JP3158552B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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- JP3158552B2 JP3158552B2 JP27015791A JP27015791A JP3158552B2 JP 3158552 B2 JP3158552 B2 JP 3158552B2 JP 27015791 A JP27015791 A JP 27015791A JP 27015791 A JP27015791 A JP 27015791A JP 3158552 B2 JP3158552 B2 JP 3158552B2
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- Japan
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- porcelain
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- internal electrode
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特に、たとえば、卑金属からなる内部電極
材料と同時に焼成することによって作製する磁器積層コ
ンデンサに利用される、非還元性誘電体磁器組成物に関
する。
成物に関し、特に、たとえば、卑金属からなる内部電極
材料と同時に焼成することによって作製する磁器積層コ
ンデンサに利用される、非還元性誘電体磁器組成物に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸カルシウム，チタン酸ス
トロンチウムあるいはチタン酸鉛を主成分とした磁器材
料を誘電体とし、Ａｇ−Ｐｄ系，Ｐｔ系の合金を内部電
極とした磁器積層コンデンサが、高信頼性を要求する各
種民生用，産業用の電子回路に多用されてきた。磁器積
層コンデンサを製造するためには、たとえば厚み３０〜
５０μｍの磁器グリーンシートをドクターブレード法な
どにより作製し、この磁器グリーンシートの上に内部電
極となる金属導体層を形成し、これらを複数枚積層して
熱圧着し一体化し、その一体化したものを自然雰囲気中
でたとえば１２００℃以上の高温で焼成して焼結体を作
り、その焼結体の端面に内部電極と導通する外部引き出
し用電極を焼き付けていた。
トロンチウムあるいはチタン酸鉛を主成分とした磁器材
料を誘電体とし、Ａｇ−Ｐｄ系，Ｐｔ系の合金を内部電
極とした磁器積層コンデンサが、高信頼性を要求する各
種民生用，産業用の電子回路に多用されてきた。磁器積
層コンデンサを製造するためには、たとえば厚み３０〜
５０μｍの磁器グリーンシートをドクターブレード法な
どにより作製し、この磁器グリーンシートの上に内部電
極となる金属導体層を形成し、これらを複数枚積層して
熱圧着し一体化し、その一体化したものを自然雰囲気中
でたとえば１２００℃以上の高温で焼成して焼結体を作
り、その焼結体の端面に内部電極と導通する外部引き出
し用電極を焼き付けていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁器積層コンデ
ンサにおいては、内部電極の材料として次の２つの条件
を満足する必要があった。第１に、誘電体磁器材料と内
部電極材料とが同時に焼成されるので、誘電体磁器材料
の焼結温度以上の融点を有することであり、第２に、酸
化性の高温雰囲気においても酸化されず、しかも誘電体
と反応しないことである。このような条件を満足する電
極材料として、白金，金，パラジウムあるいはパラジウ
ム−銀合金のような貴金属があり、これまで、磁器積層
コンデンサの内部電極材料としては、主としてこれらの
貴金属が使用されてきた。しかしながら、これらの電極
材料は優れた特性を有する反面、高価であり、このた
め、磁器積層コンデンサに占める電極材料費の割合が３
０〜７０％にも達し、コストを上昇させる最大の要因に
なっていた。
ンサにおいては、内部電極の材料として次の２つの条件
を満足する必要があった。第１に、誘電体磁器材料と内
部電極材料とが同時に焼成されるので、誘電体磁器材料
の焼結温度以上の融点を有することであり、第２に、酸
化性の高温雰囲気においても酸化されず、しかも誘電体
と反応しないことである。このような条件を満足する電
極材料として、白金，金，パラジウムあるいはパラジウ
ム−銀合金のような貴金属があり、これまで、磁器積層
コンデンサの内部電極材料としては、主としてこれらの
貴金属が使用されてきた。しかしながら、これらの電極
材料は優れた特性を有する反面、高価であり、このた
め、磁器積層コンデンサに占める電極材料費の割合が３
０〜７０％にも達し、コストを上昇させる最大の要因に
なっていた。
【０００４】一方、貴金属以外の電極材料として、Ｎ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕなどの卑金属があるが、近年、電
子部品に対する高周波対応の要求が強まり、磁器積層コ
ンデンサの内部電極として、導電率が高く、等価直列抵
抗が小さくなるものが必要とされている。このため、卑
金属の内部電極材料の中でも、ＣｕまたはＣｕ系合金を
用いることが考えられている。ところが、ＣｕやＣｕ系
合金などの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸
化されてしまい、電極としての役目をしなくなってしま
う。このため、これらの卑金属を磁器積層コンデンサの
内部電極に使用するためには、誘電体磁器材料とともに
中性または還元雰囲気中で焼成する必要がある。
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｃｕなどの卑金属があるが、近年、電
子部品に対する高周波対応の要求が強まり、磁器積層コ
ンデンサの内部電極として、導電率が高く、等価直列抵
抗が小さくなるものが必要とされている。このため、卑
金属の内部電極材料の中でも、ＣｕまたはＣｕ系合金を
用いることが考えられている。ところが、ＣｕやＣｕ系
合金などの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸
化されてしまい、電極としての役目をしなくなってしま
う。このため、これらの卑金属を磁器積層コンデンサの
内部電極に使用するためには、誘電体磁器材料とともに
中性または還元雰囲気中で焼成する必要がある。
【０００５】しかしながら、従来の誘電体磁器材料で
は、このような還元雰囲気中で焼成すると著しく還元さ
れてしまい、半導体化してしまうという欠点があった。
また、ＣｕやＣｕ系合金は融点が１０８３℃以下である
ことから、誘電体材料の焼結温度はそれ以下でなければ
ならない。
は、このような還元雰囲気中で焼成すると著しく還元さ
れてしまい、半導体化してしまうという欠点があった。
また、ＣｕやＣｕ系合金は融点が１０８３℃以下である
ことから、誘電体材料の焼結温度はそれ以下でなければ
ならない。
【０００６】したがって、ＣｕやＣｕ系合金のような酸
化しやすくかつ低融点の金属を積層コンデンサの内部電
極として用いる場合には、耐還元性に優れ、かつ低温で
焼結する誘電体材料が必要である。
化しやすくかつ低融点の金属を積層コンデンサの内部電
極として用いる場合には、耐還元性に優れ、かつ低温で
焼結する誘電体材料が必要である。
【０００７】それゆえに、この発明の主たる目的は、１
０８０℃以下の低温で焼結し、かつ還元雰囲気で焼成し
ても電気的特性の劣化の生じない、非還元性誘電体磁器
組成物を提供することにある。
０８０℃以下の低温で焼結し、かつ還元雰囲気で焼成し
ても電気的特性の劣化の生じない、非還元性誘電体磁器
組成物を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明は、一般式が Ａ（Ｂｉ2 Ｏ3 ・ＢＴｉＯ2 ）＋（１００−Ａ）｛（Ｓ
ｒ100-X-Y ＰｂX ＣａY ）（Ｔｉ100-Z ＺｒZ ）Ｏ3 ｝
（ただし、Ａ，Ｂ，Ｘ，ＹおよびＺはモル％） で表され、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙ，Ｚがそれぞれ ０＜Ａ≦１０ ０．８≦Ｂ≦８ ０≦Ｘ≦１００ ０≦Ｙ≦７０ ０．５≦Ｚ≦２０ の範囲にある主成分に、 一般式が ａＬｉ2 Ｏ＋ｂＲＯ＋ｃＢ2 Ｏ3 ＋（１００−ａ−ｂ−
ｃ）ＳｉＯ2 （ただし、ＲはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢ
ａの中から選ばれる少なくとも１種類、ａ，ｂおよびｃ
はモル％） で表され、ａ，ｂおよびｃが、それぞれ、 ０＜ａ＜２０， １０≦ｂ＜５５， ０＜ｃ＜４０ である副成分を０．１〜３０重量％含有した、非還元性
誘電体磁器組成物である。
ｒ100-X-Y ＰｂX ＣａY ）（Ｔｉ100-Z ＺｒZ ）Ｏ3 ｝
（ただし、Ａ，Ｂ，Ｘ，ＹおよびＺはモル％） で表され、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙ，Ｚがそれぞれ ０＜Ａ≦１０ ０．８≦Ｂ≦８ ０≦Ｘ≦１００ ０≦Ｙ≦７０ ０．５≦Ｚ≦２０ の範囲にある主成分に、 一般式が ａＬｉ2 Ｏ＋ｂＲＯ＋ｃＢ2 Ｏ3 ＋（１００−ａ−ｂ−
ｃ）ＳｉＯ2 （ただし、ＲはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢ
ａの中から選ばれる少なくとも１種類、ａ，ｂおよびｃ
はモル％） で表され、ａ，ｂおよびｃが、それぞれ、 ０＜ａ＜２０， １０≦ｂ＜５５， ０＜ｃ＜４０ である副成分を０．１〜３０重量％含有した、非還元性
誘電体磁器組成物である。
【０００９】
【発明の効果】この発明にかかる非還元性誘電体磁器組
成物は、耐還元性に優れ、還元焼成しても、誘電特性お
よび絶縁抵抗が劣化せず、比抵抗が１０12Ωｃｍ以上、
誘電損失が５％以下であるとともに、焼結性にも優れ、
１０８０℃以下の低温で焼結可能である。したがって、
この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物を磁器積層
コンデンサ材料として用いれば、内部電極材料としてＣ
ｕまたはＣｕ系合金を用いることができる。そのため、
従来の貴金属を用いたものに比べて、安価でありかつ等
価直列抵抗の小さな磁器積層コンデンサを得ることがで
きる。
成物は、耐還元性に優れ、還元焼成しても、誘電特性お
よび絶縁抵抗が劣化せず、比抵抗が１０12Ωｃｍ以上、
誘電損失が５％以下であるとともに、焼結性にも優れ、
１０８０℃以下の低温で焼結可能である。したがって、
この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物を磁器積層
コンデンサ材料として用いれば、内部電極材料としてＣ
ｕまたはＣｕ系合金を用いることができる。そのため、
従来の貴金属を用いたものに比べて、安価でありかつ等
価直列抵抗の小さな磁器積層コンデンサを得ることがで
きる。
【００１０】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【００１１】
【実施例】出発原料として工業用原料であるＳｒＣ
Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 を準備した。これらの原料を表１および表２に示
す組成となるように秤量し、ボールミルで１６時間湿式
混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。得られた混
合粉末をジルコニア質の匣に入れて、９００℃で２時間
焼成し、所定の化合物を得た。
Ｏ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＰｂＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＴｉＯ2 ，Ｚ
ｒＯ2 を準備した。これらの原料を表１および表２に示
す組成となるように秤量し、ボールミルで１６時間湿式
混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。得られた混
合粉末をジルコニア質の匣に入れて、９００℃で２時間
焼成し、所定の化合物を得た。
【００１２】次いで、このようにして得られた化合物を
２００メッシュの篩を通過するように粗粉砕して、表１
に示す試料番号１〜２６および表２に示す試料番号２７
〜４４における比率からなる誘電体材料を準備した。
２００メッシュの篩を通過するように粗粉砕して、表１
に示す試料番号１〜２６および表２に示す試料番号２７
〜４４における比率からなる誘電体材料を準備した。
【００１３】
【表１】
【表２】
【００１４】さらに、副成分として、還元雰囲気で焼成
する場合に誘電体磁器の還元防止に優れた効果があるた
とえば表３に示す試料番号４５〜７７に示す比率からな
るものを得るために、各成分の酸化物，炭酸塩あるいは
水酸化物を調合し、これらをボールミルで１６時間湿式
混合粉砕した後、蒸発乾燥して粉末を得た。得られた粉
末をアルミナ製のるつぼに入れて１３００℃の温度で１
時間放置し、その後急冷してガラス化した。これを２０
０メッシュの篩を通過するように粗粉砕して、副成分を
準備した。
する場合に誘電体磁器の還元防止に優れた効果があるた
とえば表３に示す試料番号４５〜７７に示す比率からな
るものを得るために、各成分の酸化物，炭酸塩あるいは
水酸化物を調合し、これらをボールミルで１６時間湿式
混合粉砕した後、蒸発乾燥して粉末を得た。得られた粉
末をアルミナ製のるつぼに入れて１３００℃の温度で１
時間放置し、その後急冷してガラス化した。これを２０
０メッシュの篩を通過するように粗粉砕して、副成分を
準備した。
【００１５】
【表３】
【００１６】次に、上記の誘電体材料に表１〜表３に示
す割合で還元防止剤を添加した。この場合、表１の試料
番号１〜２６および表２の試料番号２７〜４４では、還
元防止剤として、５Ｌｉ2 Ｏ＋２０ＢａＯ＋１５ＣａＯ
＋５ＳｒＯ＋５ＭｇＯ＋２５Ｂ2 Ｏ3 ＋２５ＳｉＯ
2 （モル％）の還元防止剤を添加した。また、表３の試
料番号４５〜７７では、誘電体材料として、９８｛（Ｓ
ｒ50Ｃａ20Ｐｂ30）（Ｔｉ98.0Ｚｒ2.0 ）｝Ｏ3 ＋２
（Ｂｉ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ）（モル％）の誘電体材料を
用いた。
す割合で還元防止剤を添加した。この場合、表１の試料
番号１〜２６および表２の試料番号２７〜４４では、還
元防止剤として、５Ｌｉ2 Ｏ＋２０ＢａＯ＋１５ＣａＯ
＋５ＳｒＯ＋５ＭｇＯ＋２５Ｂ2 Ｏ3 ＋２５ＳｉＯ
2 （モル％）の還元防止剤を添加した。また、表３の試
料番号４５〜７７では、誘電体材料として、９８｛（Ｓ
ｒ50Ｃａ20Ｐｂ30）（Ｔｉ98.0Ｚｒ2.0 ）｝Ｏ3 ＋２
（Ｂｉ2 Ｏ3 ・２ＴｉＯ2 ）（モル％）の誘電体材料を
用いた。
【００１７】これにポリビニルブチラール系のバインダ
および有機溶媒を加えて、ボールミルで１６時間湿式混
合し、ドクターブレード法によってシート状に成形する
ことにより、グリーンシートを得た。このグリーンシー
トを乾燥した後、適当な大きさに切断し、切断したグリ
ーンシートにスクリーン印刷法でＣｕ電極ペーストを印
刷した後、所定枚数積み重ね熱圧着することにより積層
体を得た。得られた積層体を所定の規格に切断した後、
外部電極としてＣｕ電極ペーストを塗布して生ユニット
を得た。この生ユニットをＮ2 ，Ｈ2 およびＨ2 Ｏの混
合ガスを用いてＣｕ電極の酸化しない還元性雰囲気に調
整した電気炉に入れ、９２０〜１０８０℃で２時間焼成
して磁器積層コンデンサを得た。
および有機溶媒を加えて、ボールミルで１６時間湿式混
合し、ドクターブレード法によってシート状に成形する
ことにより、グリーンシートを得た。このグリーンシー
トを乾燥した後、適当な大きさに切断し、切断したグリ
ーンシートにスクリーン印刷法でＣｕ電極ペーストを印
刷した後、所定枚数積み重ね熱圧着することにより積層
体を得た。得られた積層体を所定の規格に切断した後、
外部電極としてＣｕ電極ペーストを塗布して生ユニット
を得た。この生ユニットをＮ2 ，Ｈ2 およびＨ2 Ｏの混
合ガスを用いてＣｕ電極の酸化しない還元性雰囲気に調
整した電気炉に入れ、９２０〜１０８０℃で２時間焼成
して磁器積層コンデンサを得た。
【００１８】得られた磁器積層コンデンサをふくしん液
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定し
た。さらに、２５℃の温度における１ｋＨｚ，１Ｖｒｍ
ｓでの誘電率ε，誘電損失ｔａｎδおよび絶縁抵抗の電
気的特性を測定した。表１の試料番号１〜２６，表２の
試料番号２７〜４４および表３の試料番号４５〜７７の
最適焼成温度，電気的特性を表４，表５および表６にそ
れぞれ示す。
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定し
た。さらに、２５℃の温度における１ｋＨｚ，１Ｖｒｍ
ｓでの誘電率ε，誘電損失ｔａｎδおよび絶縁抵抗の電
気的特性を測定した。表１の試料番号１〜２６，表２の
試料番号２７〜４４および表３の試料番号４５〜７７の
最適焼成温度，電気的特性を表４，表５および表６にそ
れぞれ示す。
【００１９】
【表４】
【表５】
【表６】
【００２０】この発明において主成分および副成分の範
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。ま
ず、主成分の限定理由について説明する。表１の試料番
号１７，１８に示すように、Ａの値すなわちＢｉ2 Ｏ3
が１０モル％を超えると、内部電極であるＣｕと反応
し、電極切れを生じるため、積層コンデンサとして好ま
しくない。表１の試料番号２０，２１に示すように、Ｂ
の値すなわちＴｉＯ2 が０．８未満になるか、試料番号
２５，２６に示すようにＢの値が８を超えると、絶縁抵
抗が１０12Ωｃｍより小さくなって好ましくない。表２
の試料番号３６，３７，３８，４１，４２，４４に示す
ように、Ｙの値が７０モル％を超えると、絶縁抵抗が１
０12Ωｃｍより小さくなって好ましくない。表１の試料
番号３，６に示すように、Ｚの値が０．５未満になる
か、試料番号１２に示すようにＺの値が２０を超える
と、絶縁抵抗が１０12Ωｃｍより小さくなって好ましく
ない。
囲を上述のように限定する理由は次の通りである。ま
ず、主成分の限定理由について説明する。表１の試料番
号１７，１８に示すように、Ａの値すなわちＢｉ2 Ｏ3
が１０モル％を超えると、内部電極であるＣｕと反応
し、電極切れを生じるため、積層コンデンサとして好ま
しくない。表１の試料番号２０，２１に示すように、Ｂ
の値すなわちＴｉＯ2 が０．８未満になるか、試料番号
２５，２６に示すようにＢの値が８を超えると、絶縁抵
抗が１０12Ωｃｍより小さくなって好ましくない。表２
の試料番号３６，３７，３８，４１，４２，４４に示す
ように、Ｙの値が７０モル％を超えると、絶縁抵抗が１
０12Ωｃｍより小さくなって好ましくない。表１の試料
番号３，６に示すように、Ｚの値が０．５未満になる
か、試料番号１２に示すようにＺの値が２０を超える
と、絶縁抵抗が１０12Ωｃｍより小さくなって好ましく
ない。
【００２１】次に、副成分の成分比率を限定した理由に
ついて説明する。表３の試料番号５８，５９，６０，６
１に示すように、ｂの値すなわちＲＯが１０モル％未満
になると、絶縁抵抗が１０12Ωｃｍより小さくなって好
ましくない。表３の試料番号５０，５１，５２，５３に
示すように、ｂの値すなわちＲＯが５５モル％以上にな
ると、焼成温度が１０８０℃以上となり、Ｃｕ内部電極
が溶出してしまい、コンデンサとして使用できない。表
３の試料番号６６に示すように、ａの値すなわちＬｉ2
Ｏが２０モル％以上になるか、試料番号６８に示すよう
に、ｃの値すなわちＢ2 Ｏ3 が４０モル％以上になる
と、誘電特性が著しく損なわれたり、焼結が完了する前
に軟化変形したりする。表１の試料番号１，２および表
３の試料番号４５，４６に示すように、副成分の添加量
が０．１重量％未満になると、１０８０℃でも焼結不足
であり、誘電体が還元され、誘電損失ｔａｎδが５％以
上となり、絶縁抵抗が劣化してしまう。また、表３の試
料番号７７に示すように、副成分の添加量が３０重量％
を超えると、誘電体磁器が軟化し、さらに変形してしま
うため好ましくない。
ついて説明する。表３の試料番号５８，５９，６０，６
１に示すように、ｂの値すなわちＲＯが１０モル％未満
になると、絶縁抵抗が１０12Ωｃｍより小さくなって好
ましくない。表３の試料番号５０，５１，５２，５３に
示すように、ｂの値すなわちＲＯが５５モル％以上にな
ると、焼成温度が１０８０℃以上となり、Ｃｕ内部電極
が溶出してしまい、コンデンサとして使用できない。表
３の試料番号６６に示すように、ａの値すなわちＬｉ2
Ｏが２０モル％以上になるか、試料番号６８に示すよう
に、ｃの値すなわちＢ2 Ｏ3 が４０モル％以上になる
と、誘電特性が著しく損なわれたり、焼結が完了する前
に軟化変形したりする。表１の試料番号１，２および表
３の試料番号４５，４６に示すように、副成分の添加量
が０．１重量％未満になると、１０８０℃でも焼結不足
であり、誘電体が還元され、誘電損失ｔａｎδが５％以
上となり、絶縁抵抗が劣化してしまう。また、表３の試
料番号７７に示すように、副成分の添加量が３０重量％
を超えると、誘電体磁器が軟化し、さらに変形してしま
うため好ましくない。
【００２２】上述の実施例においては、副成分として、
予め所定の割合に配合し高温に熱処理して溶融した後に
粉砕してガラス化したものを主成分に添加混合した。し
かし、副成分の添加方法としては、この他、予め所定の
割合に配合し熱処理を行った粉末を添加するか、あるい
は副成分を主成分に対して個々に添加してもよい。
予め所定の割合に配合し高温に熱処理して溶融した後に
粉砕してガラス化したものを主成分に添加混合した。し
かし、副成分の添加方法としては、この他、予め所定の
割合に配合し熱処理を行った粉末を添加するか、あるい
は副成分を主成分に対して個々に添加してもよい。
【００２３】なお、酸化ビスマスを含み、酸化鉛，チタ
ン酸カルシウムあるいはチタン酸ストロンチウムの少な
くともいずれかを含む誘電体材料およびＣｕ系の内部電
極材料からなる積層体を焼成する場合、その誘電体が還
元されず、かつその内部電極が酸化されない酸素雰囲気
下に保持する必要がある。すなわち、誘電体が還元され
ると絶縁抵抗が低下し、内部電極が酸化されると等価直
列抵抗が増大するなどの不具合が生じ、いずれの場合も
コンデンサとしての機能を失う。
ン酸カルシウムあるいはチタン酸ストロンチウムの少な
くともいずれかを含む誘電体材料およびＣｕ系の内部電
極材料からなる積層体を焼成する場合、その誘電体が還
元されず、かつその内部電極が酸化されない酸素雰囲気
下に保持する必要がある。すなわち、誘電体が還元され
ると絶縁抵抗が低下し、内部電極が酸化されると等価直
列抵抗が増大するなどの不具合が生じ、いずれの場合も
コンデンサとしての機能を失う。
【００２４】それに対して、この発明によれば、誘電体
材料に副成分を添加したことにより、焼成可能な雰囲気
の酸素分圧が特に低酸素分圧側に広がるために、酸素分
圧を厳密にコントロールしなくても適当な還元雰囲気下
で良品率の高い製品を得ることができる。すなわち、こ
の発明による非還元性誘電体磁器組成物は還元雰囲気中
で焼成しても還元されにくい。そして、かかる組成物か
らなる磁器は、誘電特性や絶縁抵抗が劣化せず、比抵抗
は１０12Ωｃｍ以上であり、また、その誘電損失は５％
以下である。さらに、この発明にかかる非還元性誘電体
磁器組成物は、その焼成温度が１０８０℃以下である。
このため、この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物
を積層コンデンサの材料として用いれば、内部電極用材
料としてＣｕまたはＣｕ系合金などを用いることができ
る。これにより、従来のＰｄ−Ａｇ、あるいはＰｔ系な
どの貴金属電極を用いた場合に比べて大幅なコストの低
減が図られ、また等価直列抵抗の小さな積層セラミック
コンデンサが得られる。
材料に副成分を添加したことにより、焼成可能な雰囲気
の酸素分圧が特に低酸素分圧側に広がるために、酸素分
圧を厳密にコントロールしなくても適当な還元雰囲気下
で良品率の高い製品を得ることができる。すなわち、こ
の発明による非還元性誘電体磁器組成物は還元雰囲気中
で焼成しても還元されにくい。そして、かかる組成物か
らなる磁器は、誘電特性や絶縁抵抗が劣化せず、比抵抗
は１０12Ωｃｍ以上であり、また、その誘電損失は５％
以下である。さらに、この発明にかかる非還元性誘電体
磁器組成物は、その焼成温度が１０８０℃以下である。
このため、この発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物
を積層コンデンサの材料として用いれば、内部電極用材
料としてＣｕまたはＣｕ系合金などを用いることができ
る。これにより、従来のＰｄ−Ａｇ、あるいはＰｔ系な
どの貴金属電極を用いた場合に比べて大幅なコストの低
減が図られ、また等価直列抵抗の小さな積層セラミック
コンデンサが得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−126117（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−224107（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−138003（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/49 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式が Ａ（Ｂｉ2 Ｏ3 ・ＢＴｉＯ2 ）＋（１００−Ａ）｛（Ｓ
ｒ100-X-Y ＰｂX ＣａY ）（Ｔｉ100-Z ＺｒZ ）Ｏ3 ｝
（ただし、Ａ，Ｂ，Ｘ，ＹおよびＺはモル％） で表され、Ａ，Ｂ，Ｘ，Ｙ，Ｚがそれぞれ ０＜Ａ≦１０ ０．８≦Ｂ≦８ ０≦Ｘ≦１００ ０≦Ｙ≦７０ ０．５≦Ｚ≦２０ の範囲にある主成分に、 一般式が ａＬｉ2 Ｏ＋ｂＲＯ＋ｃＢ2 Ｏ3 ＋（１００−ａ−ｂ−
ｃ）ＳｉＯ2 （ただし、ＲはＭｇ，Ｃａ，ＳｒおよびＢ
ａの中から選ばれる少なくとも１種類、ａ，ｂおよびｃ
はモル％） で表され、ａ，ｂおよびｃが、それぞれ、 ０＜ａ＜２０， １０≦ｂ＜５５， ０＜ｃ＜４０ である副成分を０．１〜３０重量％含有した、非還元性
誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27015791A JP3158552B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27015791A JP3158552B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0578171A JPH0578171A (ja) | 1993-03-30 |
| JP3158552B2 true JP3158552B2 (ja) | 2001-04-23 |
Family
ID=17482337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27015791A Expired - Lifetime JP3158552B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158552B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP27015791A patent/JP3158552B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578171A (ja) | 1993-03-30 |
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