，第2鍍覆膜23較佳為以Sn等過渡金屬為主成分。 繼而，對積層陶瓷電容器100之製造步驟進行說明。圖2係例示積層陶瓷電容器100之製造方法之流程之圖。 (原料粉末製作步驟) 首先，於陶瓷介電體層30之主成分即陶瓷材料之粉末中，根據目的而添加特定之添加化合物。作為添加化合物，可舉出Mg、Mn、V、Cr、稀土類元素(Y、Dy、Tm、Ho、Tb、Yb及Er)之氧化物、以及Sm、Eu、Gd、Co、Ni、Li、B、Na、K及Si之氧化物或玻璃。例如，首先，將包含添加化合物之化合物混合至陶瓷材料之粉末中進行煅燒。繼而，將所獲得之陶瓷材料之粒子與添加化合物一併進行濕式混合、乾燥及粉碎而調製陶瓷材料之粉末。 其次，將聚乙烯丁醛(PVB，polyvinyl butyral)樹脂等黏合劑、乙醇、甲苯等有機溶劑、及鄰苯二甲酸二辛酯(DOP，dioctyl phthalate)等可塑劑添加至所獲得之陶瓷材料之粉末中進行濕式混合。使用所獲得之漿料，藉由例如模嘴塗佈法或刮刀法，於基材上塗敷例如厚度0.8 μm以下之帶狀之介電體坯片且使其乾燥。 (積層步驟) 其次，於介電體坯片之表面，藉由網版印刷、凹版印刷等而印刷內部電極形成用導電膏，以此配置內部電極層40之圖案。內部電極層形成用導電膏包含內部電極層40之主成分金屬之粉末、黏合劑、溶劑、及視需要之其他助劑。黏合劑及溶劑可使用與上述陶瓷膏相同者。又，亦可使作為相同材料之陶瓷介電體層30之主成分即陶瓷材料分散於內部電極形成用導電膏中。 其次，將印刷有內部電極層圖案之介電體坯片沖裁成特定之大小，且將所沖裁之介電體坯片於已剝離基材之狀態下，以使內部電極層40與陶瓷介電體層30互不相同之方式，且以使內部電極層40於陶瓷介電體層30之長度方向兩端面交替露出端緣並交替引出至極性不同之一對外部電極之方式而積層特定層數(例如200～500層)，獲得大致長方體形狀之成型體。再者，於積層體之上下積層有成為外罩層之介電體坯片1。 (燒成步驟) 其次，將所獲得之成型體例如於H2 為1.5體積百分比左右之還原環境中以950℃左右之溫度燒成2小時左右。藉此，可進行陶瓷介電體層30及內部電極層40之燒成，獲得燒結體。 (基底導體層21之燒接步驟) 其次，於所獲得之燒結體之內部電極層圖案露出之兩端面，塗佈基底導體層形成用導電膏。基底導體層形成用導電膏包含基底導體層21之主成分金屬之粉末、黏合劑、溶劑、及視需要之其他助劑。黏合劑及溶劑可使用與上述陶瓷膏相同者。又，為獲得基底導體層21對陶瓷積層體10之密接性，使形成玻璃之燒結助劑分散於基底導體層形成用導電膏中。將基底導體層形成用導電膏中之該燒結助劑之含量設為未達7重量%。作為燒結助劑，可使用選自B2 O3 及SiO2 中之1種以上之網眼形成氧化物、及選自Al2 O3 、ZnO、CuO、Li2 O、Na2 O、K2 O、MgO、CaO、BaO、ZrO2 及TiO2 中之1種以上之網眼修飾氧化物。其次，於氮環境中，以較用以獲得上述燒結體之燒成溫度低之溫度(例如800℃～900℃左右之溫度)進行燒成。藉此，可燒接基底導體層21，獲得積層陶瓷電容器100之半成品。再者，為使玻璃均勻地分散於基底導體層21中，對於上述燒結助劑要求細度。又，若基底導體層21中之玻璃過大，則會產生玻璃之偏析、孔隙產生等不良。因此，燒結助劑之粒徑較佳為與上述主成分金屬之粒徑等同或其以下，更佳為上述主成分金屬之粒徑之1/2以下。 (第1鍍覆形成步驟、第2鍍覆形成步驟) 其次，於半成品之基底導體層21上，藉由電解鍍覆而形成第1鍍覆膜22。該情形時，以使第1鍍覆膜22之厚度T相對於基底導體層21之厚度t滿足t/2≦T之方式進行電解鍍覆。再者，為抑制積層陶瓷電容器100之大型化，較佳為以滿足t/2≦T≦t之方式調整厚度t。進而，於第1鍍覆膜22上，藉由電解鍍覆而形成第2鍍覆膜23。 根據本實施形態，基底導體層21含有未達7重量%之玻璃。該情形時，可一方面抑制第1鍍覆膜22之不連續，一方面獲得基底導體層21對陶瓷積層體10之密接性。自抑制第1鍍覆膜22之不連續之觀點而言，基底導體層21之玻璃含量較佳為6重量%以下。自基底導體層21對陶瓷積層體10之密接性之觀點而言，基底導體層21之玻璃含量較佳為超過2重量%，更佳為3重量%以上。相對於基底導體層21之厚度t，第1鍍覆膜22具有滿足t/2≦T之厚度T，故第1鍍覆膜22變得充分地厚。藉此，可抑制焊料爆裂。自積層陶瓷電容器100之小型化之觀點而言，厚度T較佳為滿足t/2≦T≦t。又，基底導體層21以鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分，且第1鍍覆膜22及第2鍍覆膜23以鐵族以外之過渡金屬為主成分，故可減小高頻帶下之介電損失。 [實施例] 以下，製作實施形態之積層陶瓷電容器，且對特性進行調查。 (實施例1～11) 根據上述實施形態之製造方法而製作積層陶瓷電容器100。 作為陶瓷介電體層30之主成分之陶瓷材料，使用CaZrO3 。再者，將Ca相對於Zr之莫耳比率(Ca/Zr)設為1.05。將BN(3.5 mol%)、SiO2 (3.5 mol%)、Li2 CO3 (1.75 mol%)、及MnCO3 (3.5 mol%)作為添加材而添加至陶瓷介電體層30中。作為內部電極層40之主成分，使用Cu。作為外部電極20a、20b之基底導體層21之主成分，使用Cu，作為燒結助劑，包含BaO-ZnO系之玻璃成分3～6份。第1鍍覆膜22中使用有Cu。於任一實施例中，均將第1鍍覆膜22之厚度設為基底導體層21之厚度之1/2以上。於第2鍍覆膜23中使用有Sn。於任一實施例中，均將第2鍍覆膜23之厚度設為2.5 μm。 將實施例1～11之積層陶瓷電容器100之大致形狀、靜電電容、基底導體層21之厚度、第1鍍覆膜22之厚度、第2鍍覆膜23之厚度、高頻特性(Q值)、高頻特性良否、電極密接性、鍍附性、及安裝性良否示於圖3。電極密接性係外部電極20a、20b之密接性。關於該密接性之試驗，依據IEC60068-2-21中記載之固接性試驗而進行。此處，進行加壓直至製品自基板脫落為止，於製品自基板脫落後，確認該故障(破壞)模式，若於基底導體層21與第1鍍覆膜22之間剝離則判定為「○」，若於陶瓷介電體層30及內部電極層40之燒結體與基底導體層21之間剝離則判定為「△」。鍍附性係第1鍍覆膜22對基底導體層21之鍍附性。於第1鍍覆膜22形成後目測確認端面，於有如針孔等鍍覆不連續之部分之情形時判定為「×」，若整個面由鍍覆膜覆蓋則判定為「○」。關於安裝性之良否，於積層陶瓷電容器100之焊料安裝時未產生焊料爆裂之情形時設為「○」，於產生有焊料爆裂之情形時設為「×」。 於比較例1中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例1相同之製作條件。 於比較例2中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例2相同之製作條件。 比較例3中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例3相同之製作條件。 比較例4中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例4相同之製作條件。 比較例5中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例5相同之製作條件。 比較例6中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例6相同之製作條件。 比較例7中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例7相同之製作條件。 比較例8中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例8相同之製作條件。 比較例9中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例9相同之製作條件。 比較例10中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例10相同之製作條件。 比較例11中，含有7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑，除此之外，設為與實施例11相同之製作條件。 比較例12中，相對於基底導體層21之厚度4 μm，將第1鍍覆膜22之厚度設為1 μm。含有3～7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑。除此之外，設為與實施例1～11相同之製作條件。 比較例13中，相對於基底導體層21之厚度6 μm，將第1鍍覆膜22之厚度設為2 μm。含有3～7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑。除此之外，設為與實施例1～11相同之製作條件。 比較例14中，相對於基底導體層21之厚度6 μm，將第1鍍覆膜22之厚度設為3 μm，且於第1鍍覆膜22中使用Ni。含有3～7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑。除此之外，設為與實施例1～11相同之製作條件。 比較例15中，相對於基底導體層21之厚度6 μm，將第1鍍覆膜22之厚度設為2 μm，且於基底導體層21中使用Ni。含有3～7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑。除此之外，設為與實施例1～11相同之製作條件。 比較例16中，相對於基底導體層21之厚度6 μm，將第1鍍覆膜22之厚度設為4 μm，且於基底導體層21中使用Ni。含有3～7份BaO-ZnO系之玻璃成分作為燒結助劑。除此之外，設為與實施例1～11相同之製作條件。 如圖3所示，於實施例1～11之任一者中，均獲得良好之電極密接性及良好之鍍附性。認為其原因在於，使基底導體層21中含有未達7重量%之玻璃成分。其次，如圖3所示，於實施例1～11任一者中，均獲得良好之安裝性。認為其原因在於，藉由將第1鍍覆膜22之厚度設為基底導體層21之厚度之1/2以上而使第1鍍覆膜22充分地厚。又，於實施例1～11中，獲得良好之高頻特性。認為其原因在於，於基底導體層21、第1鍍覆膜22及第2鍍覆膜23中使用有除鐵族過渡金屬以外之過渡金屬(Cu)。 相對於此，如比較例1～11般，於將玻璃成分設為7份之情形時無法獲得鍍附性。認為其原因在於，由於基底導體層21中之玻璃含量變多而使第1鍍覆膜22產生不連續。 於比較例12、13中，於焊料安裝時產生有焊料爆裂。認為其原因在於，由於將第1鍍覆膜22之厚度設為未達基底導體層21之厚度之1/2而無法使第1鍍覆膜22充分地厚，從而無法抑制產生於基底導體層21之孔隙中之水分之殘留。 其次，於實施例1～11中，獲得良好之高頻特性。認為其原因在於，於基底導體層21及第1鍍覆膜22中使用有除鐵族過渡金屬以外之過渡金屬(Cu)。 相對於此，於比較例14～16中，未獲得良好之高頻特性。認為其原因在於，於基底導體層21及第1鍍覆膜22之任一者中使用有作為鐵族過渡金屬之Ni。 以上，對本發明之實施例進行了詳細敍述，但本發明並不限定於相關之特定之實施例，可於申請專利範圍中記載之本發明之要旨之範圍內進行各種變化、變更。
10‧‧‧陶瓷積層體20a‧‧‧外部電極20b‧‧‧外部電極21‧‧‧基底導體層22‧‧‧第1鍍覆膜23‧‧‧第2鍍覆膜24‧‧‧玻璃30‧‧‧陶瓷介電體層40‧‧‧內部電極層100‧‧‧積層陶瓷電容器S1～S5‧‧‧步驟
圖1(a)及(b)係例示實施形態之積層陶瓷電容器之圖。 圖2係例示積層陶瓷電容器之製造方法之流程之圖。 圖3係例示實施例及比較例之特性之結果之表。
10‧‧‧陶瓷積層體
20a‧‧‧外部電極
20b‧‧‧外部電極
21‧‧‧基底導體層
22‧‧‧第1鍍覆膜
23‧‧‧第2鍍覆膜
24‧‧‧玻璃
30‧‧‧陶瓷介電體層
40‧‧‧內部電極層
100‧‧‧積層陶瓷電容器

Claims (5)

  1. 一種積層陶瓷電容器，其特徵在於： 具備： 陶瓷積層體，其係由陶瓷介電體層、與以鐵族以外之過渡金屬為主成分之內部電極層交替積層，且以使所積層之複數個上述內部電極層交替露出於不同之端面之方式而形成；及 至少1對外部電極，其等形成於上述陶瓷積層體之上述內部電極層露出之端面；且 上述外部電極具備：基底導體層，其含有未達7重量%之玻璃，以鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分，且與上述陶瓷積層體相接而設置；及第1鍍覆膜，其覆蓋上述基底導體層，具有相對於上述基底導體層之厚度為1/2以上之厚度，且以鐵族以外之過渡金屬為主成分。
  2. 如請求項1之積層陶瓷電容器，其中上述陶瓷介電體層係以CaZrO3 為主成分。
  3. 如請求項1或2之積層陶瓷電容器，其具備第2鍍覆膜，該第2鍍覆膜覆蓋上述第1鍍覆膜，以鐵族以外之過渡金屬中之與上述第1鍍覆膜之主成分之過渡金屬所不同之過渡金屬為主成分。
  4. 如請求項3之積層陶瓷電容器，其中上述基底導體層及上述第1鍍覆膜係以Cu為主成分， 上述第2鍍覆膜係以Sn為主成分。
  5. 一種積層陶瓷電容器之製造方法，其特徵在於： 將陶瓷介電體層坯片、與以鐵族以外之過渡金屬為主成分之內部電極形成用導電膏交替積層； 藉由使所積層之複數個內部電極形成用導電膏交替露出於不同之端面而形成陶瓷積層體； 燒成上述陶瓷積層體； 於燒成後之上述陶瓷積層體之上述內部電極形成用導電膏露出之端面，配置含有未達7重量%之玻璃且以鐵族以外之過渡金屬或貴金屬為主成分之導電膏，對該導電膏進行熱處理，以此燒接基底導體層；及 形成第1鍍覆膜，該第1鍍覆膜覆蓋上述基底導體層，具有相對於上述基底導體層之厚度為1/2以上之厚度，且以鐵族以外之過渡金屬為主成分。
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