JPS6149269B2 - - Google Patents
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- JPS6149269B2 JPS6149269B2 JP57011383A JP1138382A JPS6149269B2 JP S6149269 B2 JPS6149269 B2 JP S6149269B2 JP 57011383 A JP57011383 A JP 57011383A JP 1138382 A JP1138382 A JP 1138382A JP S6149269 B2 JPS6149269 B2 JP S6149269B2
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Description
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに、磁器コンデンサ
の寿命特性を考えると、一般に絶縁抵抗の値が小
さいと寿命が短くなる傾向があり、またこのよう
な磁器組成物は、温度が高くなると絶縁抵抗は小
さくなるため、室温における値のみならず、最高
使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが
必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。またエポキシ系
樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も外
装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツクが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラツクが入りやすく容易に破損するため、信頼性
が低くなる。したがつて、磁器の機械的強度をで
きるだけ増大させることは実用上極めて重要なこ
とである。 ところでPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系磁
器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニク
とエイ・アイ・アグラノフスカヤ(フイジコ ト
ベルドゴ テラVol.2、No.1、70p1960)N.N.
Krainik and A.I.Agranovskaya(Fiziko
Tverdogo Tela、Vo.2、No.1、pp70〜72、
Janoara 1960)より提案があり、また(Srx Pb1
−xTiO3)a(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただし、x
=0〜0.10、aは0.35〜0.5、bは0.5〜0.65であ
り、そしてa+b=1〕についても、モノリシツ
クコンデンサおよびその製造方法として特開昭52
−21662号公報に開示され、また誘電体粉末組成
物として特開昭52−21699号公報に開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなかつた。また、本発明者達は既に
910℃〜950℃の温度で焼結でき、Pb(Mg1/2W
1/2)O3とPbTiO3系二成分からなりこれを〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTjO3〕1−xと表わし
た時にxが0.65<x≦1.00の範囲にある組成物を
提案している。この組成物は、誘電率と比抵抗の
積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を
有している。しかしながら上記組成物はいずれも
機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざるを得なかつた。 またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTjO3系を含
む、三成分系については特開昭55−111011におい
てPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3Pb(Mg1/3Nb
2/3)O3系が、特開昭55−117809において、Pb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Mg1/3Ta2/
3)O3系がそれぞれ開示されている。しかしな
がら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされて
おらず、これらの磁器組成物の実用性は明らかで
なく、またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系(特開昭55−117809)の焼
結温度は、1000〜1150℃の高温であるため、銀、
ニツケル等を主成分とする安価な金属を内部電極
として使用するのは困難であつた。さらに特開昭
56−48004においてPbZrO3−Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3−Pb(Mg1/2W1/2)O3系が開示されている
が、焼結温度が1000〜1150℃の高温であるため、
銀、ニツケル等を主成分とする安価な金属を内部
電極として使用するのは困難であつた。 また、本発明者達は既にPb(Mg1/2W1/2)O3
−PbTiO3−PbZrO3三成分組成物を既に提案して
いる。この組成物は、900〜1000℃の低温領域で
焼結でき、誘電率が高く、誘電率と比低抗の積が
高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざる
を得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からな
る3成分組成物を〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x
〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表わしたときに
(ただし、x+y+z=1.00)、この3成分組成図
において (x=0.72、y=0.08、z=0.20) (x=0.792、y=0.198、z=0.01) (x=0.396、y=0.594、z=0.01) (x=0.15、y=0.35、z=0.50) (x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分として、マンガ
ン・ニオブ酸鉛〔Pb(Mn1/3Nb2/3)O3〕を主成
分に対して0.05〜10mol%添加含有せしめてなる
ことを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、酸化ニオブ(Nb2O3)、および
炭酸マンガン(MnCO3)を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後、750〜800
℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、口別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒
後プレスし、直径16mm、厚さ2mmの円板4枚と、
直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次に空
気中900〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結
した円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付
け、デジタルLCRメーターで周波数1KHz、電圧
1Vr.m.s温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧
を1分間印加して絶縁抵抗を温度20℃と125℃で
測定し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強
度で評価するため、焼結した円柱から厚さ0.5
mm、幅2mm、長さ13mmの矩形板10枚切り出した。
支点間距離を9mmにより、三点法で破壊荷重Pm
(Kg)を測定し、τ=3/2Pn1/Wt2〔Kg/cm2〕
なる式に従 い、抗折強度τ〔Kg/cm2〕を求めた。ただし1は
支点間距離、tは試料の厚み、wは試料の幅であ
る。電気的特性は円板試料4点の平均値、抗折強
度は矩形板試料10点の平均値より求めた。このよ
うにして得られた磁器の主成物〔Pb(Mg1/2W
1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zの配合
比x、y、zおよび副成分添加量と誘電率、誘電
損失、20℃および125℃における比抵抗および抗
折強度の関係を次表に示す。
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに、磁器コンデンサ
の寿命特性を考えると、一般に絶縁抵抗の値が小
さいと寿命が短くなる傾向があり、またこのよう
な磁器組成物は、温度が高くなると絶縁抵抗は小
さくなるため、室温における値のみならず、最高
使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが
必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。またエポキシ系
樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も外
装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツクが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラツクが入りやすく容易に破損するため、信頼性
が低くなる。したがつて、磁器の機械的強度をで
きるだけ増大させることは実用上極めて重要なこ
とである。 ところでPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系磁
器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニク
とエイ・アイ・アグラノフスカヤ(フイジコ ト
ベルドゴ テラVol.2、No.1、70p1960)N.N.
Krainik and A.I.Agranovskaya(Fiziko
Tverdogo Tela、Vo.2、No.1、pp70〜72、
Janoara 1960)より提案があり、また(Srx Pb1
−xTiO3)a(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただし、x
=0〜0.10、aは0.35〜0.5、bは0.5〜0.65であ
り、そしてa+b=1〕についても、モノリシツ
クコンデンサおよびその製造方法として特開昭52
−21662号公報に開示され、また誘電体粉末組成
物として特開昭52−21699号公報に開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性は明らかでなかつた。また、本発明者達は既に
910℃〜950℃の温度で焼結でき、Pb(Mg1/2W
1/2)O3とPbTiO3系二成分からなりこれを〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTjO3〕1−xと表わし
た時にxが0.65<x≦1.00の範囲にある組成物を
提案している。この組成物は、誘電率と比抵抗の
積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を
有している。しかしながら上記組成物はいずれも
機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲
に限定せざるを得なかつた。 またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTjO3系を含
む、三成分系については特開昭55−111011におい
てPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3Pb(Mg1/3Nb
2/3)O3系が、特開昭55−117809において、Pb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Mg1/3Ta2/
3)O3系がそれぞれ開示されている。しかしな
がら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされて
おらず、これらの磁器組成物の実用性は明らかで
なく、またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系(特開昭55−117809)の焼
結温度は、1000〜1150℃の高温であるため、銀、
ニツケル等を主成分とする安価な金属を内部電極
として使用するのは困難であつた。さらに特開昭
56−48004においてPbZrO3−Pb(Mg1/3Nb2/3)
O3−Pb(Mg1/2W1/2)O3系が開示されている
が、焼結温度が1000〜1150℃の高温であるため、
銀、ニツケル等を主成分とする安価な金属を内部
電極として使用するのは困難であつた。 また、本発明者達は既にPb(Mg1/2W1/2)O3
−PbTiO3−PbZrO3三成分組成物を既に提案して
いる。この組成物は、900〜1000℃の低温領域で
焼結でき、誘電率が高く、誘電率と比低抗の積が
高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざる
を得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からな
る3成分組成物を〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x
〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表わしたときに
(ただし、x+y+z=1.00)、この3成分組成図
において (x=0.72、y=0.08、z=0.20) (x=0.792、y=0.198、z=0.01) (x=0.396、y=0.594、z=0.01) (x=0.15、y=0.35、z=0.50) (x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分として、マンガ
ン・ニオブ酸鉛〔Pb(Mn1/3Nb2/3)O3〕を主成
分に対して0.05〜10mol%添加含有せしめてなる
ことを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、酸化ニオブ(Nb2O3)、および
炭酸マンガン(MnCO3)を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各
材料をボールミル中で湿式混合した後、750〜800
℃で予焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕
し、口別、乾燥後、有機バインダーを入れ、整粒
後プレスし、直径16mm、厚さ2mmの円板4枚と、
直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次に空
気中900〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結
した円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付
け、デジタルLCRメーターで周波数1KHz、電圧
1Vr.m.s温度20℃で容量と誘電損失を測定し、誘
電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧
を1分間印加して絶縁抵抗を温度20℃と125℃で
測定し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強
度で評価するため、焼結した円柱から厚さ0.5
mm、幅2mm、長さ13mmの矩形板10枚切り出した。
支点間距離を9mmにより、三点法で破壊荷重Pm
(Kg)を測定し、τ=3/2Pn1/Wt2〔Kg/cm2〕
なる式に従 い、抗折強度τ〔Kg/cm2〕を求めた。ただし1は
支点間距離、tは試料の厚み、wは試料の幅であ
る。電気的特性は円板試料4点の平均値、抗折強
度は矩形板試料10点の平均値より求めた。このよ
うにして得られた磁器の主成物〔Pb(Mg1/2W
1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zの配合
比x、y、zおよび副成分添加量と誘電率、誘電
損失、20℃および125℃における比抵抗および抗
折強度の関係を次表に示す。
【表】
【表】
表に示した結果から明らかなように、Pb(Mg
1/2W1/2)O3−PbTiO3−PbZrO3三成分組成物に
副成分としてPb(Mn1/3Nb2/3)O3を添加含有
せしめた本発明の範囲内のものは、誘電率が1070
〜3750と高く、誘電損失が0.1%〜4.9%と小さ
く、比抵抗が20℃において、3.7×1012〜6.4×
1013Ω・cmと高く、しかも125℃においても9.8×
1011〜2.6×1013Ω・cmという高い値を示し、さら
に、抗折強度も990〜1430Kg/cm2と実用上十分高い
値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組
成物であることがわかる。こうした優れた特性を
示す本発明の磁器は焼結温度が1000℃以下の低温
であるため積層コンデンサの内部電極の低価格化
を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約
にもなるという極めて優れた効果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を〔Pb(Mg1/2
W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表
わしたときに(ただし、x+y+z=1.00)その
組成は、3成分組成図においてNo.3、6、16、
18、5で表示される。 3:(x=0.72、y=0.08、z=0.20) 6:(x=0.792、y=0.198、z=0.01) 16:(x=0.396、y=0.594、z=0.01) 18:(x=0.15、y=0.35、z=0.50) 5:(x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上および、この5点に囲まれる組
成範囲に限定され、副成分の添加含有量は、主成
分に対して0.05〜10mol%に限定される。主成分
組成範囲を表わす3成分組成図において、点6,
3,5,18,16を結ぶ線の外側では誘電率が小さ
くなり実用的でない。点6,16を結ぶ線の外側で
は、高温における比抵抗が小さくなり実用的では
ない。 また副成分であるPb(Mn1/3Nb2/3)O3の添
加量が.05mol%未満では抗折強度の改善効果が
小さく、10mol%を超えると逆に抗折強度が小さ
くなるため実用的ではない。 なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図
に示した番号は、表に示した主成分配合比の番号
に対応する。
1/2W1/2)O3−PbTiO3−PbZrO3三成分組成物に
副成分としてPb(Mn1/3Nb2/3)O3を添加含有
せしめた本発明の範囲内のものは、誘電率が1070
〜3750と高く、誘電損失が0.1%〜4.9%と小さ
く、比抵抗が20℃において、3.7×1012〜6.4×
1013Ω・cmと高く、しかも125℃においても9.8×
1011〜2.6×1013Ω・cmという高い値を示し、さら
に、抗折強度も990〜1430Kg/cm2と実用上十分高い
値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器組
成物であることがわかる。こうした優れた特性を
示す本発明の磁器は焼結温度が1000℃以下の低温
であるため積層コンデンサの内部電極の低価格化
を実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約
にもなるという極めて優れた効果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を〔Pb(Mg1/2
W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表
わしたときに(ただし、x+y+z=1.00)その
組成は、3成分組成図においてNo.3、6、16、
18、5で表示される。 3:(x=0.72、y=0.08、z=0.20) 6:(x=0.792、y=0.198、z=0.01) 16:(x=0.396、y=0.594、z=0.01) 18:(x=0.15、y=0.35、z=0.50) 5:(x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上および、この5点に囲まれる組
成範囲に限定され、副成分の添加含有量は、主成
分に対して0.05〜10mol%に限定される。主成分
組成範囲を表わす3成分組成図において、点6,
3,5,18,16を結ぶ線の外側では誘電率が小さ
くなり実用的でない。点6,16を結ぶ線の外側で
は、高温における比抵抗が小さくなり実用的では
ない。 また副成分であるPb(Mn1/3Nb2/3)O3の添
加量が.05mol%未満では抗折強度の改善効果が
小さく、10mol%を超えると逆に抗折強度が小さ
くなるため実用的ではない。 なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図
に示した番号は、表に示した主成分配合比の番号
に対応する。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示し
た組成点を示す図である。
た組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb(Mg
1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およびジ
ルコン酸鉛〔PbZrO3〕からなる3成分組成物を
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y
〔PbZrO3〕zと表わしたときに、(ただし、x+
y+z=1.00)この3成分組成図において (x=0.72、y=0.08、z=0.20) (x=0.792、y=0.198、z=0.01) (x=0.396、y=0.594、z=0.01) (x=0.15、y=0.35、z=0.50) (x=0.27、y=0.03、z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分としてマンガ
ン・ニオブ酸鉛〔Pb(Mn1/3Nb2/3)O3〕を主成
分に対して0.05〜10mol%添加含有せしめてなる
ことを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57011383A JPS58130163A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57011383A JPS58130163A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58130163A JPS58130163A (ja) | 1983-08-03 |
JPS6149269B2 true JPS6149269B2 (ja) | 1986-10-28 |
Family
ID=11776480
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57011383A Granted JPS58130163A (ja) | 1982-01-27 | 1982-01-27 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58130163A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6049502A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-18 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
JPS6049503A (ja) * | 1983-08-30 | 1985-03-18 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1982
- 1982-01-27 JP JP57011383A patent/JPS58130163A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58130163A (ja) | 1983-08-03 |