JPS6227028B2 - - Google Patents
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- JPS6227028B2 JPS6227028B2 JP58144783A JP14478383A JPS6227028B2 JP S6227028 B2 JPS6227028 B2 JP S6227028B2 JP 58144783 A JP58144783 A JP 58144783A JP 14478383 A JP14478383 A JP 14478383A JP S6227028 B2 JPS6227028 B2 JP S6227028B2
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Description
本発明は、磁器組成物、特に1000℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに、磁器コンデンサ
の寿命特性を考えると、一般に絶縁抵抗の値が小
さいと寿命が短くなる傾向があり、またこのよう
な磁器組成物は、温度が高くなると絶縁抵抗は小
さくなるため、室温における値のみならず、予想
される最高使用温度における絶縁抵抗も高い値を
とることが必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。またエポキシ系
樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も外
装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツクが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラツクが入りやすく容易に破損するため、信頼性
が低くなる。したがつて、磁器の機械的強度をで
きるだけ増大させることは実用上極めて重要なこ
とである。 ところでPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系磁
器組成物については既にエヌ.エヌ.クライニク
とエイ.アイ.アグラノフスカヤ(フイジコ ト
ベルドゴテラVol.2,No.1,70p 1960)N.N.
Krainik and A.I.Agranovskaya(Fiziko
Tverdogo Tela,Vo.2,No.1,pp70〜72,
Janoara 1960)より提案があり、また
(SrxPb1-xTiO3)a(Pb Mg0.5W0.5O3)b〔ただし、
x=0〜0.10,a=0.35〜0.5,b=0.5〜0.65、
a+b=1〕についても、モノリシツクコンデン
サおよびその製造方法として特開昭52−21662号
公報に開示され、また誘電体粉末組成物として特
開昭52−21699号公報に開示されている。しかし
ながら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされ
ておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らか
でなかつた。一方、本発明者等は既に910℃〜950
℃の温度で焼結でき、Pb(Mg1/2W1/2)O3と
PbTiO3との2成分系からなり、これを〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕1-xと表わした時
にxが0.65<x≦1.00の範囲にある組成物を提案
した。この組成物は、誘電率と比抵抗の積の値が
高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有し
ている。しかしながら上記組成物はいずれも機械
的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかつた。 またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系を含
む、3成分系については特開昭55−111011号にお
いてPb((Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Nb2/3)O3系が、特開昭55−117809号に
おいて、Pb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系がそれぞれ開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性については不明であり、またPb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系(特開昭55−117809号)の
焼結温度は、1000〜1150℃の高温であるため、
銀、ニツケル等を主成分とする安価な金属を内部
電極として使用するのは困難であつた。さらに特
開昭56−48004号にはPbZrO3−Pb
(Mg1/3Nb2/3)O3―Pb(Mg1/2W1/2)O3系
が開示されているが、矢張り焼結温度が1000〜
1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等を主成
分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であつた。 また、本発明者等は既にPb(Mg1/2W1/2)
O3−PbTiO3−PbZrO3 3成分組成物を提案して
いる(特願昭56−157319号)。この組成物は、900
〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、
誘電率の温度変化率が小さく誘電率と比抵抗の積
が高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざる
を得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、特に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からな
る3成分組成物を〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x
〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表わしたときに(ただ
し、x+y+z=1.00)、この3成分組成図にお
いて、 (x=0.72,y=0.08,z=0.20) (x=0.792,y=0.198,z=0.01) (x=0.396,y=0.594,z=0.01) (x=0.15,y=0.35,z=0.50) (x=0.27,y=0.03,z=0.70) の各点を結ぶ線上および、この5点に囲まれる組
成範囲にある主成分組成物に副成分として、マン
ガン・タングステン酸鉛〔Pb(Mn2/3W1/3)
O3〕を主成分に対して0.05〜2mo%添加含有せ
しめてなることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、および炭酸マンガン
(MnCO3)を使用し、表に示した配合比となるよ
うに各々秤量する。次に秤量した各材料をボール
ミル中で湿式混合した後、750〜800℃で予焼を行
ない、この粉末をボールミルで粉砕し、口別、乾
燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、
試料として直径16mm、厚さ約2mmの円板4枚と、
直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次に試
料を空気中900〜1000℃の温度で1時間焼結し
た。焼結した円板4枚の上下面に600℃で銀電極
を焼付け、デジタルLCRメーターで周波数1K
Hz、電圧1Vr.m.s温度20℃で容量と誘電損失を測
定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で
50Vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温度20℃
と125℃で測定し、比抵抗を算出した。機械的性
質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱から
厚さ0.5mm、幅2mm、長さ13mmの矩形板を10枚切
り出した。支点間距離を9mmにより、三点法で破
壊荷重Pm(Kg)を測定し、τ=3/2 Pm/Wt2
〔Kg/ cm2〕なる式に従い、抗折強度τ〔Kg/cm2〕を求め
た。ただしは支点間距離、tは試料の厚み、W
は試料の幅である。電気的特性は円板試料4点の
平均値、抗折強度は矩形板試料10点の平均値より
求めた。このようにして得られた磁器の主成分
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y
〔PbZrO3〕zの配合比x,y,zおよび副成分添加
量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃におけ
る比抵抗および抗折強度の関係を次表に示す。
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1000℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに、磁器コンデンサ
の寿命特性を考えると、一般に絶縁抵抗の値が小
さいと寿命が短くなる傾向があり、またこのよう
な磁器組成物は、温度が高くなると絶縁抵抗は小
さくなるため、室温における値のみならず、予想
される最高使用温度における絶縁抵抗も高い値を
とることが必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪が
加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生した
り、破損したりすることがある。またエポキシ系
樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も外
装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツクが
発生する場合がある。いずれの場合もコンデンサ
を形成している磁器の機械的強度が低いほど、ク
ラツクが入りやすく容易に破損するため、信頼性
が低くなる。したがつて、磁器の機械的強度をで
きるだけ増大させることは実用上極めて重要なこ
とである。 ところでPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系磁
器組成物については既にエヌ.エヌ.クライニク
とエイ.アイ.アグラノフスカヤ(フイジコ ト
ベルドゴテラVol.2,No.1,70p 1960)N.N.
Krainik and A.I.Agranovskaya(Fiziko
Tverdogo Tela,Vo.2,No.1,pp70〜72,
Janoara 1960)より提案があり、また
(SrxPb1-xTiO3)a(Pb Mg0.5W0.5O3)b〔ただし、
x=0〜0.10,a=0.35〜0.5,b=0.5〜0.65、
a+b=1〕についても、モノリシツクコンデン
サおよびその製造方法として特開昭52−21662号
公報に開示され、また誘電体粉末組成物として特
開昭52−21699号公報に開示されている。しかし
ながら、いずれも比抵抗に関する開示は全くされ
ておらず、これらの磁器組成物の実用性は明らか
でなかつた。一方、本発明者等は既に910℃〜950
℃の温度で焼結でき、Pb(Mg1/2W1/2)O3と
PbTiO3との2成分系からなり、これを〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕1-xと表わした時
にxが0.65<x≦1.00の範囲にある組成物を提案
した。この組成物は、誘電率と比抵抗の積の値が
高く、誘電損失の小さい優れた電気的特性を有し
ている。しかしながら上記組成物はいずれも機械
的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかつた。 またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系を含
む、3成分系については特開昭55−111011号にお
いてPb((Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Nb2/3)O3系が、特開昭55−117809号に
おいて、Pb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系がそれぞれ開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示
は全くされておらず、これらの磁器組成物の実用
性については不明であり、またPb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系(特開昭55−117809号)の
焼結温度は、1000〜1150℃の高温であるため、
銀、ニツケル等を主成分とする安価な金属を内部
電極として使用するのは困難であつた。さらに特
開昭56−48004号にはPbZrO3−Pb
(Mg1/3Nb2/3)O3―Pb(Mg1/2W1/2)O3系
が開示されているが、矢張り焼結温度が1000〜
1150℃の高温であるため、銀、ニツケル等を主成
分とする安価な金属を内部電極として使用するの
は困難であつた。 また、本発明者等は既にPb(Mg1/2W1/2)
O3−PbTiO3−PbZrO3 3成分組成物を提案して
いる(特願昭56−157319号)。この組成物は、900
〜1000℃の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、
誘電率の温度変化率が小さく誘電率と比抵抗の積
が高く、誘電損失の小さい優れた特性を有してい
る。しかしながら、この組成物は、機械的強度が
低いため、その用途は自ら狭い範囲に限定せざる
を得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1000℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、特に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からな
る3成分組成物を〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x
〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表わしたときに(ただ
し、x+y+z=1.00)、この3成分組成図にお
いて、 (x=0.72,y=0.08,z=0.20) (x=0.792,y=0.198,z=0.01) (x=0.396,y=0.594,z=0.01) (x=0.15,y=0.35,z=0.50) (x=0.27,y=0.03,z=0.70) の各点を結ぶ線上および、この5点に囲まれる組
成範囲にある主成分組成物に副成分として、マン
ガン・タングステン酸鉛〔Pb(Mn2/3W1/3)
O3〕を主成分に対して0.05〜2mo%添加含有せ
しめてなることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ジル
コニウム(ZrO2)、および炭酸マンガン
(MnCO3)を使用し、表に示した配合比となるよ
うに各々秤量する。次に秤量した各材料をボール
ミル中で湿式混合した後、750〜800℃で予焼を行
ない、この粉末をボールミルで粉砕し、口別、乾
燥後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、
試料として直径16mm、厚さ約2mmの円板4枚と、
直径16mm、厚さ約10mmの円柱を作製した。次に試
料を空気中900〜1000℃の温度で1時間焼結し
た。焼結した円板4枚の上下面に600℃で銀電極
を焼付け、デジタルLCRメーターで周波数1K
Hz、電圧1Vr.m.s温度20℃で容量と誘電損失を測
定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵抗計で
50Vの電圧を1分間印加して絶縁抵抗を温度20℃
と125℃で測定し、比抵抗を算出した。機械的性
質を抗折強度で評価するため、焼結した円柱から
厚さ0.5mm、幅2mm、長さ13mmの矩形板を10枚切
り出した。支点間距離を9mmにより、三点法で破
壊荷重Pm(Kg)を測定し、τ=3/2 Pm/Wt2
〔Kg/ cm2〕なる式に従い、抗折強度τ〔Kg/cm2〕を求め
た。ただしは支点間距離、tは試料の厚み、W
は試料の幅である。電気的特性は円板試料4点の
平均値、抗折強度は矩形板試料10点の平均値より
求めた。このようにして得られた磁器の主成分
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y
〔PbZrO3〕zの配合比x,y,zおよび副成分添加
量と誘電率、誘電損失、20℃および125℃におけ
る比抵抗および抗折強度の関係を次表に示す。
【表】
【表】
表に示した結果から明らかなように、Pb
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−PbZrO3 3成分組
成物に副成分としてPb(Mn2/3W1/3)O3を特
定の割合いで添加含有せしめたものは、誘電率が
1100〜3780と高く、誘電損失が0.2〜4.4%と小さ
く、比抵抗が20℃において、2.9×1012〜5.4×
1013Ω・cmと高く、しかも125℃においても2.9×
1011〜1.4×1013Ω・cmという高い値を示し、さら
に、抗折強度も980〜1360Kg/cm2と実用上十分高
い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器
組成物であることがわかる。このように優れた特
性を示す本発明の磁器は焼結温度が1000℃以下の
低温であるため積層コンデンサの内部電極の低価
格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の
節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。
図は本発明の主成分範囲を示す。図に示す番号は
表に示した主成分配合比の番号に対応させてあ
る。 本発明は、主成分組成物を〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表
わしたときに(ただし、x+y+z=1.00)その
組成範囲は、3成分組成図においてNo.3,6,
16,18,5、すなわち、 3:(x=0.72,y=0.08,z=0.20) 6:(x=0.792,y=0.198,z=0.01) 16:(x=0.396,y=0.594,z=0.01) 18:(x=0.15,y=0.35,z=0.50) 5:(x=0.27,y=0.03,z=0.70) で表示される各点を結ぶ線上および、この5点に
囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添加含有
量は、主成分に対して0.05〜2mo%に限定され
る。主成分組成範囲を表わす3成分組成図におい
て、点6,3,5,18,16を結ぶ線の外側で
は誘電率が小さくなり実用的でない。点6,16
を結ぶ線の外側では、高温における比抵抗が小さ
くなり実用的でない。 また副成分であるPb(Mn2/3W1/3)O3の添
加量が0.05mo%未満では抗折強度の改善効果
が小さく、2mo%を超えると逆に抗折強度が小
さくなるため実用的でない。
(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−PbZrO3 3成分組
成物に副成分としてPb(Mn2/3W1/3)O3を特
定の割合いで添加含有せしめたものは、誘電率が
1100〜3780と高く、誘電損失が0.2〜4.4%と小さ
く、比抵抗が20℃において、2.9×1012〜5.4×
1013Ω・cmと高く、しかも125℃においても2.9×
1011〜1.4×1013Ω・cmという高い値を示し、さら
に、抗折強度も980〜1360Kg/cm2と実用上十分高
い値を示す信頼性の高い実用性の極めて高い磁器
組成物であることがわかる。このように優れた特
性を示す本発明の磁器は焼結温度が1000℃以下の
低温であるため積層コンデンサの内部電極の低価
格化を実現できると共に、省エネルギーや炉材の
節約にもなるという極めて優れた効果も生じる。
図は本発明の主成分範囲を示す。図に示す番号は
表に示した主成分配合比の番号に対応させてあ
る。 本発明は、主成分組成物を〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbZrO3〕zと表
わしたときに(ただし、x+y+z=1.00)その
組成範囲は、3成分組成図においてNo.3,6,
16,18,5、すなわち、 3:(x=0.72,y=0.08,z=0.20) 6:(x=0.792,y=0.198,z=0.01) 16:(x=0.396,y=0.594,z=0.01) 18:(x=0.15,y=0.35,z=0.50) 5:(x=0.27,y=0.03,z=0.70) で表示される各点を結ぶ線上および、この5点に
囲まれる組成範囲に限定され、副成分の添加含有
量は、主成分に対して0.05〜2mo%に限定され
る。主成分組成範囲を表わす3成分組成図におい
て、点6,3,5,18,16を結ぶ線の外側で
は誘電率が小さくなり実用的でない。点6,16
を結ぶ線の外側では、高温における比抵抗が小さ
くなり実用的でない。 また副成分であるPb(Mn2/3W1/3)O3の添
加量が0.05mo%未満では抗折強度の改善効果
が小さく、2mo%を超えると逆に抗折強度が小
さくなるため実用的でない。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示し
た組成点を示す図である。
た組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およ
びジルコン酸鉛〔PbZrO3〕からなる3成分組成物
を〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y
〔PbZrO3〕zと表わしたときに、(ただし、x+y
+z=1.00)この3成分組成図において、 (x=0.72,y=0.08,z=0.20) (x=0.792,y=0.198,z=0.01) (x=0.396,y=0.594,z=0.01) (x=0.15,y=0.35,z=0.50) (x=0.27,y=0.03,z=0.70) の各点を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成
範囲にある主成分組成物に副成分としてマンガ
ン・タングステン酸鉛〔Pb(Mn2/3W1/3)
O3〕を主成分に対して0.05〜2mo%添加含有せ
しめてなることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144783A JPS6036371A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58144783A JPS6036371A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6036371A JPS6036371A (ja) | 1985-02-25 |
JPS6227028B2 true JPS6227028B2 (ja) | 1987-06-11 |
Family
ID=15370333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58144783A Granted JPS6036371A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6036371A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046965A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-14 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
JPH0817054B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1996-02-21 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
EP0631996B1 (en) * | 1993-06-30 | 1998-08-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
JP2919360B2 (ja) * | 1996-06-17 | 1999-07-12 | 日本電気株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP58144783A patent/JPS6036371A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6036371A (ja) | 1985-02-25 |