JPS6227027B2 - - Google Patents
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- JPS6227027B2 JPS6227027B2 JP57058563A JP5856382A JPS6227027B2 JP S6227027 B2 JPS6227027 B2 JP S6227027B2 JP 57058563 A JP57058563 A JP 57058563A JP 5856382 A JP5856382 A JP 5856382A JP S6227027 B2 JPS6227027 B2 JP S6227027B2
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Description
本発明は、磁器組成物、特に1050℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がらチタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分とする
ものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温であ
る。このため、これを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料例えば白金、パラジウムなどの高価な貴金
属を使用しなければならず、製造コストが高くつ
くという欠点がある。積層形コンデンサを安く作
るためには銀，ニツケルなどを主成分とする安価
な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温特に1050℃以下で焼結できる磁器が必要で
ある。 また、磁器組成物の電気的特性として誘電率が
高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが
基本的に要求される。さらに、絶縁抵抗の値に関
しては、高信頼性の部品を要求する米国防総省の
規格であるミリタリー・スペシフイケーシヨン
（Military SPecification）のMIL−Ｃ−55681Bに
おいて、室温における値のみならず、125℃にお
ける値も定められているように、信頼性の高い磁
器コンデンサを得るためには、室温における値の
みならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い
値をとることが必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪み
が加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生し
たり、破損したりすることがある。 また、エポキシ樹脂等を外装したデイツプコン
デンサの場合も、外装樹脂の応力でデイツプコン
デンサにクラツクが発生する場合がある。いずれ
の場合も、コンデンサを形成している磁器の機械
的強度が低いほどクラツクが入りやすく、容易に
破損するため、信頼性が低くなる。したがつて、
磁器の機械的強度をできるだけ増大させることは
実用上極めて重要なことである。 ところで、Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3系
磁器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニ
ク，エイ・アイ・アグラノフスカヤ〔N.N..
Krainik and A.I.Agranovskaya（Fiziko
Tverdogo Tela，Vo.2，No.１，pp.70〜
72Janvara1960）〕より提案があり、また（Ｓrx
Pb1-xTiO3）a（PbMg0.5W0.5O3）b〔ただし、ｘ＝
０〜0.10，ａは0.35〜0.5，ｂは0.5〜0.65であり
そしてａ＋ｂ＝１〕について、モノリシツクコン
デンサおよびその製造方法として特開昭52−
21662号公報に開示され、また誘電体粉末組成物
として特開昭52−21699号公報に開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなかつた。また、本発明者等は既に
910〜950℃の温度で焼結でき、Pb（Mg1/2Ｗ1/
２）O3とPbTiO3二成分系からなり、これを〔Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕1-xと表わしたと
きにｘが0.65＜ｘ≦1.00の範囲にある組成物を提
案している。この組成物は、誘電率と比抵抗の積
が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有
している。しかしながら、上記組成物はいずれも
機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざるを得なかつた。 また、Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3系を含
む、三成分系については特開昭55−111011におい
てPb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/3
Nb2/3）O3系が、特開昭55−117809においてPb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/3Ta2/
３）O3系がそれぞれ開示されている。しかしな
がら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなかつた。 また、本発明者達は既にPb（Mg1/2Ｗ1/2）O3
−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3三成分組成物を
既に提案している。 この組成物は900〜1050℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく室温および
高温における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有
している。しかしながら、この組成物は機械的強
度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せ
ざるを得なかつた。 本発明は、以上の点にかんがみ、900〜1050℃
の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失
が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値
が高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度
も大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようと
するものであり、マグネシウム・タングステン酸
鉛〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni
1/3Nb2/3）O3〕からなる３成分組成物を、〔Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni1/3Nb
2/3）O3〕zと表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝1.00）この３成分組成図において以下の組成
点 （ｘ＝0.693，ｙ＝0.297，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495，ｙ＝0.495，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195，ｙ＝0.455，ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10，ｙ＝0.40，ｚ＝0.50） （ｘ＝0.06，ｙ＝0.24，ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分としてニオブ（Nb）、
タンタル（Ta）およびアンチモン（Sb）の中か
ら少なくとも一種以上を選び、これらの元素を主
成分に対して0.02〜３原子％添加含有せしめてな
ることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化ニツ
ケル（TiO）、および酸化ニオブ（Nb2O5）、酸化
タンタル（Ta2O5）および酸化アンチモン
（Sb2O3）を使用し、表に示した配合比となるよう
に秤量する。次に秤量した各材料をボールミル中
で湿式混合した後750〜800℃で予焼を行い、この
粉末をボールミルで粉砕し、口別乾燥後、有機バ
インダーを入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ
約２mmの円板４枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円
柱を作成した。 次に、本発明の組成範囲の試料は空気中900〜
1050℃の温度で１時間焼結した。焼結した円板４
枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デイジタ
ルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.s.温
度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率を算出
した。 次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を１分間印加し
て絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵抗
を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm，幅２mm，長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を９mmにとり
二点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を測定し、τ＝３／２ Ｐｍ／ｗｔ２〔Kg／cm2〕なる式に従い、抗折強度τ 〔Kg／cm2〕を求めた。ただしは支点間距離、ｔ
は試料の厚み、ｗは試料の幅である。電気的特性
は円板試料４点の平均値、抗折強度は矩形板試料
10点の平均値より求めた。 このようにして得られた磁器の主成分 〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni1/
３Nb2/3）O3〕zの配合比ｘ，ｙ，ｚおよび副成分
添加量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃に
おける比抵抗および抗折強度の関係を次表に示
す。
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム（BaTiO3）を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がらチタン酸バリウム（BaTiO3）を主成分とする
ものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温であ
る。このため、これを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料例えば白金、パラジウムなどの高価な貴金
属を使用しなければならず、製造コストが高くつ
くという欠点がある。積層形コンデンサを安く作
るためには銀，ニツケルなどを主成分とする安価
な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温特に1050℃以下で焼結できる磁器が必要で
ある。 また、磁器組成物の電気的特性として誘電率が
高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが
基本的に要求される。さらに、絶縁抵抗の値に関
しては、高信頼性の部品を要求する米国防総省の
規格であるミリタリー・スペシフイケーシヨン
（Military SPecification）のMIL−Ｃ−55681Bに
おいて、室温における値のみならず、125℃にお
ける値も定められているように、信頼性の高い磁
器コンデンサを得るためには、室温における値の
みならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い
値をとることが必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪み
が加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生し
たり、破損したりすることがある。 また、エポキシ樹脂等を外装したデイツプコン
デンサの場合も、外装樹脂の応力でデイツプコン
デンサにクラツクが発生する場合がある。いずれ
の場合も、コンデンサを形成している磁器の機械
的強度が低いほどクラツクが入りやすく、容易に
破損するため、信頼性が低くなる。したがつて、
磁器の機械的強度をできるだけ増大させることは
実用上極めて重要なことである。 ところで、Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3系
磁器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニ
ク，エイ・アイ・アグラノフスカヤ〔N.N..
Krainik and A.I.Agranovskaya（Fiziko
Tverdogo Tela，Vo.2，No.１，pp.70〜
72Janvara1960）〕より提案があり、また（Ｓrx
Pb1-xTiO3）a（PbMg0.5W0.5O3）b〔ただし、ｘ＝
０〜0.10，ａは0.35〜0.5，ｂは0.5〜0.65であり
そしてａ＋ｂ＝１〕について、モノリシツクコン
デンサおよびその製造方法として特開昭52−
21662号公報に開示され、また誘電体粉末組成物
として特開昭52−21699号公報に開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなかつた。また、本発明者等は既に
910〜950℃の温度で焼結でき、Pb（Mg1/2Ｗ1/
２）O3とPbTiO3二成分系からなり、これを〔Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕1-xと表わしたと
きにｘが0.65＜ｘ≦1.00の範囲にある組成物を提
案している。この組成物は、誘電率と比抵抗の積
が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有
している。しかしながら、上記組成物はいずれも
機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざるを得なかつた。 また、Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3系を含
む、三成分系については特開昭55−111011におい
てPb（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/3
Nb2/3）O3系が、特開昭55−117809においてPb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Mg1/3Ta2/
３）O3系がそれぞれ開示されている。しかしな
がら、いずれも比抵抗や機械的強度に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなかつた。 また、本発明者達は既にPb（Mg1/2Ｗ1/2）O3
−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3三成分組成物を
既に提案している。 この組成物は900〜1050℃の低温領域で焼結で
き、誘電率が高く、誘電損失が小さく室温および
高温における絶縁抵抗の値が高い優れた特性を有
している。しかしながら、この組成物は機械的強
度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せ
ざるを得なかつた。 本発明は、以上の点にかんがみ、900〜1050℃
の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失
が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値
が高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度
も大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようと
するものであり、マグネシウム・タングステン酸
鉛〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni
1/3Nb2/3）O3〕からなる３成分組成物を、〔Pb
（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni1/3Nb
2/3）O3〕zと表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋
ｚ＝1.00）この３成分組成図において以下の組成
点 （ｘ＝0.693，ｙ＝0.297，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495，ｙ＝0.495，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195，ｙ＝0.455，ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10，ｙ＝0.40，ｚ＝0.50） （ｘ＝0.06，ｙ＝0.24，ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分としてニオブ（Nb）、
タンタル（Ta）およびアンチモン（Sb）の中か
ら少なくとも一種以上を選び、これらの元素を主
成分に対して0.02〜３原子％添加含有せしめてな
ることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9％以上の酸化鉛
（PbO）、酸化マグネシウム（MgO）、酸化タング
ステン（WO3）、酸化チタン（TiO2）、酸化ニツ
ケル（TiO）、および酸化ニオブ（Nb2O5）、酸化
タンタル（Ta2O5）および酸化アンチモン
（Sb2O3）を使用し、表に示した配合比となるよう
に秤量する。次に秤量した各材料をボールミル中
で湿式混合した後750〜800℃で予焼を行い、この
粉末をボールミルで粉砕し、口別乾燥後、有機バ
インダーを入れ整粒後プレスし、直径16mm、厚さ
約２mmの円板４枚と、直径16mm、厚さ約10mmの円
柱を作成した。 次に、本発明の組成範囲の試料は空気中900〜
1050℃の温度で１時間焼結した。焼結した円板４
枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デイジタ
ルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.s.温
度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘電率を算出
した。 次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧を１分間印加し
て絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比抵抗
を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm，幅２mm，長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を９mmにとり
二点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を測定し、τ＝３／２ Ｐｍ／ｗｔ２〔Kg／cm2〕なる式に従い、抗折強度τ 〔Kg／cm2〕を求めた。ただしは支点間距離、ｔ
は試料の厚み、ｗは試料の幅である。電気的特性
は円板試料４点の平均値、抗折強度は矩形板試料
10点の平均値より求めた。 このようにして得られた磁器の主成分 〔Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni1/
３Nb2/3）O3〕zの配合比ｘ，ｙ，ｚおよび副成分
添加量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃に
おける比抵抗および抗折強度の関係を次表に示
す。
【表】
【表】
【表】
表に示した結果から明らかなように、Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3
三成分組成物に副成分としてNb，Ta，Sbの中か
ら少なくとも一種以上を添加含有せしめた本発明
の範囲内のものは、誘電率が3170〜15120と高
く、誘電損失が0.5〜4.6％と小さく比抵抗が20℃
において2.7〜1012〜2.7×1013Ω・cmと高く、し
かも125℃においても5.8×1010〜3.5×1012Ω・cm
という高い値を示し、さらに抗折強度も990〜
1410Kg／cm2と実用上十分高い値を示す信頼性の高
い実用性の極めて高い磁器組成物であることがわ
かる。 こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結
温度が1050℃以下の低温であるため、積層コンデ
ンサの内部電極の低価格化を実現できると共に、
省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて
優れた効果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を〔Pb（Mg1/2
Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni1/3Nb2/3）
O3〕zと表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
1.00）、その組成は３成分組成図における点 （ｘ＝0.693，ｙ＝0.297，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495，ｙ＝0.495，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195，ｙ＝0.455，ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10，ｙ＝0.40，ｚ＝0.50） （ｘ＝0.06，ｙ＝0.24，ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
限定され、副成分の添加含有量は主成分に対して
0.02〜３原子％に限定される。主成分組成範囲を
表わす３成分組成図において、組成点２，６およ
び組成点１７，１９を結ぶ線の外側では、高温に
おける比抵抗が小さくなり、実用的でない。組成
点６，１３，１７を結ぶ線の外側ではキユリー点
が実用範囲より高温側に大きくずれるため、誘電
率が小さくなり、組成点１９，２を結ぶ線の外側
ではキユリー点が実用範囲より低温側に大きくず
れるため誘電率が小さくなり、実用的でない。 また副成分であるNb，Ta，Sbはそのうちの一
種以上の元素の添加量が0.02原子％未満では抗折
強度の改善効果が小さく、３原子％を超えると逆
に抗折強度が小さくなるため実用的でない。 なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図
に示した番号は表に示した主成分配合比の番号に
対応する。
1/2Ｗ1/2）O3−PbTiO3−Pb（Ni1/3Nb2/3）O3
三成分組成物に副成分としてNb，Ta，Sbの中か
ら少なくとも一種以上を添加含有せしめた本発明
の範囲内のものは、誘電率が3170〜15120と高
く、誘電損失が0.5〜4.6％と小さく比抵抗が20℃
において2.7〜1012〜2.7×1013Ω・cmと高く、し
かも125℃においても5.8×1010〜3.5×1012Ω・cm
という高い値を示し、さらに抗折強度も990〜
1410Kg／cm2と実用上十分高い値を示す信頼性の高
い実用性の極めて高い磁器組成物であることがわ
かる。 こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結
温度が1050℃以下の低温であるため、積層コンデ
ンサの内部電極の低価格化を実現できると共に、
省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて
優れた効果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を〔Pb（Mg1/2
Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni1/3Nb2/3）
O3〕zと表わしたときに（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
1.00）、その組成は３成分組成図における点 （ｘ＝0.693，ｙ＝0.297，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495，ｙ＝0.495，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195，ｙ＝0.455，ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10，ｙ＝0.40，ｚ＝0.50） （ｘ＝0.06，ｙ＝0.24，ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
限定され、副成分の添加含有量は主成分に対して
0.02〜３原子％に限定される。主成分組成範囲を
表わす３成分組成図において、組成点２，６およ
び組成点１７，１９を結ぶ線の外側では、高温に
おける比抵抗が小さくなり、実用的でない。組成
点６，１３，１７を結ぶ線の外側ではキユリー点
が実用範囲より高温側に大きくずれるため、誘電
率が小さくなり、組成点１９，２を結ぶ線の外側
ではキユリー点が実用範囲より低温側に大きくず
れるため誘電率が小さくなり、実用的でない。 また副成分であるNb，Ta，Sbはそのうちの一
種以上の元素の添加量が0.02原子％未満では抗折
強度の改善効果が小さく、３原子％を超えると逆
に抗折強度が小さくなるため実用的でない。 なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図
に示した番号は表に示した主成分配合比の番号に
対応する。
図は本発明の主成分組成範囲と実施例に示した
組成点を示す図である。
組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb（Mg
1/2Ｗ1/2）O3〕，チタン酸鉛〔PbTiO3〕およびニ
ツケル・ニオブ酸鉛〔Pb（Ni1/3Nb2/3）O3〕か
らなる３成分組成物を Pb（Mg1/2Ｗ1/2）O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb（Ni
1/3Nb2/3）O3〕z と表わしたときに、（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝1.00）
この３成分組成図において、以下の組成点 （ｘ＝0.693，ｙ＝0.297，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.495，ｙ＝0.495，ｚ＝0.01） （ｘ＝0.195，ｙ＝0.455，ｚ＝0.35） （ｘ＝0.10，ｙ＝0.40，ｚ＝0.50） （ｘ＝0.06，ｙ＝0.24，ｚ＝0.70） を結ぶ線上およびこの５点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分としてニオブ（Nb），
タンタル（Ta），およびアンチモン（Sb）の中か
ら少なくとも一種以上を選び、これらの元素を主
成分に対して0.02〜３原子％添加含有せしめてな
ることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058563A JPS58176175A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
| US06/475,538 US4450240A (en) | 1982-03-17 | 1983-03-15 | Ceramic compositions having high dielectric constant and high specific resistivity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058563A JPS58176175A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176175A JPS58176175A (ja) | 1983-10-15 |
| JPS6227027B2 true JPS6227027B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=13087915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57058563A Granted JPS58176175A (ja) | 1982-03-17 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176175A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0292858A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-03 | Nec Corp | 磁器組成物の製造方法 |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058563A patent/JPS58176175A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58176175A (ja) | 1983-10-15 |