JPS6046965A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6046965A JPS6046965A JP58152723A JP15272383A JPS6046965A JP S6046965 A JPS6046965 A JP S6046965A JP 58152723 A JP58152723 A JP 58152723A JP 15272383 A JP15272383 A JP 15272383A JP S6046965 A JPS6046965 A JP S6046965A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- temperature
- porcelain
- low
- dielectric constant
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温にお性る絶縁抵
抗が高く、シかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温にお性る絶縁抵
抗が高く、シかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiOa )を主成分とする磁器が広く実用化されて
いることは周知の通りである。しかじななから、チタン
酸バリウム(BaTiOs)を主成分とするものは、焼
結温度が通常1300〜1400℃の高温である。この
ため、これを積層形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パンジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コン
デンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分
とする安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必
要である0 また、磁器組成物の電気的特性として誘電率が高く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考えると、
一般に絶縁抵抗の値がl」%さいと寿命が短くなる傾向
が1りシ、またこのような磁器組成物は、温度が高くな
ると絶縁抵抗は小さく力るため、室温における値のみな
らず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとるこ
とが必要である。
aTiOa )を主成分とする磁器が広く実用化されて
いることは周知の通りである。しかじななから、チタン
酸バリウム(BaTiOs)を主成分とするものは、焼
結温度が通常1300〜1400℃の高温である。この
ため、これを積層形コンデンサに利用する場合には内部
電極としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、
パンジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず
、製造コストが高くつくという欠点がある。積層形コン
デンサを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分
とする安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必
要である0 また、磁器組成物の電気的特性として誘電率が高く、誘
電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求さ
れる。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考えると、
一般に絶縁抵抗の値がl」%さいと寿命が短くなる傾向
が1りシ、またこのような磁器組成物は、温度が高くな
ると絶縁抵抗は小さく力るため、室温における値のみな
らず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとるこ
とが必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
枯成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したシ、破損したシすることがめる。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラックが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサを形成
している磁器の機械的強度が低い#lどクラックが入シ
やすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。従って
、磁器の機械的強度をできるだけ増大させることは実用
上極めて重要なことである。ところで、Pb(Mg、I
Aζ)O,−PbTiO,系磁器組成物については既に
エヌ・エヌ・クライニクと、エイ拳アイーアグラノフス
カヤ(フイジコ・トベルドゴーテラVo1.2.ilk
1.70p 、 1960) N、 N、 Krai
nikand A、 1. Agranovskaya
(Fiziko Tverdogo Te1a、 V
ol。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
枯成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したシ、破損したシすることがめる。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの場
合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラックが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサを形成
している磁器の機械的強度が低い#lどクラックが入シ
やすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。従って
、磁器の機械的強度をできるだけ増大させることは実用
上極めて重要なことである。ところで、Pb(Mg、I
Aζ)O,−PbTiO,系磁器組成物については既に
エヌ・エヌ・クライニクと、エイ拳アイーアグラノフス
カヤ(フイジコ・トベルドゴーテラVo1.2.ilk
1.70p 、 1960) N、 N、 Krai
nikand A、 1. Agranovskaya
(Fiziko Tverdogo Te1a、 V
ol。
2、 NB 1. pp 70〜72 、 Janoa
ra 1960)よシ提案がアシiた( 5rJb I
JlOs ) a (PbMgo、*W6.* Os
) 6(ただしx=0〜o、10 、 aは0.35〜
0.5.、 bは0.5〜0.65でちり、そしてa+
b=1)についても、モノリシックコンデンサおよびそ
の製造方法として特開昭52−21662号公報に開示
され、また誘電体粉末組成物として特開昭52−216
99号公報に開示されてい渇しかしながら、いずれも比
抵抗に関する開示は全くされておらず、こ九らの磁器組
成物の実用性は明らかではなかった。また、本発明者達
は既に910℃〜950℃の温度で焼結できPb(Mg
7〜)0.とPbT10.系二成分からなシ、これを[
:Pb(均塙翫)0.〕工(PbTiO,) 、−、、
と表わした時にXが0.65 < 2≦1.00の範囲
にある組成物を提案している。この組成物は、誘電率と
比抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性
を有している。しかしながら上記組成物は、いずれも機
械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せ
ざるを得なかった。また、Pb(Mg晶)Os PbT
i0.系をもむ三成分系については特開昭515−11
1011号においてPb(MgR舅)Os−PbTi0
.−Pb(Mg、/Jb%)へ系が、特開昭55−11
7809号においてPb(Mg34”34)Oa Pb
TiOs Ph(1’dghTILx)へ系がそれぞれ
開示されている。しかしながら、いずれも比抵抗に関す
る開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなく、またPb (Mg、IAQ) 0s
−PbT i O,−Pb (Mg、Ta、)Os系(
特開昭55−117809号)の焼結温度は1000〜
1150℃の高温でちるため、銀、ニッケル等を主成分
とする安価な金属を内部電極として使用するのは困難で
めり九さらに特開昭5←4B004号においてPbZr
Ol−Pb(Mg、Nbイ)On Pb (Mg、J曳
)03系が開示されているが焼結温度が1000〜11
50ω高温であるため、銀、ニッケルを主成分とする安
価な金属を内部電極として使用するのは困難であった。
ra 1960)よシ提案がアシiた( 5rJb I
JlOs ) a (PbMgo、*W6.* Os
) 6(ただしx=0〜o、10 、 aは0.35〜
0.5.、 bは0.5〜0.65でちり、そしてa+
b=1)についても、モノリシックコンデンサおよびそ
の製造方法として特開昭52−21662号公報に開示
され、また誘電体粉末組成物として特開昭52−216
99号公報に開示されてい渇しかしながら、いずれも比
抵抗に関する開示は全くされておらず、こ九らの磁器組
成物の実用性は明らかではなかった。また、本発明者達
は既に910℃〜950℃の温度で焼結できPb(Mg
7〜)0.とPbT10.系二成分からなシ、これを[
:Pb(均塙翫)0.〕工(PbTiO,) 、−、、
と表わした時にXが0.65 < 2≦1.00の範囲
にある組成物を提案している。この組成物は、誘電率と
比抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性
を有している。しかしながら上記組成物は、いずれも機
械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せ
ざるを得なかった。また、Pb(Mg晶)Os PbT
i0.系をもむ三成分系については特開昭515−11
1011号においてPb(MgR舅)Os−PbTi0
.−Pb(Mg、/Jb%)へ系が、特開昭55−11
7809号においてPb(Mg34”34)Oa Pb
TiOs Ph(1’dghTILx)へ系がそれぞれ
開示されている。しかしながら、いずれも比抵抗に関す
る開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなく、またPb (Mg、IAQ) 0s
−PbT i O,−Pb (Mg、Ta、)Os系(
特開昭55−117809号)の焼結温度は1000〜
1150℃の高温でちるため、銀、ニッケル等を主成分
とする安価な金属を内部電極として使用するのは困難で
めり九さらに特開昭5←4B004号においてPbZr
Ol−Pb(Mg、Nbイ)On Pb (Mg、J曳
)03系が開示されているが焼結温度が1000〜11
50ω高温であるため、銀、ニッケルを主成分とする安
価な金属を内部電極として使用するのは困難であった。
また、本発明者達は既にPb(yig4ζ)Os Pb
TiC1a−PbZr01三成分組成物を提案している
(特願昭56−157319号)。この組成物は、90
0〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、
誘電率の温度変化率が小さく、誘電率と比抵抗の積が高
く、誘電損失のtJ\さい優れた特性含有している。し
かしながらこの組成物は、機械的強度が低いため、その
用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
TiC1a−PbZr01三成分組成物を提案している
(特願昭56−157319号)。この組成物は、90
0〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、
誘電率の温度変化率が小さく、誘電率と比抵抗の積が高
く、誘電損失のtJ\さい優れた特性含有している。し
かしながらこの組成物は、機械的強度が低いため、その
用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得なかった。
本発明は以上の点に鑑み、900〜1000℃の低温領
域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく室温お
よび高11における絶縁抵抗の値が高い優れた電気的特
性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の高い磁器組
成物を提供しようとするものであり、マグネシウム−タ
ングステン酸鉛(Pb(Mgψ舅)0、〕、チタン酸鉛
(pbTtos〕 およびジルコン酸鉛[pbzros
:]からなる三成分組成物を(Pb (Mgb%)Os
)、 (PbT i Os )、[Pbz T03
〕、と表わしたときに(ただし、x+y+z=1.00
)、このヨ成分組成図において、 (x=0.72 、y=0.08 、z=0.20)(
x=0.792 、 y=0.198 、 z=0.0
1 )(z=0.396 、y=0.594 、z=0
.01 )(X=0.15 、y=0.35 、z=0
.50)(X=0.27 、y=0.03 、z=0.
70)の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分として、マンガン・タ
ングステン酸鉛(Pb(Mn、7〜)0.〕を主成分に
対して0.05〜3mo、g%添加含有せしめてなるこ
とを特徴とする(、のである。
域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく室温お
よび高11における絶縁抵抗の値が高い優れた電気的特
性を有し、更に機械的強度も大きい信頼性の高い磁器組
成物を提供しようとするものであり、マグネシウム−タ
ングステン酸鉛(Pb(Mgψ舅)0、〕、チタン酸鉛
(pbTtos〕 およびジルコン酸鉛[pbzros
:]からなる三成分組成物を(Pb (Mgb%)Os
)、 (PbT i Os )、[Pbz T03
〕、と表わしたときに(ただし、x+y+z=1.00
)、このヨ成分組成図において、 (x=0.72 、y=0.08 、z=0.20)(
x=0.792 、 y=0.198 、 z=0.0
1 )(z=0.396 、y=0.594 、z=0
.01 )(X=0.15 、y=0.35 、z=0
.50)(X=0.27 、y=0.03 、z=0.
70)の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分として、マンガン・タ
ングステン酸鉛(Pb(Mn、7〜)0.〕を主成分に
対して0.05〜3mo、g%添加含有せしめてなるこ
とを特徴とする(、のである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純度999%以上の酸化鉛(PbO)酸
化マグネシウム(MgO) 、酸化タングステン(WD
、 )酸化チタン(Ti03) S酸化ジルコニウム(
ZrO,)および炭酸マンガン(MnCO,)を使用し
、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、750
〜800℃で予焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕
し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレ
スし、直径10m、厚さ約2鱈の円板4枚と、直径15
+w、厚さ約10鰭の円柱を作製した。次に空気中90
0〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結した円板
4枚の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジタル
LCRメーターで周波数I KFIz 、電圧I Vr
、m、ll温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分
間印加して絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、
比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価するた
め、焼結した円柱から厚さ0.5 vx 、幅2m1I
I長さ13mの矩形板を10枚切り出した。支点間距離
を9fiにより、三点法で破壊荷重Pm(K5’)を測
定し、τ−” ”! CKp/al〕なる式に従い、抗
折強度 wt τ(Ky/crl)をめた。ただし、lは支点間距離、
tは試料の厚み、Wは試料の幅である。電気的特性は円
板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試料10点の平
均値よりめた。このようにして得られた磁器の主成分C
Pb(kン♀Os )、CPbT 10a ) y (
PbzrOs 〕z−− 表に示した結果から明らかなように、Pb(Mg、W、
)0、−PbTiO,−PbZrO,三成分組成物に副
成分としてPb (MrIfs)”sを添加含有せしめ
た本発明の範囲内のものは、誘電率が1120〜384
0と高く、誘電損失が0.2〜45チと小さく、比抵抗
が20℃において、3、 I X 10”〜5,6刈o
1jΩ・Cと高く、しかも125℃においても3.5
X10”〜1.5X10”Ω・σという高い値を示し、
さらに抗折強度も9B0〜x39oKP/dと実用上十
分高い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組
成物であることがわかる。こうした優れた特性を示す本
発明の磁器は焼結温度が1000℃以下の低温であるた
め積層コンデンサの内部電極の低価格化を実現できると
共に、省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて
優れた効果も生じる。
化マグネシウム(MgO) 、酸化タングステン(WD
、 )酸化チタン(Ti03) S酸化ジルコニウム(
ZrO,)および炭酸マンガン(MnCO,)を使用し
、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に秤
量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、750
〜800℃で予焼を行い、この粉末をボールミルで粉砕
し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレ
スし、直径10m、厚さ約2鱈の円板4枚と、直径15
+w、厚さ約10鰭の円柱を作製した。次に空気中90
0〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結した円板
4枚の上下面に600℃で銀電極を焼き付け、デジタル
LCRメーターで周波数I KFIz 、電圧I Vr
、m、ll温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電
率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分
間印加して絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、
比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価するた
め、焼結した円柱から厚さ0.5 vx 、幅2m1I
I長さ13mの矩形板を10枚切り出した。支点間距離
を9fiにより、三点法で破壊荷重Pm(K5’)を測
定し、τ−” ”! CKp/al〕なる式に従い、抗
折強度 wt τ(Ky/crl)をめた。ただし、lは支点間距離、
tは試料の厚み、Wは試料の幅である。電気的特性は円
板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試料10点の平
均値よりめた。このようにして得られた磁器の主成分C
Pb(kン♀Os )、CPbT 10a ) y (
PbzrOs 〕z−− 表に示した結果から明らかなように、Pb(Mg、W、
)0、−PbTiO,−PbZrO,三成分組成物に副
成分としてPb (MrIfs)”sを添加含有せしめ
た本発明の範囲内のものは、誘電率が1120〜384
0と高く、誘電損失が0.2〜45チと小さく、比抵抗
が20℃において、3、 I X 10”〜5,6刈o
1jΩ・Cと高く、しかも125℃においても3.5
X10”〜1.5X10”Ω・σという高い値を示し、
さらに抗折強度も9B0〜x39oKP/dと実用上十
分高い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組
成物であることがわかる。こうした優れた特性を示す本
発明の磁器は焼結温度が1000℃以下の低温であるた
め積層コンデンサの内部電極の低価格化を実現できると
共に、省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて
優れた効果も生じる。
なお、本発明の主成分組成物を[pb (Mg 、F
!O1)工(PbTIOl:) (:PbZr0s)
と表わしたときに(ただしy z x + y + z = 1.00 )その組成は、三
成分組成図にオイ−7ri&13.Nn 6,1lk1
6 、 l&18 、 l’k 5で示される。
!O1)工(PbTIOl:) (:PbZr0s)
と表わしたときに(ただしy z x + y + z = 1.00 )その組成は、三
成分組成図にオイ−7ri&13.Nn 6,1lk1
6 、 l&18 、 l’k 5で示される。
3:(X=0.72 、y=0.08 、z=0.20
)6 : (x=0.792. y==0.198.
z=0.01 )16: (x=0.396. y=
0.594. z=0.01)18: (X=0.15
、y=0.35 、z=0.50)5 : (x”0
.27 、y=0.03 、z=0.70 )の各点を
結ぶ線上、およびこの5点に囲まれる組成範囲に限定さ
れ、副成分の添加含有貴社、主成分に対して0.05〜
3 mo1%に限定される。主成分組成範囲を表わす三
成分組成図において、点6.3゜5.18.16を結ぶ
綜の外側では誘電率が少なくなシ実用的でない。点6.
16を結ぶ線の外側では、高温における比抵抗が小さく
カヤ実用的でない。
)6 : (x=0.792. y==0.198.
z=0.01 )16: (x=0.396. y=
0.594. z=0.01)18: (X=0.15
、y=0.35 、z=0.50)5 : (x”0
.27 、y=0.03 、z=0.70 )の各点を
結ぶ線上、およびこの5点に囲まれる組成範囲に限定さ
れ、副成分の添加含有貴社、主成分に対して0.05〜
3 mo1%に限定される。主成分組成範囲を表わす三
成分組成図において、点6.3゜5.18.16を結ぶ
綜の外側では誘電率が少なくなシ実用的でない。点6.
16を結ぶ線の外側では、高温における比抵抗が小さく
カヤ実用的でない。
また、副成分であるPb (R’1nis)Osの添加
量が0,05mo1%未満では抗折強度の改善効果が小
さく、3mo1%を越えると逆に抗折強度が小さくなる
ため実用的でない。
量が0,05mo1%未満では抗折強度の改善効果が小
さく、3mo1%を越えると逆に抗折強度が小さくなる
ため実用的でない。
なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図に示した
番号り表に示した主成分配合比の番号に対応する。
番号り表に示した主成分配合比の番号に対応する。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点
を示す図である。 ゝ、 (、へゴi−]士内原 晋 1、”) ゛・、〜ノ
を示す図である。 ゝ、 (、へゴi−]士内原 晋 1、”) ゛・、〜ノ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・タングステン酸鉛(Pb(Mg−一)o
s〕+チタン酸鉛(PbTiO3)およびジルコン酸鉛
CPbZrOs〕からなる3成分組成物を(Pb (−
ζイ)os 〕、 [PbTiOs ’:’y[−Pb
Zr03 〕、と表わしたときに、(ただし、x+y+
z=1.oO)この3成分組成図において (x=0.72 、y=0.08 、z=0.20)(
X=0.792 、y=0.198 、z=0.01
)lx=0.396.y=0.594.z=0.01)
(X=0.15 、y=0.35 、z=0.50)(
x=0.27 、y=0.03 、z=0.70)の各
点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲にある
主成分組成物に副成分としてマンガン・タングステン酸
鉛(Pb (Mn晶)Os :]を主成分に対してO,
OS〜3 mo1%添加含有せしめてなることを特徴と
する磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58152723A JPS6046965A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58152723A JPS6046965A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6046965A true JPS6046965A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15546740
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58152723A Pending JPS6046965A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6046965A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6036371A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP58152723A patent/JPS6046965A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6036371A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-25 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
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US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
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