JPH02155115A - 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH02155115A JPH02155115A JP63188696A JP18869688A JPH02155115A JP H02155115 A JPH02155115 A JP H02155115A JP 63188696 A JP63188696 A JP 63188696A JP 18869688 A JP18869688 A JP 18869688A JP H02155115 A JPH02155115 A JP H02155115A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はＰｂ複合ペロブスカイト型誘電体磁器組成物
を主成分とし、これにＰｂ複合ペロブスカイト用還元防
止剤を加えてなる非還元性円複合ペロブスカイト型誘電
体磁器絹成物に関するものである。
を主成分とし、これにＰｂ複合ペロブスカイト用還元防
止剤を加えてなる非還元性円複合ペロブスカイト型誘電
体磁器絹成物に関するものである。
〈従来の技術とその課題〉
内系の誘電体材料は、比較的高い誘電率が得られ、低温
で焼成できるため広く利用されている。
で焼成できるため広く利用されている。
一方、内系の誘電体材料を用いて積層コンデンサを製造
するに当たっては、各誘電体材料層の間に内部電極が介
在されるが、島系の誘電体材料を還元性雰囲気中で焼成
すると、一般に絶縁特性が損なわれるために、内部電極
材料としては酸化性雰囲気中で焼成しても安定なＡｇ／
Ｐｄ系の負金属が用いられる。
するに当たっては、各誘電体材料層の間に内部電極が介
在されるが、島系の誘電体材料を還元性雰囲気中で焼成
すると、一般に絶縁特性が損なわれるために、内部電極
材料としては酸化性雰囲気中で焼成しても安定なＡｇ／
Ｐｄ系の負金属が用いられる。
しかしながら、Ａｃｔ／円系の材料は高価であり、また
、〜のマイグレーションにより特性が劣化したり、導電
率が小さいなどの欠点を有している。
、〜のマイグレーションにより特性が劣化したり、導電
率が小さいなどの欠点を有している。
〈発明の目的〉
従って、この発明は安価でマイグレーションの心配がな
く、かつ導電率の大きいＱまたはへ系の合金材料を内部
電極として用いるために、内系の誘電体材料に還元防止
剤を添加することによって、還元雰囲気中で焼成したと
きに、絶縁抵抗が損なわれるのを防ぐことのできる非還
元性誘電体磁器組成物を提供することを目的とするもの
である。
く、かつ導電率の大きいＱまたはへ系の合金材料を内部
電極として用いるために、内系の誘電体材料に還元防止
剤を添加することによって、還元雰囲気中で焼成したと
きに、絶縁抵抗が損なわれるのを防ぐことのできる非還
元性誘電体磁器組成物を提供することを目的とするもの
である。
く課題を解決するための手段〉
この発明は上記の目的を達成させるべり、得られたもの
であって、Ｐｂ （１１ｇ１７３ Ｎｂ２／３ ） Ｏ
ｓ ＋ Ｐｂ（Ｚ”１／３ ’２／３ ） Ｏｓ ＋
ＰｂＴＬＯｓの３成分系において、Ｐｂ （Ｎｂ１／３
Ｎｂ２／３ ） Ｏｓ、 Ｐｂ （ＺＴ＋１／３ Ｎ
ｂ２７３ ） Ｏｓ。
であって、Ｐｂ （１１ｇ１７３ Ｎｂ２／３ ） Ｏ
ｓ ＋ Ｐｂ（Ｚ”１／３ ’２／３ ） Ｏｓ ＋
ＰｂＴＬＯｓの３成分系において、Ｐｂ （Ｎｂ１／３
Ｎｂ２／３ ） Ｏｓ、 Ｐｂ （ＺＴ＋１／３ Ｎ
ｂ２７３ ） Ｏｓ。
Ｐｂ Ｔ＝ ｏｓの配合比（重量％）を３成分組成図で
示すＡ（８９゜０，１．０，１０．０） 、 Ｂ（
８０，０，１０，０，１０，０）、 Ｃ（５９，５，
４０，０，０，５） 、 Ｄ （９８，５，１，０，０
，５）の４点で囲まれる範囲内で含有する主成分と、一
般式％式％ （＜０．４ （モル比）、Ｒは１、Ｃａ、Ｓｒまたは
Ｂａのうち少なくとも１種〕 で表わされる成分を含有するＰｂ複合ペロブスカイト用
還元防止剤とよりなる非還元性誘電体磁器組成物を提供
するものである。
示すＡ（８９゜０，１．０，１０．０） 、 Ｂ（
８０，０，１０，０，１０，０）、 Ｃ（５９，５，
４０，０，０，５） 、 Ｄ （９８，５，１，０，０
，５）の４点で囲まれる範囲内で含有する主成分と、一
般式％式％ （＜０．４ （モル比）、Ｒは１、Ｃａ、Ｓｒまたは
Ｂａのうち少なくとも１種〕 で表わされる成分を含有するＰｂ複合ペロブスカイト用
還元防止剤とよりなる非還元性誘電体磁器組成物を提供
するものである。
く作用〉
この発明で主成分として用いるＰｂ（１’ｂ１／３Ｎｂ
） Ｏｓ ＋Ｐｂ （ＺＴ１１／３ Ｎｂ２／３
） Ｏｓ ＋ ＰｂｕＯｓ ３成２／３ 分系門複合ベロアスカイトの組成範囲を図面にて示す成
分組成図におけるＡ（８９，０，１，０，１０，０）
、 Ｂ（８０，０，１０，０，１０，０）、 Ｃ（５９
，５，４０，０，０，５） 、 Ｄ（９８，５，１，０
，０，５）の４点で囲まれる範囲内と限定した理由は次
の通りである。
） Ｏｓ ＋Ｐｂ （ＺＴ１１／３ Ｎｂ２／３
） Ｏｓ ＋ ＰｂｕＯｓ ３成２／３ 分系門複合ベロアスカイトの組成範囲を図面にて示す成
分組成図におけるＡ（８９，０，１，０，１０，０）
、 Ｂ（８０，０，１０，０，１０，０）、 Ｃ（５９
，５，４０，０，０，５） 、 Ｄ（９８，５，１，０
，０，５）の４点で囲まれる範囲内と限定した理由は次
の通りである。
成分組成図における組成点Ａ及びＢを結ぶ線の外側、つ
まり試料番号１〜３では還元防止剤を添加しても還元焼
成した場合、２０℃での比抵抗１０′６Ω・１未満とな
り好ましくない。
まり試料番号１〜３では還元防止剤を添加しても還元焼
成した場合、２０℃での比抵抗１０′６Ω・１未満とな
り好ましくない。
さらに組成点ＢおよびＣを結ぶ線の外側、つまり試料番
号６〜８では還元防止剤を添加しても還元焼成した場合
、誘電損失が５％以上になり好ましくない。
号６〜８では還元防止剤を添加しても還元焼成した場合
、誘電損失が５％以上になり好ましくない。
次に組成点ＣおよびＤを結ぶ線の外側、試料番号１５〜
１７では還元防止剤を添加しても還元焼成した場合、２
０℃での比抵抗が１０１０Ω・１未満となり好ましくな
い。
１７では還元防止剤を添加しても還元焼成した場合、２
０℃での比抵抗が１０１０Ω・１未満となり好ましくな
い。
また、組成点ＡおよびＤを結ぶ線の外側、つまり試料番
号９〜１１では還元防止剤を添加しても還元焼成した場
合、２０℃での比抵抗が１０１０Ω・１未満となり、か
つ誘電損失が５％より大きくなって好ましくない。
号９〜１１では還元防止剤を添加しても還元焼成した場
合、２０℃での比抵抗が１０１０Ω・１未満となり、か
つ誘電損失が５％より大きくなって好ましくない。
さらにこの発明において、上記主成分に添加する内複合
ペロブスカイト用還元防止剤の一般式がａ ＬＬ２０＋
ｂＲＯ＋Ｃ８２０３＋ （１−ａ−ｂ−ｃ） ５ＬＯ
ｔ（但し、０≦ａ ＜０．２ 、０．１ ≦ｂ ＜０．
５５゜０≦ｃ ＜０．４ 、 Ｒは一１Ｃａ、Ｓｒまた
はＢａのうち少なくとも１種） の場合の上記組成範囲の限定理由についてのべると、ｂ
ＲＯが１０ｎｏ１％未満では円系複合ペロブスカイト誘
電体をＣＩＬ電極使用可能な低酸素分圧°（例えば１０
００℃、１１０−７ａｔ１以下）で焼成することができ
ない。
ペロブスカイト用還元防止剤の一般式がａ ＬＬ２０＋
ｂＲＯ＋Ｃ８２０３＋ （１−ａ−ｂ−ｃ） ５ＬＯ
ｔ（但し、０≦ａ ＜０．２ 、０．１ ≦ｂ ＜０．
５５゜０≦ｃ ＜０．４ 、 Ｒは一１Ｃａ、Ｓｒまた
はＢａのうち少なくとも１種） の場合の上記組成範囲の限定理由についてのべると、ｂ
ＲＯが１０ｎｏ１％未満では円系複合ペロブスカイト誘
電体をＣＩＬ電極使用可能な低酸素分圧°（例えば１０
００℃、１１０−７ａｔ１以下）で焼成することができ
ない。
一方ｂＲＯが５５１１０１％以上では焼成温度が１０５
０℃を越えてしまい、ＣＬＬ電極が溶融して流れだすた
め、この発明の目的が達成できなくなる。
０℃を越えてしまい、ＣＬＬ電極が溶融して流れだすた
め、この発明の目的が達成できなくなる。
また、ａ（ＬＬ２０）が２０ｎｏ １％、Ｃ（Ｂ２０３
）が４０ｎｏ１％を越えると、誘電体特性が著しく損な
われたり、焼成が完了する前に軟化変形する。
）が４０ｎｏ１％を越えると、誘電体特性が著しく損な
われたり、焼成が完了する前に軟化変形する。
円複合ペロプスカイト用還元防止剤の添加を０．０５重
量％以上、４０重量％以下に限定した理由は、０．０５
重量％未満では誘電体が還元され、絶縁抵抗が劣化する
ことになり、一方４０重量％を越えると焼結が完了する
前に還元防止剤が溶けて流れだし、軟化変形が生じる。
量％以上、４０重量％以下に限定した理由は、０．０５
重量％未満では誘電体が還元され、絶縁抵抗が劣化する
ことになり、一方４０重量％を越えると焼結が完了する
前に還元防止剤が溶けて流れだし、軟化変形が生じる。
〈実施例〉
以下、この発明を実施例により詳細に説明する。
Ｐｂ複合ペロブスカイトの誘電体原料として円。
０４ 、＋１；１ｃＯ３、ｂ２ｏ５ 、 ＴｉＯ２、お
よびＺＴＩＯを第１表およびｍ２表に示す組成となるよ
うに秤吊し、ボールミルで１６時時間式混合した後、黒
光乾燥して混合粉末を得た。
よびＺＴＩＯを第１表およびｍ２表に示す組成となるよ
うに秤吊し、ボールミルで１６時時間式混合した後、黒
光乾燥して混合粉末を得た。
得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて７３０℃
で２時間焼成した後、２００メツシユの篩を通過するよ
うに粗粉砕してＰｂ複合ペロブスカイト粉末を準備した
。
で２時間焼成した後、２００メツシユの篩を通過するよ
うに粗粉砕してＰｂ複合ペロブスカイト粉末を準備した
。
また、第１表および第２表に示した組成のＰｂ複合ベロ
アスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで１６時時間式混合、粉砕した債、蒸発乾燥して
粉末を得た。
アスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで１６時時間式混合、粉砕した債、蒸発乾燥して
粉末を得た。
得られた粉末をアルミナルツボに入れ、１３００℃の温
度で１時間放置し、急冷してガラス化したのち、２００
メツシユの篩を通過するように粗粉砕してＰｂ複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤を準備した。
度で１時間放置し、急冷してガラス化したのち、２００
メツシユの篩を通過するように粗粉砕してＰｂ複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤を準備した。
次に、準備したＰｂ１合ペロブスカイト粉末に円複合ペ
ロブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを第１葉
および第２表に示す割合で添加し、これにポリビニルブ
ヂラール系のバインダーおよび有機溶媒を加えてボール
ミルで１６時間、湿式混合した。これをドクターブレー
ド法にてシート成型し、乾燥後適当な大きさにこのシー
トをカットした。
ロブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを第１葉
および第２表に示す割合で添加し、これにポリビニルブ
ヂラール系のバインダーおよび有機溶媒を加えてボール
ミルで１６時間、湿式混合した。これをドクターブレー
ド法にてシート成型し、乾燥後適当な大きさにこのシー
トをカットした。
次いでカットしたシートをスクリーン印刷法でＣＩＬ電
極ペーストを用いて印刷した後熱Ｆｆ：看し、積層化し
た。圧着したグリーンシートを所定の規格にカットした
後、外部電極として〜ペーストを印刷、塗布した。
極ペーストを用いて印刷した後熱Ｆｆ：看し、積層化し
た。圧着したグリーンシートを所定の規格にカットした
後、外部電極として〜ペーストを印刷、塗布した。
このようにして得られた内、外部Ｃ，Ｈ極ペーストを印
刷、塗布した積層化ユニットを貞ペーストのＣＩＬが酸
化しないように、Ｎ２、Ｎ２０およびＮ２の混合ガスで
還元雰囲気中で調節した電気炉に入れ、１０００℃で３
時間焼成した。
刷、塗布した積層化ユニットを貞ペーストのＣＩＬが酸
化しないように、Ｎ２、Ｎ２０およびＮ２の混合ガスで
還元雰囲気中で調節した電気炉に入れ、１０００℃で３
時間焼成した。
得られた積層コンデンサ（試料）について、ふくしん液
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
。
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
。
また、２５℃の温度における１旧１ｚ 、ｉ Ｖｒ、１
．ｓでの誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）および−
２５〜８５℃の温度範囲で＋２０℃を基準にした誘電率
の温度特性を測定した。
．ｓでの誘電率（ε）、誘電損失（ｔａｎδ）および−
２５〜８５℃の温度範囲で＋２０℃を基準にした誘電率
の温度特性を測定した。
また、絶縁抵抗は５０Ｖの電圧を印加した時の電流値を
測定し、その値から比抵抗に換輝した。
測定し、その値から比抵抗に換輝した。
その結果は第１表および第２表に示した。
なお、第１表＆３よび第２表中＊印のものは、この発明
の範囲外のものである。
の範囲外のものである。
また、第１表にて使用したＰｂ複合ペロブスカイト粉末
組成は ８０Ｐｂ （ｌｉｇ１／３ Ｆ＆＋２／３ ） Ｏｓ
＋１５Ｐｂ （ＺＪ／３Ｆｋ＋２７３ ） Ｏｓ ＋５
Ｐｂ Ｒｏｗ （重量％）第２表にて使用し
た還元防止剤の組成は５ ＬＬｚＯ＋ １５８ａＯ＋
１５ＣａＯ＋ １５ＳｒＯ＋２０３２０３ ＋３０ＳＬ
Ｏｅ （モル％）である。
組成は ８０Ｐｂ （ｌｉｇ１／３ Ｆ＆＋２／３ ） Ｏｓ
＋１５Ｐｂ （ＺＪ／３Ｆｋ＋２７３ ） Ｏｓ ＋５
Ｐｂ Ｒｏｗ （重量％）第２表にて使用し
た還元防止剤の組成は５ ＬＬｚＯ＋ １５８ａＯ＋
１５ＣａＯ＋ １５ＳｒＯ＋２０３２０３ ＋３０ＳＬ
Ｏｅ （モル％）である。
Ｌ２第１表および第２表における温度特性についてＢ、
Ｃ，Ｄ、ＥおよびＦの各特性は月Ｓ規格による温度特性
を意味し、各特性について詳細に説明すると、次の通り
である。
Ｃ，Ｄ、ＥおよびＦの各特性は月Ｓ規格による温度特性
を意味し、各特性について詳細に説明すると、次の通り
である。
３特性：２０”Ｃにおける静電容量を基準として、−２
５℃〜＋８５℃における容量変化率が一１０〜１１０％
を超えない。
５℃〜＋８５℃における容量変化率が一１０〜１１０％
を超えない。
Ｃ特性：２０℃における静電容量を基準として、−２５
℃〜＋８５℃における容量変化率が一２０〜＋２０％を
超えない。
℃〜＋８５℃における容量変化率が一２０〜＋２０％を
超えない。
Ｃ特性：２０℃における静電容量を基準として、−２５
℃〜＋８５℃における容量変化率が一３０〜＋２０％を
超えない。
℃〜＋８５℃における容量変化率が一３０〜＋２０％を
超えない。
Ｅ特性＝２０℃における静電容量を基準として、−２５
℃〜＋８５℃における容量変化率が一５５〜＋２０％を
超えない。
℃〜＋８５℃における容量変化率が一５５〜＋２０％を
超えない。
Ｆ特性：２０℃における静電容量を基準として、−２５
℃〜啼８５℃における容量変化率が一８０〜＋３０％を
超えない。
℃〜啼８５℃における容量変化率が一８０〜＋３０％を
超えない。
上記の実施例において、この発明のＰｂ複合ペロブスカ
イト組成物とＰｂ１合ベロブスｈイト用還元防止剤を混
合したものは、Ｐｂ複合ペロブスカイト誘電体磁器組成
物だけのものより耐還元牲が強まり、ＣＩＬ電極が使用
可能になる低酸素分圧で焼成することができる。
イト組成物とＰｂ１合ベロブスｈイト用還元防止剤を混
合したものは、Ｐｂ複合ペロブスカイト誘電体磁器組成
物だけのものより耐還元牲が強まり、ＣＩＬ電極が使用
可能になる低酸素分圧で焼成することができる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、この発明のようにＰｂ複合ペロブ
スカイト用還元防止剤をＰｂ複合ペロブスカイト誘電体
磁器材料に加えると、Ｃ１電極が酸化しない低酸素分圧
雰囲気以下で焼成しても絶縁抵抗、誘電体損失などの電
気的特性が劣化しないコンデンサが得られるのである。
スカイト用還元防止剤をＰｂ複合ペロブスカイト誘電体
磁器材料に加えると、Ｃ１電極が酸化しない低酸素分圧
雰囲気以下で焼成しても絶縁抵抗、誘電体損失などの電
気的特性が劣化しないコンデンサが得られるのである。
しかも、この場合焼成された誘電体磁器の誘電損失は５
％以下で、かつ比抵抗も１０１°Ω・（２）以上である
。
％以下で、かつ比抵抗も１０１°Ω・（２）以上である
。
また、この発明になるＰｂ複合ペロブスカイト用還元防
止剤を加えることによって、誘電体材料の焼成温度を下
げることができるという種々の効果を奏するのである。
止剤を加えることによって、誘電体材料の焼成温度を下
げることができるという種々の効果を奏するのである。
図面は本発明において主成分として使用する円複合ベロ
アスカイト型Ｐｂ （Ｐｂ １／３隆２／３ ） Ｏｓ
十円（ＺＴ１１／３ ’２／３ ） Ｏｓ ＋ ＰｂＴ
ＬＯｓの３成分系の使用組成範囲を示づ説明図である。
アスカイト型Ｐｂ （Ｐｂ １／３隆２／３ ） Ｏｓ
十円（ＺＴ１１／３ ’２／３ ） Ｏｓ ＋ ＰｂＴ
ＬＯｓの３成分系の使用組成範囲を示づ説明図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿
３＋Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
＋ＰｂＴｉＯ＿３の３成分系において、該３成分を所定
の範囲内で含有する主成分と、一般式 ａＬｉ＿２Ｏ＋ｂＲＯ＋ｃＢ＿２Ｏ＿３＋（１−ａ−ｂ
−ｃ）ＳｉＯ＿２〔但し、０≦ａ＜０．２，０．１≦ｂ
＜０．５５，０≦ｃ＜０．４（モル比）、ＲはＭｇ、Ｃ
ａ、ＳｒまたはＢａのうち少なくとも１種〕 で表される成分を含有するＰｂ複合ペロブスカイト用還
元防止剤とで構成されることを特徴とする非還元性誘電
体磁器組成物。 （２）Ｐｂ（Ｍｇ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿
３，Ｐｂ（Ｚｎ＿１＿／＿３Ｎｂ＿２＿／＿３）Ｏ＿３
，ＰｂＴｉＯ＿３の３成分の配合比が３成分組成図で示
すＡ（８９．０，１．０，１０．０），Ｂ（８０．０，
１０．０，１０．０），Ｃ（５９．５，４０．０，０．
５），Ｄ（９８．５，１．０，０．５）の４点で囲まれ
る範囲内である請求項（１）記載の非還元性誘電体磁器
組成物。 （３）上記誘電体磁器組成物は ６０．００≦Ｐｂ複合ペロブスカイト≦９９．９５０．
０５≦Ｐｂ複合ペロブスカイト用還元防止剤≦４０（重
量％） の範囲内で構成される請求項（１）記載の非還元性誘電
体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188696A JPH0821257B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| DE3924563A DE3924563C2 (de) | 1988-07-28 | 1989-07-25 | Nicht-reduzierende dielektrische keramische Zusammensetzung |
| GB8916975A GB2221902B (en) | 1988-07-28 | 1989-07-25 | A non-reducing dielectric ceramic composition |
| US07/386,790 US4959333A (en) | 1988-07-28 | 1989-07-27 | Non-reducing dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63188696A JPH0821257B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02155115A true JPH02155115A (ja) | 1990-06-14 |
| JPH0821257B2 JPH0821257B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=16228220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63188696A Expired - Lifetime JPH0821257B2 (ja) | 1988-07-28 | 1988-07-28 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JPH0821257B2 (ja) |
| DE (1) | DE3924563C2 (ja) |
| GB (1) | GB2221902B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 1988-07-28 JP JP63188696A patent/JPH0821257B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
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- 1989-07-25 DE DE3924563A patent/DE3924563C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-07-27 US US07/386,790 patent/US4959333A/en not_active Expired - Lifetime
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