JP3319471B2 - 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器及びその製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタ用積層型半導体磁器及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、正特性サーミスタ用
積層型半導体磁器に関し、詳しくは、正の抵抗温度特性
を示す温度範囲より低温側の広い温度範囲において、実
質的にフラットな抵抗温度特性を有する正特性サーミス
タ用積層型半導体磁器に関する。
積層型半導体磁器に関し、詳しくは、正の抵抗温度特性
を示す温度範囲より低温側の広い温度範囲において、実
質的にフラットな抵抗温度特性を有する正特性サーミス
タ用積層型半導体磁器に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、正の抵抗温度特性を有する半導体
磁器（組成物）として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
3）系半導体磁器に代表される半導体磁器が開発されて
いる。このチタン酸バリウム系半導体磁器は、キュリー
温度を越えると抵抗値が急激に増大して、通過する電流
量を減少させることから、ＬＳＩなどの回路の過電流保
護用や、テレビ受像機のブラウン管枠の消磁用など種々
の用途に広く用いられている。
磁器（組成物）として、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
3）系半導体磁器に代表される半導体磁器が開発されて
いる。このチタン酸バリウム系半導体磁器は、キュリー
温度を越えると抵抗値が急激に増大して、通過する電流
量を減少させることから、ＬＳＩなどの回路の過電流保
護用や、テレビ受像機のブラウン管枠の消磁用など種々
の用途に広く用いられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のチタン
酸バリウム系半導体磁器は、結晶構造が立方晶系である
温度範囲（立方晶系範囲）においては正の抵抗温度特性
を有しているが、それより低温側の、結晶構造が正方晶
系である温度範囲（正方晶系範囲）においては負の抵抗
温度特性を有している。したがって、正方晶系温度範囲
から立方晶系温度範囲にかけての全温度範囲にわたって
抵抗温度特性を数式化することが極めて困難であり、チ
タン酸バリウム系半導体磁器からなる正特性サーミスタ
を用いた回路の設計を理論的に正確にかつ効率よく行う
ことができず、回路の過電流保護用やその他の用途に応
用する際の妨げになるという問題点がある。
酸バリウム系半導体磁器は、結晶構造が立方晶系である
温度範囲（立方晶系範囲）においては正の抵抗温度特性
を有しているが、それより低温側の、結晶構造が正方晶
系である温度範囲（正方晶系範囲）においては負の抵抗
温度特性を有している。したがって、正方晶系温度範囲
から立方晶系温度範囲にかけての全温度範囲にわたって
抵抗温度特性を数式化することが極めて困難であり、チ
タン酸バリウム系半導体磁器からなる正特性サーミスタ
を用いた回路の設計を理論的に正確にかつ効率よく行う
ことができず、回路の過電流保護用やその他の用途に応
用する際の妨げになるという問題点がある。
【０００４】本願発明は、上記問題点を解決するもので
あり、正の抵抗温度特性を示す温度範囲より低温側の広
い温度範囲における抵抗温度特性が実質的にフラットな
正特性サーミスタ用積層型半導体磁器を提供することを
目的とする。
あり、正の抵抗温度特性を示す温度範囲より低温側の広
い温度範囲における抵抗温度特性が実質的にフラットな
正特性サーミスタ用積層型半導体磁器を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本願発明の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器
は、立方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性を有し、正
方晶系の温度範囲で負の抵抗温度特性を有する第１の半
導体磁器層と、前記第１の半導体磁器層と異なり、前記
第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す正方晶系
の温度範囲で、正および負の抵抗温度特性を示す他の半
導体磁器層と略フラットおよび正の抵抗温度特性を有す
る他の半導体磁器層と、を組み合わせてなる焼成積層体
からなり、前記焼成積層体全体としての抵抗温度特性
が、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す
温度領域において実質的にフラットであることを特徴と
する。
に、本願発明の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器
は、立方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性を有し、正
方晶系の温度範囲で負の抵抗温度特性を有する第１の半
導体磁器層と、前記第１の半導体磁器層と異なり、前記
第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す正方晶系
の温度範囲で、正および負の抵抗温度特性を示す他の半
導体磁器層と略フラットおよび正の抵抗温度特性を有す
る他の半導体磁器層と、を組み合わせてなる焼成積層体
からなり、前記焼成積層体全体としての抵抗温度特性
が、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す
温度領域において実質的にフラットであることを特徴と
する。
【０００６】また、請求項２の正特性サーミスタ用積層
型半導体磁器は、前記第１の半導体磁器層および前記他
の半導体磁器層が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）
系半導体磁器層であることを特徴とする。
型半導体磁器は、前記第１の半導体磁器層および前記他
の半導体磁器層が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）
系半導体磁器層であることを特徴とする。
【０００７】また、本願発明（請求項３）の正特性サー
ミスタ用積層型半導体磁器の製造方法は、焼成後に半導
体磁器となる半導体磁器原料を用いて、立方晶系の温度
範囲で正の抵抗温度特性を有し、正方晶系の温度範囲で
負の抵抗温度特性を有する第１の半導体磁器層となる第
１のシート材を形成するシート形成工程と、同じく焼成
後に半導体磁器となる半導体磁器原料を用いて、前記第
１の半導体磁器層と異なり、前記第１の半導体磁器層が
負の抵抗温度特性を示す正方晶系の温度範囲で、正およ
び負の抵抗温度特性を示す他の半導体磁器層となる第１
の他のシート材と略フラットおよび正の抵抗温度特性を
有する他の半導体磁器層となる第２の他のシート材と、
を形成するシート形成工程と、前記第１のシート材と、
第１および第２の他のシート材とを積層して積層体を形
成する積層工程と、前記積層体を所定の条件で焼成し
て、焼成積層体全体としての抵抗温度特性が、前記第１
の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す温度領域にお
いて、実質的にフラットな正特性サーミスタ用積層型半
導体磁器として焼結させる焼成工程と、を具備すること
を特徴とする。
ミスタ用積層型半導体磁器の製造方法は、焼成後に半導
体磁器となる半導体磁器原料を用いて、立方晶系の温度
範囲で正の抵抗温度特性を有し、正方晶系の温度範囲で
負の抵抗温度特性を有する第１の半導体磁器層となる第
１のシート材を形成するシート形成工程と、同じく焼成
後に半導体磁器となる半導体磁器原料を用いて、前記第
１の半導体磁器層と異なり、前記第１の半導体磁器層が
負の抵抗温度特性を示す正方晶系の温度範囲で、正およ
び負の抵抗温度特性を示す他の半導体磁器層となる第１
の他のシート材と略フラットおよび正の抵抗温度特性を
有する他の半導体磁器層となる第２の他のシート材と、
を形成するシート形成工程と、前記第１のシート材と、
第１および第２の他のシート材とを積層して積層体を形
成する積層工程と、前記積層体を所定の条件で焼成し
て、焼成積層体全体としての抵抗温度特性が、前記第１
の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す温度領域にお
いて、実質的にフラットな正特性サーミスタ用積層型半
導体磁器として焼結させる焼成工程と、を具備すること
を特徴とする。
【０００８】また、請求項４の正特性サーミスタ用積層
型半導体磁器の製造方法は、前記半導体磁器原料がチタ
ン酸バリウム系半導体磁器原料であることを特徴とす
る。
型半導体磁器の製造方法は、前記半導体磁器原料がチタ
ン酸バリウム系半導体磁器原料であることを特徴とす
る。
【０００９】
【作用】立方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性を有
し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温度特性を有する第
１の半導体磁器層と、前記第１の半導体磁器層と異な
り、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す
正方晶系の温度範囲で、正および負の抵抗温度特性を示
す他の半導体磁器層と略フラットおよび正の抵抗温度特
性を有する他の半導体磁器層と、を任意に組み合わせて
積層することにより、積層体全体としての抵抗温度特性
を制御することが可能になり、焼成積層体全体として、
前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す温度
領域において、抵抗温度特性を実質的にフラットにする
ことが可能になる。
し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温度特性を有する第
１の半導体磁器層と、前記第１の半導体磁器層と異な
り、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す
正方晶系の温度範囲で、正および負の抵抗温度特性を示
す他の半導体磁器層と略フラットおよび正の抵抗温度特
性を有する他の半導体磁器層と、を任意に組み合わせて
積層することにより、積層体全体としての抵抗温度特性
を制御することが可能になり、焼成積層体全体として、
前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す温度
領域において、抵抗温度特性を実質的にフラットにする
ことが可能になる。
【００１０】
【実施例】以下に、本願発明の実施例を示して発明の特
徴とするところをさらに詳細に説明する。図１は、本願
発明の一実施例にかかる正特性サーミスタ用積層型半導
体磁器の構造を示す断面図である。この実施例の正特性
サーミスタ用積層型半導体磁器Ａは、図１に示すよう
に、最上層のシート材１ａ及び最下層のシート材１ｂを
含めて合計６層の第１のシート材１を、第２のシート材
２，第３のシート材３，第４のシート材４，第５のシー
ト材５及び第６のシート材６を介して積層することによ
り形成されている。
徴とするところをさらに詳細に説明する。図１は、本願
発明の一実施例にかかる正特性サーミスタ用積層型半導
体磁器の構造を示す断面図である。この実施例の正特性
サーミスタ用積層型半導体磁器Ａは、図１に示すよう
に、最上層のシート材１ａ及び最下層のシート材１ｂを
含めて合計６層の第１のシート材１を、第２のシート材
２，第３のシート材３，第４のシート材４，第５のシー
ト材５及び第６のシート材６を介して積層することによ
り形成されている。
【００１１】次に、上記の正特性サーミスタ用積層型半
導体磁器Ａの製造方法について説明する。
導体磁器Ａの製造方法について説明する。
【００１２】まず、原料であるＢａＣＯ3，ＴｉＯ2，Ｓ
ｒＣＯ3，Ｐｂ3Ｏ4，ＣａＣＯ3，Ｙ2Ｏ3，ＭｎＣＯ3，
ＳｉＯ2を、所定の割合になるように配合する。そし
て、この配合原料を、例えば、ボールミルなどを用いて
所定時間湿式混合し、脱水、乾燥した後１１５０℃で２
時間仮焼する。次に、得られた仮焼原料を粉砕してバイ
ンダー（例えば、酢酸ビニル）と混合し、スラリー状の
セラミック材料を調製する。それから、このスラリー状
のセラミック材料を所定の均一厚さのグリーンシートに
成形して、これを第１のシート材１とする。
ｒＣＯ3，Ｐｂ3Ｏ4，ＣａＣＯ3，Ｙ2Ｏ3，ＭｎＣＯ3，
ＳｉＯ2を、所定の割合になるように配合する。そし
て、この配合原料を、例えば、ボールミルなどを用いて
所定時間湿式混合し、脱水、乾燥した後１１５０℃で２
時間仮焼する。次に、得られた仮焼原料を粉砕してバイ
ンダー（例えば、酢酸ビニル）と混合し、スラリー状の
セラミック材料を調製する。それから、このスラリー状
のセラミック材料を所定の均一厚さのグリーンシートに
成形して、これを第１のシート材１とする。
【００１３】次に、ＭｎＣＯ3を配合しないことを除い
ては、上記第１のシート材１の原料と同じ原料を用い、
ＳｒＣＯ3，Ｐｂ3Ｏ4，ＣａＣＯ3，Ｙ2Ｏ3の配合量を調
整することにより、上記第１のシート材１の配合原料と
は異なる組成とした５種類の配合原料を調製する。そし
て、これらの配合原料を用いて、上記第１のシート材１
を成形した条件と同一の手順及び条件により、キュリー
点及び抵抗温度特性（抵抗温度係数）が第１のシート材
１とは異なる５種類のシート材、すなわち第２〜第６の
シート材２〜６を成形する。
ては、上記第１のシート材１の原料と同じ原料を用い、
ＳｒＣＯ3，Ｐｂ3Ｏ4，ＣａＣＯ3，Ｙ2Ｏ3の配合量を調
整することにより、上記第１のシート材１の配合原料と
は異なる組成とした５種類の配合原料を調製する。そし
て、これらの配合原料を用いて、上記第１のシート材１
を成形した条件と同一の手順及び条件により、キュリー
点及び抵抗温度特性（抵抗温度係数）が第１のシート材
１とは異なる５種類のシート材、すなわち第２〜第６の
シート材２〜６を成形する。
【００１４】次に、第１〜第６の各シート材１〜６を所
定のサイズ（この実施例では１５ｍｍ×１５ｍｍ□）に
打ち抜いた後、図１に示すように、第１のシート材１
（１ａ，１ｂを含めて全部で６層）を第２〜第６のシー
ト材２〜６を介して順次積層し、これを圧着することに
より未焼成の積層体Ａ0を形成する。
定のサイズ（この実施例では１５ｍｍ×１５ｍｍ□）に
打ち抜いた後、図１に示すように、第１のシート材１
（１ａ，１ｂを含めて全部で６層）を第２〜第６のシー
ト材２〜６を介して順次積層し、これを圧着することに
より未焼成の積層体Ａ0を形成する。
【００１５】なお、このようにして形成した積層体Ａ0
の第１のシート材１の厚みはそれぞれ０．６０mmであ
り、また、最上層の第１のシート材１（１ａ）の厚みは
０．４８mm、最下層の第１のシート材１（１ｂ）の厚み
は１．３２mmである。したがって、第１のシート材１全
体の厚みは、表１に示すように、４．２０ｍｍ（すなわ
ち、０．６０×４＋０．４８＋１．３２＝４．２０ｍ
ｍ）となる。また、第２〜第６の各シート材２〜６の厚
みは、表１に示すように、いずれも０．１２ｍｍであ
る。したがって、積層体Ａ0全体の厚みは４．８０mmと
なる。なお、積層体Ａ0においては、第１〜第６の各シ
ート材１〜６は、それらを構成する厚みの小さいシート
材を上記の所定の厚みになるように複数枚積層すること
により形成されているが、一層で上記の所定の厚みを有
するシートから第１〜第６の各シート材１〜６を形成す
ることも可能である。
の第１のシート材１の厚みはそれぞれ０．６０mmであ
り、また、最上層の第１のシート材１（１ａ）の厚みは
０．４８mm、最下層の第１のシート材１（１ｂ）の厚み
は１．３２mmである。したがって、第１のシート材１全
体の厚みは、表１に示すように、４．２０ｍｍ（すなわ
ち、０．６０×４＋０．４８＋１．３２＝４．２０ｍ
ｍ）となる。また、第２〜第６の各シート材２〜６の厚
みは、表１に示すように、いずれも０．１２ｍｍであ
る。したがって、積層体Ａ0全体の厚みは４．８０mmと
なる。なお、積層体Ａ0においては、第１〜第６の各シ
ート材１〜６は、それらを構成する厚みの小さいシート
材を上記の所定の厚みになるように複数枚積層すること
により形成されているが、一層で上記の所定の厚みを有
するシートから第１〜第６の各シート材１〜６を形成す
ることも可能である。
【００１６】次いで、上記のようにして形成した積層体
Ａ0を、焼成温度１２００〜１４００℃で２時間焼成し
て正特性サーミスタ用積層型半導体磁器Ａ（すなわち、
焼成された積層体Ａ0）を得る。
Ａ0を、焼成温度１２００〜１４００℃で２時間焼成し
て正特性サーミスタ用積層型半導体磁器Ａ（すなわち、
焼成された積層体Ａ0）を得る。
【００１７】それから、この正特性サーミスタ用積層型
半導体磁器Ａの両主面（１５ｍｍ×１５mm□の面）にＩ
ｎ−Ｇａ合金を塗布して電極（図示せず）を形成して、
その電気特性を測定した。
半導体磁器Ａの両主面（１５ｍｍ×１５mm□の面）にＩ
ｎ−Ｇａ合金を塗布して電極（図示せず）を形成して、
その電気特性を測定した。
【００１８】表１に、上記実施例の積層体Ａ0を構成す
る第１〜第６の各シート材１〜６の厚みと、それらを単
独で１３５０℃の温度条件で焼成した場合の２５℃にお
ける比抵抗の値を示す。なお、表１において、第１のシ
ート材１の厚みは、複数の第１のシート材１（１ａ，１
ｂを含む）の合計の厚みである。
る第１〜第６の各シート材１〜６の厚みと、それらを単
独で１３５０℃の温度条件で焼成した場合の２５℃にお
ける比抵抗の値を示す。なお、表１において、第１のシ
ート材１の厚みは、複数の第１のシート材１（１ａ，１
ｂを含む）の合計の厚みである。
【００１９】
【表１】 また、図２に、第１〜第６の各シート材１〜６を単独で
焼成した場合の各シート材１〜６の抵抗温度特性を示す
とともに、図３に、上記実施例の正特性サーミスタ用積
層型半導体磁器Ａの抵抗温度特性を示す。なお、この正
特性サーミスタ用積層型半導体磁器Ａは１３５０℃で焼
成したものである。
焼成した場合の各シート材１〜６の抵抗温度特性を示す
とともに、図３に、上記実施例の正特性サーミスタ用積
層型半導体磁器Ａの抵抗温度特性を示す。なお、この正
特性サーミスタ用積層型半導体磁器Ａは１３５０℃で焼
成したものである。
【００２０】図２からわかるように、第１のシート材１
は約１５０℃以下の温度範囲で負の抵抗温度特性を有し
ている。
は約１５０℃以下の温度範囲で負の抵抗温度特性を有し
ている。
【００２１】しかし、上記実施例のように、第１のシー
ト材１を、約−５０℃〜１５０℃の温度範囲において、
正および負の抵抗温度特性を示す第５，６のシート材
５，６と略フラットおよび正の抵抗温度特性を有する第
２〜第４のシート材２〜４（但し、第５のシート材５に
ついては、約−１０℃以下の温度範囲では抵抗温度特性
が負になっている）と積層することにより、図３に示す
ように、約−５０℃〜１７０℃の広い温度範囲にわたっ
て、全体としての抵抗温度特性がフラットな正特性サー
ミスタ用積層型半導体磁器Ａを得ることができた。
ト材１を、約−５０℃〜１５０℃の温度範囲において、
正および負の抵抗温度特性を示す第５，６のシート材
５，６と略フラットおよび正の抵抗温度特性を有する第
２〜第４のシート材２〜４（但し、第５のシート材５に
ついては、約−１０℃以下の温度範囲では抵抗温度特性
が負になっている）と積層することにより、図３に示す
ように、約−５０℃〜１７０℃の広い温度範囲にわたっ
て、全体としての抵抗温度特性がフラットな正特性サー
ミスタ用積層型半導体磁器Ａを得ることができた。
【００２２】なお、上記実施例では、半導体磁器層がＢ
ａＴｉＯ3系半導体磁器層である場合について説明した
が、本願発明の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器
は、異なる抵抗温度特性を有する半導体磁器層を組み合
わせる（積層する）ことにより、積層体（正特性サーミ
スタ用積層型半導体磁器）全体としての抵抗温度特性を
制御することを要旨とするものであり、半導体磁器層の
構成材料としては、ＢａＴｉＯ3系半導体磁器組成物に
限らず、他の半導体磁器組成物を用いることも可能であ
る。
ａＴｉＯ3系半導体磁器層である場合について説明した
が、本願発明の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器
は、異なる抵抗温度特性を有する半導体磁器層を組み合
わせる（積層する）ことにより、積層体（正特性サーミ
スタ用積層型半導体磁器）全体としての抵抗温度特性を
制御することを要旨とするものであり、半導体磁器層の
構成材料としては、ＢａＴｉＯ3系半導体磁器組成物に
限らず、他の半導体磁器組成物を用いることも可能であ
る。
【００２３】また、その他の点に関しても、本願発明の
正特性サーミスタ用積層型半導体磁器は、上記実施例に
限定されるものではなく、組み合わせる（積層する）複
数のシート材の厚みや組成、あるいは、積層するシート
材の種類の数や積層順その他についても、本願発明の要
旨の範囲で、種々の変形や応用を加えることが可能であ
る。
正特性サーミスタ用積層型半導体磁器は、上記実施例に
限定されるものではなく、組み合わせる（積層する）複
数のシート材の厚みや組成、あるいは、積層するシート
材の種類の数や積層順その他についても、本願発明の要
旨の範囲で、種々の変形や応用を加えることが可能であ
る。
【００２４】
【発明の効果】上述のように、本願発明の正特性サーミ
スタ用積層型半導体磁器は、立方晶系の温度範囲で正の
抵抗温度特性を有し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温
度特性を有する第１の半導体磁器層と、前記第１の半導
体磁器層と異なり、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗
温度特性を示す正方晶系の温度範囲で、正および負の抵
抗温度特性を示す他の半導体磁器層と略フラットおよび
正の抵抗温度特性を有する他の半導体磁器層と、が積層
された構造を有しており、特性が異なる複数の半導体磁
器層が組み合わされることにより、積層体全体として、
所望の抵抗温度特性を持たせることが可能になり、広い
温度範囲にわたって、抵抗温度特性が実質的にフラット
な正特性サーミスタ用積層型半導体磁器を得ることが可
能になる。
スタ用積層型半導体磁器は、立方晶系の温度範囲で正の
抵抗温度特性を有し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温
度特性を有する第１の半導体磁器層と、前記第１の半導
体磁器層と異なり、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗
温度特性を示す正方晶系の温度範囲で、正および負の抵
抗温度特性を示す他の半導体磁器層と略フラットおよび
正の抵抗温度特性を有する他の半導体磁器層と、が積層
された構造を有しており、特性が異なる複数の半導体磁
器層が組み合わされることにより、積層体全体として、
所望の抵抗温度特性を持たせることが可能になり、広い
温度範囲にわたって、抵抗温度特性が実質的にフラット
な正特性サーミスタ用積層型半導体磁器を得ることが可
能になる。
【００２５】したがって、広い温度範囲にわたって、抵
抗温度特性を容易かつ正確に数式化することが可能にな
り、本願発明の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器か
らなる正特性サーミスタを用いた回路などの設計を理論
的に正確にかつ効率よく行うことができるようになる。
抗温度特性を容易かつ正確に数式化することが可能にな
り、本願発明の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器か
らなる正特性サーミスタを用いた回路などの設計を理論
的に正確にかつ効率よく行うことができるようになる。
【００２６】また、本願発明の正特性サーミスタ用積層
型半導体磁器の製造方法は、焼成後に半導体磁器となる
半導体磁器原料を用いて、立方晶系の温度範囲で正の抵
抗温度特性を有し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温度
特性を有する第１の半導体磁器層となる第１のシート材
と、前記第１の半導体磁器層と異なり、前記第１の半導
体磁器層が負の抵抗温度特性を示す正方晶系の温度範囲
で、正および負の抵抗温度特性を示す他の半導体磁器層
となる第１の他のシート材と略フラットおよび正の抵抗
温度特性を有する他の半導体磁器層となる第２の他のシ
ート材と、を形成し、前記第１のシート材と、第１およ
び第２の他のシート材とを積層して積層体を形成した
後、前記積層体を所定の条件で焼成して、焼成積層体全
体としての抵抗温度特性が、前記第１の半導体磁器層が
負の抵抗温度特性を示す温度領域においてフラットな正
特性サーミスタ用積層型半導体磁器として焼結させるよ
うにしているので、本願発明（請求項１及び２）の正特
性サーミスタ用積層型半導体磁器を確実に製造すること
が可能となり、本願発明を実効あらしめることができ
る。
型半導体磁器の製造方法は、焼成後に半導体磁器となる
半導体磁器原料を用いて、立方晶系の温度範囲で正の抵
抗温度特性を有し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温度
特性を有する第１の半導体磁器層となる第１のシート材
と、前記第１の半導体磁器層と異なり、前記第１の半導
体磁器層が負の抵抗温度特性を示す正方晶系の温度範囲
で、正および負の抵抗温度特性を示す他の半導体磁器層
となる第１の他のシート材と略フラットおよび正の抵抗
温度特性を有する他の半導体磁器層となる第２の他のシ
ート材と、を形成し、前記第１のシート材と、第１およ
び第２の他のシート材とを積層して積層体を形成した
後、前記積層体を所定の条件で焼成して、焼成積層体全
体としての抵抗温度特性が、前記第１の半導体磁器層が
負の抵抗温度特性を示す温度領域においてフラットな正
特性サーミスタ用積層型半導体磁器として焼結させるよ
うにしているので、本願発明（請求項１及び２）の正特
性サーミスタ用積層型半導体磁器を確実に製造すること
が可能となり、本願発明を実効あらしめることができ
る。
【図１】 本願発明の一実施例にかかる正特性サーミス
タ用積層型半導体磁器の構造を示す断面図である。
タ用積層型半導体磁器の構造を示す断面図である。
【図２】 本願発明の一実施例にかかる正特性サーミス
タ用積層型半導体磁器を構成する各シート材を単独で焼
成した場合の抵抗温度特性を示す線図である。
タ用積層型半導体磁器を構成する各シート材を単独で焼
成した場合の抵抗温度特性を示す線図である。
【図３】 本願発明の一実施例にかかる正特性サーミス
タ用積層型半導体磁器全体の抵抗温度特性を示す線図で
ある。
タ用積層型半導体磁器全体の抵抗温度特性を示す線図で
ある。
Ａ 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器 Ａ0 積層体 １〜６ 第１〜第６のシート材
Claims (4)
- 【請求項１】 立方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性
を有し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温度特性を有す
る第１の半導体磁器層と、前記第１の半導体磁器層と異
なり、前記第１の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示
す正方晶系の温度範囲で、正および負の抵抗温度特性を
示す他の半導体磁器層と略フラットおよび正の抵抗温度
特性を有する他の半導体磁器層と、を組み合わせてなる
焼成積層体からなり、 前記焼成積層体全体としての抵抗温度特性が、前記第１
の半導体磁器層が負の抵抗温度特性を示す温度領域にお
いて実質的にフラットであることを特徴とする正特性サ
ーミスタ用積層型半導体磁器。 - 【請求項２】 前記第１の半導体磁器層および前記他の
半導体磁器層が、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系
半導体磁器層であることを特徴とする請求項１記載の正
特性サーミスタ用積層型半導体磁器。 - 【請求項３】 焼成後に半導体磁器となる半導体磁器原
料を用いて、立方晶系の温度範囲で正の抵抗温度特性を
有し、正方晶系の温度範囲で負の抵抗温度特性を有する
第１の半導体磁器層となる第１のシート材を形成するシ
ート形成工程と、 同じく焼成後に半導体磁器となる半導体磁器原料を用い
て、前記第１の半導体磁器層と異なり、前記第１の半導
体磁器層が負の抵抗温度特性を示す正方晶系の温度範囲
で、正および負の抵抗温度特性を示す他の半導体磁器層
となる第１の他のシート材と略フラットおよび正の抵抗
温度特性を有する他の半導体磁器層となる第２の他のシ
ート材と、を形成するシート形成工程と、 前記第１のシート材と、第１および第２の他のシート材
とを積層して積層体を形成する積層工程と、 前記積層体を所定の条件で焼成して、焼成積層体全体と
しての抵抗温度特性が、前記第１の半導体磁器層が負の
抵抗温度特性を示す温度領域において、実質的にフラッ
トな正特性サーミスタ用積層型半導体磁器として焼結さ
せる焼成工程と、 を具備することを特徴とする正特性サーミスタ用積層型
半導体磁器の製造方法。 - 【請求項４】 前記半導体磁器原料がチタン酸バリウム
系半導体磁器原料であることを特徴とする請求項３記載
の正特性サーミスタ用積層型半導体磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17168292A JP3319471B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17168292A JP3319471B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343202A JPH05343202A (ja) | 1993-12-24 |
| JP3319471B2 true JP3319471B2 (ja) | 2002-09-03 |
Family
ID=15927747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17168292A Expired - Fee Related JP3319471B2 (ja) | 1992-06-05 | 1992-06-05 | 正特性サーミスタ用積層型半導体磁器及びその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3319471B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP2002299103A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Murata Mfg Co Ltd | 積層電子部品及びその製造方法 |
| DE10159451A1 (de) * | 2001-12-04 | 2003-06-26 | Epcos Ag | Elektrisches Bauelement mit einem negativen Temperaturkoeffizienten |
| JP2020087948A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
| JP2020087947A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ薄膜、サーミスタ薄膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
| JP2020087949A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-06-04 | 株式会社Flosfia | サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法 |
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-
1992
- 1992-06-05 JP JP17168292A patent/JP3319471B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05343202A (ja) | 1993-12-24 |
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