JPS6036371A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6036371A JPS6036371A JP58144783A JP14478383A JPS6036371A JP S6036371 A JPS6036371 A JP S6036371A JP 58144783 A JP58144783 A JP 58144783A JP 14478383 A JP14478383 A JP 14478383A JP S6036371 A JPS6036371 A JP S6036371A
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- JP
- Japan
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- composition
- temperature
- porcelain
- lead
- dielectric constant
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1ooo℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機構的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機構的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウム(B
aTiOi)を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム(BaTtom)を主成分とするものは、焼結
温度が通常1300〜1400℃の高温である。このた
めこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極
としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラ
ジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず、製
造コストが高くつくという欠点がある。積層形コンデン
サを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分とす
る安価な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特にi o oo’C以下で焼結できる磁器が
必要である。
aTiOi)を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおりである。しかしながら、チタン酸
バリウム(BaTtom)を主成分とするものは、焼結
温度が通常1300〜1400℃の高温である。このた
めこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極
としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラ
ジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず、製
造コストが高くつくという欠点がある。積層形コンデン
サを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分とす
る安価な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特にi o oo’C以下で焼結できる磁器が
必要である。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高すことが基本的に要求
される。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考えると
、一般に絶縁抵抗の値が小さ−と寿命が短くなる傾向が
あり、またこのような磁器組成物は、温度が高くなると
絶縁抵抗は小さくなるため、室温における値のみならず
、予想される最高使用温度における絶縁抵抗も高い値を
とることが必要である。
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高すことが基本的に要求
される。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考えると
、一般に絶縁抵抗の値が小さ−と寿命が短くなる傾向が
あり、またこのような磁器組成物は、温度が高くなると
絶縁抵抗は小さくなるため、室温における値のみならず
、予想される最高使用温度における絶縁抵抗も高い値を
とることが必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いによシ、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わシ、チップコンデンサに
クラックが発生したり、波頂したりすることがある。“
またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラック
が発生する場合がちる・いずれの場合もコンデンサを形
成している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入
りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。した
がって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させること
は実用上極めてM要なことである。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いによシ、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わシ、チップコンデンサに
クラックが発生したり、波頂したりすることがある。“
またエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの
場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラック
が発生する場合がちる・いずれの場合もコンデンサを形
成している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入
りやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。した
がって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させること
は実用上極めてM要なことである。
ところでPb(Mgx/*Wx/z)Os PbTi0
.系磁器組成物については既にエヌ、エヌ。クライニク
とエイ。
.系磁器組成物については既にエヌ、エヌ。クライニク
とエイ。
アイ、アグラノフスカヤ(フイジコ トベルドゴテラV
o1.2.No、1.70p 1960) N、N、K
rainik and A。
o1.2.No、1.70p 1960) N、N、K
rainik and A。
1、Agranovskaya(Fiziko Tve
rdogo Te1a+ Vo、2.No。
rdogo Te1a+ Vo、2.No。
1、 pp 70〜721Janoara 1960
)より提案があり、また(SrxPbt−XTi O:
l ) B (Pb Mgo、s Wo、50s )b
[ただし、X=0〜0.10. am、35〜0.5.
b=0.5〜0.65、a+b=1:)についても、
モノリシックコンデンサおよびその製造方法として特開
昭52−21662号公報に開示され、また誘電体粉末
組成物として特開昭52−21699号公報に開示され
ている。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は
全くされておらず、これらの磁器組成物の実用性は明ら
かでなかった。一方、本発明者等は既に910°0−9
50℃の温度で焼結でき、Pb (Mg 1/2W17
t)OaとPbT i 03との2成分系からなり、こ
れを[:Pb(Mg□/2脂)03〕工(PbTiOs
〕i−2と表わした時にXが0.65<X≦1.00の
範囲にある組成物を提案した。この組成物は、誘電率と
比抵抗の積の値が高く、誘電損失の小さい優れた電気的
特性を有している1、しかしながら上記組成物はいずれ
も機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかった。
)より提案があり、また(SrxPbt−XTi O:
l ) B (Pb Mgo、s Wo、50s )b
[ただし、X=0〜0.10. am、35〜0.5.
b=0.5〜0.65、a+b=1:)についても、
モノリシックコンデンサおよびその製造方法として特開
昭52−21662号公報に開示され、また誘電体粉末
組成物として特開昭52−21699号公報に開示され
ている。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は
全くされておらず、これらの磁器組成物の実用性は明ら
かでなかった。一方、本発明者等は既に910°0−9
50℃の温度で焼結でき、Pb (Mg 1/2W17
t)OaとPbT i 03との2成分系からなり、こ
れを[:Pb(Mg□/2脂)03〕工(PbTiOs
〕i−2と表わした時にXが0.65<X≦1.00の
範囲にある組成物を提案した。この組成物は、誘電率と
比抵抗の積の値が高く、誘電損失の小さい優れた電気的
特性を有している1、しかしながら上記組成物はいずれ
も機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかった。
またPb(Mgt/zWx/2)Os PbTiO3系
を含む、3成分系については特開2昭55−11101
1号においてpb((Mgx/zWt/z)Os Pb
TiO3Pb(Mgl/3Nbz/3)01系が、特開
昭55−117809号において、Pb (Mg 1/
2W1/2)Os−PbTiOs Pb(Mgx73T
a2/3)Os系がそれぞれ開示されている。しかしな
がら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず
、これらの磁器組成物の実用性については不明であり、
またPb(Mgよ/2w□/2)Oa PbTiOs
−Pb(Mgt/aTaz/a)Os系(特開昭55−
117809号)の焼結温度は、1000〜1150℃
の高温であるため、銀、ニッケル等を主成分とする安価
な金属を内部電極として使用するのは困難であった。
を含む、3成分系については特開2昭55−11101
1号においてpb((Mgx/zWt/z)Os Pb
TiO3Pb(Mgl/3Nbz/3)01系が、特開
昭55−117809号において、Pb (Mg 1/
2W1/2)Os−PbTiOs Pb(Mgx73T
a2/3)Os系がそれぞれ開示されている。しかしな
がら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず
、これらの磁器組成物の実用性については不明であり、
またPb(Mgよ/2w□/2)Oa PbTiOs
−Pb(Mgt/aTaz/a)Os系(特開昭55−
117809号)の焼結温度は、1000〜1150℃
の高温であるため、銀、ニッケル等を主成分とする安価
な金属を内部電極として使用するのは困難であった。
さらに特開昭56−48004号にはPbZrOs P
b(MgvaNbz/a)Os Pb(Mg17xWs
7z>Os系が開示されているが、矢張シ焼結温度が1
000〜1150℃の高温であるため、銀、ニッケル等
を主成分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であった。
b(MgvaNbz/a)Os Pb(Mg17xWs
7z>Os系が開示されているが、矢張シ焼結温度が1
000〜1150℃の高温であるため、銀、ニッケル等
を主成分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であった。
また、本発明者等は既にPb (Mg x/zW1/z
> Os PbTi0xPbZrOs 3成分組成物を
提案している(特願昭56−157319号)。この組
成物は、900〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘
電率が高く、誘電率の温度変化率が小さく誘電率と比抵
抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いた
め、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得ながった
。
> Os PbTi0xPbZrOs 3成分組成物を
提案している(特願昭56−157319号)。この組
成物は、900〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘
電率が高く、誘電率の温度変化率が小さく誘電率と比抵
抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が低いた
め、その用途は自ら狭い範囲に限定せざるを得ながった
。
本発明は以上の点にかんがみ、900〜1ooo℃の低
温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電気
的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い磁
器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム
・タングステン酸鉛〔Pb(Mgx/zWx/z)On
) 、f 3’ 7酸鉛(PbTiOs :l オヨび
ジルコン酸鉛(PbZrOs)からなる3成分組成物を
(Pb (Mg xizW□/z)Os :]x (P
bT i Os 〕y (PbZrOs )z 、!:
表わしたときに(ただし、x”7+z=1.00)、
この3成分組成図において、 (x=0.72 、 y=0.08 、 z=0.20
)(X=0.792 、 )’=0.198 、 z
=0.01 )(x=0.396 、3’=0.594
、 z=0.01 )(x=0.15 、 y=0.
35 、 z=0.50 )(x=0.27 、 y=
0.03 、 z=0.70 )の各点を結ぶ線上およ
び、この5点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に
副成分として、マンガy−タングステン酸鉛[Pb (
Mn z7sWs/3)03 )を主成分に対して0.
05−′−72mo1%添加含有せしめてなることを特
徴とするものである。
温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電気
的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い磁
器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム
・タングステン酸鉛〔Pb(Mgx/zWx/z)On
) 、f 3’ 7酸鉛(PbTiOs :l オヨび
ジルコン酸鉛(PbZrOs)からなる3成分組成物を
(Pb (Mg xizW□/z)Os :]x (P
bT i Os 〕y (PbZrOs )z 、!:
表わしたときに(ただし、x”7+z=1.00)、
この3成分組成図において、 (x=0.72 、 y=0.08 、 z=0.20
)(X=0.792 、 )’=0.198 、 z
=0.01 )(x=0.396 、3’=0.594
、 z=0.01 )(x=0.15 、 y=0.
35 、 z=0.50 )(x=0.27 、 y=
0.03 、 z=0.70 )の各点を結ぶ線上およ
び、この5点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に
副成分として、マンガy−タングステン酸鉛[Pb (
Mn z7sWs/3)03 )を主成分に対して0.
05−′−72mo1%添加含有せしめてなることを特
徴とするものである。
以下本発明を実施例により詳細に説明する。
出発原料として純g 99.9%以上の酸化鉛(PbO
)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タングステン(
熟)、酸化チタン(Ttoz)、酸化ジルコニウム(Z
rOz)、および炭酸マンガン(MnCOs )を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に
秤量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、75
0〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで
粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後
プレスし、試料として直径16 vtm、厚さ約27!
屏の円板4枚と、直径16闘、厚さ約10コ翼の円柱を
作製した。次に試料を空気中900〜1000℃の温度
で1時間焼結した。焼結した円板4枚の上下面に(6)
°Cで銀電極を焼付け、デジタルLCRメーターで周波
数I KHz 、電圧IVr、m、s温度20℃で容量
と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵
抗計で50Vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温度2
0℃と125℃で測定し、比抵抗を算出した。機械的性
質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱から厚さ0
.5mm5幅21MIW、長さ13篤糞の矩形板を10
枚切り出しだ。支点間距離を9 mrnにより、三点る
式に従い、抗折強度τ(kg/薗〕をめた。ただしlは
支点間距離、tは試料の厚み、Wは試料の幅である。電
気的特性は円板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試
料10点の平均値よりめた。このようにし′C得られた
磁器の主成分[Pb(Mg□/、W□/2)Os ])
c(:PbTlOs )y[PbZr0m :]zの配
合比X y y* Zおよび副成分添加量と誘電率、誘
電損失、20℃および125℃における比抵抗および抗
折強度の関係を次表に示す。
)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タングステン(
熟)、酸化チタン(Ttoz)、酸化ジルコニウム(Z
rOz)、および炭酸マンガン(MnCOs )を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量する。次に
秤量した各材料をボールミル中で湿式混合した後、75
0〜800℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで
粉砕し、日別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒後
プレスし、試料として直径16 vtm、厚さ約27!
屏の円板4枚と、直径16闘、厚さ約10コ翼の円柱を
作製した。次に試料を空気中900〜1000℃の温度
で1時間焼結した。焼結した円板4枚の上下面に(6)
°Cで銀電極を焼付け、デジタルLCRメーターで周波
数I KHz 、電圧IVr、m、s温度20℃で容量
と誘電損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵
抗計で50Vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温度2
0℃と125℃で測定し、比抵抗を算出した。機械的性
質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱から厚さ0
.5mm5幅21MIW、長さ13篤糞の矩形板を10
枚切り出しだ。支点間距離を9 mrnにより、三点る
式に従い、抗折強度τ(kg/薗〕をめた。ただしlは
支点間距離、tは試料の厚み、Wは試料の幅である。電
気的特性は円板試料4点の平均値、抗折強度は矩形板試
料10点の平均値よりめた。このようにし′C得られた
磁器の主成分[Pb(Mg□/、W□/2)Os ])
c(:PbTlOs )y[PbZr0m :]zの配
合比X y y* Zおよび副成分添加量と誘電率、誘
電損失、20℃および125℃における比抵抗および抗
折強度の関係を次表に示す。
表に示した結果から明らかなように、Pb(Mg□/よ
W1/z)On −PbTi0.−PbZrOs 3成
分組成物に副成分としてPb(Δ/In2/3W1/3
)Onを特定の割合いで添加含有せしめたものは、誘電
率が1100−3780と高く、誘電損失が0.2〜4
.4チと小さく、比抵抗が20℃において、2.9X1
♂2〜5.4X1013Ω・αと高く、しかも125℃
においても2.9X10”〜1.4X1013Ω・のと
いう高い値を示シ、サラニ、抗折強度も980〜136
0kg/crl と実用上十分高い値を示す信頼性の高
い実用性の極めて高い磁器組成物であることがわかる。
W1/z)On −PbTi0.−PbZrOs 3成
分組成物に副成分としてPb(Δ/In2/3W1/3
)Onを特定の割合いで添加含有せしめたものは、誘電
率が1100−3780と高く、誘電損失が0.2〜4
.4チと小さく、比抵抗が20℃において、2.9X1
♂2〜5.4X1013Ω・αと高く、しかも125℃
においても2.9X10”〜1.4X1013Ω・のと
いう高い値を示シ、サラニ、抗折強度も980〜136
0kg/crl と実用上十分高い値を示す信頼性の高
い実用性の極めて高い磁器組成物であることがわかる。
このように優れた特性を示す本発明の磁器は焼結温度が
1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。図
は本発明の主成分範囲を示す。図に示す番号は表に示し
だ主成分配合比の番号に対応させである。
1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できると共に、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。図
は本発明の主成分範囲を示す。図に示す番号は表に示し
だ主成分配合比の番号に対応させである。
本発明は、主成分組成物を[Pb (Mg t/zWx
/*)os )工(PbTiOs’lly[PbZrO
s〕zと表わしたときに(ただし、x+y+z=1.O
O)その組成範囲は、3成分組成図においてNo、3e
LILIL5.すなわち、3 : Cx=0.72 、
y=o、os 、z=0.20 )6 : (x=0.
792 、)’=0.198 、z=0.01 )16
: (x=0.396 、 7=0.594 、z=
0.01 )18 : (x=0.15 、y=o、a
s 、z =0.50 )5 : (x=0.27 、
y=o、os、z=0.70)で表示される各点を結ぶ
線上および、この5点に囲まれる組成範囲に限定され、
副成分の添加含有量は、主成分に対して0.05−2m
oA!係に限定される。
/*)os )工(PbTiOs’lly[PbZrO
s〕zと表わしたときに(ただし、x+y+z=1.O
O)その組成範囲は、3成分組成図においてNo、3e
LILIL5.すなわち、3 : Cx=0.72 、
y=o、os 、z=0.20 )6 : (x=0.
792 、)’=0.198 、z=0.01 )16
: (x=0.396 、 7=0.594 、z=
0.01 )18 : (x=0.15 、y=o、a
s 、z =0.50 )5 : (x=0.27 、
y=o、os、z=0.70)で表示される各点を結ぶ
線上および、この5点に囲まれる組成範囲に限定され、
副成分の添加含有量は、主成分に対して0.05−2m
oA!係に限定される。
主成分組成範囲を表わす3成分組成図において、点6,
3,5,18.16を結ぶ線の外側では誘電率が小さく
なり実用的でない。点6,16を結ぶ線の外側では、高
温における比抵抗が小さくなシ実用的でない。
3,5,18.16を結ぶ線の外側では誘電率が小さく
なり実用的でない。点6,16を結ぶ線の外側では、高
温における比抵抗が小さくなシ実用的でない。
また副成分であるPb (Mnx7.Ws73)Osの
添加量が0.05mo1%未満では抗折強度の改善効果
が小さく、2mo1%を超えると逆に抗折強度が小さく
なるだめ実用的でない。
添加量が0.05mo1%未満では抗折強度の改善効果
が小さく、2mo1%を超えると逆に抗折強度が小さく
なるだめ実用的でない。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点
を示す図である。 特許出願人 日本電気株式会社
を示す図である。 特許出願人 日本電気株式会社
Claims (1)
- (1)マグネシウム・タングステン酸鉛(Pb (Mg
v□W工/z)On)、チタン酸鉛[PbTi0s)
およびジルコン酸鉛(PbZrOs〕からなる3成分組
成物を(Pb(Mgx/zWx/g)Os )x[Pb
Ti0i )y[PbZrOs :lz と表わしたと
きに、(ただし、x+y+z=1.oo)との3成分組
成図において、 (x=0.72 、 y=0.08 、z=0.20
)(x=0.792 、 )’=0.198 、z=0
.01 )(x=0.396 、 y=0.594 、
z=0.01 )(x=0.15 、 y=0.35
、z=0.50 )(x=0.27 、 y=0.03
、z=0.70)の各点を結ぶ線上およびこの5点に
囲まれる組成範囲にある主成分組成物に副成分としてマ
ンガン・タングステン酸鉛CPb (Mn z/aWx
/5)Os ]を主成分に対して0.05〜2mol
’l=添加含有せしめてなることを特徴とする磁器組成
物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144783A JPS6036371A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144783A JPS6036371A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6036371A true JPS6036371A (ja) | 1985-02-25 |
JPS6227028B2 JPS6227028B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=15370333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144783A Granted JPS6036371A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6036371A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046965A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-14 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5861350A (en) * | 1996-06-17 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58144783A patent/JPS6036371A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046965A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-14 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5861350A (en) * | 1996-06-17 | 1999-01-19 | Nec Corporation | Dielectric ceramic composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6227028B2 (ja) | 1987-06-11 |
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