JPS6033261A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6033261A JPS6033261A JP58142929A JP14292983A JPS6033261A JP S6033261 A JPS6033261 A JP S6033261A JP 58142929 A JP58142929 A JP 58142929A JP 14292983 A JP14292983 A JP 14292983A JP S6033261 A JPS6033261 A JP S6033261A
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- JP
- Japan
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- composition
- temperature
- porcelain
- lead
- main component
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温で焼
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
結でき、誘電率が高く、室温および高温における絶縁抵
抗が高く、しかも機械的強度の高い磁器組成物に関する
ものである。
従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリウムQs
aTtom)を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおシである。しかしながら、チタン酸
バリウム(BaTiOs)を主成分とするものは、焼結
温度が通常130G−1400℃の高温である。このた
めこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極
としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラ
ジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず、製
造コストが高くりくという欠点がある。積層形コンデン
サを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分とす
る安価な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必要で
ある。
aTtom)を主成分とする磁器が広く実用化されてい
ることは周知のとおシである。しかしながら、チタン酸
バリウム(BaTiOs)を主成分とするものは、焼結
温度が通常130G−1400℃の高温である。このた
めこれを積層形コンデンサに利用する場合には内部電極
としてこの焼結温度に耐え得る材料、例えば白金、パラ
ジウムなどの高価な貴金属を使用しなければならず、製
造コストが高くりくという欠点がある。積層形コンデン
サを安く作るためには、銀、ニッケルなどを主成分とす
る安価な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が必要で
ある。
また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率が高く、
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求
される。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考えると
、一般に絶縁抵抗の値が小さいと寿命が短くなる傾向が
あシ、またこのような磁器組成物は、温度が高くなると
絶縁抵抗は小さくなるため、室温における値のみならず
、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが
必要である。
誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いことが基本的に要求
される。さらに、磁器コンデンサの寿命特性を考えると
、一般に絶縁抵抗の値が小さいと寿命が短くなる傾向が
あシ、またこのような磁器組成物は、温度が高くなると
絶縁抵抗は小さくなるため、室温における値のみならず
、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値をとることが
必要である。
また、積層形チップコンデンサの場合は、チップコンデ
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したシ、破損したりすることがある。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの」
場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラック
が発生する場合がある・いずれの場合もコンデンサを形
成している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入
シやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。した
がって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させるとと
拡実用上極めて重要なことである。
ンサを基板に実装したとき、基板とチップコンデンサを
構成している磁器との熱膨張係数の違いにより、チップ
コンデンサに機械的な歪が加わり、チップコンデンサに
クラックが発生したシ、破損したりすることがある。ま
たエポキシ系樹脂等を外装したディップコンデンサの」
場合も外装樹脂の応力でディップコンデンサにクラック
が発生する場合がある・いずれの場合もコンデンサを形
成している磁器の機械的強度が低いほど、クラックが入
シやすく容易に破損するため、信頼性が低くなる。した
がって、磁器の機械的強度をできるだけ増大させるとと
拡実用上極めて重要なことである。
ところでPb(Mg工/*Wx/x)Os Pb T
i Os系磁器組成物につbては既にエヌ、エヌ、クラ
イニクとエイ。
i Os系磁器組成物につbては既にエヌ、エヌ、クラ
イニクとエイ。
アイ、アグラノフスカヤ(フイジコ トペルドゴテラV
o1.LNo、1.70p 1960) N、N、Kr
ainik andん1、Agranovskaya(
Fiziko Tvardogo Te1ap Vo−
2eNo−1,PP 70′72. Janoara
1960)よシ提案があシ、また(SrxPbl−xT
iOm)B(Pb k/Jgo、s Wo、s 0s)
l) (ただし、x=(1〜0.10. a=0.35
〜0.5. b=0−5〜0.65. a+b=11に
ついても、モノリシックコンデンサおよびその製造方法
として特開昭52−21662号公報に開示さね、また
誘電体粉末組成物として特開昭52−21699号公報
に開示されている。しかしながら、bずれも比抵抗に関
する開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実
用性は不明である。また、本発明者等は既に910’C
−950℃の温度で焼結でき、pb(鬼、/、W、/、
)onとPbTi0.との2成分系からなシ、これを(
Pb(Mgl/2W1/JOI )X(PbTiO稟〕
、−8と表わしたときにXが0.65<X≦1.00の
範囲にある組成物を提案した。この組成物は、誘電率と
比抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性
を有している。しかしながら上記組成物はいずれも機械
的強度が低層ため、その用途は自ら狭い範囲に1沢定せ
ざるを得なかった。
o1.LNo、1.70p 1960) N、N、Kr
ainik andん1、Agranovskaya(
Fiziko Tvardogo Te1ap Vo−
2eNo−1,PP 70′72. Janoara
1960)よシ提案があシ、また(SrxPbl−xT
iOm)B(Pb k/Jgo、s Wo、s 0s)
l) (ただし、x=(1〜0.10. a=0.35
〜0.5. b=0−5〜0.65. a+b=11に
ついても、モノリシックコンデンサおよびその製造方法
として特開昭52−21662号公報に開示さね、また
誘電体粉末組成物として特開昭52−21699号公報
に開示されている。しかしながら、bずれも比抵抗に関
する開示は全くされておらず、これらの磁器組成物の実
用性は不明である。また、本発明者等は既に910’C
−950℃の温度で焼結でき、pb(鬼、/、W、/、
)onとPbTi0.との2成分系からなシ、これを(
Pb(Mgl/2W1/JOI )X(PbTiO稟〕
、−8と表わしたときにXが0.65<X≦1.00の
範囲にある組成物を提案した。この組成物は、誘電率と
比抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性
を有している。しかしながら上記組成物はいずれも機械
的強度が低層ため、その用途は自ら狭い範囲に1沢定せ
ざるを得なかった。
またpb(入社x7tVb72)Os PbTi01系
を含む、3成分系につbては特開昭55−111011
号においてpb(Mg 17zW□7z’)Os Pb
Ti01 Pb(Mgt/aNbz/a)Os系が、特
開昭55−117809号において、pb備、/、W、
ハ)08−PbTiOa Pb(Mgx/aTaz/a
)Os系がそれぞれ開示されている。しかしながら、い
ずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず、これら
の磁器組成物の実用性は明らかにされていない、またP
b(Mg工/、WV2)Os PbTiOs PbCM
gz/sT&z/5)Os系(特開昭55−11780
9号)の焼結温度は、1000〜1150℃の高温であ
るため、銀、ニッケル等を主成分とする安価な金属を内
部電極として使用するのは困難であった。さらに特開昭
56748004号において、PbZrOs−pbCM
g工yxNbz/5)Os Pb(Mg□/、W□7x
)Ox系が開示されているが、焼結温度が1000〜1
150℃の高温であるため、銀、ニッケル等を主成分と
する安価な金回を内部電極として使用するのは困難であ
った。
を含む、3成分系につbては特開昭55−111011
号においてpb(Mg 17zW□7z’)Os Pb
Ti01 Pb(Mgt/aNbz/a)Os系が、特
開昭55−117809号において、pb備、/、W、
ハ)08−PbTiOa Pb(Mgx/aTaz/a
)Os系がそれぞれ開示されている。しかしながら、い
ずれも比抵抗に関する開示は全くされておらず、これら
の磁器組成物の実用性は明らかにされていない、またP
b(Mg工/、WV2)Os PbTiOs PbCM
gz/sT&z/5)Os系(特開昭55−11780
9号)の焼結温度は、1000〜1150℃の高温であ
るため、銀、ニッケル等を主成分とする安価な金属を内
部電極として使用するのは困難であった。さらに特開昭
56748004号において、PbZrOs−pbCM
g工yxNbz/5)Os Pb(Mg□/、W□7x
)Ox系が開示されているが、焼結温度が1000〜1
150℃の高温であるため、銀、ニッケル等を主成分と
する安価な金回を内部電極として使用するのは困難であ
った。
また、本発明者等は既にPb (Mg x7*W*7s
)Os −PbTi07、PbZrOx 3 Jjt分
組成物を既に提案している(特願昭56−157319
号)。この組成物は、900〜1000℃の低温領域で
焼結でき、誘電率が高く、誘電率の温度変化率が小さく
、誘電率と比抵抗との積の値が萬<、誘電損失の小さい
侵れた特性を有している。しかしながら、この組成物は
、矢張り機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範
囲に限定せざるを得なかった。
)Os −PbTi07、PbZrOx 3 Jjt分
組成物を既に提案している(特願昭56−157319
号)。この組成物は、900〜1000℃の低温領域で
焼結でき、誘電率が高く、誘電率の温度変化率が小さく
、誘電率と比抵抗との積の値が萬<、誘電損失の小さい
侵れた特性を有している。しかしながら、この組成物は
、矢張り機械的強度が低いため、その用途は自ら狭い範
囲に限定せざるを得なかった。
本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の低
温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電気
的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い磁
器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム
・タングステン酸鉛〔Pb (Mg x7zW17J
Os )、チタンj12 m (P b T i Os
)およびジルコン酸鉛(PbZrOslからなる3成
分組成物を、(Pb (Mg x/*Wx/:)o、
:]、(PbT i Os )y (PbZ rOs
)x、と表わしたときに(ただし、x+7+z+==1
.00 )、この3成分組成図にお匹て、 (x=0.72−、 y=0.08 、 z=0.20
)(X=0.792 、 y=0.198 、 z=0
.01 )(x=0.396 、7冨0.594 、
z = 0.01 )(X=0.15 、 yと0.3
5 、 z = 0.50 )(x=0.27 、7=
0.03 、 z=0.70 )の各点を結ぶ線上およ
び、この5点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に
副成分として、マンガン・アンチモン酸鉛[Pb(Mn
x/5sbx/z)On )を主成分に対して0.0E
r’>mo7%添加含有せしめてなることを特徴とする
ものである。
温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、
室温および高温における絶縁抵抗の値が高い優れた電気
的特性を有し、特に機械的強度も大きい信頼性の高い磁
器組成物を提供しようとするものであり、マグネシウム
・タングステン酸鉛〔Pb (Mg x7zW17J
Os )、チタンj12 m (P b T i Os
)およびジルコン酸鉛(PbZrOslからなる3成
分組成物を、(Pb (Mg x/*Wx/:)o、
:]、(PbT i Os )y (PbZ rOs
)x、と表わしたときに(ただし、x+7+z+==1
.00 )、この3成分組成図にお匹て、 (x=0.72−、 y=0.08 、 z=0.20
)(X=0.792 、 y=0.198 、 z=0
.01 )(x=0.396 、7冨0.594 、
z = 0.01 )(X=0.15 、 yと0.3
5 、 z = 0.50 )(x=0.27 、7=
0.03 、 z=0.70 )の各点を結ぶ線上およ
び、この5点に囲まれる組成範囲にある主成分組成物に
副成分として、マンガン・アンチモン酸鉛[Pb(Mn
x/5sbx/z)On )を主成分に対して0.0E
r’>mo7%添加含有せしめてなることを特徴とする
ものである。
以下本発明を実施例゛によシ詳細に説明する。
出発原料として純度99.9チ以上の酸化鉛(pbo)
、酸化マグネシウム(2)0)、酸化タングステンcW
o、>、酸化チタン(T i O! )、酸化ジルコニ
ウム(ZrO*)、酸化アンチモン(SbzOs)およ
び炭酸マンガy(MnCOa)を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料を
ボールミル中で湿式混合した後、750−800℃で予
焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、日別、乾
燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、試料と
して直径16m、厚さ約2mの円板4枚と、直径16
m s厚さ約10mの円柱とを作製し、次に試料を空気
中900〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結し
た円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デジ
タルLCRメーターで周波数I KHz 、11!圧I
Vr 、m、 8温度20℃で容量と誘電損失を測定し
、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧
を1分間印加して結縁抵抗を温度加℃と125℃で測定
し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価す
るため、焼結した円柱から厚さ0−5XI、幅2ms長
さ13mの矩形板を10枚切り出した。支点間距離を9
態により、三点法で破壊荷重Pm(財)を測定し、d〕
をめた。ただしlは支点間距離、tは試料の厚み、Wは
試料の幅である。電気的特性は円板試料4点の平均値、
抗折強度は矩形板試料10点の平均値よ請求めた。この
ようにして得られた磁器の主成分(Pb(Mgx/xW
x/JOs ”1z(PbTiOs )y(PbZrO
m:]zの配合比X + 7 # Zおよび副成分添加
量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃における
比抵抗および抗折強度の関係を次表に示す。
、酸化マグネシウム(2)0)、酸化タングステンcW
o、>、酸化チタン(T i O! )、酸化ジルコニ
ウム(ZrO*)、酸化アンチモン(SbzOs)およ
び炭酸マンガy(MnCOa)を使用し、表に示した配
合比となるように各々秤量する。次に秤量した各材料を
ボールミル中で湿式混合した後、750−800℃で予
焼を行ない、この粉末をボールミルで粉砕し、日別、乾
燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、試料と
して直径16m、厚さ約2mの円板4枚と、直径16
m s厚さ約10mの円柱とを作製し、次に試料を空気
中900〜1000℃の温度で1時間焼結した。焼結し
た円板4枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デジ
タルLCRメーターで周波数I KHz 、11!圧I
Vr 、m、 8温度20℃で容量と誘電損失を測定し
、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で50Vの電圧
を1分間印加して結縁抵抗を温度加℃と125℃で測定
し、比抵抗を算出した。機械的性質を抗折強度で評価す
るため、焼結した円柱から厚さ0−5XI、幅2ms長
さ13mの矩形板を10枚切り出した。支点間距離を9
態により、三点法で破壊荷重Pm(財)を測定し、d〕
をめた。ただしlは支点間距離、tは試料の厚み、Wは
試料の幅である。電気的特性は円板試料4点の平均値、
抗折強度は矩形板試料10点の平均値よ請求めた。この
ようにして得られた磁器の主成分(Pb(Mgx/xW
x/JOs ”1z(PbTiOs )y(PbZrO
m:]zの配合比X + 7 # Zおよび副成分添加
量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃における
比抵抗および抗折強度の関係を次表に示す。
表に示した結果から明らかなように、 Pb (Mg
、7*W1/5)Os PbTi0m PbZr(%
3成分組成物に副成分としてPb(Mn1/1Sbl/
禽)osを特定の割合いで添加含有せしめたものは、誘
電率が1100−3810と高く、誘電損失が0.1〜
4.6 %と小さく、比抵抗が20℃におm−(,3,
7XLO”〜5.9XL013Ω・儂と高く、しかモ1
25℃においても5.0XLO”〜2.0)40”Ω・
備という高い値を示し、さらに、抗折強度も970〜1
400 kg/dと実用上十分高い値を示す信頼性の高
い実用性の極めて高−磁器組成物であることがわかる。
、7*W1/5)Os PbTi0m PbZr(%
3成分組成物に副成分としてPb(Mn1/1Sbl/
禽)osを特定の割合いで添加含有せしめたものは、誘
電率が1100−3810と高く、誘電損失が0.1〜
4.6 %と小さく、比抵抗が20℃におm−(,3,
7XLO”〜5.9XL013Ω・儂と高く、しかモ1
25℃においても5.0XLO”〜2.0)40”Ω・
備という高い値を示し、さらに、抗折強度も970〜1
400 kg/dと実用上十分高い値を示す信頼性の高
い実用性の極めて高−磁器組成物であることがわかる。
仁のように優れた特性を示す本発明の磁器は焼結温度が
1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できると共K、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。図
に本発明の生成分組成範囲を示す1図に示した番号は表
に示した主成分配合比の番号に対応させである。
1000℃以下の低温であるため積層コンデンサの内部
電極の低価格化を実現できると共K、省エネルギーや炉
材の節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。図
に本発明の生成分組成範囲を示す1図に示した番号は表
に示した主成分配合比の番号に対応させである。
図にお仏で、本発明の主成分組成物を(Pb (Mgl
/zWs/x)Os ’)z(PbTiOs )y(P
bZrOs )z と表わしたときに(ただし、X”7
+z=l、QQ )その組成は、3成分組成図において
No、3,6t16t18t5 で表示される。
/zWs/x)Os ’)z(PbTiOs )y(P
bZrOs )z と表わしたときに(ただし、X”7
+z=l、QQ )その組成は、3成分組成図において
No、3,6t16t18t5 で表示される。
3: Cx=0.72 、 y=0.08 、 z=0
.20)6 : (x=0.792 、 r=0.19
8 、 z=0.01 )16: (x=0.396
、 )’=0.594 、 z=0.01 )18:
(X=0.15 、 y=0.35 、 z=0.50
)5:(工=0.27 、 )’=0.03 、 z=
0.70 )の各点を結ぶ線上および、この5点に囲ま
れる組成範囲に限定され、副成分の添加含有量は、主成
分に対して0.05〜”smo#に限定される。主成分
組成範囲を表わす3成分組成図において、点6 # 3
* 5.18゜16を結ぶ線の外側では誘電率が小さ
くなり実用的でない。点6.16を結ぶ縁の外側では、
高温における比抵抗が小さくなり実用的でない。
.20)6 : (x=0.792 、 r=0.19
8 、 z=0.01 )16: (x=0.396
、 )’=0.594 、 z=0.01 )18:
(X=0.15 、 y=0.35 、 z=0.50
)5:(工=0.27 、 )’=0.03 、 z=
0.70 )の各点を結ぶ線上および、この5点に囲ま
れる組成範囲に限定され、副成分の添加含有量は、主成
分に対して0.05〜”smo#に限定される。主成分
組成範囲を表わす3成分組成図において、点6 # 3
* 5.18゜16を結ぶ線の外側では誘電率が小さ
くなり実用的でない。点6.16を結ぶ縁の外側では、
高温における比抵抗が小さくなり実用的でない。
また副成分であるPb(Mnz/zSbt7JOmの添
加量が、0.05mol 1未満では抗折強度の改善効
果が小さく、5 mol ’lkを超えると逆に抗折強
度が小さくなるため実用的でない。
加量が、0.05mol 1未満では抗折強度の改善効
果が小さく、5 mol ’lkを超えると逆に抗折強
度が小さくなるため実用的でない。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示した組成点
を示す図である・
を示す図である・
Claims (1)
- (1)マグネシウム・タングステン酸鉛(Pb(Mgx
/zWl/*)Os )、チタン酸鉛(PbTiOs)
およびジルコン酸鉛(PbZrOm)からなる3成分組
成物を(Pb(Mgx/*Wt/z)Os )z(Pb
TiOs )y(PbZrOs )z ト表f) L
タトきに、(ただし、x”)’+z=1.00)この3
成分組成図において (X=0.72 # y=o、os 、 z=0.20
)(X”0−792−7=0.198 s z=0−0
1 )(X=0.396 、7=0.594 # z=
Q、Ql )(X=0−15 、 y=0.35 、
z=0.50 )(X=0−27.7”0.03 p
z=O−70)の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲ま
れる組成範囲に6る主成分組成物に、副成分としてマン
ガフ@77チモ7酸鉛CPb(Mnx7zSbx7t)
Osを主成分に対して0.05”smoA!%添加含有
せしめてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142929A JPS6033261A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142929A JPS6033261A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6033261A true JPS6033261A (ja) | 1985-02-20 |
Family
ID=15326917
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58142929A Pending JPS6033261A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6033261A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58135509A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP58142929A patent/JPS6033261A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58135509A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-12 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4985381A (en) * | 1989-02-23 | 1991-01-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5439857A (en) * | 1993-06-30 | 1995-08-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
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