JPH02226612A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH02226612A JPH02226612A JP1044730A JP4473089A JPH02226612A JP H02226612 A JPH02226612 A JP H02226612A JP 1044730 A JP1044730 A JP 1044730A JP 4473089 A JP4473089 A JP 4473089A JP H02226612 A JPH02226612 A JP H02226612A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- component
- temperature
- dielectric
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 title abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 7
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 abstract description 14
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 abstract 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910020698 PbZrO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 17
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
- C04B35/49—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates
- C04B35/491—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT
- C04B35/493—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates containing also titanium oxides or titanates based on lead zirconates and lead titanates, e.g. PZT containing also other lead compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1236—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates
- H01G4/1245—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on zirconium oxides or zirconates containing also titanates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
- H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
- H01G4/1263—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates containing also zirconium oxides or zirconates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は誘電体磁器組成物に関し、特に、誘電率が2
500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が
小さく、比抵抗が1otaΩ口以上と大きい誘電体磁器
組成物に関する。
500以上と高くかつ温度に対する静電容量の変化率が
小さく、比抵抗が1otaΩ口以上と大きい誘電体磁器
組成物に関する。
(従来技術および発明が解決しようとする課題)従来、
高誘電率系磁器コンデンサ材料としてBaTio3を主
体とした誘電体磁器組成物がある。
高誘電率系磁器コンデンサ材料としてBaTio3を主
体とした誘電体磁器組成物がある。
しかし、これらの磁器組成物においては、温度に対する
静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃〜+
85℃においてΔC/C!。−±10%)を満足するも
のは室温での誘電率が2000と低い。
静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃〜+
85℃においてΔC/C!。−±10%)を満足するも
のは室温での誘電率が2000と低い。
一方、鉛複合ペロプスカイト誘電体磁器組成物において
、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以
下という組成物はすでに知られている。しかし、これら
の組成物は、温度に対する静電容量の変化率が一25℃
〜+85℃の範囲で一50%〜+30%と大きい欠点を
有していた。
、比誘電率が10000以上で焼結温度が1050℃以
下という組成物はすでに知られている。しかし、これら
の組成物は、温度に対する静電容量の変化率が一25℃
〜+85℃の範囲で一50%〜+30%と大きい欠点を
有していた。
そこで、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ
高誘電率である組成物が望まれていた。
高誘電率である組成物が望まれていた。
また、酸化鉛を含む誘電体磁器組成物を用いて積層コン
デンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間に
内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を還
元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわれ
るために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で焼
成しても酸化。
デンサを製造するに当たっては、各誘電体材料層の間に
内部電極が介在されるが、酸化鉛を含む誘電体材料を還
元性雰囲気中で焼成すると、一般に絶縁特性が損なわれ
るために、内部電極材料としては、酸化性雰囲気中で焼
成しても酸化。
溶解せず、また誘電体と反応しない安定な銀−パラジウ
ム合金等の貴金属が一般的に用いられる。
ム合金等の貴金属が一般的に用いられる。
しかしながら、銀−パラジウム合金の材料は高価であり
、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化したり
、導電率が小さいため等価直列抵抗が大きくなるなどの
欠点を有している。
、また、銀のマイグレーションにより特性が劣化したり
、導電率が小さいため等価直列抵抗が大きくなるなどの
欠点を有している。
つまり、積層コンデンサには、第1に誘電体磁器が高誘
電率であること、第2に誘電体磁器の温度に対する静電
容量の変化率が小さいこと、第3にマイグレーションの
心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられるこ
との3点が望まれている。また、上述の第3の要望に答
える電極として、安価な銅または銅系の合金材料がある
が、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成しても
比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
電率であること、第2に誘電体磁器の温度に対する静電
容量の変化率が小さいこと、第3にマイグレーションの
心配かなくかつ導電率の大きい内部電極が用いられるこ
との3点が望まれている。また、上述の第3の要望に答
える電極として、安価な銅または銅系の合金材料がある
が、これを用いるためには、還元雰囲気下で焼成しても
比抵抗が高い誘電体磁器でなければならない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、高誘電率を有し
、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還元
雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成物
を提供することである。
、温度に対する静電容量の変化率が小さく、かつ、還元
雰囲気中で焼成しても比抵抗が高い、誘電体磁器組成物
を提供することである。
(課題を解決するための手段)
この発明は、Pb(Mg+z□W・、7□)0.−Pb
T i Os −P b Z r○、の配合比(モル
%)を表す3成分組成図において、A C52,0,4
40,4,0)、B (47,0,38,0,150)
、C(44,0,40,0,16,0)。
T i Os −P b Z r○、の配合比(モル
%)を表す3成分組成図において、A C52,0,4
40,4,0)、B (47,0,38,0,150)
、C(44,0,40,0,16,0)。
D (49,0,46,0,5,0)の各組成点を頂点
とする多角形A、B、C,Dで囲まれた範囲にある主成
分を100重量%とじたとき、副成分としてZnOを0
.3重量%以上2.0重量%以下の範囲内で含有する誘
電体成分に、一般式aLit o+b (RO)+cB
t Os + (1−a−b−C)SIO!で表される
成分において、a、 bCの値が、それぞれ、0≦a
<0.2.0.1≦bo0.55.0≦c<0.4 (
ただし、ROは、Bad、Cab、SrOおよびMgO
の中の1種以上)の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト
用還元防止剤を0.05重量%以上6.5重量%以下含
有する、誘電体磁器組成物である。
とする多角形A、B、C,Dで囲まれた範囲にある主成
分を100重量%とじたとき、副成分としてZnOを0
.3重量%以上2.0重量%以下の範囲内で含有する誘
電体成分に、一般式aLit o+b (RO)+cB
t Os + (1−a−b−C)SIO!で表される
成分において、a、 bCの値が、それぞれ、0≦a
<0.2.0.1≦bo0.55.0≦c<0.4 (
ただし、ROは、Bad、Cab、SrOおよびMgO
の中の1種以上)の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト
用還元防止剤を0.05重量%以上6.5重量%以下含
有する、誘電体磁器組成物である。
(発明の効果)
この発明によれば、温度に対する静電容量の変化率が小
さ(かつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が酸
化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電損
失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物が
得られる。
さ(かつ誘電率が大きく、しかも、たとえば銅電極が酸
化しない還元雰囲気中で焼成しても比抵抗および誘電損
失などの電気的特性が劣化しない、誘電体磁器組成物が
得られる。
くわしく述べると、この発明に係る組成物の主成分であ
るP b (M g l/! Wl/□)ox −pb
’ri O3−P b Z r Osよりなる3成分系
の固溶体の誘電体磁器組成物については、既に特開昭5
8−60671号に提案されている。しかしながら、こ
の誘電体磁器組成物では、温度に対する静電容量の変化
率がJIS規格のB特性(−25℃〜+85℃において
Δc/cz。=±lO%)を満足するものは誘電率が2
500未満である。その上、還元雰囲気中で焼成すると
電気的特性の劣化が生じる。
るP b (M g l/! Wl/□)ox −pb
’ri O3−P b Z r Osよりなる3成分系
の固溶体の誘電体磁器組成物については、既に特開昭5
8−60671号に提案されている。しかしながら、こ
の誘電体磁器組成物では、温度に対する静電容量の変化
率がJIS規格のB特性(−25℃〜+85℃において
Δc/cz。=±lO%)を満足するものは誘電率が2
500未満である。その上、還元雰囲気中で焼成すると
電気的特性の劣化が生じる。
そこで、本発明者らは誘電率が2500以上で温度に対
する静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃
〜+85℃において八〇/Cto”’±10%)を満足
し、かつ焼成温度が900〜1050℃と低い誘電体磁
器組成物を得るために検討した結果、この発明に至った
のである。
する静電容量の変化率がJIS規格のB特性(−25℃
〜+85℃において八〇/Cto”’±10%)を満足
し、かつ焼成温度が900〜1050℃と低い誘電体磁
器組成物を得るために検討した結果、この発明に至った
のである。
すなわち、この発明では、P b (M g l/Z
Wl/x )Ox −PbTi03−PbZr03より
なる3成分系にZnOを添加した誘電体成分と鉛複合ペ
ロブスカイト用還元防止剤とを混合することで、誘電率
が2500以上と高く、温度に対する静電容量の変化率
がJIS規格のB特性(−25°C〜+85℃において
ΔC/C!。−±10%)を満足し、かつ比抵抗が10
”Ω1以上であり、焼成温度が900〜1050℃と低
(、銅電極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成でき
る、誘電体磁器組成物が得られたのである。
Wl/x )Ox −PbTi03−PbZr03より
なる3成分系にZnOを添加した誘電体成分と鉛複合ペ
ロブスカイト用還元防止剤とを混合することで、誘電率
が2500以上と高く、温度に対する静電容量の変化率
がJIS規格のB特性(−25°C〜+85℃において
ΔC/C!。−±10%)を満足し、かつ比抵抗が10
”Ω1以上であり、焼成温度が900〜1050℃と低
(、銅電極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成でき
る、誘電体磁器組成物が得られたのである。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
(実施例)
鉛複合ペロプスカイトの誘電体の原料として、Pbx
Oa r MgO,WO3,Ti0z 、ZrO2+
ZnO,Mn0=を、別表1および別表2に示す組成
となるように秤量し、それらをボールミルで16時時間
式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
Oa r MgO,WO3,Ti0z 、ZrO2+
ZnO,Mn0=を、別表1および別表2に示す組成
となるように秤量し、それらをボールミルで16時時間
式混合した後、蒸発乾燥して混合粉末を得た。
得られた混合粉末をジルコニア質の匣に入れて680℃
で2時間焼成した後、200メツシユの篩を通過するよ
うに粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した。
で2時間焼成した後、200メツシユの篩を通過するよ
うに粗粉砕して鉛複合ペロブスカイト粉末を準備した。
さらに、別表1および別表2に示した組成の鉛複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで16時時間式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で1時間放置してから急冷してガ
ラス化した後、200メツシユの篩を通過するように粗
粉砕して、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備し
た。
ブスカイト用還元防止剤が得られるように、各成分の酸
化物、炭酸塩あるいは水酸化物を調合し、これらをボー
ルミルで16時時間式混合し粉砕した後、蒸発乾燥して
粉末を得た。得られた粉末を、アルミナ製のるつぼに入
れて1300℃の温度で1時間放置してから急冷してガ
ラス化した後、200メツシユの篩を通過するように粗
粉砕して、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を準備し
た。
次に、準備した鉛複合ペロプスカイト粉末に鉛複合ペロ
ブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表1お
よび別表2に示す割合で添加し、これにポリビニルブチ
ラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミル
で16時時間式混合した。そして、これをドクタープレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥後
、そのグリーンシートを適当な大きさにカットした。そ
れから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷法
で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着し
積層した。
ブスカイト用還元防止剤のガラス化したものを別表1お
よび別表2に示す割合で添加し、これにポリビニルブチ
ラール系のバインダおよび有機溶媒を加えてボールミル
で16時時間式混合した。そして、これをドクタープレ
イド法によりシート状のグリーンシートに成型し乾燥後
、そのグリーンシートを適当な大きさにカットした。そ
れから、カットしたグリーンシートにスクリーン印刷法
で銅電極ペーストを用いて印刷した後、それらを圧着し
積層した。
圧着したグリーンシートをきまった規格にカントした後
、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布して、
積層性ユニットを形成した。
、その両端面に外部電極として銅ペーストを塗布して、
積層性ユニットを形成した。
このようにして形成した積層性ユニットを、NZ+Hつ
およびH,Oの混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない
還元雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜105
0℃で2時間焼成して、積層コンデンサ(試料)を得た
。
およびH,Oの混合ガスを用いて、銅電極が酸化しない
還元雰囲気に調節した電気炉に入れて、900〜105
0℃で2時間焼成して、積層コンデンサ(試料)を得た
。
得られた積層コンデンサ(試料)について、ふくしん液
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
。
に漬けて焼結度の試験を行い、最適焼成温度を決定した
。
また、各試料について、25℃の温度におけるIKHz
、IVrmsでの誘電率(ε)、誘電損失(canδ)
、比抵抗および一25〜+85℃の温度範囲で+20℃
を基準にした誘電率の温度特性を測定した。この測定結
果を別表1および別表2に示した。
、IVrmsでの誘電率(ε)、誘電損失(canδ)
、比抵抗および一25〜+85℃の温度範囲で+20℃
を基準にした誘電率の温度特性を測定した。この測定結
果を別表1および別表2に示した。
別表1および別表2において、温度特性について、B、
CおよびDの各特性はJIS規格による温度特性を意味
し、各特性について詳細に説明すれば次のとおりである
。
CおよびDの各特性はJIS規格による温度特性を意味
し、各特性について詳細に説明すれば次のとおりである
。
B特性=20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一10〜+10%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一10〜+10%を超えない。
C特性:20℃における静電容量を基準として、−25
℃〜+85℃における容量変化 率が一20〜+20%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一20〜+20%を超えない。
D特性:20℃における静電容量を基準として、=25
℃〜+85℃における容量変化 率が一30〜+20%を超えない。
℃〜+85℃における容量変化 率が一30〜+20%を超えない。
なお、別表1および別表2中、*印を付したものはこの
発明の範囲外のものである。
発明の範囲外のものである。
さらに、別表1および別表2に示した実験例に基づいて
、図面に主成分の3成分組成図を示した。
、図面に主成分の3成分組成図を示した。
この図面において丸印を付した数字は各試料番号を示す
。また、この図面に、この発明の範囲内にある主成分の
配合比(モル%)を表す領域を、組成点A、 B、 C
,Dを頂点とする多角形A、 B。
。また、この図面に、この発明の範囲内にある主成分の
配合比(モル%)を表す領域を、組成点A、 B、 C
,Dを頂点とする多角形A、 B。
C,Dで記入した。すなわち、この発明にかかる組成物
の主成分であるP b (M g 112 V/+/z
) 02−PbTi03−PbZr03 (7)配合
比(モル%)は、それらの配合比を表す3成分組成図に
おいて、A (52,0,44,0,4,0)、B (
47,0,3B、0,15.0)、C(44,040,
0,16,0)、D (49,0,46゜0.5.0)
の各組成点を頂点とする多角形A。
の主成分であるP b (M g 112 V/+/z
) 02−PbTi03−PbZr03 (7)配合
比(モル%)は、それらの配合比を表す3成分組成図に
おいて、A (52,0,44,0,4,0)、B (
47,0,3B、0,15.0)、C(44,040,
0,16,0)、D (49,0,46゜0.5.0)
の各組成点を頂点とする多角形A。
B、C,Dで囲まれた範囲内の配合比に相当する。
次に、この発明にかかる組成物の組成範囲を限定した理
由について説明する。
由について説明する。
まず、主成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
組成点AおよびBを結ぶ線の外側では、鉛複合ペロブス
カイト用還元防止剤を混合した時、誘電率が2500よ
り小さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJ
IS規格のB特性(−25℃から+85℃においてΔC
/C,。=±10%)を満足しないので好ましくない(
試料番号2参照)。
カイト用還元防止剤を混合した時、誘電率が2500よ
り小さくなり、かつ温度に対する静電容量の変化率がJ
IS規格のB特性(−25℃から+85℃においてΔC
/C,。=±10%)を満足しないので好ましくない(
試料番号2参照)。
組成点BおよびCを結ぶ線の外側および組成点Cおよび
Dを結ぶ線の外側では、温度に対する静電容量の変化率
がJIS規格のB特性を満足しないので好ましくない(
試料番号9および11参照)。
Dを結ぶ線の外側では、温度に対する静電容量の変化率
がJIS規格のB特性を満足しないので好ましくない(
試料番号9および11参照)。
また、組成点りおよびAを結ぶ線の外側では、鉛複合ペ
ロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘電損失が5
%を超え、比抵抗が1010Ω備より小さくなり、かつ
温度に対する静電容量の変化率がJIS規格のB特性を
満足しないので好ましくない(試料番号3参照)。
ロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘電損失が5
%を超え、比抵抗が1010Ω備より小さくなり、かつ
温度に対する静電容量の変化率がJIS規格のB特性を
満足しないので好ましくない(試料番号3参照)。
次に、副成分の組成範囲を限定した理由について説明す
る。
る。
ZnOの添加量が主成分100重量%に対して0.3重
量%より少ない場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元
防止剤を混合した時でも、誘電損失が5%を超え、比抵
抗がIQII)Ω唾より小さくなり、かつ温度に対する
静電容量の変化率がJIS規格のB特性を満足しないの
で好ましくない(試料番号12参照)。
量%より少ない場合には、鉛複合ペロブスカイト用還元
防止剤を混合した時でも、誘電損失が5%を超え、比抵
抗がIQII)Ω唾より小さくなり、かつ温度に対する
静電容量の変化率がJIS規格のB特性を満足しないの
で好ましくない(試料番号12参照)。
一方、ZnOの添加量が2.0重量%より多い場合には
、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘
電率が2500未満になって好ましくない(試料番号1
4参照)。
、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を混合した時、誘
電率が2500未満になって好ましくない(試料番号1
4参照)。
さらに、MnO□の添加量が主成分100重量%に対し
て2.0重量%より多い場合には、鉛複合ペロブスカイ
ト用還元防止剤を混合した時でも、誘電損失が5%より
大きくなり好ましくない(試料番号17参照)。
て2.0重量%より多い場合には、鉛複合ペロブスカイ
ト用還元防止剤を混合した時でも、誘電損失が5%より
大きくなり好ましくない(試料番号17参照)。
次に、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤の組成範囲を
限定した理由について説明する。
限定した理由について説明する。
つまり、b (RO)が10モル%未満では、鉛複合ペ
ロプスカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧(た
とえば1000℃、約IQ−’atm以下)で焼成する
ことができない(試料番号3637.38.39参照)
。
ロプスカイト誘電体を銅電極使用可能な低酸素分圧(た
とえば1000℃、約IQ−’atm以下)で焼成する
ことができない(試料番号3637.38.39参照)
。
また、b (RO)が10モル%未満では、誘電損失が
55(より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好
ましくない(試料番号36,37,38.39参照)。
55(より大きくなり、かつ比抵抗が小さくなるので好
ましくない(試料番号36,37,38.39参照)。
一方、b (RO)が55モル%以上では、焼成温度が
1050℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすた
めこの発明の目的を達成することができなくなってしま
う(試料番号28,29.30.31参照)。
1050℃を超えてしまい銅電極が融解して流れだすた
めこの発明の目的を達成することができなくなってしま
う(試料番号28,29.30.31参照)。
また、a(Li、O)が20モル%以上あるいはc (
B203 )が40モル%以上の場合には、誘電体特性
が著しく損なわれたり、焼成が完了する前に軟化変形し
たりしてしまう(試料番号44および46参照)。
B203 )が40モル%以上の場合には、誘電体特性
が著しく損なわれたり、焼成が完了する前に軟化変形し
たりしてしまう(試料番号44および46参照)。
最後に、鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤の添加量を
0.05重量%以上6.5重量%以下に限定した理由に
ついて説明する。すなわち、その添加量を0.05重量
%未満にした場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣
化する(試料番号22および23参照)。一方、その添
加量が6.5重量%を超える場合には、誘電率が250
0より小さくなって好ましくない(試料番号52参照)
。
0.05重量%以上6.5重量%以下に限定した理由に
ついて説明する。すなわち、その添加量を0.05重量
%未満にした場合には、誘電体が還元されて比抵抗が劣
化する(試料番号22および23参照)。一方、その添
加量が6.5重量%を超える場合には、誘電率が250
0より小さくなって好ましくない(試料番号52参照)
。
なお、約10”’atmより高酸素分圧で焼成すれば、
銅電極が酸化してしまうので好ましくない(試料番号2
1参照)。
銅電極が酸化してしまうので好ましくない(試料番号2
1参照)。
別表1および別表2に示す結果から明らかなように、こ
の発明によれば、誘電率が2500以上と高<JIS規
格のB特性を満足し、かつ比抵抗が1010Ω1以上で
あり、最適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅電
極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電
体磁器組成物が得られることがわかる。
の発明によれば、誘電率が2500以上と高<JIS規
格のB特性を満足し、かつ比抵抗が1010Ω1以上で
あり、最適焼結温度が900〜1050℃と低く、銅電
極が酸化しない低酸素分圧雰囲気中で焼成できる、誘電
体磁器組成物が得られることがわかる。
図はこの発明にかかる誘電体磁器組成物の主成分の配合
比の範囲を表す3成分組成図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
比の範囲を表す3成分組成図である。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 1) 全 啓
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 Pb(Mg_1_/_2W_1_/_2)O_3−
PbTiO_3−PbZrO_3の配合比(モル%)を
表す3成分組成図において、A(52.0,44.0,
4.0),B(47.0,38.0,15.0),C(
44.0,40.0,16.0),D(49.0,46
.0,5.0)の各組成点を頂点とする多角形A,B,
C,Dで囲まれた範囲にある主成分を100重量%とし
たとき、副成分としてZnOを0.3重量%以上2.0
重量%以下の範囲内で含有する誘電体成分に、 一般式aLi_2O+b(RO)+cB_2O_3+(
1−a−b−c)SiO_2で表される成分において、 a,b,cの値が、それぞれ、 0≦a<0.2 0.1≦b<0.55 0≦c<0.4 (ただし、ROは、BaO,CaO,SrOおよびMg
Oの中の1種以上) の範囲内にある鉛複合ペロブスカイト用還元防止剤を0
.05重量%以上6.5重量%以下含有する、誘電体磁
器組成物。 2 さらに、前記主成分100重量%に対して、Mnを
MnO_2に換算して2.0重量%以下含有する、特許
請求の範囲第1項記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044730A JPH0817054B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
DE4005507A DE4005507C2 (de) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
US07/483,052 US4985381A (en) | 1989-02-23 | 1990-02-21 | Dielectric ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1044730A JPH0817054B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02226612A true JPH02226612A (ja) | 1990-09-10 |
JPH0817054B2 JPH0817054B2 (ja) | 1996-02-21 |
Family
ID=12699562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1044730A Expired - Lifetime JPH0817054B2 (ja) | 1989-02-23 | 1989-02-23 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4985381A (ja) |
JP (1) | JPH0817054B2 (ja) |
DE (1) | DE4005507C2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04296040A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3350949B2 (ja) * | 1992-02-20 | 2002-11-25 | 株式会社村田製作所 | 導電性ペースト |
DE4402420C2 (de) * | 1993-01-27 | 1996-03-28 | Toshiba Kawasaki Kk | Piezoelektrisches Material und Ultraschallsonde |
DE69412717T2 (de) * | 1993-06-30 | 1999-01-21 | Murata Manufacturing Co | Dielektrische keramische Zusammensetzung |
DE4442598A1 (de) * | 1994-11-30 | 1996-06-05 | Philips Patentverwaltung | Komplexer, substituierter Lanthan-Blei-Zirkon-Titan-Perowskit, keramische Zusammensetzung und Aktuator |
JP2692667B2 (ja) * | 1995-02-20 | 1997-12-17 | 日本電気株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JP3204056B2 (ja) * | 1995-11-08 | 2001-09-04 | 株式会社村田製作所 | 圧電磁器 |
JP2998639B2 (ja) * | 1996-06-20 | 2000-01-11 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
JP3039403B2 (ja) * | 1996-12-06 | 2000-05-08 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
US5792379A (en) * | 1997-03-27 | 1998-08-11 | Motorola Inc. | Low-loss PZT ceramic composition cofirable with silver at a reduced sintering temperature and process for producing same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU474519A1 (ru) * | 1973-02-16 | 1975-06-25 | Ростовский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет | Пьезокерамический материал |
SU504736A1 (ru) * | 1974-04-02 | 1976-02-28 | Ростовский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет | Пьезокерамический материал |
JPS6033261A (ja) * | 1983-08-04 | 1985-02-20 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
JPS6036371A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
JPS6042277A (ja) * | 1983-08-11 | 1985-03-06 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
JPS6046965A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-14 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
US4582814A (en) * | 1984-07-05 | 1986-04-15 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric compositions |
JPH0651572B2 (ja) * | 1985-11-25 | 1994-07-06 | 三菱マテリアル株式会社 | 高誘電体粉末の製造方法 |
-
1989
- 1989-02-23 JP JP1044730A patent/JPH0817054B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-02-21 US US07/483,052 patent/US4985381A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-02-21 DE DE4005507A patent/DE4005507C2/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04296040A (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-20 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0817054B2 (ja) | 1996-02-21 |
DE4005507A1 (de) | 1990-08-30 |
DE4005507C2 (de) | 1998-07-02 |
US4985381A (en) | 1991-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100374470B1 (ko) | 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 | |
EP0605904B1 (en) | Nonreducible dielectric ceramic composition | |
JPH03276510A (ja) | 温度補償用磁器誘電体 | |
JP3336967B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
KR980009197A (ko) | 적층 세라믹 커패시터 | |
EP0737655A1 (en) | Non-reduced dielectric ceramic compositions | |
US5036425A (en) | Monolithic ceramic capacitor | |
JPH02155115A (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサ | |
EP0103338B1 (en) | Low-fire ceramic dielectric compositions | |
JPH02226612A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3319273B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3471839B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP3259406B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2669184B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3158553B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3134430B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JPH02226613A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JP2671422B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP2669185B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3106367B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3158552B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
JP3158568B2 (ja) | 非還元性誘電体磁器組成物 | |
US5082593A (en) | Non-reduction agent for dielectric ceramics | |
JP3158567B2 (ja) | 磁器積層コンデンサ | |
JP3303453B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090221 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100221 Year of fee payment: 14 |