JPS59138003A - 誘電体磁器物質 - Google Patents
誘電体磁器物質Info
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- JPS59138003A JPS59138003A JP58010836A JP1083683A JPS59138003A JP S59138003 A JPS59138003 A JP S59138003A JP 58010836 A JP58010836 A JP 58010836A JP 1083683 A JP1083683 A JP 1083683A JP S59138003 A JPS59138003 A JP S59138003A
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- Japan
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- glass
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
技術分野
本発明は非酸1ヒ注雰囲気中で焼結し、酸fヒ性雰囲気
中で焼結時より低い温度で熱処理して得ることが出来る
複合ペロブスカイト型誘電体磁器物質に関し、更に詳#
Iには、誘電体生シートにニッケルを主成分とする導体
ペーストを塗布し℃焼結した構造の積層@器コンデンサ
を得るため[最iMな誘電体磁器wJ質に関する。 従来技術 従来の積層磁器コンデンサは、肪電体生シート(グリー
ンシート)に白金、パラジウム等の資金楓の導電ペース
トを印刷したものを被数枚積み重ねて圧着し、酸fじ性
雰囲気中で高温焼成を行い、しかる後外部引き出し電極
を設げることによって製作されている。しかし、白金、
ノ(ラジウム等のt極材料は高価であるため、民生用機
器が要求する安価な積層磁器コンデンサを提供すること
が不可能であった。この種の問題を解決するために、ニ
ッケルを主成分とする導電ペーストを生シート・に塗布
したものを非酸化性雰囲気で焼結させることが考えられ
る。ところが、非酸1ヒ性雰囲気で焼結しても、この焼
結時の温度が例えば] 300℃以上のように高いと、
ニッケル導電ペーストの二。 ツケル粒子の溶融凝集が生じ、良質な電極を形成するこ
とが困難であった。この種の問題を解決するために、本
件出願人は特願昭57−20(L]03号によって非酸
比性雰囲気中で低温焼結することが可WQな誘電体磁器
組成物を提案した。しかし、磁器コンデンサの小型化又
は大容景fヒを図るために、更に比誘′電率が高く且つ
絶縁抵抗が大きい磁器組成物が要求きれている。 発明の目的 そこで、本発明の目的は非酸fヒ性雰囲気中での低温焼
結で得ることが可能であり、且つ高い比誘電率、低い誘
電体損失tanδ、高い抵抗率、冒い絶l呟抵抗X容童
値FCR値)′(!′得ることが出来る誘電体磁器物質
を提供することにある。 発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、([BaXc a
y s ’ Z ) 0 ) k’ T in z r
r −n ) 0* を但しx、y、z、k、及びn
は 0.60≦x<1.02゜ 0.02≦y≦0.27 0<z≦0.37 ]、OO≦に≦】、04 0.74≦n<1.00を満足する数値うからなる基本
成分と、]000重量の前記基本成分に対して0.2〜
]0.ONN郡部ガラス成分と、を宮み、且つ前記ガラ
ス成分はL 120とM(但し前記MはBaO1C’a
(J及び5rOO内の]種以上の金属酸1ヒ物)と5i
02から成り、且つ前記L i20と前記MとnI記S
s O2との組成範囲は、これ等の組成をモル%で示
す三角図に於ける前記L t 20が0モル%、前記M
が35モル%、前記5in2が65モル%の組成を示す
第]の点(A+と、前記Li2Oが0モル%、前記Mが
40モル%、前記Sin、が6oモル%の組成を示す第
2の点[F])と、前記Li2Oが5モル%、前記Mが
45モイレ%、前記SiO2が50モル%の組成を示′
j第3の点((゛)と、前記L120が48モル%。 前記Mが2モル%、前記5i02が50モル%の組成を
示す第4の点D)と、前記L 120が23モル%、前
記Mが2モル%、前記5102が75モル%の組成を示
す第5の点(Dと、@記第]の点(A+と、を順次に結
ぶ5本の直線で囲まれた領域内であることを特徴とする
誘電体磁器物質に係わるものである。 発明の効果 上記発明によれは、非酸fヒ性雰囲気で焼結することが
可能であるばかりでなく、高い比誘電率の磁器を提供す
ることが出来る。即ち、非酸IF、性雰囲気中1200
’C以下の@匿で焼結し、酸化性雰囲気中で比較的低
い温度(例えば800℃)で熱処理することにより、比
誘電率が5000以上の磁器ン得ることが出来ろ。−丁
K、抵抗率が2・5×106MΩ以上、誘電正接[ta
n a )が]、5%以下、絶縁抵抗×容量値IcR値
フが3300以上の磁器を提供することが出来る。 実施例 次に本発明の実施例について述べる。但し、本発明を明
確にするために、本発明の範囲外の実施例も含まれ又い
る〇 実施例1〜83(第1表及び第2表) ヱす、純度99.0%以上の13a co、、CaCO
5、SrCog、T lOa及びZrO2を出発原料と
して用意し、磁器の基本成分である( [B3x Ca
y Srz ) 0 ) k’ TinZr、 )0
21)x、y、z、 k、 n、 1−n か第1表に
n 示す値になる割合に上記出発原料を秤量した。即ち、実
施例]ではBa co、が0679モル部、ca co
。 が0110モル部、5rCO,が0.]22モル部Ti
O2が0−86%/l/部、Zr1O2が0.14モル
iの割合に原料を杵輩し、他の実施例2〜83に於いて
も同様な要領で原料を秤量しに0尚谷原料中の不純物に
無関係に第1表の割合になるように秤量し1こ。 次に、基本成分を得るための上記原料を15時時間式混
合し、粉砕した後に乾燥し、約I Zo。 ℃、2時間、大気中で仮焼した。これにより、出発原料
はほぼ基本成分となる。 次に、((BaxCaySr2)OJk[TinZr、
、)02からなる基本成分】00車量部に対して第1表
に示す割合になるように平均粒径約5μmのLi2O−
M −Sin、ガラス粉床を杵麓し、このガラス粉末を
仮焼で得た基本成分に徐加し、更にアクリル酸エステル
ポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液から成る
有機バインダを仮焼で得た基本成分とガラス粉末との合
計N量に刈して15N量%添刀口し、更に50重賞%の
水を力Oえたものをボールミルに入れて粉砕及び混合し
て谷磁器原料のスラリーを作製した。但し実施?!I
]ではガラス粉末を添)JD L、なかった。 尚第1表に於いて、基本成分の欄のX%y%Z1に、n
、1−nは、基本成分の組成式 1式%) に於ける元素の割合を示し、ガラス成分の欄は、100
重量部の基本成分に対するガラス成分(ガラス粉床)の
添加量をN置部で示し、ガラスの組成の欄はLi2Oと
MとSiOxとの割合ンモル%で示し、Mの内容の欄は
Mの成分でらるBaOとCaOとSrOとの割合をモル
%で示し、焼結温度は非酸化性雰囲気中での焼結温度を
示す。 次に、谷スラリー乞脱泡処理し、これを使用してドクタ
ーブレード法で長手の生シート馨作製し、これを乾燥さ
せた後に、プレスによる打ち抜きで第1図に示す3枚の
生シート+II +21 (31を炸裂し7た。 次に、生シーHII+21の一方の主面に、ニッケルを
主成分とする24電ペ一ストtNi9]wt%、Mn0
1wt%、PbOBaO5if2ガラス8wt%にビヒ
クルを加えたペースト)をF16μmの厚さに印刷する
ことによって第2図に示す導電ペースト層+41 +5
1を形成し、しかる後、巣2図に示す順序に3枚の生シ
ー) il+ +21 +31を重ね合せ、熱圧着し又
一体1じした。 次に、生シート(11t2+ (31を一体化したもの
を那温炉に八h 1.00℃/hの温度上昇率で室温か
ら600″C筐で空気中で加熱し、有機バインダを燃焼
させた。しかる後、加熱炉の雰囲気を空気から中性又は
還元性の非酸比性雰囲気に変えた。向上記の中性又は還
元性の非酸1ヒ性雰囲気乞実施例1〜79ではHz 2
体積%+へ、98体積%雰囲気、実施例80ではH2零
体積%+N2](JO体体積の雰囲気、実施例81では
H,5体積%+N295体積%雰囲気、実施例82では
H110体積%+N290体績%雰囲気、実施例83で
はH,75体積%+へ、25体積%雰囲気とした。そし
て那熱炉を上述の如き非酸比性雰囲気とした状態で生シ
ートの加熱温度ヶ600℃から第1表に示す焼結温度(
J050℃〜1320℃)筐で100℃/hの比率で上
昇させ、上記中性又は還元性雰囲気中で第】表に示す焼
結温度を3時間保持して生シートの焼結をなした。 次に、中性又は還元性の雰囲気を保った状態で加熱炉の
温度を焼結温度(1050℃〜1320℃)から800
℃デで]00℃/hの割合で下げ、次に、加熱炉の雰囲
気を中性又は還元性雰囲気からefヒ性雰囲気(空気ン
に変えて800 ’Cic 30分間保持し℃酸1ヒ処
理ケなし、その後、室温
中で焼結時より低い温度で熱処理して得ることが出来る
複合ペロブスカイト型誘電体磁器物質に関し、更に詳#
Iには、誘電体生シートにニッケルを主成分とする導体
ペーストを塗布し℃焼結した構造の積層@器コンデンサ
を得るため[最iMな誘電体磁器wJ質に関する。 従来技術 従来の積層磁器コンデンサは、肪電体生シート(グリー
ンシート)に白金、パラジウム等の資金楓の導電ペース
トを印刷したものを被数枚積み重ねて圧着し、酸fじ性
雰囲気中で高温焼成を行い、しかる後外部引き出し電極
を設げることによって製作されている。しかし、白金、
ノ(ラジウム等のt極材料は高価であるため、民生用機
器が要求する安価な積層磁器コンデンサを提供すること
が不可能であった。この種の問題を解決するために、ニ
ッケルを主成分とする導電ペーストを生シート・に塗布
したものを非酸化性雰囲気で焼結させることが考えられ
る。ところが、非酸1ヒ性雰囲気で焼結しても、この焼
結時の温度が例えば] 300℃以上のように高いと、
ニッケル導電ペーストの二。 ツケル粒子の溶融凝集が生じ、良質な電極を形成するこ
とが困難であった。この種の問題を解決するために、本
件出願人は特願昭57−20(L]03号によって非酸
比性雰囲気中で低温焼結することが可WQな誘電体磁器
組成物を提案した。しかし、磁器コンデンサの小型化又
は大容景fヒを図るために、更に比誘′電率が高く且つ
絶縁抵抗が大きい磁器組成物が要求きれている。 発明の目的 そこで、本発明の目的は非酸fヒ性雰囲気中での低温焼
結で得ることが可能であり、且つ高い比誘電率、低い誘
電体損失tanδ、高い抵抗率、冒い絶l呟抵抗X容童
値FCR値)′(!′得ることが出来る誘電体磁器物質
を提供することにある。 発明の構成 上記目的を達成するための本発明は、([BaXc a
y s ’ Z ) 0 ) k’ T in z r
r −n ) 0* を但しx、y、z、k、及びn
は 0.60≦x<1.02゜ 0.02≦y≦0.27 0<z≦0.37 ]、OO≦に≦】、04 0.74≦n<1.00を満足する数値うからなる基本
成分と、]000重量の前記基本成分に対して0.2〜
]0.ONN郡部ガラス成分と、を宮み、且つ前記ガラ
ス成分はL 120とM(但し前記MはBaO1C’a
(J及び5rOO内の]種以上の金属酸1ヒ物)と5i
02から成り、且つ前記L i20と前記MとnI記S
s O2との組成範囲は、これ等の組成をモル%で示
す三角図に於ける前記L t 20が0モル%、前記M
が35モル%、前記5in2が65モル%の組成を示す
第]の点(A+と、前記Li2Oが0モル%、前記Mが
40モル%、前記Sin、が6oモル%の組成を示す第
2の点[F])と、前記Li2Oが5モル%、前記Mが
45モイレ%、前記SiO2が50モル%の組成を示′
j第3の点((゛)と、前記L120が48モル%。 前記Mが2モル%、前記5i02が50モル%の組成を
示す第4の点D)と、前記L 120が23モル%、前
記Mが2モル%、前記5102が75モル%の組成を示
す第5の点(Dと、@記第]の点(A+と、を順次に結
ぶ5本の直線で囲まれた領域内であることを特徴とする
誘電体磁器物質に係わるものである。 発明の効果 上記発明によれは、非酸fヒ性雰囲気で焼結することが
可能であるばかりでなく、高い比誘電率の磁器を提供す
ることが出来る。即ち、非酸IF、性雰囲気中1200
’C以下の@匿で焼結し、酸化性雰囲気中で比較的低
い温度(例えば800℃)で熱処理することにより、比
誘電率が5000以上の磁器ン得ることが出来ろ。−丁
K、抵抗率が2・5×106MΩ以上、誘電正接[ta
n a )が]、5%以下、絶縁抵抗×容量値IcR値
フが3300以上の磁器を提供することが出来る。 実施例 次に本発明の実施例について述べる。但し、本発明を明
確にするために、本発明の範囲外の実施例も含まれ又い
る〇 実施例1〜83(第1表及び第2表) ヱす、純度99.0%以上の13a co、、CaCO
5、SrCog、T lOa及びZrO2を出発原料と
して用意し、磁器の基本成分である( [B3x Ca
y Srz ) 0 ) k’ TinZr、 )0
21)x、y、z、 k、 n、 1−n か第1表に
n 示す値になる割合に上記出発原料を秤量した。即ち、実
施例]ではBa co、が0679モル部、ca co
。 が0110モル部、5rCO,が0.]22モル部Ti
O2が0−86%/l/部、Zr1O2が0.14モル
iの割合に原料を杵輩し、他の実施例2〜83に於いて
も同様な要領で原料を秤量しに0尚谷原料中の不純物に
無関係に第1表の割合になるように秤量し1こ。 次に、基本成分を得るための上記原料を15時時間式混
合し、粉砕した後に乾燥し、約I Zo。 ℃、2時間、大気中で仮焼した。これにより、出発原料
はほぼ基本成分となる。 次に、((BaxCaySr2)OJk[TinZr、
、)02からなる基本成分】00車量部に対して第1表
に示す割合になるように平均粒径約5μmのLi2O−
M −Sin、ガラス粉床を杵麓し、このガラス粉末を
仮焼で得た基本成分に徐加し、更にアクリル酸エステル
ポリマー、グリセリン、縮合リン酸塩の水溶液から成る
有機バインダを仮焼で得た基本成分とガラス粉末との合
計N量に刈して15N量%添刀口し、更に50重賞%の
水を力Oえたものをボールミルに入れて粉砕及び混合し
て谷磁器原料のスラリーを作製した。但し実施?!I
]ではガラス粉末を添)JD L、なかった。 尚第1表に於いて、基本成分の欄のX%y%Z1に、n
、1−nは、基本成分の組成式 1式%) に於ける元素の割合を示し、ガラス成分の欄は、100
重量部の基本成分に対するガラス成分(ガラス粉床)の
添加量をN置部で示し、ガラスの組成の欄はLi2Oと
MとSiOxとの割合ンモル%で示し、Mの内容の欄は
Mの成分でらるBaOとCaOとSrOとの割合をモル
%で示し、焼結温度は非酸化性雰囲気中での焼結温度を
示す。 次に、谷スラリー乞脱泡処理し、これを使用してドクタ
ーブレード法で長手の生シート馨作製し、これを乾燥さ
せた後に、プレスによる打ち抜きで第1図に示す3枚の
生シート+II +21 (31を炸裂し7た。 次に、生シーHII+21の一方の主面に、ニッケルを
主成分とする24電ペ一ストtNi9]wt%、Mn0
1wt%、PbOBaO5if2ガラス8wt%にビヒ
クルを加えたペースト)をF16μmの厚さに印刷する
ことによって第2図に示す導電ペースト層+41 +5
1を形成し、しかる後、巣2図に示す順序に3枚の生シ
ー) il+ +21 +31を重ね合せ、熱圧着し又
一体1じした。 次に、生シート(11t2+ (31を一体化したもの
を那温炉に八h 1.00℃/hの温度上昇率で室温か
ら600″C筐で空気中で加熱し、有機バインダを燃焼
させた。しかる後、加熱炉の雰囲気を空気から中性又は
還元性の非酸比性雰囲気に変えた。向上記の中性又は還
元性の非酸1ヒ性雰囲気乞実施例1〜79ではHz 2
体積%+へ、98体積%雰囲気、実施例80ではH2零
体積%+N2](JO体体積の雰囲気、実施例81では
H,5体積%+N295体積%雰囲気、実施例82では
H110体積%+N290体績%雰囲気、実施例83で
はH,75体積%+へ、25体積%雰囲気とした。そし
て那熱炉を上述の如き非酸比性雰囲気とした状態で生シ
ートの加熱温度ヶ600℃から第1表に示す焼結温度(
J050℃〜1320℃)筐で100℃/hの比率で上
昇させ、上記中性又は還元性雰囲気中で第】表に示す焼
結温度を3時間保持して生シートの焼結をなした。 次に、中性又は還元性の雰囲気を保った状態で加熱炉の
温度を焼結温度(1050℃〜1320℃)から800
℃デで]00℃/hの割合で下げ、次に、加熱炉の雰囲
気を中性又は還元性雰囲気からefヒ性雰囲気(空気ン
に変えて800 ’Cic 30分間保持し℃酸1ヒ処
理ケなし、その後、室温
【約20’C) −!で空気雰
囲気中で冷却し1こ。 これにより、第3図に示す如く生シート[11に対応し
た第]の磁器層11a)と生シート(2)に対応した第
2の磁器層(2a)と生シート(3)に対応した第3の
@6層(3a)とから成り、これ等の間にペースト層+
41 (51に対応した電% (4a ) (5a)
”:l有する焼結体(6)が得られた。尚焼結体(61
に於げる磁器層(la) [2a)(3a)の厚さは酌
0−05 mm ’″′Cおり、焼結体(6)の合計の
厚さは電極C4a)(5a)を入れて約0−]6mmで
あり、その縦幅及び横幅は6 mmであり、電極[4a
)(5a)の刈向面積は5 mm X 5 mm =
25 mm2である。 上記の非酸fヒ性雰囲気中での焼結と、FJ800℃大
気中での酸1ヒ処理とにより、 ([Bax (Nays rZ ) OJ k’ T;
nZr、 −n ) 02の組成式で示すことが出来る
複合プロブスカイト型憬器即ちtBa、 Ca、 Sr
) (Ti 、 Zr )Os系磁器の中にガラス成
分が混入された誘電体磁器vlJ質が得られる。この複
合グロブスカイト型磁器は、・11a’l”iox、B
aZrO3,CaTi0a、CaZr0H1SrTiO
a、5rZr03を複合構造で含み、且つ基本成分の組
成式に於げるkが]よりも大きい場合にはBaO1Ca
O。 SrQがプロブスカイト型結晶に対して過剰に含み、更
にガラス粉末を添加した場合にはガラス成分(LizO
M 8+02 )を含む。 次に、1!極14a)C5a)が露出する焼結体(6)
の側面にZn (亜鉛〕とガラスフリットとビヒクルと
から成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気
中で550℃の温度で]5分間焼付け、第4図に示す如
< Zn電極層(7)を形成し、更にこの上に銅[(’
u )を無電解メッキで被N式せてcu層(81を形成
し、更にこの上に電気メツキ法でPb −Sn半田層(
9)を設げ℃、一対の外部電極[101uυを形成した
。 次に、上述の如(形成した各実施例の積増磁器コンデン
サの電気的特性即ち比誘電率ε、誘電体損失t tan
δ〕、抵抗率e、静電容量(F′I×抵抗(Ω〕を側尾
し1こところ、第2表に示す結果が得られた。 電圧(実効値J O,5Vの条件で静電容量を測定し、
この測定値と電極[42)(5a)の対向面積25 m
m2 。 と電極+4a)C5a3間の磁器層tea)の厚10.
05mmから計算で求めた。また、tanδは比誘電率
と同一条件で測定し1、第2表には%で示した。即ち第
2表には実際のtanδの値の100倍の値を示した。 従って、実際のtanδの値は第2表の値の]0 倍で
ある。また、抵抗率p (MΩ・cm)は、温度20℃
に於い”CDC’50Vを1分間nmした後に電極[1
01C1iJ間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法と
に基づいて計算で求めた。またC’R値は、測定した静
電容量値と抵抗値とを掛は合せること ゛により
氷めた。デ定、第1表に谷実施例の組成及び焼結条件が
示され、第2表に各実施例の特性が示されている。また
表中に於けるIの印は同上を示す。また第1表ではLi
、0. M、 SiO2の組成とMの組成との組み合
せによってガラスの組成を示したが、これ等を一体化し
て示すと例えば実施例2に於いてはLi2O3O−F−
ル%、Ba08モ# % 、CaO6モル%、Sr06
モル%、5i0250モル%となる。 特開昭59−138003(8) 上記第1表及び第2表に於ける実施例1〜8に基づいて
、基本成分に対するガラス成分の添加量と焼結温度との
関係をグラフで示すと第5図LLなる。この第5図から
明らかな如く、ガラスを微量添加することによつ(従来
よりも約200℃低い]200℃以下の温度で#=4=
二二焼結が可能になる。牙に還元性雰囲気又は非酸比性
雰囲気で焼結し、大気中800℃のatヒ処理で目的と
する比誘電率εの局い誘電体磁器を得ることが出来る。 尚、実施?ll ]はガラス無添刀口の場合には焼結温
度が3320℃と局く且つtanδが4.5%と大きく
なり、ず定実施例8のガラス添710量が12重童%の
場合にはtanδが3.8%と大きくなり且つIRXC
’((?R値)が1.860ΩFと低くなる。従って、
好ましいガラス成分の添加量(含有量)は実施例2〜7
に示す0.2〜JO00重童部である。 実施例]、4及び5の磁器コンデンサに関し、磁器の厚
ざ258℃坐りに】O〜80VのM流バイアス電圧を印
刀口した状態で、父流測定電圧帆5V(実効値]、1k
Hz、20℃の乗件で静電容量を貫]足し、計算で比誘
電率εを求めたところ、第6図の結果が得られた。尚第
6図に於いて、曲線E、は実施例4のコンデンサ、曲f
fME2は実施例5のコンデンサ、曲線E3は本発明の
範囲外の実施例Jのコンデンサの谷DC電圧に於けるε
を示す。この兜6図から明らかなように、ガラス添7J
Dによって直流バイアス特性即ち実効負荷特性馨大幅に
改善することが出来る。 本発明に従う実施yu 4のコンデンサと、ガラスを含
まない本発明の範囲外の実施例1のコンデンサとを、恒
温槽に入れ、−40℃、20℃、85’c、150℃(
7)%温に−CDC50V ’& 1 分間印71Dし
た後に抵抗を測定し、it算で抵抗率ρを氷めたところ
、本発明に従う実施例4のコンデンサでは第7図の曲?
# R+で示す結果が得られ、本発明の範囲に槙妊ない
実施例]のコンデンサでは第7図の回線1も2で示す結
果となつTこ。この結果から明らかなよ5にガラス無添
刀りの場合には常温+ 20 ’C)でeが]O’MΩ
・Cm台であったものが150℃で】03MΩ・0n甘
に低下するが、ガラスを添刀りした場合には30’ M
Ll −Cm台に低下する。従って、ガラスは焼結温度
を下げる効果のみならず、抵抗率の温度に対する安定性
も大幅に改善できる。 実施例9〜29はガラスの組成の変化とコンデンサの特
性の変fヒとの関係を求めたものでろる〇実施例9〜】
4から明らかなように、本発明に係るガラス中に含有す
るM成分の構成がBao、ca。 及びSrOの何れでも、文例れの組合せでも]]C0℃
で焼結きれ、εは約13300、tan ljは1.2
〜1.4%、ρはi2.85 X ] O’MΩ・cm
ト19ぼ等しく、これと実施例3とぞ併せると、これら
3成分は単独、複合の如何にかかわらず同等の効果を有
することが明らかである。 実施例]5及び]6は、ガラスノ戎分中のLi2Oがな
い場合であり、この時MJ5y、分が35〜40モル%
、残分が5IO2″′cあれば、]]00℃で焼結され
、εが約12200−tanδが1.1〜1.2%、ρ
が杓3.2 X ] O’MΩ・cmと良好であるが、
実施例j7の如くM成分が50モル%では焼結温度は1
300℃と高(、tanδが3.5%と大きく、p y
jrEl、19 X ] O”MΩ・C1nと低くなり
、本発明の目的ニ達シない。L I 20が5モル%に
2い℃は、実施例19に示す如くM成分が45モル%、
5I02が50モル%で、はぼ実施例J5及び16と同
等の焼結温度と電気的%性を有fるが、M成分が20モ
ル%、S + 02が75モル%では実施例】8に示す
如く焼結温度及び電気特性共に本発明の目的外である。 実施例2]及び24は共にS+Ozが40モル%である
が、両実施例共に焼結温度が1300℃と高く、tan
δが6%以上であり、且つρがIOMΩ・Cm台である
ので、本発明の目的に達しないが、5102 カ50モ
ル%になると、実施例25(711!0<M成分が2モ
ル%、’J−i*oが48モル%でも焼結温度が109
0℃となり、1に電気%性はS10.が50モA/%の
実施i+lJ]9と同等の良好になる。実施例23に示
す如くM成分が含まれない場合は、焼成温度1200℃
未濶で未焼結状態であり、1200℃以上になると、通
暁状態となり緻密な焼結体が得られなかったが、M成分
を2モル%含有することにより実施例22に示す如<
、5I02が75モル% s L120が23モル%に
訃いて、M成分2モル集の実施例25と同等の電気的特
性を有する。 従って、本発明に於けるガラスの好ぽしい組成範囲は、
L120 M 5sOxガラスのMi成を示す第8
図の三角図の第]の点(Al、第2の点[F])、第3
の点(C1、第4の点の)、第5の点(El、第]の点
(Alを順次に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内である
。尚、第8図の三角図の第1の点(Alは実施例]5の
Li2O零モル鴨、M3535モル%SiQ、 65モ
ル%の組成を示し、第2の点03+は実施例】6のL
1 t O零モル%、M40モル%、 5xOt 60
モル%の組成ヲ示し、第3の点(0は実施例]9のL1
205モル%、M45モル%、 SiQ、 50モル%
の組成を示し、第4の点Eは実施例25のL12048
モル%、M2モル%、 Si’0.50モル%の組成ケ
示し、第5の点()illは実施例22のLi2Q 2
3モル%、M2モル% % 810275モル%の組成
を示す。従って、実施例9〜29の内で17、】8.2
0.21.23.24は本発明の範囲外のものである。 実施例30〜40は基本成分中のkの値の変化と特性変
1ヒとの関係を示す。この実施例30〜34から明らか
なように、kを0.98〜0.105丁で変化δせるた
めに、13a即ちXが0.79−” 0.86頂で変化
され℃いる。即ち、13aの原料であるBaC0Ili
s 0.79 モル部〜0.86モル部の範囲で変fヒ
されている。従って、基本成分中の(Ba 、 Ca
、 sr )Oのl Tl 、Zr ) 02 Pc
51’tする割合即ちkが0.98〜】、05に笈1ヒ
し又いる。この実施例30〜34中の最初の実施例30
の基本成分はkが0.98であって(,13a 、Ca
、 Sr、)0が不足状態である。このため実施?1
130のtan IIは]2.5%、ρは1.02×]
OMΩ・cmと電気特性が悪い。実施例3]では(Ba
、(’a、5rlOと(Ti 、 Zr ) Oxとの
モル比が等しく焼結温度は】080℃、εは12580
、tanJは1.2%、ρは2.98 X ] O’と
良好になる。 実施?!132〜34ではl Ba、 Ca%Sr )
0即ちkが過多状態であるが、実施例34を除いて、本
発明の効果ン有する。実施例34では実施例23と同様
に緻密な焼結体が得られなかった。これらの結果から[
Ti、Zr ) Ox fC対するt Ba、 Ca、
5r)Oの比率即ちkの好筐しい範囲は]、U〜1.
4である。従って、実施例30及び34は本発明の範囲
外である。 実施例35〜79では13a%Ca、Srの割合が種々
変ずヒされ又いる。実施例35に示す如(基本成分にC
a及び3rを含有させない場合には、800℃の処理で
酸比でれ離(、tanJが4.6%、pが]、4 X
] O’MΩ・cmと満足な電気特性が得られない。C
’aY2モル%J2J土含有させることにより実施例3
6〜54に示す如りtanJが]、5%、eが2.5X
IU’MΩ・cm以上の良好な磁器1ヒを示すが、実施
例54のCa 29 モル%ではεが2680と、比誘
電率が低い。Caが27モル%の実施例53ではεが]
0530と良好である。従って基本成分中のCaの割合
即ちyの好丁しい範囲は帆02〜0.27である。 実施例55〜7Jから明らかな如く、基本成分の5r(
7]!!u合即ち2が0.00 ] 〜0.37の範囲
であると、(13a、 Ca) (Ti、 Zr)03
糸磁器よりもεが5.40%増力口し、janδを】+
5%以下、ρを2.5 X ] O’MΩ・cm以上と
することが出来る。しかし、実施例72に示す如くzが
帆39になるとεが1230と低くなる。従ってSrの
割合即ち2の好ましい範囲は0.37.Lgu下である
。 実施例35〜72から明らかなように、yの好デしい範
囲は0.02〜0.27であり、2の好デしい範囲は0
.37ぶり下であるから、13aの割合即ちXの好まし
い範囲は、kを】、00〜1.04にするために0.6
0〜1.02である。 基本組成中のZrの割合細ちl”nが0の場合は実施例
73に示す如く、εが】630と低(、janδが5.
4%と高い。一方、実施例74〜78に示す如く、1−
n即ちZrの割合が0.26以下の範囲では、εが50
00 以上、tanδが1.5以下、eが2.5 X
] O’MΩ・amを満足するものとなる。ずた実施例
79に示す如< zrの割合即ち1−nが0.28とな
るとεが低くなる。従つ”c、Zrの割合即ち1−nの
好ましい範囲は0.26以下である。またTiの割合即
ちnの好ましい範囲は必然的に0.74≦n<]、00
となる。 X%y、z、に、nの好ましい範囲は上述の如くである
ので、第1表及び第2表の実施?1135〜79
゛のグループの中で35.54.72.73.79は本
発明の範囲外である。 実施例80〜83では焼結雰囲気のH2の体積%馨、0
.5%、】0%、75%
囲気中で冷却し1こ。 これにより、第3図に示す如く生シート[11に対応し
た第]の磁器層11a)と生シート(2)に対応した第
2の磁器層(2a)と生シート(3)に対応した第3の
@6層(3a)とから成り、これ等の間にペースト層+
41 (51に対応した電% (4a ) (5a)
”:l有する焼結体(6)が得られた。尚焼結体(61
に於げる磁器層(la) [2a)(3a)の厚さは酌
0−05 mm ’″′Cおり、焼結体(6)の合計の
厚さは電極C4a)(5a)を入れて約0−]6mmで
あり、その縦幅及び横幅は6 mmであり、電極[4a
)(5a)の刈向面積は5 mm X 5 mm =
25 mm2である。 上記の非酸fヒ性雰囲気中での焼結と、FJ800℃大
気中での酸1ヒ処理とにより、 ([Bax (Nays rZ ) OJ k’ T;
nZr、 −n ) 02の組成式で示すことが出来る
複合プロブスカイト型憬器即ちtBa、 Ca、 Sr
) (Ti 、 Zr )Os系磁器の中にガラス成
分が混入された誘電体磁器vlJ質が得られる。この複
合グロブスカイト型磁器は、・11a’l”iox、B
aZrO3,CaTi0a、CaZr0H1SrTiO
a、5rZr03を複合構造で含み、且つ基本成分の組
成式に於げるkが]よりも大きい場合にはBaO1Ca
O。 SrQがプロブスカイト型結晶に対して過剰に含み、更
にガラス粉末を添加した場合にはガラス成分(LizO
M 8+02 )を含む。 次に、1!極14a)C5a)が露出する焼結体(6)
の側面にZn (亜鉛〕とガラスフリットとビヒクルと
から成る導電性ペーストを塗布して乾燥し、これを大気
中で550℃の温度で]5分間焼付け、第4図に示す如
< Zn電極層(7)を形成し、更にこの上に銅[(’
u )を無電解メッキで被N式せてcu層(81を形成
し、更にこの上に電気メツキ法でPb −Sn半田層(
9)を設げ℃、一対の外部電極[101uυを形成した
。 次に、上述の如(形成した各実施例の積増磁器コンデン
サの電気的特性即ち比誘電率ε、誘電体損失t tan
δ〕、抵抗率e、静電容量(F′I×抵抗(Ω〕を側尾
し1こところ、第2表に示す結果が得られた。 電圧(実効値J O,5Vの条件で静電容量を測定し、
この測定値と電極[42)(5a)の対向面積25 m
m2 。 と電極+4a)C5a3間の磁器層tea)の厚10.
05mmから計算で求めた。また、tanδは比誘電率
と同一条件で測定し1、第2表には%で示した。即ち第
2表には実際のtanδの値の100倍の値を示した。 従って、実際のtanδの値は第2表の値の]0 倍で
ある。また、抵抗率p (MΩ・cm)は、温度20℃
に於い”CDC’50Vを1分間nmした後に電極[1
01C1iJ間の抵抗値を測定し、この測定値と寸法と
に基づいて計算で求めた。またC’R値は、測定した静
電容量値と抵抗値とを掛は合せること ゛により
氷めた。デ定、第1表に谷実施例の組成及び焼結条件が
示され、第2表に各実施例の特性が示されている。また
表中に於けるIの印は同上を示す。また第1表ではLi
、0. M、 SiO2の組成とMの組成との組み合
せによってガラスの組成を示したが、これ等を一体化し
て示すと例えば実施例2に於いてはLi2O3O−F−
ル%、Ba08モ# % 、CaO6モル%、Sr06
モル%、5i0250モル%となる。 特開昭59−138003(8) 上記第1表及び第2表に於ける実施例1〜8に基づいて
、基本成分に対するガラス成分の添加量と焼結温度との
関係をグラフで示すと第5図LLなる。この第5図から
明らかな如く、ガラスを微量添加することによつ(従来
よりも約200℃低い]200℃以下の温度で#=4=
二二焼結が可能になる。牙に還元性雰囲気又は非酸比性
雰囲気で焼結し、大気中800℃のatヒ処理で目的と
する比誘電率εの局い誘電体磁器を得ることが出来る。 尚、実施?ll ]はガラス無添刀口の場合には焼結温
度が3320℃と局く且つtanδが4.5%と大きく
なり、ず定実施例8のガラス添710量が12重童%の
場合にはtanδが3.8%と大きくなり且つIRXC
’((?R値)が1.860ΩFと低くなる。従って、
好ましいガラス成分の添加量(含有量)は実施例2〜7
に示す0.2〜JO00重童部である。 実施例]、4及び5の磁器コンデンサに関し、磁器の厚
ざ258℃坐りに】O〜80VのM流バイアス電圧を印
刀口した状態で、父流測定電圧帆5V(実効値]、1k
Hz、20℃の乗件で静電容量を貫]足し、計算で比誘
電率εを求めたところ、第6図の結果が得られた。尚第
6図に於いて、曲線E、は実施例4のコンデンサ、曲f
fME2は実施例5のコンデンサ、曲線E3は本発明の
範囲外の実施例Jのコンデンサの谷DC電圧に於けるε
を示す。この兜6図から明らかなように、ガラス添7J
Dによって直流バイアス特性即ち実効負荷特性馨大幅に
改善することが出来る。 本発明に従う実施yu 4のコンデンサと、ガラスを含
まない本発明の範囲外の実施例1のコンデンサとを、恒
温槽に入れ、−40℃、20℃、85’c、150℃(
7)%温に−CDC50V ’& 1 分間印71Dし
た後に抵抗を測定し、it算で抵抗率ρを氷めたところ
、本発明に従う実施例4のコンデンサでは第7図の曲?
# R+で示す結果が得られ、本発明の範囲に槙妊ない
実施例]のコンデンサでは第7図の回線1も2で示す結
果となつTこ。この結果から明らかなよ5にガラス無添
刀りの場合には常温+ 20 ’C)でeが]O’MΩ
・Cm台であったものが150℃で】03MΩ・0n甘
に低下するが、ガラスを添刀りした場合には30’ M
Ll −Cm台に低下する。従って、ガラスは焼結温度
を下げる効果のみならず、抵抗率の温度に対する安定性
も大幅に改善できる。 実施例9〜29はガラスの組成の変化とコンデンサの特
性の変fヒとの関係を求めたものでろる〇実施例9〜】
4から明らかなように、本発明に係るガラス中に含有す
るM成分の構成がBao、ca。 及びSrOの何れでも、文例れの組合せでも]]C0℃
で焼結きれ、εは約13300、tan ljは1.2
〜1.4%、ρはi2.85 X ] O’MΩ・cm
ト19ぼ等しく、これと実施例3とぞ併せると、これら
3成分は単独、複合の如何にかかわらず同等の効果を有
することが明らかである。 実施例]5及び]6は、ガラスノ戎分中のLi2Oがな
い場合であり、この時MJ5y、分が35〜40モル%
、残分が5IO2″′cあれば、]]00℃で焼結され
、εが約12200−tanδが1.1〜1.2%、ρ
が杓3.2 X ] O’MΩ・cmと良好であるが、
実施例j7の如くM成分が50モル%では焼結温度は1
300℃と高(、tanδが3.5%と大きく、p y
jrEl、19 X ] O”MΩ・C1nと低くなり
、本発明の目的ニ達シない。L I 20が5モル%に
2い℃は、実施例19に示す如くM成分が45モル%、
5I02が50モル%で、はぼ実施例J5及び16と同
等の焼結温度と電気的%性を有fるが、M成分が20モ
ル%、S + 02が75モル%では実施例】8に示す
如く焼結温度及び電気特性共に本発明の目的外である。 実施例2]及び24は共にS+Ozが40モル%である
が、両実施例共に焼結温度が1300℃と高く、tan
δが6%以上であり、且つρがIOMΩ・Cm台である
ので、本発明の目的に達しないが、5102 カ50モ
ル%になると、実施例25(711!0<M成分が2モ
ル%、’J−i*oが48モル%でも焼結温度が109
0℃となり、1に電気%性はS10.が50モA/%の
実施i+lJ]9と同等の良好になる。実施例23に示
す如くM成分が含まれない場合は、焼成温度1200℃
未濶で未焼結状態であり、1200℃以上になると、通
暁状態となり緻密な焼結体が得られなかったが、M成分
を2モル%含有することにより実施例22に示す如<
、5I02が75モル% s L120が23モル%に
訃いて、M成分2モル集の実施例25と同等の電気的特
性を有する。 従って、本発明に於けるガラスの好ぽしい組成範囲は、
L120 M 5sOxガラスのMi成を示す第8
図の三角図の第]の点(Al、第2の点[F])、第3
の点(C1、第4の点の)、第5の点(El、第]の点
(Alを順次に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内である
。尚、第8図の三角図の第1の点(Alは実施例]5の
Li2O零モル鴨、M3535モル%SiQ、 65モ
ル%の組成を示し、第2の点03+は実施例】6のL
1 t O零モル%、M40モル%、 5xOt 60
モル%の組成ヲ示し、第3の点(0は実施例]9のL1
205モル%、M45モル%、 SiQ、 50モル%
の組成を示し、第4の点Eは実施例25のL12048
モル%、M2モル%、 Si’0.50モル%の組成ケ
示し、第5の点()illは実施例22のLi2Q 2
3モル%、M2モル% % 810275モル%の組成
を示す。従って、実施例9〜29の内で17、】8.2
0.21.23.24は本発明の範囲外のものである。 実施例30〜40は基本成分中のkの値の変化と特性変
1ヒとの関係を示す。この実施例30〜34から明らか
なように、kを0.98〜0.105丁で変化δせるた
めに、13a即ちXが0.79−” 0.86頂で変化
され℃いる。即ち、13aの原料であるBaC0Ili
s 0.79 モル部〜0.86モル部の範囲で変fヒ
されている。従って、基本成分中の(Ba 、 Ca
、 sr )Oのl Tl 、Zr ) 02 Pc
51’tする割合即ちkが0.98〜】、05に笈1ヒ
し又いる。この実施例30〜34中の最初の実施例30
の基本成分はkが0.98であって(,13a 、Ca
、 Sr、)0が不足状態である。このため実施?1
130のtan IIは]2.5%、ρは1.02×]
OMΩ・cmと電気特性が悪い。実施例3]では(Ba
、(’a、5rlOと(Ti 、 Zr ) Oxとの
モル比が等しく焼結温度は】080℃、εは12580
、tanJは1.2%、ρは2.98 X ] O’と
良好になる。 実施?!132〜34ではl Ba、 Ca%Sr )
0即ちkが過多状態であるが、実施例34を除いて、本
発明の効果ン有する。実施例34では実施例23と同様
に緻密な焼結体が得られなかった。これらの結果から[
Ti、Zr ) Ox fC対するt Ba、 Ca、
5r)Oの比率即ちkの好筐しい範囲は]、U〜1.
4である。従って、実施例30及び34は本発明の範囲
外である。 実施例35〜79では13a%Ca、Srの割合が種々
変ずヒされ又いる。実施例35に示す如(基本成分にC
a及び3rを含有させない場合には、800℃の処理で
酸比でれ離(、tanJが4.6%、pが]、4 X
] O’MΩ・cmと満足な電気特性が得られない。C
’aY2モル%J2J土含有させることにより実施例3
6〜54に示す如りtanJが]、5%、eが2.5X
IU’MΩ・cm以上の良好な磁器1ヒを示すが、実施
例54のCa 29 モル%ではεが2680と、比誘
電率が低い。Caが27モル%の実施例53ではεが]
0530と良好である。従って基本成分中のCaの割合
即ちyの好丁しい範囲は帆02〜0.27である。 実施例55〜7Jから明らかな如く、基本成分の5r(
7]!!u合即ち2が0.00 ] 〜0.37の範囲
であると、(13a、 Ca) (Ti、 Zr)03
糸磁器よりもεが5.40%増力口し、janδを】+
5%以下、ρを2.5 X ] O’MΩ・cm以上と
することが出来る。しかし、実施例72に示す如くzが
帆39になるとεが1230と低くなる。従ってSrの
割合即ち2の好ましい範囲は0.37.Lgu下である
。 実施例35〜72から明らかなように、yの好デしい範
囲は0.02〜0.27であり、2の好デしい範囲は0
.37ぶり下であるから、13aの割合即ちXの好まし
い範囲は、kを】、00〜1.04にするために0.6
0〜1.02である。 基本組成中のZrの割合細ちl”nが0の場合は実施例
73に示す如く、εが】630と低(、janδが5.
4%と高い。一方、実施例74〜78に示す如く、1−
n即ちZrの割合が0.26以下の範囲では、εが50
00 以上、tanδが1.5以下、eが2.5 X
] O’MΩ・amを満足するものとなる。ずた実施例
79に示す如< zrの割合即ち1−nが0.28とな
るとεが低くなる。従つ”c、Zrの割合即ち1−nの
好ましい範囲は0.26以下である。またTiの割合即
ちnの好ましい範囲は必然的に0.74≦n<]、00
となる。 X%y、z、に、nの好ましい範囲は上述の如くである
ので、第1表及び第2表の実施?1135〜79
゛のグループの中で35.54.72.73.79は本
発明の範囲外である。 実施例80〜83では焼結雰囲気のH2の体積%馨、0
.5%、】0%、75%
【1ヒさせている。
このように非酸丁じ性雰囲気のH7の割合を変1ヒさせ
ても、電気的特性に対する影響は殆んどない。 以上の実流?ll ]〜83から明らかなように、本発
明で特定でれた誘電体磁器組成によれは、非酸fヒ性雰
囲気中1200℃以下の温度で焼結し、歌fヒ性雰囲気
中fJ800℃の温度で酸1ヒ処理することにより、比
誘電率5000〜] 3900、tanδ】、5%以下
、抵抗率2.5 X 30 ’MΩ−cmJ2J上、絶
縁抵抗(Ω]×容量(F)3300〜3500ΩFの誘
電体磁器を得ることが出来る。 実施例84〜91(第3表) 第3表に示す実五例84〜87については実施?lJ
4と同一の磁器組成とし、実施例88〜91につい℃は
実施例jと同一の磁器組成
ても、電気的特性に対する影響は殆んどない。 以上の実流?ll ]〜83から明らかなように、本発
明で特定でれた誘電体磁器組成によれは、非酸fヒ性雰
囲気中1200℃以下の温度で焼結し、歌fヒ性雰囲気
中fJ800℃の温度で酸1ヒ処理することにより、比
誘電率5000〜] 3900、tanδ】、5%以下
、抵抗率2.5 X 30 ’MΩ−cmJ2J上、絶
縁抵抗(Ω]×容量(F)3300〜3500ΩFの誘
電体磁器を得ることが出来る。 実施例84〜91(第3表) 第3表に示す実五例84〜87については実施?lJ
4と同一の磁器組成とし、実施例88〜91につい℃は
実施例jと同一の磁器組成
【ガラス無添加組成】とし、
生シートを実施例1〜83と同一方法で形成し、また生
シートaの厚ざ、生シート板の寸法[+AII!i X
縦幅]、塗布有効電極寸法、層数を第3表に示f如(裡
々変化σせ、次に実施例84〜87については実施例4
と同一条件で焼結及び酸1ヒさせ、実施例88〜9]に
ついては実施例1と同一条件で焼結及び酸ずヒさせ、し
かる後外部電極を形成し″′C積層磁器コンデンサを完
成させた。即ち、実施例86.87.90.9】の如く
暦数が複数の場合には、第9図に示すよ5に複数の4i
fi器層(12a)(12b月12c)[12d)(1
2eJ等を有し且つ複数の電極(13a)(13bJ(
13c)(13dJ等を有゛し、更に両端面に外部電極
(101(111を有するコンデンサを完成σせた。し
かる後、これ等の静電容量、及び共振周波数に於けるイ
ンピーダンスを等個直列抵抗(ESRJとして測定し定
ところ、第3表の結果が得られた。 第10図は第:づ表に於ける静電容量とESRとの関係
を示すものであり、実線が実施例84〜87ケ示し、点
線が実施例88〜9]を示す。この結果から明らかなノ
目(、ガラス乞添加すれば、同−各賞であってもESR
が低下する。 尚、第3表には示さなかったが、実施例85と同一寸法
、同一層数のコンデンサl¥実施例7.2]、28.3
:う、95.37.78と同一磁器組成で形成し、ES
Rン油」定したところ、]55.130、]05.17
(J、95.205、]90であった。 変形例 卦ノよ、本発明の実施例につい又述べたが、本発明はこ
れに限定式れるものでなく、更に変形可能なものである
。例えば、基本成分を得る定めの出発原料乞、実施例】
〜78で示しTC%の以外のBa。 Ca、 Sr、 Ti% Zrv含む16合物、例えば
、BaO1CaO、SrO、Ti0z、ZnO,等の酸
fヒ物、又は水酸fヒ物等とし℃もよい。 −1:定、酸fヒ温度を800℃以外の750〜100
0℃、好筐しくに800〜900℃の範囲の温度として
もよい。即ち、ニッケル等の電極と磁器の酸fヒとを考
慮して変更することが5J能である。 f、た、非酸比性雰囲気中の焼成温度も、電極材料を考
慮して考えることが出来る。 また、本発明の目的を阻害しない範囲で他の物質を更に
添加してもよい。例えは、本発明の磁器に対してMnO
,を0.05〜0.1重量%の範囲で添加してもよい。
生シートを実施例1〜83と同一方法で形成し、また生
シートaの厚ざ、生シート板の寸法[+AII!i X
縦幅]、塗布有効電極寸法、層数を第3表に示f如(裡
々変化σせ、次に実施例84〜87については実施例4
と同一条件で焼結及び酸1ヒさせ、実施例88〜9]に
ついては実施例1と同一条件で焼結及び酸ずヒさせ、し
かる後外部電極を形成し″′C積層磁器コンデンサを完
成させた。即ち、実施例86.87.90.9】の如く
暦数が複数の場合には、第9図に示すよ5に複数の4i
fi器層(12a)(12b月12c)[12d)(1
2eJ等を有し且つ複数の電極(13a)(13bJ(
13c)(13dJ等を有゛し、更に両端面に外部電極
(101(111を有するコンデンサを完成σせた。し
かる後、これ等の静電容量、及び共振周波数に於けるイ
ンピーダンスを等個直列抵抗(ESRJとして測定し定
ところ、第3表の結果が得られた。 第10図は第:づ表に於ける静電容量とESRとの関係
を示すものであり、実線が実施例84〜87ケ示し、点
線が実施例88〜9]を示す。この結果から明らかなノ
目(、ガラス乞添加すれば、同−各賞であってもESR
が低下する。 尚、第3表には示さなかったが、実施例85と同一寸法
、同一層数のコンデンサl¥実施例7.2]、28.3
:う、95.37.78と同一磁器組成で形成し、ES
Rン油」定したところ、]55.130、]05.17
(J、95.205、]90であった。 変形例 卦ノよ、本発明の実施例につい又述べたが、本発明はこ
れに限定式れるものでなく、更に変形可能なものである
。例えば、基本成分を得る定めの出発原料乞、実施例】
〜78で示しTC%の以外のBa。 Ca、 Sr、 Ti% Zrv含む16合物、例えば
、BaO1CaO、SrO、Ti0z、ZnO,等の酸
fヒ物、又は水酸fヒ物等とし℃もよい。 −1:定、酸fヒ温度を800℃以外の750〜100
0℃、好筐しくに800〜900℃の範囲の温度として
もよい。即ち、ニッケル等の電極と磁器の酸fヒとを考
慮して変更することが5J能である。 f、た、非酸比性雰囲気中の焼成温度も、電極材料を考
慮して考えることが出来る。 また、本発明の目的を阻害しない範囲で他の物質を更に
添加してもよい。例えは、本発明の磁器に対してMnO
,を0.05〜0.1重量%の範囲で添加してもよい。
第1図は実施例1〜83に従う生シート?示す余E仇図
、第2図は第1図の生シートにニッケルペースト?印刷
した状態ケ示す斜視図、第3図は第2図の生シート馨一
体1ヒし℃焼結した物を示す断面図、第4図は第3図の
焼結体に外部電極を設けた状態を示す断面図である。 第5図はガラス添加量と焼結温度との関係を示す図であ
る。 第6図はDCバイアス電圧と比誘電率との関係を示す図
である。 第7図はコンデンサの温度と抵抗率との関係を示す図で
ある。 第8図はガラスの組成を示す三角図である。 第9図は実施例86.87.90.9】に於ける[6コ
ンデンサの一部を示す断面図である。 第10図は実施例84〜91の容量とESRとの関係を
示す図である。 (月+21 (3]°“生シート、(la)fib)[
1c)−磁器層、+41(5J・・・ペースト層、+4
a)[5a)・・・電極、(6し・睨結体、uOIul
J・・/A外部電極 代 理 人 高 野 則 次第5図 j゛ラスジト力量 (Oん)
、第2図は第1図の生シートにニッケルペースト?印刷
した状態ケ示す斜視図、第3図は第2図の生シート馨一
体1ヒし℃焼結した物を示す断面図、第4図は第3図の
焼結体に外部電極を設けた状態を示す断面図である。 第5図はガラス添加量と焼結温度との関係を示す図であ
る。 第6図はDCバイアス電圧と比誘電率との関係を示す図
である。 第7図はコンデンサの温度と抵抗率との関係を示す図で
ある。 第8図はガラスの組成を示す三角図である。 第9図は実施例86.87.90.9】に於ける[6コ
ンデンサの一部を示す断面図である。 第10図は実施例84〜91の容量とESRとの関係を
示す図である。 (月+21 (3]°“生シート、(la)fib)[
1c)−磁器層、+41(5J・・・ペースト層、+4
a)[5a)・・・電極、(6し・睨結体、uOIul
J・・/A外部電極 代 理 人 高 野 則 次第5図 j゛ラスジト力量 (Oん)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 tlJ (IBax(’aySr2)]k(TinZ
r1−、)02(但しx、y%z、に、及びnは 0.60≦x < ]、02 0.02≦y≦0.27 0<z≦0.37 ]、00≦に≦]、04 0.74≦n < ]、002満足する数値〕からなる
基本成分と、 ]C0東重都の前記基本成分に対して0.2〜10、C
1N量部のガラス成分と、 馨含み、且つ前記ガラス成分はLi2OとM(但し前記
MはBa□、CaO及びSrOの内の]梅以上の金縞酸
fヒ物)とS s O*から成り、且つ前geLizO
と前記Mと一前記5in2 との組成範囲は、0れ等の
組成ンモル%で示す三角図に於ける 前記L120が0モル%、前記Mが35モル%、前記5
i02が65モル%の組成ン示す第Jの点(Alと、M
il if已L120が0モル%、印J茜已Mが40モ
ル%、前Fer:JS I OHが60モル%の組成馨
示す第2の点[F])と、顔Jg己Li、Oが5モル%
、stJ記M力S45モル弥、前記5in2が50モル
%の組成を示す第30点(Oと、前g已LizOが48
モル%、前記Mが2モル%、前記S iOzが50モル
%の組成を示″j第4の点の)と、前記Li2Oが23
モル%、@記Mが2モル条、前記SiOよが75モル%
のagv示す第5の点(Elと、h1JNU2第Jの点
杭)と、 を順次に結ぶ5本の直線で囲まれた領域内であることを
特徴とする誘電体磁器物質。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58010836A JPS6020851B2 (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 誘電体磁器物質 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58010836A JPS6020851B2 (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 誘電体磁器物質 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59138003A true JPS59138003A (ja) | 1984-08-08 |
JPS6020851B2 JPS6020851B2 (ja) | 1985-05-24 |
Family
ID=11761432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58010836A Expired JPS6020851B2 (ja) | 1983-01-26 | 1983-01-26 | 誘電体磁器物質 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6020851B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4607316A (en) * | 1984-12-18 | 1986-08-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
US4607315A (en) * | 1984-12-18 | 1986-08-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
US4607314A (en) * | 1984-12-18 | 1986-08-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
JPS63224105A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-19 | 株式会社村田製作所 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
JPH02155115A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-06-14 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
US4987108A (en) * | 1987-03-11 | 1991-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric paste |
JPH0425005A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JPH0453214A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69209417T2 (de) * | 1991-09-25 | 1996-11-28 | Murata Manufacturing Co | Nichtreduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung |
-
1983
- 1983-01-26 JP JP58010836A patent/JPS6020851B2/ja not_active Expired
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4607316A (en) * | 1984-12-18 | 1986-08-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
US4607315A (en) * | 1984-12-18 | 1986-08-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
US4607314A (en) * | 1984-12-18 | 1986-08-19 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic capacitor with high DC breakdown voltage, and method of manufacture |
JPS63224105A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-19 | 株式会社村田製作所 | 温度補償用誘電体磁器組成物 |
US4987108A (en) * | 1987-03-11 | 1991-01-22 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric paste |
JPH02155115A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-06-14 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
JPH0425005A (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JPH0614496B2 (ja) * | 1990-05-16 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JPH0453214A (ja) * | 1990-06-20 | 1992-02-20 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
JPH0614499B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1994-02-23 | 太陽誘電株式会社 | 磁器コンデンサ及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6020851B2 (ja) | 1985-05-24 |
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