JPS5990303A - 誘電体磁器物質 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は非酸１ヒ注雰囲気中で焼結し、酸化性雰囲気中
で焼結時より低い温度で熱処理して得ることが出来る複
合ペロブスカイト型誘電体磁器物質に関し、更に詳細に
は、訪電体生シートにニッケルを主成分とする導体ペー
ストを塗布して焼結した構造の積層磁器コンデンサに最
２ｉＴｌな誘電体磁器物質に関する。

従来技術 従来の積層磁器コンデンサは、誘電体生シート（グリー
ンシート］に白金、パラジウム等の貴金属の導電ペース
トをば１桐したものを複数枚積み重ねて圧着し、酸化性
雰囲気中で高温焼成を行い。

しかる後外部引き出し！極を設けることによって製作さ
れている。しかし、白金、パラジウム等の電極材料は高
価であるため、民生用機器が要求する安価な＃１層磁器
コンデンサを提供することが不可能であった。この棹の
問題を解決する定めに、ニッケルを主成分とする導電ペ
ーストを生シートに塗布したものを非酸ｆヒ性雰囲気で
焼結させることが考えられる。ところが、非酸ｆヒ性雰
囲気で焼結しても、この焼結時の温度が例えば１３００
℃ぶり上のように高いと、ニッケル導電ペーストのニッ
ケル粒子が粒成長すると同時に粒子の凝集が生じ、ニッ
ケルが玉状に分布した状態となり、良質な電極を形成す
ることが困難であった。また、ニッケルの一部が修器甲
に拡散して絶縁が劣イヒすることがあった。この為、非
酸ｆヒ性雰囲気中に於いて低温（例えば］２２５０°Ｃ
Ｊ２１下）で焼結することが可能な磁器組成物が要求さ
れている。

発明の目的 本発明の目的は、非酸ｆヒ性雰囲気中で低温焼結するこ
とによって得ることが可能であり、且つ上記粂件で焼結
するものであるにも拘らず、絶縁抵抗が比較的高く、誘
電体損失（ｊａｎＪ）が比較的小さく、更に静電容量×
抵抗（ＣＲ）値が比較的大きいコンデンサを得ることが
可能な誘電体磁器物質を提供することにある。

発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、（（Ｂａ、−ＸＣ
ａｘ）　０　）ｋ（Ｔｉ、−ｙＺｒｙ）　０！　（但し
Ｘは帆０２〜０．２７％ｙは０．０１〜０．２６　、　
ｋは１〜１．０４の範囲の数値）からなる基本成分と、
１００重量部の前Ｈピ（（Ｂａ、ＸＣａＸ）　Ｏ）ｋ（
Ｔｉ、−、Ｚｒ、ンＯ３に対して０．２〜１０．０重量
部のＬｉｘＯ−ＭｅＯ−５ｉｆｔガラス（但しＭｅＯは
ＢａＯ、ＣａＯ、及びＳｒＯの内の］榴Ｌｌ上の金属ｅ
（ヒ物）と、ケ含み、且つｎｔＴ　Ｎａ　ＬＩ　２０−
　ＭｅＯ−５ｉＱ２は、　Ｌ＋＊ＯとＭｅＯとＳｉＯと
の組成なモル鴨で示す三角図に於いて、前記Ｌｉ２Ｏが
０モル％、前＋ｉａＭｅＱが３５モル島、前記Ｓ　ｒ　
Ｏｔが６５モル％の組成を示す第１の点（Ａｔと、前記
Ｌｉ２Ｏが０モル％ｓｍＪｉｉピＭｅｏが４０モ、＋＋
／％、前記Ｓ　ｓ　Ｏｔが６０モル％の組成を示す第２
の点旧）と、前記Ｌ　Ｉ　２０が５モル％、前記ＭｅＯ
が４５モル％、前記５ｉＯｔが５０モル％の組成を示す
第３の点（Ｃと、ｌｖｉ前記Ｌｉ、０が４８モル％、前
記ＭｅＯが２モル％、前記５ｔｙｘが５０モル％のａ成
馨示す第４の点の１と、前記Ｌ＋＋＋０が２３モル鳴、
前Ｎｒ：２ＭｅＯが２モル％、前記５ｉｆｔが７５モル
％の組成を示す第５の点の）と、前記第１の点（Ａｔと
、を順次に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内の組成であ
ることを特徴とする複合ベロブスカイト型誘電体Ｓ器物
質に係わるものである。

作用効果 上記本発明によれば次の作用効果が得られる。

（Ａｌ　　低融点のＬｉｚＯ−ＭｅＯ−５ｉｆｔガラス
５　添力０　スることにより、低温（例えは１２００℃
以下）での焼結が可能に１よる。

のｌ　　（？ａＴｊＯ，糸を含むので、低温での酸化性
能が良く１例えば８００℃の低温で酸化熱処理すること
が可能になる。

（０低温焼結が可ｎヒであるので、ニッケル等の卑金属
の！極材料を同時に焼結しても、はぼ完全なコンデンサ
電ｖｉｌ！を得ることが出来る。

０　上記（Ａｌ−（０の理由、及び基本成分に含まれる
１３ａＴｉｏｇが高い比誘電率を得るのに寄与すること
。

ＺｒＯがｔａｎδの改良に寄与すること等のために、抵
抗率ρが２．３２　Ｘ　］　Ｏ’ＭΩ−ｃｍＪＵ上、ｃ
Ｒ値が２６００鳩２・μＦ以上、―ｉが１．５％ＤＪ下
、比誘電率εが２５２０以上のコンデンサ２得ることが
可能になる。

実施例 次に本発明の大施例について述べる。但し１本発明を明
確にするために１本発明の範囲外の実施例も含讐れてい
る。

実施例Ｊ〜７８（第１表及び第２表） 第１表及び第２表に示す実施例］〜７８の磁器コンデン
サの製造及びその特性測定は次の方法で行った。筐ず、
複合ペロブスカイト構造の焼成物の基本成分である（　
（Ｂ”　Ｉ、、、ｘ　Ｃａｘ　）　０　）　ｋＩ　Ｔ　
＋　１−ｙＺｒｙ　）　Ｏｐのｚ−ｘ）、ｘ、［１−ｙ
）、　ｙ、及びｋが第１表に示す値になるような割合に
、純度９９．０％以上のＢａｅｏａ、ＣａＣＯ５、Ｔｌ
０ｔ、　Ｚｒ０ｔ　’！を出発原料として秤量した。

次に、秤量した原料を１５時間、温式混合し。

粉砕した後に乾燥し、ＦＪ１２００℃、２時間、大気中
で仮焼した。これにより、出発原料はほぼ基本成分とな
る。

次に、　　（（Ｂａｔ−ｘ　Ｃａｘ　）０　）ｋ（Ｔｉ
　＋−ｙＺｒｙ　）　Ｑ＊カらなる基本成分１００重量
部に対して第１表に示す割合になるように平均粒径約５
μｍのＬｉ、Ｑ　−ＭｅＯ−８ｉＯｍガラス粉末を秤量
し、このガラス粉末な仮ｉ焼で得た基本成分に添加し、
同時にアクリル酸エステルポリマー、グリセリン、縮合
リン酸塩の水溶液から成る有機バインダを］５１童部添
加し、丈に５０重量部の水を加えたものをボールミルに
入れて粉砕及び混合し″′Ｃ磁器原料のスリップを作製
した。

尚第１表に示すＬｉ２Ｏ−ＭｅＯ−８４０２カラスの組
成は、第２表に示す通りであり、更にこのガラスの成分
であるＭｅＯはＢａＯ，ＣａＯ１ＳｒＯの１種又は複数
種であり、その内容（組成）は第２表に示す通りである
。

次に、上記スリップを脱泡処埠した後に、このスリップ
からドクターブレード法によって長手の生シートｖ作裂
し、これ等を乾燥させた後に、プレスによって第１図に
示す３枚の生シート（月ｆ２１（３１を作製した。

次に、生シート（１）（２）の一方の主面に、ニッケル
を生成分とする導電ペース）（Ｎｉ９］ｗｔ％、ＭｎＯ
］　ｗｔ％−ｐｂＱ　　ＢａＯ５ｉｆｔガラス８ｗｔ％
にビヒクルを加えたペースト）を約６μｍの厚さにば１
刷することによって第２図に示す導電ペースト層（４）
（５Ｊ　’２形成し、しかる後、第２図に示す順序に３
枚の生シート（ＩＩ　ｆ２＋　（３）　”；ｒ：重ね合
せ、熱圧着して一体ｆヒした。

次に、生シー）　＋１１　＋２１　＋３１を一体比した
ものを加熱炉に入れ１００℃／ｈの温度上昇率で室温か
ら６００℃丁で空気中でガロ熱し、有機バインダを燃焼
させた。しかる後、加熱炉の雰囲気を空気から中性又は
還元性の非酸比性雰囲気に変えた。尚上記の中性又は還
元性の非酸ｆｉＺ性雰囲気を実施例１〜６０及び６５〜
７８ではＨ鵞２体槓鳴子へ、９８８体績雰囲気、実施例
６ＪではＨ２零体積％＋Ｎｔ１００体積％雰囲気、実施
例６２はＨｚ　５体績％十Ｎ２９５体積％雰囲気、実施
例６３はＨｌ】０体積鳴＋Ｎ、９０体、！＃％雰曲気、
実施例６４はＨ２７５体積％＋Ｎ、２５５体績雰囲気と
した。そして加熱炉を上述の如き非酸化性雰囲気とした
状態で生シートの加Ｐ８温度を６００℃から第１表に示
す焼成温度］０３０’Ｃ〜１３８０℃まで１００℃／ｈ
の比率で上昇させ、上記中性又は還元性雰囲気中で第１
表に示す焼成温度】０３０℃〜１３８０℃ケ３時間保持
して生シートの焼成をなした。

次に、中性又は還元性の雰囲気を保った状態で力ロ熱炉
の温度を焼成温度］　０３０℃〜］３８０℃から実施例
】では１０００℃まで、実施１＋ｌ１２〜７８では８０
０℃葉で］００℃／ｈ０）割合で下け１次に、加熱炉の
雰囲気を中性又は還元性雰囲気から酸１と性雰囲気（空
気）に変えて実施ｆ１１　］では】０００℃、夾施例２
〜７８では８００℃に３０分間保持し、その後、室温（
ｆ１２０℃）まで空気雰囲気中で冷却した。

これにより、第３図に示す如く生シート（１）に対応し
た第Ｊの磁器層［１ａ）と生シート＋２１に対応した第
２の磁器層（２ａ）と生シート（３）に対応した第３の
磁器層（３ａ）とから成り、これ等の間にペースト層ｆ
４１　（５７に対応した電極（４ａ）　（５ａ）ン有す
る焼結体（６４が得られた。尚焼結体（６）に於ける５
Ｂ器層ｃ１ａ）ｔ２ａＨ３ａ）の厚さは約５０μｍであ
り、焼結体（６）の合計の厚さは電極（４ａ）　（５ａ
）　ｋ入れてＦＪ１６０／ｊｍであり、＋：の縦幅及び
横幅は６ｍｍであり、電極（４８）　（５Ｂ）の対同面
積は５　ｍｍ　Ｘ　５　ｍｍ＝　２５ｍｍ”である。

次に、電極（４ａ）　（５ａ）が露出する焼結体（６）
の側ｔｉｅ、Ｚｎとガラスフリットとビヒクルとかう成
るＺｎペーストχ塗布して乾燥し、これン大気中で５５
０℃の温度で１５分間焼付け、第４図に示す如＜　Ｚｎ
電極層（７）を形成し、更にこの上にＣｕン無電界メッ
キで被着させてＣｕ層（８）ヲ形成し、更にこの上に電
気メツキ法で半田層（９）乞設けて、一対の端面電極ａ
ｕｉｕを形成しγこ。

次に上述の如く形成した谷実施例の積層磁器コンデンサ
の電気的特性即ち誘電体損失ｔａｎδ、比誘電率ε、抵
抗率ｐ、静電容量×抵抗ＣＲン測定したところ、第２表
に示す結果が得られた。尚。

比誘電率εは、温度２５℃１周波数］ｋＩ−１ｚ、電圧
（実効値）　０．５　Ｖの条件で静電容ｔＶ測定し、こ
の御１足値と１極（４ａ）　（５ａ）の対同面積２５　
ｍｍ２と’ａｌｆｌＡ＋４ａＪ　＋５ａ）間の磁器層（
２ａ）の厚さ０．０５ｍｍから計算で釆めた。丁た。　
　ｔａｎδは比誘電率と同一条件で測定し、第２表ＶＣ
は％で示した。即ち第２表には実際のｔａｎδの値の１
００倍の値を示す。

従って、実際のｔａｒ＋Ｊの値は第２表の値の】Ｏ−２
倍である。ぼた、批抗率ｐ（ＭΩ・ｃｍ）は％温度２５
℃に於いてＤＣ５０Ｖン】分間［＋加した後に電極００
）ａυ間の抵抗値乞測定し、こり測足値より計算で求め
た。ｆたＣＲは、測定した静電容量値と抵抗値とを掛げ
合せることにより求めた。

第１表及び第２表の本発明の範囲内の実施例２〜２４．
：Ｉｌｌ　　〜　３３．３６　〜５０．５２〜５４　。

５８〜６８．７０〜７７から明らかなように、基本成分
の （（Ｂａ＋−ｘＣａｘ　）Ｏ）ｋｔＴｔ、−ｙＺｒｙ＋
Ｏ＊のＸが０．０２〜０．２７．　ｙが０．０１〜０．
２６．ｋが１〜１．０４であり、この基本成分１００重
電部に対し”（０，２〜１０重前１の範囲のＬｓｔＯ、
Ｍｅｏ−８ｊＯ＊ガラスを含む複合ペロブスカイト型誘
電体磁器は、非酸ｆヒ・吐雰曲気中で１０５０℃（実施
例３３　　〕〜】１６０℃（実施例４９）の温度で焼結
し。

しかる後、冷却過程に於ける酸ｆヒ性雰囲気約８００℃
の熱処理を行うことによって形成することが出来る。そ
して、ｔａｎδが０．５〜１．４％、εが２５２０〜］
３０６０．（Ｊが２．３２Ｘ］０’〜］、］８Ｘ］０Ｍ
Ω・ｃｍ、ＣＲ値が２６００〜３］８０ＭΩ−ｆｉＦ　
　の／４ＩＩｆ注のニッケル１極の積層コンデンサを得
ることが出来る。

但し、　Ｌｉ＊ＯＭｅＯ５ｉｆｔ　のガラスの組成は、
この組成を示す第５図の三角図の第１の点偽）、第２　
（１）　点（Ｂｌ、第３　（’Ｊ点（０，ｉ　４　］点
Ｇ）、　ｉ　５１７）点（Ｅｌ。

第］の点（ＡＩＹ順次に結ぶ５本の直線で囲まれた領域
内でなければならない。

尚、第５図の三角図の第１の点（ＡＩは実施例２０のＬ
！、０零モル％、　Ｍｅｏ　３５　％／ｌ／％、　Ｓｉ
ｎ、　６５−ｒ−ル鳴の組成馨示し、第２の点（Ｂｌは
実施例２１のＬｉ２零モル％、　Ｍｅｏ　４０　モＡｙ
％　、　５ｉｆｔ　６０　％に％の組成を示し、第３の
点（０は実施例２２のＬｉｚＯ５モルｉＭｅ０４５モ／
Ｌ／％、　５ｉｆｔ　５０　％／ｌ／％の組成を示し、
第４の点０は実施例２３のＬｒ＊０４８モル％、　Ｍｅ
ｏ　２モル％＊　５ｉ０２５０モル％の組成ヲ示し、第
５の点（Ｅｌは実施例２４のＬｉ２Ｏ２３モル％、　Ｍ
ｅＯ２モル％、　５ｉｎ２７５モル％の組成を示す。

第２表の実施例２〜２４．３１〜３３．３６〜５０゜５
２へ５４．５８〜６８．７０〜７７は上記第１〜第５の
点を結ぶ５本の＠巌で囲まれる領域内に総て含まれる。

次に１本発明の％成分の限定理由について述べる。本発
明の範囲外の実施例］から明らかなように、Ｘ即ちＣａ
が零になると、１０００℃で酸１ヒ熱処理しても酸化が
十分に進１ず、ｅが８．５　Ｘ　１０’ＭΩ・ｃｍと低
く、ｔａｎδも】５．６％と大きい。一方。

本発明の範囲外である実施例７８から明らかなように、
ｘが０．２９になると、εが８６０と低くなり、ＣＲ値
も７５０と低くなる。これに対して。

Ｘが（ＬＯ２〜０．２７の本発明の範囲内の実施例のｔ
ａｎδ、ε、ρ、ＣＲはコンデンサとして満足する値で
ある。

本発明の範囲外の実施例５６から明らかなようにｙ即ち
Ｚｒが零になると、　ｔａｎδが６．８と大きくなり、
またεが１０３０と低くなり、またＣＲ値も７０ＭΩ・
μＦと低くなる。一方１本発明の範囲外の実施例５７か
ら明らかなように、ｙが０．２８になると、εがＪ］８
０と低くなり、ＣＲ値も７０と低くなる。これに対して
、ｙが０．０１〜０．２６の本発明の範囲内の実施例で
はコンデンサとして満足することが出来る電気的特性が
得られる。

本発明の範囲外の実施例５Ｊから明らかなように、ｋが
０．９８になると、ｔａｎｌｌが７．２％と大きくなり
、且つｐが２．０７　Ｘ　］　ＯＭ、１１・ｃｍと低く
なり、ＣＲもＪ２と低くなる。一方１本発明の範囲外の
実施例５５から明らかなように、ｋが１．０５になると
、焼結が困難になり、緻密な焼結体が得られない。これ
に対して、ｋＹ］〜１．０４の範囲とすると満足するコ
ンデンサを得ることが出来る。

本発明の範囲外の実施例３４から明らかなようにガラス
の添加量が】２重量部になると、　　ｔａｎδが３．８
％と大きくなり、ＣＲ値がｚ７ｏＭＱ・μＦと低くなる
。−万１本発明の範囲外の実施例３５から明らかなよう
にカラスの添加量が零Ｍ情部となると、ｔａｎ！ｊが５
．６％と悪くなる。これに対して、１００重宝部の基本
成分に対して（）、２〜１０重ｔＳのガラスを添加する
本発明の範囲内の実施例では満足な電気的特性が得られ
る。

本発明の範囲外の実施例２５〜３０及び６９から明らか
なようにＬｉｔＯ−ＭｅＯ−ＳｉＯｘガラスの組成比が
第５図で特定する領域外となると、ρが１．８８　Ｘ　
３０’ＭΩ−ｃｍＤＪ下となり、ＣＲ値が１８］ＯＭΩ
・μＦ以下となり、また実施例３０及び６９のように緻
密な焼結体が得られない場合も生じる。

これに対して、　ＬｉｔＯＭｅＯ５ｉｆｔが第５図で特
定された領域Ｊ２Ｊ内の実施例では満足な電気的特性が
得られる。尚ＭｅＯは第２表から明らかなようにＢＲＯ
ｌＣａｂ、　ＳｒＯの任意の組み合せ、又は単独であっ
てもよい。またＭｅＯの内に含まれるＢａＯ＊　ｃａＯ
のｆ３ａ、Ｃａは基本成分にも含まれているが、基本成
分にＢａ、Ｃａが含まれるとの理由で、この量を増やし
てガラスのＢａＯ、ＣａＯｋ減することは不可能である
。何故なら、ガラスのＢａＱ、　ＣａＯは基本成分と全
（別の作用を発揮している。

上述から明らかなように１本発明の範囲内の実施例によ
って次の作用効果が得られる。

（ａｌ　　非酸ｆヒ性雰囲気での焼結温度を低温（１０
３０℃〜］Ｊ５０℃）にすることが出来る。従って、ニ
ッケルペースト等の低融点電極材料を生シートに塗布し
て焼結させることが出来る。

（ｂｌｌ！ｌ！ｆヒ熱処理Ｙ焼結後の徐冷の過程で行う
ことが可能である。

（ＣＩ　　Ｌ十へ、からなる非酸１ヒ性雰囲気のＨ７の
割合即ちＨｍ　／　Ｈ＊＋へ＊Ｘ　］　００　（体積％
）ｙｚｒ：２〜７５鳴と変化させても電気的特性の変動
が殆んどないので、一般に用いられる量産用の雰囲気炉
を使用することが出来る。

（ｄｉ　　ｔａｎδが１．５％Ｊ２Ｊ下のコンデンサを
得ることが出来る。

ｆｅｉ　　２５２０〜］　３０６０の範囲の椅々の比誘
電率ε７得ることが出来る。

げ）　抵抗率ρン２．３２　Ｘ　］　Ｏ’ＭΩ・ｃｍ以
上にすることが出来る。

（ｇｌ　　−３５℃〜１５０℃の温度範囲に於いて比較
的太きな抵抗４１ｐ’ｒ維持することが出来る。例えば
１本発明に従う実施例３］のコンデンサと。

ガラスン含まない本発明の範囲外の実施例３５のコンデ
ンサとｙｒ、　ｔＦＩ温槽に入れ、−３５℃、２０℃、
５０℃、８５℃、１５０℃の各温度でＤＣ５０Ｖ’ｒ１
分間印加した後に抵抗を測定し、計算で抵抗率ｐｙ１１
′求めたところ、本発明に従う実施例３１のコンデンサ
では第６図の曲線Ｒ１で示す結果が得られ１本発明の範
囲に楕さない実施例１３５のコンデンサでは第６図の曲
線Ｒ１で示す結果となった。

この結果から明らかなように、カラスを添７７１′Ｉす
ることにより、１５０℃の温度に於いてもρが比較的高
い。従って、ガラスは焼結温度を下げる効果のみならず
、抵抗率の特性も大幅に改善する。

（ｈｌ　　本発明に従って、ガラス乞添加することによ
ってＤＣバイアス４！性ン改善することが出来る。

例えば、カラスを冷加する本発明に従う実施例］９及び
３１のコンデンサと、ガラスＹ（ｉ％刀０しない本発明
の範囲外の実施例３５のコンデンサ乞使用し、２５μｍ
３つに１０〜８０Ｖの直流バイアス電圧を１：ｌｉ加し
γこ状態で、交流側足電圧帆５Ｖ（実効値）、１ｋＨｚ
、２５℃の条件で静電容量ケ測定し。

ｔｉ算で比訪屯率εン求めたところ、第７図の結果が得
られた。第７図に於いて、＃＃Ｅ＋は実施例］９のコン
デンサ１曲線Ｅ２は実施例３】のコンデンサ。

曲ｉＥａは本発明の範囲外の実施例３５のコンデンサの
谷ＤＣｔ圧に於けるεを示す。この結果から明らかなよ
うに、ガラス添加によって直流バイアス特性即ち実効負
荷特性乞大幅に改善することが出来る。

実施例７９〜８２（第３表） 第３表に示す如く、実施例７９〜８２に於いて、実施例
］　］、］　９．３２．５８と同一の磁器組成の生シー
トヲ実施例】〜７８と同一の方法で作った。次に、厚さ
６０μｍの化シー）Ｙブレスで長方形に打ち抜き、谷実
施例７９〜８２で２７枚の長方形生シート乞用意し、一
番上になる生ジートン除いた２６枚の生シートに第２図
と同一の状態に実施例３〜７８と同一のニッケルペース
トｖ同一方法で印刷し、２７枚の生シート２積み重ねて
熱圧着させて一体丁ヒした。

次に、この一体ｆＫしたもの乞５００℃まで空気中で加
熱し、有機バインダ暑燃焼させ、しかる後Ｈｚ　２容積
％＋へ、９８容檀％の雰囲気に変えて１００’Ｃ／　ｈ
の割合で第３表の焼成温度まで昇温させ。

この焼成湯度を２時間保持した。

矢に、１００℃／ｈの割合で８００℃まで冷却し。

酸ｆｌｌ′、性雰囲気（空気）に切り換えて８００℃、
３０分間の酸ｆｌ′熱処理を施し、その後、放冷した。

これにより、第８図に示す如く磁器層（１２ａ）　［１
２ｂ）（１２ｃ）（１２ｄ）（１２ｅ）等の２７の磁器
層ヲ有し、且つ劃＊　（１３ａ）　＋１３ｂ月１：ｌｃ
）　（１３ｄ）等の２６の電極を有する焼結体が得られ
た。尚この焼結体の幅は２．５ｍｍ、長さは３．２　ｍ
ｍ　、厚さは］−０ｍｍである。

矢に、実施例１〜７８と同一の材料及び方法で焼結体の
電極露出両端面に第８図に示す如（端面電極ｕ０１ｔｌ
ｌｌン形成し、実施例Ｊ〜７８と同一方法でｔａｎδ（
％〕、静電容童ｃ（／７Ｆ）、絶ｍ−ｉ抗ＩＲ（Ｘｌ　
ＯＭΩ）ン測定したところ、第３表の初期電気的特性の
欄に示す結果が得られた。

矢に、初期埴を測定したコンデンサをアルミナ基板の電
極上に半田で固定し、温度８５℃、直流電圧５０Ｖの印
加状態を保つ高温９荷寿命試験を行い、２５０時間、５
００時間、１０００時間。

２０００時間の経時変化を求めた。この結果。

２０００時間後であっても実用上十分な特性を有するこ
とが判った。

実施例８３〜９０（第４表） 本発明に従ってガラスケ添加し１こ場合と１本発明の範
囲外のカラス無添加の場合との等価直列抵抗（ＥＳＲ）
を比較するために、帛４表の実施例８３〜８６に関し、
ては芙Ｍ例１１〜７８と同一方法で、実施例８７〜９０
に関しては実施例７９〜８２と同一方法でコンチンサケ
作り、静電Ｗ童Ｃ，及び等価直列抵抗（ＥＳＲ）ン測足
し定ところ、第４表の結果が得られた。尚、実施例８３
，８５゜８７．８９の磁器のｆｌ成及び製造柴件は本発
明に従う実施例１９と同じであり、実施％、！８４．８
６゜８８．９０の磁器の油底及び製輩粂件は本発明の範
囲外の実施例３５と同じである。また、第４表に於ける
積層枚数はコンデンサとして働く誘電体層の歓即ち対向
゛成極を有する磁器層の叡ケ示し。

ｆた一層の厚さ、及び一層の電極有効面積は１つの誘電
体層の厚さ及びここの電極有効面積？示す。

等価直列抵抗（ＥＳＲ）の測定はそれぞれの実施例のコ
ンデンサを２５℃とし、共撮点に於いて測定した。

第４表の結果から明らかなように１本発明に従ってガラ
スを硲ガロすると、同一の静′亀容′ＪＪＣでの等価直
列抵抗が低くなる。チューナ回路では１０００〜２２０
０　ｐＦのチップ状磁器コンデンサが多く使用され、Ｅ
ＳＲが例えば２５０ｍΩ月下であることが望まれている
が１本ｌ＃明によればこの要望を充足するコンデンサを
提供することが出来る。

変形輿１ 以上１本発明の実施例について述べたが、本発明はこれ
に限定されるものでなく、更に変形可能なものである。

例えば、基本成分を得るための出発原料を、実施例】〜
７８で示しＫもの以外のＢａ。

Ｃａ　、　Ｔｉ　、Ｚｒ　’ｌ含む化合物１例えば、　
ＢａＯ、ｃａｏ　。

Ｔｉ０ｚ、　ＺｎＯ＊等の酸化物、又は水酸化物等とし
てもよい。

（４珈 一つつ デた。酸１ヒ温度ン８００℃以外の７５０〜１０００℃
、好ましくは８００〜９００℃の範囲の温度としてもよ
い。即ち、ニッケル等の′亀憧と、磁器の酸ｆｌ′とを
考慮して変更することが可能である。

また、非酸１ヒ性雰囲気中の焼成温度も、亀倹材料ン考
慮して考えることが出来る。

また、本発明の目的’Ｙｌｌ害しない範囲で他の物質を
更に添力ｐしてもよい。例えば１本発明の磁器に対して
ＭｎＯ，ビし０５〜０．１重重鳴の範囲で添加してもよ
い。

【図面の簡単な説明】

第１図は実施例］〜７８に従う生シートを示す糾視図、
第２図は第１図の生シートにニッケルペーストを印刷し
た状態馨示す厨視図、第：う図は第２図の生シートを一
体ｆヒして焼結しＴ、−９１を示す断（４６１ １□ 面図、第４図は第３図の焼結体に端面電極を設けた状態
を示す断面図である。 第５図は実施例１〜７８に於けるガラスの組成ケ示１１
こめの三角図である。 第６図は実施例１１９及び３５のコンデンサの温度と抵
抗率との関係な示す特性図である。 第７図は実施例１９．３］、及び３５のＤＣバイアス電
圧と比誘電率の関係を示す特性図である。 第８図は実施例７９〜８２の槓Ｊｆｉ磁器コンデンサの
一部を示す断面幽である。 （月（２）（３）・・・生シート、　　ｎａｔｕｂ）（
１ｃ）　・＝Ｈ１ＦＭＪｍ、　１４ノ（５＋・・・ペー
スト層％（４ａ）（４ｂ）・・・電極、（６）・・・焼
結体、（１０１ａ１）・・・端面電極。 代　理　　人　　　高　　野　　則　　久（４７） 第１図　　　　第２に 手続補正書（自発） 特許庁長官　若杉和夫　　　　　　殿 ■　事件の表示 昭和５７年　特　許　願第２００１０３号２、発明の名
称　誘電体磁器物質 ３、　補正をする者 事件との関係　　出願人 ４、代理人 ５、　補正命令の日付　自　　発 ６、　補正により増加する発明の数 第２４頁、 （１）　　明細書第１０頁第６行の「通りである。」の
後に次の文章を加入する。 「即ち、第２表でモル％で示されているＬｓｔＯ−Ｍｅ
Ｏ−Ｓｉｎ、の内のＭｅＯの内容は、ＢａＯ、ＣａＱ、
　ＳｒＯの少なくとも１種であり、これ等の割合がＭｅ
Ｏの内容の欄にモル％で示されている。第２表ではＬｉ
、０−　ＭｅＯ−ＳｉＯｘの具体的組成を２つの欄の組
み合せで示したが、一体化して示すと、例えば実施例１
のガラス組成はＬｉ２Ｏ５モル％、Ｃａ０４５モル％、
５ｉ０２５０モル％となり、また実施例５のガラス組成
はＬｉｚｏ　２０モル％、Ｂａ０３モル％、Ｃａ０４モ
／ｌ／％、Ｓｒ０３　モ＃　％、５ｉｎ２７０　モル％
となる。」 （２）明細書第２２頁、 第２３頁、 （１） 第２５頁、 第２６頁、及び 第２７頁 の第２表のガラス組成の欄の「（重量％）」を「（モル
％）」に夫々補正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１１（（Ｂａ、ｘＣａｘ）Ｏ）、　（Ｔｉ１−ｙＺｒ
   、　〕ｉｔ　（但しＸは０．０２〜０．２７、ｙは０．
   ０１〜０．２６　、　ｋは１〜１．０４の範囲の数値）
   からなる基本成分と、１００重量部の前記（（Ｂａ　、
   　□（−ａｘ　）　０　）　ｋ　（Ｔｔ＋　−ｙ　Ｚｒ
   ｙ　）　Ｏｘに対して０．２〜１０．０　重量部のＬ　
   ｔ　２０ＭｅＯ５１０ｔガラス（但しＭｅＯはＢａＯ、
   ｃａｏ　、及びＳｒＯの内の１棟以上の金属酸ｆヒ？！
   ７）と。 を含み、且つ前記Ｌｉ＊０−　ＭｅＯ−５ｉｆｔは、　
   ＬｉｘＯとＭｅＯとＳｉＯとの組成なモル鳴で示す三角
   図に於い′Ｃ１ 前記Ｌ　ｓ　ｚＯがθモル鳴、前記ＭｅＯが３５モル％
   。 前記Ｓ　ｉＯｔが６５モル％の組成を示す第１の点（Ａ
   ｌと。 前記Ｌ　ｒ　ｔ　Ｏが０モル％、前記ＭｅＯが４０モル
   ％。 前記ＳｔＯ，が６θモル％の組成な示す第２の点［Ｆ］
   ）と。 前１ｅＬｉｔＯが５モル％、　　ｍｌ記ＭｅＯが４５モ
   ル％。 前記Ｓ　ｉＯ，が５０モル％の組成を示す第３の点（０
   と。 前記Ｌ　ｉｔ　Ｏが４８モル％、前記ＭｅＯが２モル％
   。 前記Ｓｉｎ、が５θモル％の組成を示す第４の点０と。 前記Ｉｊ、０が２３モル％、前記ＭｅＯが２モル％、前
   記Ｓ　ｓ　Ｏｘが７５モル％の組成を示′Ｔ第５の点の
   ）と。 前記第】の点Ａ）と。 を順次に結ぶ５本の直線で囲まれた領域内の組成である
   ことを特徴とする複合ペロブスカイト型誘電体磁器物質
   。