JP3319273B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は非還元性誘電体磁器組成
物に関し、特に例えば、ニッケル等の卑金属を内部電極
材料とする積層セラミックコンデンサなどの誘電体材料
として用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関するも
のである。
物に関し、特に例えば、ニッケル等の卑金属を内部電極
材料とする積層セラミックコンデンサなどの誘電体材料
として用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＢａＴｉ０3を主成分とする
従来の誘電体磁器材料では、中性または還元性の低酸素
分圧下で焼成すると還元され、半導体化を起こすという
性質を有していた。そのため、内部電極材料としては、
誘電体磁器材料の焼結する高温下でも溶融せず、かつ、
誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分圧下で焼
成しても酸化されない、例えば、Ｐｄ、Ｐｔなどの貴金
属を用いなければならなかった。これは、製造される積
層セラミックコンデンサの低コスト化の大きな妨げとな
っていた。
従来の誘電体磁器材料では、中性または還元性の低酸素
分圧下で焼成すると還元され、半導体化を起こすという
性質を有していた。そのため、内部電極材料としては、
誘電体磁器材料の焼結する高温下でも溶融せず、かつ、
誘電体磁器材料を半導体化させない高い酸素分圧下で焼
成しても酸化されない、例えば、Ｐｄ、Ｐｔなどの貴金
属を用いなければならなかった。これは、製造される積
層セラミックコンデンサの低コスト化の大きな妨げとな
っていた。
【０００３】そこで、上述の問題点を解決するために、
例えば、Ｎｉなどの卑金属を内部電極材料として使用す
ることが望まれていた。しかし、このような卑金属を内
部電極材料として使用して、従来の条件で焼成すると、
電極材料が酸化されてしまい、電極としての機能を果た
さない。そのため、このような卑金属を内部電極の材料
として使用するためには、酸素分圧の低い中性または還
元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コンデ
ンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘電
特性とを有する誘電体磁器材料が望まれていた。
例えば、Ｎｉなどの卑金属を内部電極材料として使用す
ることが望まれていた。しかし、このような卑金属を内
部電極材料として使用して、従来の条件で焼成すると、
電極材料が酸化されてしまい、電極としての機能を果た
さない。そのため、このような卑金属を内部電極の材料
として使用するためには、酸素分圧の低い中性または還
元性の雰囲気において焼成しても半導体化せず、コンデ
ンサ用の誘電体材料として、十分な比抵抗と優れた誘電
特性とを有する誘電体磁器材料が望まれていた。
【０００４】これらの条件を満たす誘電体磁器材料とし
て、例えば、特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ
3−ＣａＺｒＯ3−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成、または特開
昭６３−１０３８６１号のＢａＴｉＯ3−ＭｎＯ−Ｍｇ
Ｏ−希土類酸化物系の組成、あるいは特公昭６１−１４
６１０号のＢａＴｉＯ3−（Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃａ）
Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＭＯ（但し、ＭＯ：ＢａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＣａＯ）系の組成が提案されてきた。
て、例えば、特開昭６２−２５６４２２号のＢａＴｉＯ
3−ＣａＺｒＯ3−ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組成、または特開
昭６３−１０３８６１号のＢａＴｉＯ3−ＭｎＯ−Ｍｇ
Ｏ−希土類酸化物系の組成、あるいは特公昭６１−１４
６１０号のＢａＴｉＯ3−（Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｒ、Ｃａ）
Ｏ＋Ｌｉ2Ｏ−ＳｉＯ2−ＭＯ（但し、ＭＯ：ＢａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＣａＯ）系の組成が提案されてきた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、特開昭６２
−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体磁器
組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣａＴ
ｉＯ3 がＭｎ等とともに異相を生成しやすいため、高温
における信頼性の低下につながる危険性があった。
−２５６４２２号に開示されている非還元性誘電体磁器
組成物では、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣａＴ
ｉＯ3 がＭｎ等とともに異相を生成しやすいため、高温
における信頼性の低下につながる危険性があった。
【０００６】また、特開昭６３−１０３８６１号に開示
されている非還元性誘電体磁器組成物では、絶縁抵抗お
よび容量の温度変化率が主成分であるＢａＴｉＯ3 の結
晶粒径に大きく影響を受け、安定した特性を得るための
制御が困難である。さらに、絶縁抵抗値も静電容量値と
の積（ＣＲ積）で示した場合１０００〜２０００（Ω・
Ｆ）であり、実用的であるとは言えなかった。
されている非還元性誘電体磁器組成物では、絶縁抵抗お
よび容量の温度変化率が主成分であるＢａＴｉＯ3 の結
晶粒径に大きく影響を受け、安定した特性を得るための
制御が困難である。さらに、絶縁抵抗値も静電容量値と
の積（ＣＲ積）で示した場合１０００〜２０００（Ω・
Ｆ）であり、実用的であるとは言えなかった。
【０００７】また、特公昭６１−１４６１０号に開示さ
れている組成物は、得られる誘電体磁器の誘電率が２０
００〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用してい
る従来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５
００と比較すると劣っていた。従って、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
れている組成物は、得られる誘電体磁器の誘電率が２０
００〜２８００であり、Ｐｄなどの貴金属を使用してい
る従来からの磁器組成物の誘電率である３０００〜３５
００と比較すると劣っていた。従って、この組成物をコ
ストダウンのために、そのまま従来の材料と置き換える
のは、コンデンサの小型大容量化という点で不利であ
り、問題が残されていた。
【０００８】また、上記の組成を始めとして、これまで
提案されてきた非還元性誘電体磁器組成物は、従来の材
料と比較して室温での絶縁抵抗値は高いものの、高温下
において著しく抵抗値が低下する傾向があった。そのた
め、高温における信頼性、いわゆる高温負荷特性に劣る
ため、特に誘電体厚みの薄層化を行う場合に大きな障害
となっているため、非還元性誘電体磁器組成物を用いた
薄層の積層コンデンサは実用化には至っていなかった。
またさらには、従来の非還元性誘電体磁器組成物では、
Ｐｄ等を内部電極とする従来材料と比較して、高温、高
湿下における信頼性、いわゆる耐湿負荷特性についても
劣っていた。
提案されてきた非還元性誘電体磁器組成物は、従来の材
料と比較して室温での絶縁抵抗値は高いものの、高温下
において著しく抵抗値が低下する傾向があった。そのた
め、高温における信頼性、いわゆる高温負荷特性に劣る
ため、特に誘電体厚みの薄層化を行う場合に大きな障害
となっているため、非還元性誘電体磁器組成物を用いた
薄層の積層コンデンサは実用化には至っていなかった。
またさらには、従来の非還元性誘電体磁器組成物では、
Ｐｄ等を内部電極とする従来材料と比較して、高温、高
湿下における信頼性、いわゆる耐湿負荷特性についても
劣っていた。
【０００９】本件出願人らもこれまでに非還元性誘電体
磁器組成物として、特開平０５−００９０６６号〜特開
平０５−００９０６８号等に、上記問題点を解決すべく
新たな組成を提案してきたが、その後の市場の要求特
性、特に高温、高湿下で要求される特性がより厳しくな
ったことから、さらに特性の優れた組成を提案する必要
が生じてきた。
磁器組成物として、特開平０５−００９０６６号〜特開
平０５−００９０６８号等に、上記問題点を解決すべく
新たな組成を提案してきたが、その後の市場の要求特
性、特に高温、高湿下で要求される特性がより厳しくな
ったことから、さらに特性の優れた組成を提案する必要
が生じてきた。
【００１０】それゆえに、本発明の主たる目的は、低酸
素分圧下であっても組織が半導体化せず焼成可能であ
り、かつ、誘電率が３０００以上、絶縁抵抗値がＣＲ積
で表した場合６０００以上であり、さらに、容量温度変
化率が、２５度の容量値を基準として、−５５度〜１２
５度の広い範囲にわたって±１５％の範囲内にあること
を満足し、さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候性に
優れた、薄層に対応できる非還元性誘電体磁器組成物を
提供することにある。
素分圧下であっても組織が半導体化せず焼成可能であ
り、かつ、誘電率が３０００以上、絶縁抵抗値がＣＲ積
で表した場合６０００以上であり、さらに、容量温度変
化率が、２５度の容量値を基準として、−５５度〜１２
５度の広い範囲にわたって±１５％の範囲内にあること
を満足し、さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候性に
優れた、薄層に対応できる非還元性誘電体磁器組成物を
提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
のような問題点を解決するべく、非還元性誘電体磁器組
成物を完成するに至った。本発明の非還元性誘電体磁器
組成物は、ＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ
2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種類の
希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、Ｃｏ2Ｏ3 と、を所定の
配合比で含有する主成分に対し、副成分として、ＢａＯ
と、ＭｎＯと、ＭｇＯと、ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3 のうち少
なくとも１種類と、およびＬｉ2Ｏ−（ＳｉXＴｉ1-X）
Ｏ2−Ｍ（式中、ＭはＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 のうち少なく
とも１種類を示す。）を主成分とする酸化物ガラスと、
を所定の配合比で含有し、前記酸化物ガラスは、Ｘが
０．３０≦Ｘ≦１．００の範囲内にあって、かつ、モル
％が、（Ｌｉ 2 Ｏ，（Ｓｉ X Ｔｉ 1-X ）Ｏ 2 ，Ｍ）の３成分
組成図において、Ａ（２０，８０，０）、Ｂ（１０，８
０，１０）、Ｃ（１０，７０，２０）、Ｄ（３５，４
５，２０）、Ｅ（４５，４５，１０）、およびＦ（４
５，５５，０）、を頂点とする６角形の辺上および内部
（但し、直線Ｆ−Ａ上の組成の場合にはＸは０．３０≦
Ｘ＜１．００）で表されることに特徴がある。
のような問題点を解決するべく、非還元性誘電体磁器組
成物を完成するに至った。本発明の非還元性誘電体磁器
組成物は、ＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ
2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種類の
希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、Ｃｏ2Ｏ3 と、を所定の
配合比で含有する主成分に対し、副成分として、ＢａＯ
と、ＭｎＯと、ＭｇＯと、ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3 のうち少
なくとも１種類と、およびＬｉ2Ｏ−（ＳｉXＴｉ1-X）
Ｏ2−Ｍ（式中、ＭはＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 のうち少なく
とも１種類を示す。）を主成分とする酸化物ガラスと、
を所定の配合比で含有し、前記酸化物ガラスは、Ｘが
０．３０≦Ｘ≦１．００の範囲内にあって、かつ、モル
％が、（Ｌｉ 2 Ｏ，（Ｓｉ X Ｔｉ 1-X ）Ｏ 2 ，Ｍ）の３成分
組成図において、Ａ（２０，８０，０）、Ｂ（１０，８
０，１０）、Ｃ（１０，７０，２０）、Ｄ（３５，４
５，２０）、Ｅ（４５，４５，１０）、およびＦ（４
５，５５，０）、を頂点とする６角形の辺上および内部
（但し、直線Ｆ−Ａ上の組成の場合にはＸは０．３０≦
Ｘ＜１．００）で表されることに特徴がある。
【００１２】すなわち、これらを所定の混合比で混合
し、その配合比を適切に選択すれば、本発明の非還元性
誘電体磁器組成物は、低酸素分圧下であっても組織が半
導体化せずに焼成することができる。また、誘電率が３
０００以上、絶縁抵抗値がＣＲ積で表した場合、６００
０以上にすることができる。さらに、容量温度変化率
が、２５度の容量値を基準として、−５５度〜１２５度
の広い範囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満
足させることができる。さらには、高温負荷、耐湿負荷
等の対候性や焼結性に優れており、薄層に対応すること
ができる。また、この範囲外の組成であれば、氷水中に
急冷してもガラスとならず失透する部位が多いため、焼
結性が低下するため好ましくない。さらに、ガラス化範
囲中であっても点Ｆ−Ａ上の組成、かつＸ＝１．００で
は、高温、高湿下における特性劣化が大きく信頼性の低
下が生じるため好ましくない。またさらに、Ｘの値が
０．３未満の場合には、前記と同様ガラスとならず失透
する部位が多く、焼結性が低下するため好ましくない。
し、その配合比を適切に選択すれば、本発明の非還元性
誘電体磁器組成物は、低酸素分圧下であっても組織が半
導体化せずに焼成することができる。また、誘電率が３
０００以上、絶縁抵抗値がＣＲ積で表した場合、６００
０以上にすることができる。さらに、容量温度変化率
が、２５度の容量値を基準として、−５５度〜１２５度
の広い範囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満
足させることができる。さらには、高温負荷、耐湿負荷
等の対候性や焼結性に優れており、薄層に対応すること
ができる。また、この範囲外の組成であれば、氷水中に
急冷してもガラスとならず失透する部位が多いため、焼
結性が低下するため好ましくない。さらに、ガラス化範
囲中であっても点Ｆ−Ａ上の組成、かつＸ＝１．００で
は、高温、高湿下における特性劣化が大きく信頼性の低
下が生じるため好ましくない。またさらに、Ｘの値が
０．３未満の場合には、前記と同様ガラスとならず失透
する部位が多く、焼結性が低下するため好ましくない。
【００１３】従って、本発明にいう所定の配合比とは、
上記のような特性を得ることができる範囲の配合比をい
う。
上記のような特性を得ることができる範囲の配合比をい
う。
【００１４】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記主成分である、前記ＢａＴｉＯ3 と前
記希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と前記Ｃｏ2Ｏ3 との配合
比が、前記主成分１００モル％のうち、ＢａＴｉＯ3 ９
２．０〜９９．４モル％、Ｒｅ2Ｏ3 ０．３〜４．０モ
ル％、およびＣｏ2Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、の範囲
内にあることが好ましく、これによって、絶縁抵抗値、
誘電率、および容量の温度変化率が向上することが実験
により確認されている。
においては、前記主成分である、前記ＢａＴｉＯ3 と前
記希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と前記Ｃｏ2Ｏ3 との配合
比が、前記主成分１００モル％のうち、ＢａＴｉＯ3 ９
２．０〜９９．４モル％、Ｒｅ2Ｏ3 ０．３〜４．０モ
ル％、およびＣｏ2Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、の範囲
内にあることが好ましく、これによって、絶縁抵抗値、
誘電率、および容量の温度変化率が向上することが実験
により確認されている。
【００１５】すなわち、配合比率が９２．０ｍｏｌ％未
満の場合には、希土類酸化物およびＣｏ2Ｏ3 の配合比
率が多くなるため、絶縁抵抗値および誘電率の低下が生
じ好ましくない。一方、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９
９．４ｍｏｌ％を超える場合には、希土類酸化物および
Ｃｏ2Ｏ3 の添加の効果に乏しく、キュリー点付近の高
温部での容量温度変化率が大きく（＋）側に外れてしま
い好ましくない。
満の場合には、希土類酸化物およびＣｏ2Ｏ3 の配合比
率が多くなるため、絶縁抵抗値および誘電率の低下が生
じ好ましくない。一方、ＢａＴｉＯ3 の構成比率が９
９．４ｍｏｌ％を超える場合には、希土類酸化物および
Ｃｏ2Ｏ3 の添加の効果に乏しく、キュリー点付近の高
温部での容量温度変化率が大きく（＋）側に外れてしま
い好ましくない。
【００１６】ただし、本発明においては、これらの主成
分の配合比の範囲以外の部分にも、絶縁抵抗値、誘電
率、および容量の温度変化率が向上する配合比が存在す
れば、所定の配合比にはこのような部分の配合比も含ま
れる。
分の配合比の範囲以外の部分にも、絶縁抵抗値、誘電
率、および容量の温度変化率が向上する配合比が存在す
れば、所定の配合比にはこのような部分の配合比も含ま
れる。
【００１７】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分である前記ＢａＯが、前記主成
分１００モル％に対して、０．０５〜４．０モル％の範
囲内にあることが好ましく、これによって、誘電損失ｔ
ａｎδ、絶縁抵抗値、および焼結性が向上することが実
験により確認されている。
においては、前記副成分である前記ＢａＯが、前記主成
分１００モル％に対して、０．０５〜４．０モル％の範
囲内にあることが好ましく、これによって、誘電損失ｔ
ａｎδ、絶縁抵抗値、および焼結性が向上することが実
験により確認されている。
【００１８】すなわち、添加量が０．０５ｍｏｌ％未満
の場合には、焼成雰囲気に対する特性安定性が悪くな
り、ｔａｎδの増大、絶縁抵抗値の低下等が生じ好まし
くない。一方、添加量が４．０ｍｏｌ％を超える場合に
は、焼結性が低下するので好ましくない。
の場合には、焼成雰囲気に対する特性安定性が悪くな
り、ｔａｎδの増大、絶縁抵抗値の低下等が生じ好まし
くない。一方、添加量が４．０ｍｏｌ％を超える場合に
は、焼結性が低下するので好ましくない。
【００１９】ただし、本発明においては、このような副
成分ＢａＯの配合比の範囲以外の部分にも、誘電損失ｔ
ａｎδ、絶縁抵抗値、および焼結性が向上する配合比が
存在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配合比
も含まれる。
成分ＢａＯの配合比の範囲以外の部分にも、誘電損失ｔ
ａｎδ、絶縁抵抗値、および焼結性が向上する配合比が
存在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配合比
も含まれる。
【００２０】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分である前記ＭｎＯが、前記主成
分１００モル％に対して、０．０５〜２．０モル％の範
囲内にあることが好ましく、これによって、絶縁抵抗
値、高温負荷特性、および耐湿負荷特性が向上すること
が実験により確認されている。
においては、前記副成分である前記ＭｎＯが、前記主成
分１００モル％に対して、０．０５〜２．０モル％の範
囲内にあることが好ましく、これによって、絶縁抵抗
値、高温負荷特性、および耐湿負荷特性が向上すること
が実験により確認されている。
【００２１】すなわち、添加量が０．０５ｍｏｌ％未満
の場合には、絶縁抵抗値の低下をまねくので好ましくな
い。一方、添加量が２．０ｍｏｌ％を超える場合には、
絶縁抵抗値の若干の低下が生じ、ＭＴＴＦ（ｍｅａｎｔ
ｉｍｅ ｔｏ ｆａｉｌｕｒｅ）が短くなるので好まし
くない。
の場合には、絶縁抵抗値の低下をまねくので好ましくな
い。一方、添加量が２．０ｍｏｌ％を超える場合には、
絶縁抵抗値の若干の低下が生じ、ＭＴＴＦ（ｍｅａｎｔ
ｉｍｅ ｔｏ ｆａｉｌｕｒｅ）が短くなるので好まし
くない。
【００２２】ただし、本発明においては、このような副
成分ＭｎＯの配合比の範囲以外の部分にも、絶縁抵抗
値、高温負荷特性、および耐湿負荷特性が向上する配合
比が存在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配
合比も含まれる。
成分ＭｎＯの配合比の範囲以外の部分にも、絶縁抵抗
値、高温負荷特性、および耐湿負荷特性が向上する配合
比が存在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配
合比も含まれる。
【００２３】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分である前記ＭｇＯが、前記主成
分１００モル％に対して、０．５〜５．０モル％の範囲
内にあることが好ましく、これによって、容量の温度変
化率、誘電率、および絶縁抵抗値が向上することが実験
により確認されている。
においては、前記副成分である前記ＭｇＯが、前記主成
分１００モル％に対して、０．５〜５．０モル％の範囲
内にあることが好ましく、これによって、容量の温度変
化率、誘電率、および絶縁抵抗値が向上することが実験
により確認されている。
【００２４】すなわち、添加量が０．５モル％未満の場
合には、容量の温度変化率の曲線をフラットにする効果
に乏しく、特に低温側で（−）側に外れる傾向があると
ともに、絶縁抵抗値の向上の効果も乏しくなるので好ま
しくない。一方、添加量が５．０モル％を越える場合に
は、誘電率および絶縁抵抗値の低下が生じるので好まし
くない。
合には、容量の温度変化率の曲線をフラットにする効果
に乏しく、特に低温側で（−）側に外れる傾向があると
ともに、絶縁抵抗値の向上の効果も乏しくなるので好ま
しくない。一方、添加量が５．０モル％を越える場合に
は、誘電率および絶縁抵抗値の低下が生じるので好まし
くない。
【００２５】ただし、本発明においては、このような副
成分ＭｇＯの配合比の範囲以外の部分にも、容量の温度
変化率、誘電率、および絶縁抵抗値が向上する配合比が
存在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配合比
も含まれる。
成分ＭｇＯの配合比の範囲以外の部分にも、容量の温度
変化率、誘電率、および絶縁抵抗値が向上する配合比が
存在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配合比
も含まれる。
【００２６】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分である前記ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3
のうち少なくとも１種類が、前記主成分１００モル％に
対して、０．３〜３．０モル％の範囲内にあることが好
ましく、これによって、絶縁抵抗値、誘電率、および誘
電損失が向上することが実験により確認されている。
においては、前記副成分である前記ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3
のうち少なくとも１種類が、前記主成分１００モル％に
対して、０．３〜３．０モル％の範囲内にあることが好
ましく、これによって、絶縁抵抗値、誘電率、および誘
電損失が向上することが実験により確認されている。
【００２７】すなわち、添加量が０．３未満の場合に
は、組織の耐還元性向上の効果に乏しく、絶縁抵抗値の
低下をまねくとともに、ＭＴＴＦも短くなるので好まし
くない。一方、添加量が３．０モル％を越える場合に
は、ＮｉＯについてはＭｎＯと同様に、絶縁抵抗値が低
下し、Ａｌ2Ｏ3 については焼結性が低下するため誘電
率の低下が生じるとともに、誘電損失が大きくなるため
好ましくない。
は、組織の耐還元性向上の効果に乏しく、絶縁抵抗値の
低下をまねくとともに、ＭＴＴＦも短くなるので好まし
くない。一方、添加量が３．０モル％を越える場合に
は、ＮｉＯについてはＭｎＯと同様に、絶縁抵抗値が低
下し、Ａｌ2Ｏ3 については焼結性が低下するため誘電
率の低下が生じるとともに、誘電損失が大きくなるため
好ましくない。
【００２８】ただし、本発明においては、上記のような
副成分の配合比の範囲以外の部分にも、絶縁抵抗値、誘
電率、および誘電損失が向上する配合比が存在すれば、
所定の配合比にはこのような部分の配合比も含まれる。
副成分の配合比の範囲以外の部分にも、絶縁抵抗値、誘
電率、および誘電損失が向上する配合比が存在すれば、
所定の配合比にはこのような部分の配合比も含まれる。
【００２９】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記ＢａＴｉＯ3 の不純物として含まれる
アルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下であ
ることが好ましく、これによって、誘電率が向上するこ
とが実験により確認されている。
においては、前記ＢａＴｉＯ3 の不純物として含まれる
アルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下であ
ることが好ましく、これによって、誘電率が向上するこ
とが実験により確認されている。
【００３０】すなわち、ＢａＴｉＯ3 中のアルカリ金属
酸化物含有量が０．０４重量％を超える場合には、誘電
率の低下が生じ、実用的でなくなるので好ましくない。
酸化物含有量が０．０４重量％を超える場合には、誘電
率の低下が生じ、実用的でなくなるので好ましくない。
【００３１】ただし、本発明においては、このような不
純物のアルカリ金属酸化物含有量の範囲以外の部分に
も、誘電率が向上する含有比率があれば、含有比率には
このような部分の含有比率も含まれる。
純物のアルカリ金属酸化物含有量の範囲以外の部分に
も、誘電率が向上する含有比率があれば、含有比率には
このような部分の含有比率も含まれる。
【００３２】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、副成分として、ＢａＺｒＯ3 を所定の配合
比で含有することに特徴がある。
においては、副成分として、ＢａＺｒＯ3 を所定の配合
比で含有することに特徴がある。
【００３３】すなわち、これを所定の配合比で混合し、
その配合比を適切に選択すれば、本発明の非還元性誘電
体磁器組成物は、低酸素分圧下であっても組織が半導体
化せずに焼成することができる。また、誘電率が３００
０以上、絶縁抵抗値がＣＲ積で表した場合７０００以上
にすることができる。さらに、容量温度変化率が、２５
度の容量値を基準として、−５５度〜１２５度の広い範
囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満足させる
ことができる。さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候
性に優れており、薄層に対応することができる。
その配合比を適切に選択すれば、本発明の非還元性誘電
体磁器組成物は、低酸素分圧下であっても組織が半導体
化せずに焼成することができる。また、誘電率が３００
０以上、絶縁抵抗値がＣＲ積で表した場合７０００以上
にすることができる。さらに、容量温度変化率が、２５
度の容量値を基準として、−５５度〜１２５度の広い範
囲にわたって±１５％の範囲内にあることを満足させる
ことができる。さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候
性に優れており、薄層に対応することができる。
【００３４】従って、本発明にいう所定の配合比とは、
上記のような特性を得ることができる範囲の配合比をい
う。
上記のような特性を得ることができる範囲の配合比をい
う。
【００３５】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記ＢａＺｒＯ3 は、ＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ば
れる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、
Ｃｏ2Ｏ3 とを所定の配合比で含有した主成分１００モ
ル％に対して、０．３〜４．０モル％の範囲内にあるこ
とが好ましく、これによって、絶縁抵抗値、および容量
の温度変化率が向上することが実験により確認されてい
る。
においては、前記ＢａＺｒＯ3 は、ＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ば
れる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、
Ｃｏ2Ｏ3 とを所定の配合比で含有した主成分１００モ
ル％に対して、０．３〜４．０モル％の範囲内にあるこ
とが好ましく、これによって、絶縁抵抗値、および容量
の温度変化率が向上することが実験により確認されてい
る。
【００３６】すなわち、添加量が０．３ｍｏｌ％未満の
場合には、絶縁抵抗値の向上の効果に乏しくなるので好
ましくない。一方、添加量が４．０ｍｏｌ％を超える場
合には、絶縁抵抗値の向上には更に効果があるものの、
容量の温度変化率を示す曲線が右回転し、高温部での変
化率が（−）側に大きくなるので好ましくない。
場合には、絶縁抵抗値の向上の効果に乏しくなるので好
ましくない。一方、添加量が４．０ｍｏｌ％を超える場
合には、絶縁抵抗値の向上には更に効果があるものの、
容量の温度変化率を示す曲線が右回転し、高温部での変
化率が（−）側に大きくなるので好ましくない。
【００３７】ただし、本発明においては、このような副
成分ＢａＺｒＯ3 の配合比の範囲以外の部分にも、絶縁
抵抗値、および容量の温度変化率が向上する配合比が存
在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配合比も
含まれる。
成分ＢａＺｒＯ3 の配合比の範囲以外の部分にも、絶縁
抵抗値、および容量の温度変化率が向上する配合比が存
在すれば、所定の配合比にはこのような部分の配合比も
含まれる。
【００３８】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記酸化物ガラスは、前記主成分および前
記酸化物ガラスを除く前記副成分の合計１００重量部に
対して、０．５〜２．５重量部の範囲内にあることが好
ましく、これによって、焼結性、耐還元性、および誘電
率が向上することが実験により確認されている。
においては、前記酸化物ガラスは、前記主成分および前
記酸化物ガラスを除く前記副成分の合計１００重量部に
対して、０．５〜２．５重量部の範囲内にあることが好
ましく、これによって、焼結性、耐還元性、および誘電
率が向上することが実験により確認されている。
【００３９】すなわち、添加量が０．５重量部未満の場
合には、焼結性の低下および耐還元性向上の効果が乏し
くなるので好ましくない。一方、添加量が２．５重量部
を超える場合には、誘電率の低下が生じるので実用的で
なくなり好ましくない。
合には、焼結性の低下および耐還元性向上の効果が乏し
くなるので好ましくない。一方、添加量が２．５重量部
を超える場合には、誘電率の低下が生じるので実用的で
なくなり好ましくない。
【００４０】ただし、本発明においては、このような酸
化物ガラスの配合比の範囲以外の部分にも、焼結性、耐
還元性、および誘電率が向上する配合比が存在すれば、
所定の配合比にはこのような部分の配合比も含まれる。
化物ガラスの配合比の範囲以外の部分にも、焼結性、耐
還元性、および誘電率が向上する配合比が存在すれば、
所定の配合比にはこのような部分の配合比も含まれる。
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】
【実施例】以下、本発明の非還元性誘電体磁器組成物の
実施例について説明する。 （実施例１）出発原料として、不純物として含まれるア
ルカリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 と、希
土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）であるＴｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈ
ｏ2Ｏ3、およびＥｒ2Ｏ3 と、Ｃｏ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、Ｍ
ｎＣＯ3、ＭｇＯ、ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、および酸化物ガ
ラスとを準備した。これらの原料を表１および表２に示
す組成割合となるように秤量して秤量物を得た。
実施例について説明する。 （実施例１）出発原料として、不純物として含まれるア
ルカリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴｉＯ3 と、希
土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）であるＴｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈ
ｏ2Ｏ3、およびＥｒ2Ｏ3 と、Ｃｏ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、Ｍ
ｎＣＯ3、ＭｇＯ、ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、および酸化物ガ
ラスとを準備した。これらの原料を表１および表２に示
す組成割合となるように秤量して秤量物を得た。
【００４５】なお、アルカリ金属酸化物の含有量が０．
０３重量％のＢａＴｉＯ3 を基本的に使用しているが、
試料番号３４については、アルカリ金属酸化物の含有量
が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３
５については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０７
重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
０３重量％のＢａＴｉＯ3 を基本的に使用しているが、
試料番号３４については、アルカリ金属酸化物の含有量
が０．０５重量％のＢａＴｉＯ3 を使用し、試料番号３
５については、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０７
重量％のＢａＴｉＯ3 を使用した。
【００４６】
【表１】
【００４７】
【表２】
【００４８】ここで、酸化物ガラスについては次のよう
に調整した。まず、原料である Ｌｉ2Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 を準備した。これらの原料
を表３、および表４に示す組成割合となるよう秤量し、
秤量物を得た。得られた秤量物に純水を添加し、ＰＳＺ
ボールを用いたボールミルにより混合・分散した。次
に、純水を蒸発・乾燥した後、混合粉末を白金ルツボに
入れ、ガラス溶融炉にて１４００℃で１５分間加熱し
た。溶融した融液を炉内より取り出し、氷水中に急冷す
ることにより塊状ガラスを得た。この塊状ガラスを乳鉢
にて粗粉砕した後、分散媒とともにＰＳＺを用いたボー
ルミルにより十分湿式粉砕した。最後に、分散媒を蒸発
・乾燥することによりガラス粉末を得た。
に調整した。まず、原料である Ｌｉ2Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 を準備した。これらの原料
を表３、および表４に示す組成割合となるよう秤量し、
秤量物を得た。得られた秤量物に純水を添加し、ＰＳＺ
ボールを用いたボールミルにより混合・分散した。次
に、純水を蒸発・乾燥した後、混合粉末を白金ルツボに
入れ、ガラス溶融炉にて１４００℃で１５分間加熱し
た。溶融した融液を炉内より取り出し、氷水中に急冷す
ることにより塊状ガラスを得た。この塊状ガラスを乳鉢
にて粗粉砕した後、分散媒とともにＰＳＺを用いたボー
ルミルにより十分湿式粉砕した。最後に、分散媒を蒸発
・乾燥することによりガラス粉末を得た。
【００４９】
【表３】
【００５０】
【表４】
【００５１】このようにして作製された酸化物ガラス
は、Ｌｉ2Ｏと（ＳｉXＴｉ1-X）Ｏ2とＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2 のうち少なくとも１種類とを含んでいる。これらのモ
ル％は図１に示すように、（Ｌｉ2Ｏ，（ＳｉXＴ
ｉ1-X）Ｏ2，Ｍ）（ただし、Ｍ：Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2の
うち少なくとも１種類を示す。また、Ｘ：０．３０≦Ｘ
≦１．００である。）の３成分組成図において表され
る。
は、Ｌｉ2Ｏと（ＳｉXＴｉ1-X）Ｏ2とＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2 のうち少なくとも１種類とを含んでいる。これらのモ
ル％は図１に示すように、（Ｌｉ2Ｏ，（ＳｉXＴ
ｉ1-X）Ｏ2，Ｍ）（ただし、Ｍ：Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2の
うち少なくとも１種類を示す。また、Ｘ：０．３０≦Ｘ
≦１．００である。）の３成分組成図において表され
る。
【００５２】なお、図１中、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、
点Ｅ、点Ｆは、それぞれＡ（２０，８０，０）、Ｂ（１
０，８０，１０）、Ｃ（１０，７０，２０）、Ｄ（３
５，４５，２０）、Ｅ（４５，４５，１０）、Ｆ（４
５，５５，０）であり、図１中の斜線で囲まれた領域が
本発明の範囲内である。
点Ｅ、点Ｆは、それぞれＡ（２０，８０，０）、Ｂ（１
０，８０，１０）、Ｃ（１０，７０，２０）、Ｄ（３
５，４５，２０）、Ｅ（４５，４５，１０）、Ｆ（４
５，５５，０）であり、図１中の斜線で囲まれた領域が
本発明の範囲内である。
【００５３】このようにして得られた秤量物に、分散媒
とともにＰＳＺボールを用いたボールミルで混合・分散
することにより原料スラリーを調製した。このスラリー
に、有機系バインダー、可塑剤を添加し十分撹拌した
後、ドクターブレード法によってシート成形して、セラ
ミックグリーンシートを得た。この時のセラミックグリ
ーンシート厚みは１２μｍであった。
とともにＰＳＺボールを用いたボールミルで混合・分散
することにより原料スラリーを調製した。このスラリー
に、有機系バインダー、可塑剤を添加し十分撹拌した
後、ドクターブレード法によってシート成形して、セラ
ミックグリーンシートを得た。この時のセラミックグリ
ーンシート厚みは１２μｍであった。
【００５４】次いで、上記のようにして得られたセラミ
ックグリーンシートの一面に、内部電極形成用Ｎｉ導電
ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後複数枚のセラミッ
クグリーンシートを交互に積層したのち、厚み方向に圧
着することにより積層体を得た。この積層体から切り出
すことでセラミック生ユニットを得た。このセラミック
生ユニットを、空気中において３２０℃、５時間保持の
条件で脱バインダーを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスの
体積比率が３／１００の還元雰囲気ガス気流中におい
て、表５、および表６中に示す温度で２時間焼成するこ
とにより焼結体を得た。焼成後のユニットの誘電体素子
厚は、８μｍであった。
ックグリーンシートの一面に、内部電極形成用Ｎｉ導電
ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後複数枚のセラミッ
クグリーンシートを交互に積層したのち、厚み方向に圧
着することにより積層体を得た。この積層体から切り出
すことでセラミック生ユニットを得た。このセラミック
生ユニットを、空気中において３２０℃、５時間保持の
条件で脱バインダーを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスの
体積比率が３／１００の還元雰囲気ガス気流中におい
て、表５、および表６中に示す温度で２時間焼成するこ
とにより焼結体を得た。焼成後のユニットの誘電体素子
厚は、８μｍであった。
【００５５】
【表５】
【００５６】
【表６】
【００５７】得られた焼結体の両端面に外部電極形成用
銀ペーストを塗布し、空気中で焼き付けることにより、
銀電極を形成して積層セラミックコンデンサとした。そ
して、この積層セラミックコンデンサの室温における誘
電率ε25、誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗値（ｌｏｇＩ
Ｒ）、容量の温度変化率（ＴＣＣ）について測定すると
ともに、耐候性能評価として、高温負荷試験、耐湿負荷
試験について測定した。その結果を表５、および表６に
まとめて示す。なお、測定に供したサンプル数は、いず
れの項目についてもｎ＝３６個である。
銀ペーストを塗布し、空気中で焼き付けることにより、
銀電極を形成して積層セラミックコンデンサとした。そ
して、この積層セラミックコンデンサの室温における誘
電率ε25、誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗値（ｌｏｇＩ
Ｒ）、容量の温度変化率（ＴＣＣ）について測定すると
ともに、耐候性能評価として、高温負荷試験、耐湿負荷
試験について測定した。その結果を表５、および表６に
まとめて示す。なお、測定に供したサンプル数は、いず
れの項目についてもｎ＝３６個である。
【００５８】ここで、誘電率ε25、誘電損失ｔａｎδに
ついては、温度２５℃、周波数１ＫＨｚ、交流電圧１Ｖ
の条件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度
２５℃において直流電圧１６Ｖを２分間電圧印加して測
定し、その結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。
さらに、容量の温度変化率（ＴＣＣ）については、２５
℃の静電容量値を基準とした時の−５５℃、１２５℃そ
れぞれにおける容量の変化率（ΔＣ-55／Ｃ25，ΔＣ125
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の間において、容量
の温度変化率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変
化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max）について示す。
ついては、温度２５℃、周波数１ＫＨｚ、交流電圧１Ｖ
の条件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度
２５℃において直流電圧１６Ｖを２分間電圧印加して測
定し、その結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。
さらに、容量の温度変化率（ＴＣＣ）については、２５
℃の静電容量値を基準とした時の−５５℃、１２５℃そ
れぞれにおける容量の変化率（ΔＣ-55／Ｃ25，ΔＣ125
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の間において、容量
の温度変化率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変
化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max）について示す。
【００５９】また、耐候性能評価に関して、高温負荷試
験については、温度１７５℃において直流電圧６４Ｖ印
加後、５００時間経過後に不良発生した個数について示
す。（なお、５００時間経過以前に、全数不良に至った
場合はＭＴＴＦを示している。）また、耐湿負荷試験に
ついては、温度１２１℃、湿度１００％において直流電
圧１６Ｖ印加後、２５０時間経過後に不良発生した個数
について同様に示す。（この場合も同様に、２５０時間
経過以前に全数不良に至った場合はＭＴＴＦを示してい
る。） 表５、および表６より明らかなように、本発明の効果は
顕著であり、本発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物
を用いた薄層積層セラミックコンデンサは、Ｐｄ等を内
部電極に用いた従来品と比較して、遜色ない特性を示し
ていることがわかる。
験については、温度１７５℃において直流電圧６４Ｖ印
加後、５００時間経過後に不良発生した個数について示
す。（なお、５００時間経過以前に、全数不良に至った
場合はＭＴＴＦを示している。）また、耐湿負荷試験に
ついては、温度１２１℃、湿度１００％において直流電
圧１６Ｖ印加後、２５０時間経過後に不良発生した個数
について同様に示す。（この場合も同様に、２５０時間
経過以前に全数不良に至った場合はＭＴＴＦを示してい
る。） 表５、および表６より明らかなように、本発明の効果は
顕著であり、本発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物
を用いた薄層積層セラミックコンデンサは、Ｐｄ等を内
部電極に用いた従来品と比較して、遜色ない特性を示し
ていることがわかる。
【００６０】ここで、本実施例において、試料番号に＊
を付したものは、本発明にいう所定の配合比とは異なる
ものであって、本発明の範囲外となる。
を付したものは、本発明にいう所定の配合比とは異なる
ものであって、本発明の範囲外となる。
【００６１】以下、＊を付したそれぞれの試料について
説明する。まず、試料番号４については、ＢａＴｉＯ3
の構成比率が９０．０モル％であるため、希土類酸化物
およびＣｏ2Ｏ3 の構成比率が多くなり、絶縁抵抗値お
よび誘電率の低下が生じてしまう。
説明する。まず、試料番号４については、ＢａＴｉＯ3
の構成比率が９０．０モル％であるため、希土類酸化物
およびＣｏ2Ｏ3 の構成比率が多くなり、絶縁抵抗値お
よび誘電率の低下が生じてしまう。
【００６２】また、試料番号３については、ＢａＴｉＯ
3 の構成比率が９９．６モル％であるため、希土類酸化
物およびＣｏ2Ｏ3 の添加の効果がなく、キュリー点付
近の高温部での容量温度変化率が大きく（＋）側にはず
れてしまう。
3 の構成比率が９９．６モル％であるため、希土類酸化
物およびＣｏ2Ｏ3 の添加の効果がなく、キュリー点付
近の高温部での容量温度変化率が大きく（＋）側にはず
れてしまう。
【００６３】また、試料番号９については、ＢａＯの添
加量が０．０３モル％であるため、焼成雰囲気に対する
特性安定性が悪くなり、ｔａｎδの増大、絶縁抵抗値の
低下等が生じてしまう。
加量が０．０３モル％であるため、焼成雰囲気に対する
特性安定性が悪くなり、ｔａｎδの増大、絶縁抵抗値の
低下等が生じてしまう。
【００６４】また、試料番号１２については、ＢａＯの
添加量が５．０モル％であるために焼結性が低下してし
まう。
添加量が５．０モル％であるために焼結性が低下してし
まう。
【００６５】また、試料番号１７については、ＭｎＯの
添加量が０．０３モル％であるために絶縁抵抗値の低下
をまねいてしまう。
添加量が０．０３モル％であるために絶縁抵抗値の低下
をまねいてしまう。
【００６６】また、試料番号１５については、ＭｎＯの
添加量が２．５モル％であるため、絶縁抵抗値の若干の
低下が生じ、ＭＴＴＦが短くなってしまう。
添加量が２．５モル％であるため、絶縁抵抗値の若干の
低下が生じ、ＭＴＴＦが短くなってしまう。
【００６７】また、試料番号２４および２５について
は、ＭｇＯの添加量がそれぞれ０．２モル％、０．４モ
ル％であるため、容量の温度変化率の曲線をフラットに
する効果に乏しく、特に低温側で（−）側に外れる傾向
があるとともに、絶縁抵抗値の向上の効果も乏しくなっ
てしまう。
は、ＭｇＯの添加量がそれぞれ０．２モル％、０．４モ
ル％であるため、容量の温度変化率の曲線をフラットに
する効果に乏しく、特に低温側で（−）側に外れる傾向
があるとともに、絶縁抵抗値の向上の効果も乏しくなっ
てしまう。
【００６８】また、試料番号２９については、ＭｇＯの
添加量が６．０モル％であるために誘電率および絶縁抵
抗値の低下が生じてしまう。
添加量が６．０モル％であるために誘電率および絶縁抵
抗値の低下が生じてしまう。
【００６９】また、試料番号１８については、ＮｉＯの
添加量が０．２モル％であるため、組織の耐還元性向上
の効果に乏しく、絶縁抵抗値の低下をまねくとともに、
ＭＴＴＦも短くなってしまう。
添加量が０．２モル％であるため、組織の耐還元性向上
の効果に乏しく、絶縁抵抗値の低下をまねくとともに、
ＭＴＴＦも短くなってしまう。
【００７０】また、試料番号２１については、ＮｉＯの
添加量が３．５モル％であるために絶縁抵抗値が低下し
てしまう。
添加量が３．５モル％であるために絶縁抵抗値が低下し
てしまう。
【００７１】また、試料番号２２については、Ａｌ2Ｏ3
の添加量が３．５モル％であるため、焼結性が低下す
るため誘電率が低下が生じるとともに、誘電損失が大き
くなってしまう。
の添加量が３．５モル％であるため、焼結性が低下す
るため誘電率が低下が生じるとともに、誘電損失が大き
くなってしまう。
【００７２】また、試料番号３４および３５について
は、ＢａＴｉＯ3 中に不純物として含まれるアルカリ金
属酸化物の含有量がそれぞれ０．０５重量％、０．０７
重量％であるため、誘電率の低下が生じてしまう。
は、ＢａＴｉＯ3 中に不純物として含まれるアルカリ金
属酸化物の含有量がそれぞれ０．０５重量％、０．０７
重量％であるため、誘電率の低下が生じてしまう。
【００７３】また、試料番号３３については、酸化物ガ
ラスの添加量が０．３重量％であるために焼結性の低下
および耐還元性の向上に効果がなくなってしまう。
ラスの添加量が０．３重量％であるために焼結性の低下
および耐還元性の向上に効果がなくなってしまう。
【００７４】また、試料番号３１については、酸化物ガ
ラスの添加量が３．０重量％であるために誘電率の低下
が生じてしまう。
ラスの添加量が３．０重量％であるために誘電率の低下
が生じてしまう。
【００７５】また、試料番号３７〜４１については、図
１に示す３成分組成図中におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、
Ｆからなる６点を結ぶ６角形の辺上および内部の領域外
であるため、氷水中に急冷してもガラスとならず失透す
る部位が多いため、焼結性が低下してしまう。
１に示す３成分組成図中におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、
Ｆからなる６点を結ぶ６角形の辺上および内部の領域外
であるため、氷水中に急冷してもガラスとならず失透す
る部位が多いため、焼結性が低下してしまう。
【００７６】また、試料番号４３および４５について
は、上記６角形の辺上および内部のガラス化範囲内にあ
っても、点Ｆ−Ａ上の組成、かつＸ＝１．００であるた
め、高温、高湿下における特性劣化が大きくなってしま
う。
は、上記６角形の辺上および内部のガラス化範囲内にあ
っても、点Ｆ−Ａ上の組成、かつＸ＝１．００であるた
め、高温、高湿下における特性劣化が大きくなってしま
う。
【００７７】また、試料番号３６については、Ｘの値が
０．２０であるため、上記と同様にガラスとならず失透
する部位が多いため、焼結性が低下してしまう。
０．２０であるため、上記と同様にガラスとならず失透
する部位が多いため、焼結性が低下してしまう。
【００７８】ところで、本発明は、上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
【００７９】例えば、上記に示した特性を損なわない範
囲で、必要に応じて各種成分を副添加物として添加する
ことも可能である。
囲で、必要に応じて各種成分を副添加物として添加する
ことも可能である。
【００８０】（実施例２）出発原料として、不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴ
ｉＯ3 と、希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）であるＴｂ2Ｏ3、
Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、およびＥｒ2Ｏ3 と、Ｃｏ2Ｏ3、
ＢａＣＯ3、ＭｎＣＯ3、ＭｇＯ、ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ
ａＺｒＯ3 および酸化物ガラスとを準備した。これらの
原料を表７に示す組成割合となるように秤量して秤量物
を得た。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が異なるＢａＴ
ｉＯ3 と、希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）であるＴｂ2Ｏ3、
Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、およびＥｒ2Ｏ3 と、Ｃｏ2Ｏ3、
ＢａＣＯ3、ＭｎＣＯ3、ＭｇＯ、ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ
ａＺｒＯ3 および酸化物ガラスとを準備した。これらの
原料を表７に示す組成割合となるように秤量して秤量物
を得た。
【００８１】なお、アルカリ金属酸化物の含有量が０．
０３重量％のＢａＴｉＯ3 を基本的に使用している。
０３重量％のＢａＴｉＯ3 を基本的に使用している。
【００８２】
【表７】
【００８３】
【００８４】ここで、酸化物ガラスについては次のよう
に調整した。まず、原料である Ｌｉ2Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 を準備した。これらの原料
を表９に示す組成割合となるよう秤量し、秤量物を得
た。得られた秤量物に純水を添加し、ＰＳＺボールを用
いたボールミルにより混合・分散した。次に、純水を蒸
発・乾燥した後、混合粉末を白金ルツボに入れ、ガラス
溶融炉にて１４００℃で１５分間加熱した。溶融した融
液を炉内より取り出し、氷水中に急冷することにより塊
状ガラスを得た。この塊状ガラスを乳鉢にて粗粉砕した
後、分散媒とともにＰＳＺを用いたボールミルにより十
分湿式粉砕した。最後に、分散媒を蒸発・乾燥すること
によりガラス粉末を得た。
に調整した。まず、原料である Ｌｉ2Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 を準備した。これらの原料
を表９に示す組成割合となるよう秤量し、秤量物を得
た。得られた秤量物に純水を添加し、ＰＳＺボールを用
いたボールミルにより混合・分散した。次に、純水を蒸
発・乾燥した後、混合粉末を白金ルツボに入れ、ガラス
溶融炉にて１４００℃で１５分間加熱した。溶融した融
液を炉内より取り出し、氷水中に急冷することにより塊
状ガラスを得た。この塊状ガラスを乳鉢にて粗粉砕した
後、分散媒とともにＰＳＺを用いたボールミルにより十
分湿式粉砕した。最後に、分散媒を蒸発・乾燥すること
によりガラス粉末を得た。
【００８５】
【表９】
【００８６】
【００８７】このようにして作製された酸化物ガラス
は、Ｌｉ2Ｏと（ＳｉXＴｉ1-X）Ｏ2とＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2 のうち少なくとも１種類とを含んでいる。これらのモ
ル％は図１に示すように、（Ｌｉ2Ｏ，（ＳｉXＴ
ｉ1-X）Ｏ2，Ｍ）（ただし、Ｍ：Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2の
うち少なくとも１種類を示す。また、Ｘ：０．３０≦Ｘ
≦１．００である。）の３成分組成図において表され
る。
は、Ｌｉ2Ｏと（ＳｉXＴｉ1-X）Ｏ2とＡｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2 のうち少なくとも１種類とを含んでいる。これらのモ
ル％は図１に示すように、（Ｌｉ2Ｏ，（ＳｉXＴ
ｉ1-X）Ｏ2，Ｍ）（ただし、Ｍ：Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2の
うち少なくとも１種類を示す。また、Ｘ：０．３０≦Ｘ
≦１．００である。）の３成分組成図において表され
る。
【００８８】なお、図１中、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、
点Ｅ、点Ｆは、それぞれＡ（２０，８０，０）、Ｂ（１
０，８０，１０）、Ｃ（１０，７０，２０）、Ｄ（３
５，４５，２０）、Ｅ（４５，４５，１０）、Ｆ（４
５，５５，０）である。
点Ｅ、点Ｆは、それぞれＡ（２０，８０，０）、Ｂ（１
０，８０，１０）、Ｃ（１０，７０，２０）、Ｄ（３
５，４５，２０）、Ｅ（４５，４５，１０）、Ｆ（４
５，５５，０）である。
【００８９】次いで、上記のようにして得られたセラミ
ックグリーンシートの一面に、内部電極形成用Ｎｉ導電
ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後複数枚のセラミッ
クグリーンシートを交互に積層したのち、厚み方向に圧
着することにより積層体を得た。この積層体から切り出
すことでセラミック生ユニットを得た。このセラミック
生ユニットを、空気中において３２０℃、５時間保持の
条件で脱バインダーを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスの
体積比率が３／１００の還元雰囲気ガス気流中におい
て、表１１中に示す温度で２時間焼成することにより焼
結体を得た。焼成後のユニットの誘電体素子厚は、８μ
ｍであった。
ックグリーンシートの一面に、内部電極形成用Ｎｉ導電
ペーストをスクリーン印刷し、乾燥後複数枚のセラミッ
クグリーンシートを交互に積層したのち、厚み方向に圧
着することにより積層体を得た。この積層体から切り出
すことでセラミック生ユニットを得た。このセラミック
生ユニットを、空気中において３２０℃、５時間保持の
条件で脱バインダーを行った後、Ｈ2 ／Ｎ2 混合ガスの
体積比率が３／１００の還元雰囲気ガス気流中におい
て、表１１中に示す温度で２時間焼成することにより焼
結体を得た。焼成後のユニットの誘電体素子厚は、８μ
ｍであった。
【００９０】
【表１１】
【００９１】
【００９２】得られた焼結体の両端面に外部電極形成用
銀ペーストを塗布し、空気中で焼き付けることにより、
銀電極を形成して積層セラミックコンデンサとした。そ
して、この積層セラミックコンデンサの室温における誘
電率ε25、誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗値（ｌｏｇＩ
Ｒ）、容量の温度変化率（ＴＣＣ）について測定すると
ともに、耐候性能評価として、高温負荷試験、耐湿負荷
試験について測定した。その結果を表１１にまとめて示
す。なお、測定に供したサンプル数は、いずれの項目に
ついてもｎ＝３６個である。
銀ペーストを塗布し、空気中で焼き付けることにより、
銀電極を形成して積層セラミックコンデンサとした。そ
して、この積層セラミックコンデンサの室温における誘
電率ε25、誘電損失ｔａｎδ、絶縁抵抗値（ｌｏｇＩ
Ｒ）、容量の温度変化率（ＴＣＣ）について測定すると
ともに、耐候性能評価として、高温負荷試験、耐湿負荷
試験について測定した。その結果を表１１にまとめて示
す。なお、測定に供したサンプル数は、いずれの項目に
ついてもｎ＝３６個である。
【００９３】ここで、誘電率ε25、誘電損失ｔａｎδに
ついては、温度２５℃、周波数１ＫＨｚ、交流電圧１Ｖ
の条件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度
２５℃において直流電圧１６Ｖを２分間電圧印加して測
定し、その結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。
さらに、容量の温度変化率（ＴＣＣ）については、２５
℃の静電容量値を基準とした時の−５５℃、１２５℃そ
れぞれにおける容量の変化率（ΔＣ-55／Ｃ25，ΔＣ125
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の間において、容量
の温度変化率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変
化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max）について示す。
ついては、温度２５℃、周波数１ＫＨｚ、交流電圧１Ｖ
の条件で測定した。また、絶縁抵抗値については、温度
２５℃において直流電圧１６Ｖを２分間電圧印加して測
定し、その結果を静電容量値との積（ＣＲ積）で示す。
さらに、容量の温度変化率（ＴＣＣ）については、２５
℃の静電容量値を基準とした時の−５５℃、１２５℃そ
れぞれにおける容量の変化率（ΔＣ-55／Ｃ25，ΔＣ125
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の間において、容量
の温度変化率が最大である値の絶対値、いわゆる最大変
化率（｜ΔＣ／Ｃ25｜max）について示す。
【００９４】また、耐候性能評価に関して、高温負荷試
験については、温度１７５℃において直流電圧６４Ｖ印
加後、５００時間経過後に不良発生した個数について示
す。（なお、５００時間経過以前に、全数不良に至った
場合はＭＴＴＦを示している。）また、耐湿負荷試験に
ついては、温度１２１℃、湿度１００％において直流電
圧１６Ｖ印加後、２５０時間経過後に不良発生した個数
について同様に示す。（この場合も同様に、２５０時間
経過以前に全数不良に至った場合はＭＴＴＦを示してい
る。）表１１より明らかなように、本発明の効果は顕著
であり、本発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物を用
いた薄層積層セラミックコンデンサは、Ｐｄ等を内部電
極に用いた従来品と比較して、遜色ない特性を示してい
ることがわかる。
験については、温度１７５℃において直流電圧６４Ｖ印
加後、５００時間経過後に不良発生した個数について示
す。（なお、５００時間経過以前に、全数不良に至った
場合はＭＴＴＦを示している。）また、耐湿負荷試験に
ついては、温度１２１℃、湿度１００％において直流電
圧１６Ｖ印加後、２５０時間経過後に不良発生した個数
について同様に示す。（この場合も同様に、２５０時間
経過以前に全数不良に至った場合はＭＴＴＦを示してい
る。）表１１より明らかなように、本発明の効果は顕著
であり、本発明にかかる非還元性誘電体磁器組成物を用
いた薄層積層セラミックコンデンサは、Ｐｄ等を内部電
極に用いた従来品と比較して、遜色ない特性を示してい
ることがわかる。
【００９５】ここで、本実施例において、試料番号に＊
を付したものは、本発明にいう所定の配合比とは異なる
ものであって、本発明の範囲外となる。
を付したものは、本発明にいう所定の配合比とは異なる
ものであって、本発明の範囲外となる。
【００９６】以下、＊を付したそれぞれの試料について
説明する。まず、試料番号４については、ＢａＴｉＯ3
の構成比率が９０．０モル％であるため、希土類酸化物
およびＣｏ2Ｏ3 の構成比率が多くなり、絶縁抵抗値お
よび誘電率の低下が生じてしまう。
説明する。まず、試料番号４については、ＢａＴｉＯ3
の構成比率が９０．０モル％であるため、希土類酸化物
およびＣｏ2Ｏ3 の構成比率が多くなり、絶縁抵抗値お
よび誘電率の低下が生じてしまう。
【００９７】また、試料番号３については、ＢａＴｉＯ
3 の構成比率が９９．６モル％であるため、希土類酸化
物およびＣｏ2Ｏ3 の添加の効果がなく、キュリー点付
近の高温部での容量温度変化率が大きく（＋）側にはず
れてしまう。
3 の構成比率が９９．６モル％であるため、希土類酸化
物およびＣｏ2Ｏ3 の添加の効果がなく、キュリー点付
近の高温部での容量温度変化率が大きく（＋）側にはず
れてしまう。
【００９８】また、試料番号９については、ＢａＯの添
加量が０．０３モル％であるため、焼成雰囲気に対する
特性安定性が悪くなり、ｔａｎδの増大、絶縁抵抗値の
低下等が生じてしまう。
加量が０．０３モル％であるため、焼成雰囲気に対する
特性安定性が悪くなり、ｔａｎδの増大、絶縁抵抗値の
低下等が生じてしまう。
【００９９】また、試料番号１２については、ＢａＯの
添加量が５．０モル％であるために焼結性が低下してし
まう。
添加量が５．０モル％であるために焼結性が低下してし
まう。
【０１００】また、試料番号１７については、ＭｎＯの
添加量が０．０３モル％であるために絶縁抵抗値の低下
をまねいてしまう。
添加量が０．０３モル％であるために絶縁抵抗値の低下
をまねいてしまう。
【０１０１】また、試料番号１５については、ＭｎＯの
添加量が２．５モル％であるため、絶縁抵抗値の若干の
低下が生じ、ＭＴＴＦが短くなってしまう。
添加量が２．５モル％であるため、絶縁抵抗値の若干の
低下が生じ、ＭＴＴＦが短くなってしまう。
【０１０２】また、試料番号２４および２５について
は、ＭｇＯの添加量がそれぞれ０．２モル％、０．４モ
ル％であるため、容量の温度変化率の曲線をフラットに
する効果に乏しく、特に低温側で（−）側に外れる傾向
があるとともに、絶縁抵抗値の向上の効果も乏しくなっ
てしまう。
は、ＭｇＯの添加量がそれぞれ０．２モル％、０．４モ
ル％であるため、容量の温度変化率の曲線をフラットに
する効果に乏しく、特に低温側で（−）側に外れる傾向
があるとともに、絶縁抵抗値の向上の効果も乏しくなっ
てしまう。
【０１０３】また、試料番号２９については、ＭｇＯの
添加量が６．０モル％であるために誘電率および絶縁抵
抗値の低下が生じてしまう。
添加量が６．０モル％であるために誘電率および絶縁抵
抗値の低下が生じてしまう。
【０１０４】また、試料番号１８については、ＮｉＯの
添加量が０．２モル％であるため、組織の耐還元性向上
の効果に乏しく、絶縁抵抗値の低下をまねくとともに、
ＭＴＴＦも短くなってしまう。
添加量が０．２モル％であるため、組織の耐還元性向上
の効果に乏しく、絶縁抵抗値の低下をまねくとともに、
ＭＴＴＦも短くなってしまう。
【０１０５】また、試料番号２１については、ＮｉＯの
添加量が３．５モル％であるために絶縁抵抗値が低下し
てしまう。
添加量が３．５モル％であるために絶縁抵抗値が低下し
てしまう。
【０１０６】また、試料番号２２については、Ａｌ2Ｏ3
の添加量が３．５モル％であるため、焼結性が低下す
るため誘電率が低下が生じるとともに、誘電損失が大き
くなってしまう。
の添加量が３．５モル％であるため、焼結性が低下す
るため誘電率が低下が生じるとともに、誘電損失が大き
くなってしまう。
【０１０７】
【０１０８】
【０１０９】
【０１１０】
【０１１１】
【０１１２】
【０１１３】
【０１１４】
【０１１５】ところで、本発明は、上記実施例に限定さ
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
れるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲にお
ける変更が可能である。
【０１１６】例えば、上記に示した特性を損なわない範
囲で、必要に応じて各種成分を副添加物として添加する
ことも可能である。
囲で、必要に応じて各種成分を副添加物として添加する
ことも可能である。
【０１１７】
【発明の効果】本発明の非還元性誘電体磁器組成物は、
中性または還元性の雰囲気において１２６０〜１３００
℃の温度で焼成しても組織が還元されて半導体化するこ
とがない。さらに、この非還元性誘電体磁器組成物は、
３０００以上の高い誘電率を示し、絶縁抵抗値が静電容
量との積（ＣＲ積）で示した場合、６０００以上を示す
とともに、容量温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ
７Ｒ特性を満足し、さらに焼結性の向上と、高温、高湿
下での特性劣化もない優れた特性を示す。
中性または還元性の雰囲気において１２６０〜１３００
℃の温度で焼成しても組織が還元されて半導体化するこ
とがない。さらに、この非還元性誘電体磁器組成物は、
３０００以上の高い誘電率を示し、絶縁抵抗値が静電容
量との積（ＣＲ積）で示した場合、６０００以上を示す
とともに、容量温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ
７Ｒ特性を満足し、さらに焼結性の向上と、高温、高湿
下での特性劣化もない優れた特性を示す。
【０１１８】従って、本発明にかかる非還元性誘電体磁
器組成物を積層コンデンサの誘電体材料として用いる場
合、内部電極材料としてＮｉ等で代表される卑金属を用
いることができる。そのため、従来のＰｄ等の貴金属を
用いたものと比較して、高温負荷、室温負荷特性等の耐
候性能を含めた全ての特性を落とすことがなく、大幅な
コストダウンを行うことが可能となる。
器組成物を積層コンデンサの誘電体材料として用いる場
合、内部電極材料としてＮｉ等で代表される卑金属を用
いることができる。そのため、従来のＰｄ等の貴金属を
用いたものと比較して、高温負荷、室温負荷特性等の耐
候性能を含めた全ての特性を落とすことがなく、大幅な
コストダウンを行うことが可能となる。
【０１１９】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記主成分が、前記ＢａＴｉＯ3 と前記希
土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と前記Ｃｏ2Ｏ3との配合比が、
前記主成分１００モル％のうち、ＢａＴｉＯ3 ９２．０
〜９９．４モル％、Ｒｅ2Ｏ3０．３〜４．０モル％、お
よびＣｏ2Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、の範囲内にある
ことが好ましく、これによって、絶縁抵抗値および誘電
率を向上させることが可能である。
においては、前記主成分が、前記ＢａＴｉＯ3 と前記希
土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と前記Ｃｏ2Ｏ3との配合比が、
前記主成分１００モル％のうち、ＢａＴｉＯ3 ９２．０
〜９９．４モル％、Ｒｅ2Ｏ3０．３〜４．０モル％、お
よびＣｏ2Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、の範囲内にある
ことが好ましく、これによって、絶縁抵抗値および誘電
率を向上させることが可能である。
【０１２０】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分の前記ＢａＯが、前記主成分１
００モル％に対して、０．０５〜４．０モル％の範囲内
にあることが好ましく、これによって、誘電損失ｔａｎ
δ、絶縁抵抗値、および焼結性を向上させることが可能
である。
においては、前記副成分の前記ＢａＯが、前記主成分１
００モル％に対して、０．０５〜４．０モル％の範囲内
にあることが好ましく、これによって、誘電損失ｔａｎ
δ、絶縁抵抗値、および焼結性を向上させることが可能
である。
【０１２１】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分の前記ＭｎＯが、前記主成分１
００モル％に対して、０．０５〜２．０モル％の範囲内
にあることが好ましく、これによって、絶縁抵抗値、高
温負荷特性、および耐湿負荷特性を向上させることが可
能である。
においては、前記副成分の前記ＭｎＯが、前記主成分１
００モル％に対して、０．０５〜２．０モル％の範囲内
にあることが好ましく、これによって、絶縁抵抗値、高
温負荷特性、および耐湿負荷特性を向上させることが可
能である。
【０１２２】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分の前記ＭｇＯが、前記主成分１
００モル％に対して、０．５〜５．０モル％の範囲内に
あることが好ましく、これによって、容量の温度変化
率、誘電率、および絶縁抵抗値を向上させることが可能
である。
においては、前記副成分の前記ＭｇＯが、前記主成分１
００モル％に対して、０．５〜５．０モル％の範囲内に
あることが好ましく、これによって、容量の温度変化
率、誘電率、および絶縁抵抗値を向上させることが可能
である。
【０１２３】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記副成分の前記ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3のうち
少なくとも１種類が、前記主成分１００モル％に対し
て、０．３〜３．０モル％の範囲内にあることが好まし
く、これによって、絶縁抵抗値、誘電率、および誘電損
失を向上させることが可能である。
においては、前記副成分の前記ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3のうち
少なくとも１種類が、前記主成分１００モル％に対し
て、０．３〜３．０モル％の範囲内にあることが好まし
く、これによって、絶縁抵抗値、誘電率、および誘電損
失を向上させることが可能である。
【０１２４】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記ＢａＴｉＯ3 が、不純物として含まれ
るアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下で
あることが好ましく、これによって、誘電率を向上させ
ることが可能である。
においては、前記ＢａＴｉＯ3 が、不純物として含まれ
るアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下で
あることが好ましく、これによって、誘電率を向上させ
ることが可能である。
【０１２５】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、副成分として、ＢａＺｒＯ3 を所定の配合
比で含有することに特徴がある。
においては、副成分として、ＢａＺｒＯ3 を所定の配合
比で含有することに特徴がある。
【０１２６】これにより、中性または還元性の雰囲気に
おいて１２６０〜１３００℃の温度で焼成しても組織が
還元されて半導体化することがない。さらに、この非還
元性誘電体磁器組成物は、３０００以上の高い誘電率を
示し、絶縁抵抗値が静電容量との積（ＣＲ積）で示した
場合７０００以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、容
量温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性を満
足し、さらに高温・高湿下での特性劣化もない優れた特
性を示す。
おいて１２６０〜１３００℃の温度で焼成しても組織が
還元されて半導体化することがない。さらに、この非還
元性誘電体磁器組成物は、３０００以上の高い誘電率を
示し、絶縁抵抗値が静電容量との積（ＣＲ積）で示した
場合７０００以上の高い絶縁抵抗値を示すとともに、容
量温度変化率もＥＩＡに規定されているＸ７Ｒ特性を満
足し、さらに高温・高湿下での特性劣化もない優れた特
性を示す。
【０１２７】従って、本発明にかかる非還元性誘電体磁
器組成物を積層コンデンサの誘電体材料として用いれ
ば、内部電極としてＮｉ等で代表される卑金属を用いる
ことができる。そのため、従来のＰｄ等の貴金属を用い
たものと比較して、高温負荷、室温負荷特性等の耐候性
能を含めた全ての特性を落とすことがなく、大幅なコス
トダウンを行うことが可能になる。
器組成物を積層コンデンサの誘電体材料として用いれ
ば、内部電極としてＮｉ等で代表される卑金属を用いる
ことができる。そのため、従来のＰｄ等の貴金属を用い
たものと比較して、高温負荷、室温負荷特性等の耐候性
能を含めた全ての特性を落とすことがなく、大幅なコス
トダウンを行うことが可能になる。
【０１２８】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記ＢａＺｒＯ3 は、ＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ば
れる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、
Ｃｏ2Ｏ3 とを所定の配合比で含有した主成分１００モ
ル％に対して、０．３〜４．０モル％の範囲内にあるこ
とが好ましく、これによって、絶縁抵抗値を向上させる
ことが可能である。
においては、前記ＢａＺｒＯ3 は、ＢａＴｉＯ3 と、Ｔ
ｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選ば
れる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、
Ｃｏ2Ｏ3 とを所定の配合比で含有した主成分１００モ
ル％に対して、０．３〜４．０モル％の範囲内にあるこ
とが好ましく、これによって、絶縁抵抗値を向上させる
ことが可能である。
【０１２９】また、本発明の非還元性誘電体磁器組成物
においては、前記酸化物ガラスは、前記主成分および前
記酸化物ガラスを除く前記副成分の合計１００重量部に
対して、０．５〜２．５重量部の範囲内にあることが好
ましく、これによって、焼結性、耐還元性、および誘電
率を向上させることが可能である。
においては、前記酸化物ガラスは、前記主成分および前
記酸化物ガラスを除く前記副成分の合計１００重量部に
対して、０．５〜２．５重量部の範囲内にあることが好
ましく、これによって、焼結性、耐還元性、および誘電
率を向上させることが可能である。
【０１３０】
【図１】Ｌｉ2Ｏ−（ＳｉXＴｉ1-X）Ｏ2−Ｍ （Ｍ：Ａ
ｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 のうち少なくとも１種類）の３成分組
成図。
ｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2 のうち少なくとも１種類）の３成分組
成図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C04B 35/42 - 35/50 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (10)
- 【請求項１】 ＢａＴｉＯ3 と、Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、
Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3の中から選ばれる少なくとも１種類
の希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と、Ｃｏ2Ｏ3と、を所定の
配合比で含有する主成分に対し、 副成分として、ＢａＯと、ＭｎＯと、ＭｇＯと、Ｎｉ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3 のうち少なくとも１種類と、および Ｌｉ2Ｏ−（ＳｉXＴｉ1-X）Ｏ2−Ｍ（式中、ＭはＡｌ2
Ｏ3、ＺｒＯ2 のうち少なくとも１種類を示す。）を主
成分とする酸化物ガラスと、を所定の配合比で含有し、 前記酸化物ガラスは、Ｘが０．３０≦Ｘ≦１．００の範
囲内にあって、かつ、モル％が、（Ｌｉ 2 Ｏ，（Ｓｉ X Ｔ
ｉ 1-X ）Ｏ 2 ，Ｍ）の３成分組成図において、 Ａ（２０，８０，０）、 Ｂ（１０，８０，１０）、 Ｃ（１０，７０，２０）、 Ｄ（３５，４５，２０）、 Ｅ（４５，４５，１０）、および Ｆ（４５，５５，０）、 を頂点とする６角形の辺上および内部（但し、直線Ｆ−
Ａ上の組成の場合にはＸは０．３０≦Ｘ＜１．００）で
表され ることを特徴とする非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 前記主成分は、前記ＢａＴｉＯ3 と前記
希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）と前記Ｃｏ2Ｏ3との配合比
が、前記主成分１００モル％のうち、 ＢａＴｉＯ3 ９２．０〜９９．４モル％、 Ｒｅ2Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、および Ｃｏ2Ｏ3 ０．３〜４．０モル％、 の範囲内にあることを特徴とする請求項１に記載の非還
元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記副成分の前記ＢａＯは、前記主成分
１００モル％に対して、０．０５〜４．０モル％の範囲
内にあることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載の非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記副成分の前記ＭｎＯは、前記主成分
１００モル％に対して、０．０５〜２．０モル％の範囲
内にあることを特徴とする請求項１から請求項３のいず
れかに記載の非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記副成分の前記ＭｇＯは、前記主成分
１００モル％に対して、０．５〜５．０モル％の範囲内
にあることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれ
かに記載の非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項６】 前記副成分の前記ＮｉＯ、Ａｌ2Ｏ3 の
うち少なくとも１種類は、前記主成分１００モル％に対
して、０．３〜３．０モル％の範囲内にあることを特徴
とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の非還元
性誘電体磁器組成物。 - 【請求項７】 前記ＢａＴｉＯ3 は、不純物として含ま
れるアルカリ金属酸化物の含有量が０．０４重量％以下
であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれ
かに記載の非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項８】 副成分として、ＢａＺｒＯ3 を所定の配
合比で含有することを特徴とする請求項１から請求項７
のいずれかに記載の非還元性誘電体磁器組成物。 - 【請求項９】 前記ＢａＺｒＯ3 は、ＢａＴｉＯ3 と、
Ｔｂ2Ｏ3、Ｄｙ2Ｏ3、Ｈｏ2Ｏ3、Ｅｒ2Ｏ3 の中から選
ばれる少なくとも１種類の希土類酸化物（Ｒｅ2Ｏ3）
と、Ｃｏ2Ｏ3 とを所定の配合比で含有した主成分１０
０モル％に対して、０．３〜４．０モル％の範囲内にあ
ることを特徴とする請求項８に記載の非還元性誘電体磁
器組成物。 - 【請求項１０】 前記酸化物ガラスは、前記主成分およ
び前記酸化物ガラスを除く前記副成分の合計１００重量
部に対して、０．５〜２．５重量部の範囲内にあること
を特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の
非還元性誘電体磁器組成物。
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| JP05469796A JP3319273B2 (ja) | 1995-04-12 | 1996-03-12 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP8713595 | 1995-04-12 | ||
| JP7-87135 | 1995-04-12 | ||
| JP05469796A JP3319273B2 (ja) | 1995-04-12 | 1996-03-12 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
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ID=26395496
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| JP05469796A Expired - Lifetime JP3319273B2 (ja) | 1995-04-12 | 1996-03-12 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
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-
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- 1996-03-12 JP JP05469796A patent/JP3319273B2/ja not_active Expired - Lifetime
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