JPH0255256A - 誘電体セラミクス用還元防止剤 - Google Patents
誘電体セラミクス用還元防止剤Info
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- JPH0255256A JPH0255256A JP63207174A JP20717488A JPH0255256A JP H0255256 A JPH0255256 A JP H0255256A JP 63207174 A JP63207174 A JP 63207174A JP 20717488 A JP20717488 A JP 20717488A JP H0255256 A JPH0255256 A JP H0255256A
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 23
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000014380 magnesium carbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
- H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/472—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on lead titanates
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
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- C04B35/497—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates based on solid solutions with lead oxides
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
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- Ceramic Capacitors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は誘電体セラミクス用還元防止剤に関し、特に
酸化鉛を含む誘電体セラミクス用還元防止剤に関する。
酸化鉛を含む誘電体セラミクス用還元防止剤に関する。
（従来技術）
従来、積層コンデンサを製造するために、誘電体材料と
して酸化鉛を含む誘電体セラミクスが用いられている。
して酸化鉛を含む誘電体セラミクスが用いられている。
このような酸化鉛を含む誘電体セラミクスは、比較的高
い誘電率を得ることができ、かつ低温で焼成することが
できる。酸化鉛を含む誘電体セラミクスは、還元される
とその絶縁特性が悪化するため、酸化性雰囲気中で焼成
される。
い誘電率を得ることができ、かつ低温で焼成することが
できる。酸化鉛を含む誘電体セラミクスは、還元される
とその絶縁特性が悪化するため、酸化性雰囲気中で焼成
される。
そのため、積層コンデンサの内部電極用材料としては、
酸化性雰囲気中で焼成しても安定なＡｇ−Ｐｄ系の貴金
属が用いられる。
酸化性雰囲気中で焼成しても安定なＡｇ−Ｐｄ系の貴金
属が用いられる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、電極材料として用いられるＡｇＰｄ系の
貴金属は高価であるため、積層コンデンサのコストが高
くなってしまう。また、このような電極材料を用いると
、Ａｇのマイグレーションのため、絶縁特性が劣化した
りする。さらに、このような電極材料を用いると、導電
率が小さいため、等個直列抵抗が大きくなったりする。
貴金属は高価であるため、積層コンデンサのコストが高
くなってしまう。また、このような電極材料を用いると
、Ａｇのマイグレーションのため、絶縁特性が劣化した
りする。さらに、このような電極材料を用いると、導電
率が小さいため、等個直列抵抗が大きくなったりする。
そのため、内部電極用材料として、このような問題点の
少ないＣｕまたはＣｕ系合金を用いることが考えられる
。しかしながら、ＣｕやＣｕ系合金は酸化して電気的特
性が劣化しやすいため、酸化性雰囲気中で焼成すること
ができない。
少ないＣｕまたはＣｕ系合金を用いることが考えられる
。しかしながら、ＣｕやＣｕ系合金は酸化して電気的特
性が劣化しやすいため、酸化性雰囲気中で焼成すること
ができない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、還元性雰囲気中
で焼成しても酸化鉛を含む誘電体セラミクスの特性の劣
化を防ぐことができる、誘電体セラミクス用還元防止剤
を提供することである。
で焼成しても酸化鉛を含む誘電体セラミクスの特性の劣
化を防ぐことができる、誘電体セラミクス用還元防止剤
を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、ａ （ＭｎＯ＋ＲＯ）と（１−ａ）（Ｂ
Ｏｚｚｚ ＋Ｓ ｉ Ｃｈ ） （ただし、ＲはＭｇ
、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの中から選ばれる少なくとも１
種類）からなり、ａが、０．０１≦ａ≦０．９０ （モ
ル比）の範囲にある、誘電体セラミクス用還元防止剤で
ある。
Ｏｚｚｚ ＋Ｓ ｉ Ｃｈ ） （ただし、ＲはＭｇ
、Ｃａ、ＳｒおよびＢａの中から選ばれる少なくとも１
種類）からなり、ａが、０．０１≦ａ≦０．９０ （モ
ル比）の範囲にある、誘電体セラミクス用還元防止剤で
ある。
（発明の効果）
この発明によれば、酸化鉛を含む誘電体セラミクス材料
に誘電体セラミクス用還元防止剤を添加することによっ
て、還元性雰囲気中で焼成しても酸化鉛を含む誘電体セ
ラミクスが還元されにくい。
に誘電体セラミクス用還元防止剤を添加することによっ
て、還元性雰囲気中で焼成しても酸化鉛を含む誘電体セ
ラミクスが還元されにくい。
そのため、酸化鉛を含む誘電体セラミクスの特性が劣化
しにくい。したがって、内部電極用材料として、Ｃｕま
たはＣｕ系合金を使用することができ、積層コンデンサ
のコストを下げることができる。また、内部電極用材料
としてＣｕやＣｕ系合金を用いれば、Ａｇを用いた場合
のようなマイグレーションによる特性の劣化を防止でき
、さらには導電率が大きいため、等個直列抵抗の低下を
防ぐことができる。
しにくい。したがって、内部電極用材料として、Ｃｕま
たはＣｕ系合金を使用することができ、積層コンデンサ
のコストを下げることができる。また、内部電極用材料
としてＣｕやＣｕ系合金を用いれば、Ａｇを用いた場合
のようなマイグレーションによる特性の劣化を防止でき
、さらには導電率が大きいため、等個直列抵抗の低下を
防ぐことができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
は、以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう
。
（実施例）
この発明の誘電体セラミクス用還元防止剤は、主体とな
る誘電体セラミクス材料を焼結する際に、予め所定の割
合で誘電体セラミクス材料の主成分に添加混合された後
成形体とされ、その後焼成プロセスにもたらされる。こ
の場合、誘電体セラミクス用還元防止剤は誘電体セラミ
クス材料の主成分に対して、個々に添加してもよいが、
予め誘電体セラミクス用還元防止剤を配合しておき、こ
れを熱処理した粉末や、さらに高温に熱処理して溶融し
粉砕してガラス化したものを主成分に添加混合してもよ
い。
る誘電体セラミクス材料を焼結する際に、予め所定の割
合で誘電体セラミクス材料の主成分に添加混合された後
成形体とされ、その後焼成プロセスにもたらされる。こ
の場合、誘電体セラミクス用還元防止剤は誘電体セラミ
クス材料の主成分に対して、個々に添加してもよいが、
予め誘電体セラミクス用還元防止剤を配合しておき、こ
れを熱処理した粉末や、さらに高温に熱処理して溶融し
粉砕してガラス化したものを主成分に添加混合してもよ
い。
なお、この発明の誘電体セラミクス用還元防止剤の組成
範囲を限定したのは次のような理由による。
範囲を限定したのは次のような理由による。
つまり、ＭｎＯ＋ＲＯが０．０１（モル比）未満となる
か、またはＯ，’９０（モル比）を超えると、この誘電
体セラミクス用還元防止剤を添加したｐｂ系誘電体セラ
ミクスの絶縁抵抗が１０１０Ωｃｍ未満となって非還元
性が実現されないからである。
か、またはＯ，’９０（モル比）を超えると、この誘電
体セラミクス用還元防止剤を添加したｐｂ系誘電体セラ
ミクスの絶縁抵抗が１０１０Ωｃｍ未満となって非還元
性が実現されないからである。
また、この発明の誘電体セラミクス用還元防止剤を誘電
体セラミクス材料の主成分に添加する割合は、誘電体セ
ラミクス材料の主成分によって異なるが、全体の０．０
５〜２５．０重量％の範囲である。これは、誘電体セラ
ミクス用還元防止剤を添加する割合が０．０５重量％未
満では非還元化が実現されず、一方、２５．０重量％を
超えると誘電体特性が著しく損なわれるからである。
体セラミクス材料の主成分に添加する割合は、誘電体セ
ラミクス材料の主成分によって異なるが、全体の０．０
５〜２５．０重量％の範囲である。これは、誘電体セラ
ミクス用還元防止剤を添加する割合が０．０５重量％未
満では非還元化が実現されず、一方、２５．０重量％を
超えると誘電体特性が著しく損なわれるからである。
実験例
まず、セラミクス原料として、７２Ｐｂ（Ｍｇ／：ｌ
Ｎｂｚｙｚ ） （）＋ ２５ Ｐ ｂ 、（Ｚｎ
＋ｚ＋ Ｎｂｚ／：ｌ ）Ｏｔ ３ＰｂＴｉＯ：＋
（モル比）の組成となるように、Ｐｂ：＋ ０４．
ＭｇＣＯ３，Ｎｔ）ｚ ０ｓＴｉ０２およびＺｎＯを
秤量した。これらをボールミルで１２時時間式混合した
後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。得られた混合粉末を
８００℃で２時間焼成した後、２００メソシユの篩を通
過するように粗粉砕して酸化鉛を含む誘電体粉末を準備
した。
Ｎｂｚｙｚ ） （）＋ ２５ Ｐ ｂ 、（Ｚｎ
＋ｚ＋ Ｎｂｚ／：ｌ ）Ｏｔ ３ＰｂＴｉＯ：＋
（モル比）の組成となるように、Ｐｂ：＋ ０４．
ＭｇＣＯ３，Ｎｔ）ｚ ０ｓＴｉ０２およびＺｎＯを
秤量した。これらをボールミルで１２時時間式混合した
後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。得られた混合粉末を
８００℃で２時間焼成した後、２００メソシユの篩を通
過するように粗粉砕して酸化鉛を含む誘電体粉末を準備
した。
また、誘電体セラミクス用還元防止剤を得るために、表
１に示す組成となるように、ＭｎＯ，Ｍｇｃｏ３．Ｃａ
Ｃ０：＋ 、５ｒＣＯ＊ 、ＢａＣ０ｔＢ２０．および
５ｉＯｚを調合した。これらをアルミナ類のるつぼに入
れて１２００℃の温度で１時間放置し、急冷してガラス
化した。これを２００メツシユの篩を通過するように粉
砕して、誘電体セラミクス用還元防止剤を準備した。
１に示す組成となるように、ＭｎＯ，Ｍｇｃｏ３．Ｃａ
Ｃ０：＋ 、５ｒＣＯ＊ 、ＢａＣ０ｔＢ２０．および
５ｉＯｚを調合した。これらをアルミナ類のるつぼに入
れて１２００℃の温度で１時間放置し、急冷してガラス
化した。これを２００メツシユの篩を通過するように粉
砕して、誘電体セラミクス用還元防止剤を準備した。
次に、表１に示す割合となるように酸化鉛を含む誘電体
材料に誘電体セラミクス用還元防止剤を添加し、これに
ポリビニルブチラール系のバインダおよび有機溶媒を加
えてボールミルで２４時時間式混合し、スラリーを得た
。得られたスラリ−をドクターブレード法によって厚み
５０μｍのグリーンシートに成形した。得られたグリー
ンシート上にスクリーン印刷法によってＣｕ電極ペース
トを印刷し、乾燥後互いに対向電極となるように積み重
ね、熱圧着によって一体化した。この積層ブロックから
個々のコンデンサユニットをブレードで切り出した。こ
のコンデンサユニットの端面にＣｕ電極ペーストを塗布
し、外部取出し電極とした。このようにして得られた化
ユニットをＮ２、Ｉ］２およびＨ２Ｏの混合ガスを用い
て還元性雰囲気に調節した電気炉に入れ、１０００℃で
３時間焼成してチップ型積層コンデンサを得た。
材料に誘電体セラミクス用還元防止剤を添加し、これに
ポリビニルブチラール系のバインダおよび有機溶媒を加
えてボールミルで２４時時間式混合し、スラリーを得た
。得られたスラリ−をドクターブレード法によって厚み
５０μｍのグリーンシートに成形した。得られたグリー
ンシート上にスクリーン印刷法によってＣｕ電極ペース
トを印刷し、乾燥後互いに対向電極となるように積み重
ね、熱圧着によって一体化した。この積層ブロックから
個々のコンデンサユニットをブレードで切り出した。こ
のコンデンサユニットの端面にＣｕ電極ペーストを塗布
し、外部取出し電極とした。このようにして得られた化
ユニットをＮ２、Ｉ］２およびＨ２Ｏの混合ガスを用い
て還元性雰囲気に調節した電気炉に入れ、１０００℃で
３時間焼成してチップ型積層コンデンサを得た。
この実験例で作成したチップ型積層コンデンサの寸法は
、それぞれ次の通りである。
、それぞれ次の通りである。
外形寸法：幅４．８１麓、長さ５．６ｍ。
厚み１．２璽鳳
有効誘電体層厚み（ｔ）：３２μｍ
有効誘電体層数（Ｎ）：１７
１層当たりの対向電極面積（Ｓ） ： ２１． ５ｍ
ｍ２得られたチップ型積層コンデンサの静電容量（Ｃ）
を１ｋＨｚ、ＩＶの自動ブリッジで測定し、次式によっ
て誘電率（ε）を求めた。
ｍ２得られたチップ型積層コンデンサの静電容量（Ｃ）
を１ｋＨｚ、ＩＶの自動ブリッジで測定し、次式によっ
て誘電率（ε）を求めた。
ｔ ＝ （１１３ｘｃｘ ｔ）／ （ＳｘＮ）＝８．３
Ｘ１０−”ｘＣ さらに、高絶縁計によって、５０Ｖの電圧を２分間印加
した後、チップ型積層コンデンサの絶縁抵抗を測定した
。
Ｘ１０−”ｘＣ さらに、高絶縁計によって、５０Ｖの電圧を２分間印加
した後、チップ型積層コンデンサの絶縁抵抗を測定した
。
表１中、試料番号に＊印を付したものはこの発明の範囲
外のものであり、それ以外はこの発明の範囲内のもので
ある。
外のものであり、それ以外はこの発明の範囲内のもので
ある。
以上の結果を表１に示した。表１かられかるように、誘
電体セラミクス用還元防止剤の成分であるＭｎＯ＋ＲＯ
が０．０１（モル比）未満になるか、０．９０（モル比
）を超えると、絶縁抵抗がＩＱＩＱΩａｍ未満となり、
非還元性が実現されないことがわかる。
電体セラミクス用還元防止剤の成分であるＭｎＯ＋ＲＯ
が０．０１（モル比）未満になるか、０．９０（モル比
）を超えると、絶縁抵抗がＩＱＩＱΩａｍ未満となり、
非還元性が実現されないことがわかる。
また、この還元防止剤を酸化鉛を含む誘電体材料に添加
する割合が０．０５重量％未満になると、絶縁抵抗が１
０１０ΩｃＩ１１未満となって非還元性が実現されず、
２５．０重量％を超えると誘電率が４０００未満となっ
て、誘電特性が著しく損なわれることがわかる。
する割合が０．０５重量％未満になると、絶縁抵抗が１
０１０ΩｃＩ１１未満となって非還元性が実現されず、
２５．０重量％を超えると誘電率が４０００未満となっ
て、誘電特性が著しく損なわれることがわかる。
なお、上記した実施例では、Ｐｂ （Ｍｇ＋７ｚ Ｎｂ
ｇｚｔ ） ０３ Ｐ ｂ （Ｚ ｎ＋７＊ Ｎ ｂ
ｚ／：＋ ） ０３ＰｂＴｉＯｚからなる酸化鉛を含む
誘電体セラミクス材料にこの発明の誘電体セラミクス用
還元防止剤を添加した例について説明したが、この地表
２に示したような酸化鉛を含む誘電体セラミクス材料に
この発明の誘電体セラミクス用還元防止剤を添加するこ
とによって、還元雰囲気中で焼成しても絶縁抵抗の低下
が防止できる。一方、還元防止剤を添加していないもの
については、絶縁特性が損なわれたり、誘電体特性が著
しく損なわれた。
ｇｚｔ ） ０３ Ｐ ｂ （Ｚ ｎ＋７＊ Ｎ ｂ
ｚ／：＋ ） ０３ＰｂＴｉＯｚからなる酸化鉛を含む
誘電体セラミクス材料にこの発明の誘電体セラミクス用
還元防止剤を添加した例について説明したが、この地表
２に示したような酸化鉛を含む誘電体セラミクス材料に
この発明の誘電体セラミクス用還元防止剤を添加するこ
とによって、還元雰囲気中で焼成しても絶縁抵抗の低下
が防止できる。一方、還元防止剤を添加していないもの
については、絶縁特性が損なわれたり、誘電体特性が著
しく損なわれた。
勿論、この発明の誘電体セラミクス用還元防止剤は上記
に例示した酸化鉛を含む誘電体セラミクスに限られるも
のではなく、その他の酸化鉛を含む誘電体セラミクスに
も有用である。
に例示した酸化鉛を含む誘電体セラミクスに限られるも
のではなく、その他の酸化鉛を含む誘電体セラミクスに
も有用である。
特許出願人 株式会社 村田製作所
代理人 弁理士 岡 １） 全 啓
表
手続補正書（１釦
事件の表示
昭和６３年 特許側 第２０７１７４号発明の名称
誘電体セラミクス用還元防止剤
補正をする者
事件との関係 特許出願人
住 所 京都府長岡京市天神二丁目２６番ＩＯ号名 称
（６２３）株式会社 行田製作所代表者 村 １
） 昭 代 理 人 ８５４１：大阪（０６） ２５２−６８８
８ （代）住 所 大阪市東区南本町４丁目４１番地７
゜ 補正の内容 明細書の発明の詳細な説明の横巾の表２を別紙のとおり
訂正する。
（６２３）株式会社 行田製作所代表者 村 １
） 昭 代 理 人 ８５４１：大阪（０６） ２５２−６８８
８ （代）住 所 大阪市東区南本町４丁目４１番地７
゜ 補正の内容 明細書の発明の詳細な説明の横巾の表２を別紙のとおり
訂正する。
以
上
表
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ａ（ＭｎＯ＋ＲＯ）と（１−ａ）（ＢＯ＿３＿／＿２＋
ＳｉＯ＿２）（ただし、ＲはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢ
ａの中から選ばれる少なくとも１種類）からなり、ａが ０．０１≦ａ≦０．９０（モル比） の範囲にある、誘電体セラミクス用還元防止剤。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207174A JPH0255256A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 誘電体セラミクス用還元防止剤 |
| GB8917644A GB2222585B (en) | 1988-08-19 | 1989-08-02 | Non-reduction agent for dielectric ceramics |
| DE3926505A DE3926505C2 (de) | 1988-08-19 | 1989-08-10 | Nichtreduktives Mittel für dielektrisches Keramikmaterial |
| US07/395,603 US5082593A (en) | 1988-08-19 | 1989-08-18 | Non-reduction agent for dielectric ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63207174A JPH0255256A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 誘電体セラミクス用還元防止剤 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255256A true JPH0255256A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16535460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63207174A Pending JPH0255256A (ja) | 1988-08-19 | 1988-08-19 | 誘電体セラミクス用還元防止剤 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5082593A (ja) |
| JP (1) | JPH0255256A (ja) |
| DE (1) | DE3926505C2 (ja) |
| GB (1) | GB2222585B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7172985B2 (en) * | 2005-06-07 | 2007-02-06 | Kemet Electronics Corporation | Dielectric ceramic capacitor comprising non-reducible dielectric |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3035928A (en) * | 1960-10-14 | 1962-05-22 | Cataphote Corp | Glass composition |
| US3193401A (en) * | 1962-01-24 | 1965-07-06 | Cataphote Corp | High index glass composition |
| US3600652A (en) * | 1969-01-24 | 1971-08-17 | Allen Bradley Co | Electrical capacitor |
| EP0155365B1 (en) * | 1983-11-30 | 1989-02-08 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Low temperature sintered ceramic materials for use in solid dielectric capacitors or the like, and method of manufacture |
| JPS62131413A (ja) * | 1985-11-30 | 1987-06-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS62157607A (ja) * | 1985-12-30 | 1987-07-13 | 太陽誘電株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
| JPS63281309A (ja) * | 1987-05-12 | 1988-11-17 | Taiyo Yuden Co Ltd | 磁器コンデンサ |
| JPH0821257B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1996-03-04 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JPH0817136B2 (ja) * | 1988-07-28 | 1996-02-21 | 昭栄化学工業株式会社 | セラミックコンデンサ端子電極用導電性組成物 |
| US4927711A (en) * | 1988-12-23 | 1990-05-22 | Corning Incorporated | Hybrid circuits and thick film dielectrics used therein |
-
1988
- 1988-08-19 JP JP63207174A patent/JPH0255256A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-02 GB GB8917644A patent/GB2222585B/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-10 DE DE3926505A patent/DE3926505C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-08-18 US US07/395,603 patent/US5082593A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2222585A (en) | 1990-03-14 |
| US5082593A (en) | 1992-01-21 |
| DE3926505C2 (de) | 1996-07-11 |
| DE3926505A1 (de) | 1990-02-22 |
| GB2222585B (en) | 1992-04-15 |
| GB8917644D0 (en) | 1989-09-20 |
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