JPS6224383B2 - - Google Patents
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- JPS6224383B2 JPS6224383B2 JP57058566A JP5856682A JPS6224383B2 JP S6224383 B2 JPS6224383 B2 JP S6224383B2 JP 57058566 A JP57058566 A JP 57058566A JP 5856682 A JP5856682 A JP 5856682A JP S6224383 B2 JPS6224383 B2 JP S6224383B2
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 38
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 5
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 4
- FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Pb] Chemical compound [Mg].[Pb] FKSZLDCMQZJMFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N dioxido(oxo)titanium;lead(2+) Chemical compound [Pb+2].[O-][Ti]([O-])=O NKZSPGSOXYXWQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N lead nickel Chemical compound [Ni].[Pb] HEPLMSKRHVKCAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LIABKAQKQSUQJX-UHFFFAOYSA-N [Mn].[Pb] Chemical compound [Mn].[Pb] LIABKAQKQSUQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000120020 Tela Species 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
本発明は、磁器組成物、特に1050℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。 このため、これを積層形コンデンサに利用する
場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得る
材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴金
属を使用しなければならず、製造コストが高くつ
くという欠点がある。積層形コンデンサを安く作
るためには銀、ニツケルなどを主成分とする安価
な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特に1050℃以下で焼結できる磁器が必要
である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに絶縁抵抗の値に関
しては、高信頼性の部品を要求する米国防総省の
規格であるミリタリー・スペシフイケーシヨン
(Military Specification)のMIL―C―55681Bに
おいて、室温における値のみならず、125℃にお
ける値も定められているように、信頼性の高い磁
器コンデンサを得るためには、室温における値の
みならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い
値をとることが必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪み
が加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生し
たり、破損したりすることがある。また、エポキ
シ樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も
外装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツク
が発生する場合がある。いずれの場合も、コンデ
ンサを形成している磁器の機械的強度が低いほ
ど、クラツクが入りやすく、容易に破損するた
め、信頼性が低くなる。したがつて、磁器の機械
的強度をできるだけ増大させることは実用上極め
て重要なことである。 ところで、Pb(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3系
磁器組成物においては既にエヌ・エヌ・クライニ
ク、エイ・アイ・アグラノフスカヤN.N.Krainik
and A.I.Agranovskaya(Fiziko Tverdogo
Tela,Vol.2,No..1,pp70〜72,
Janvara1960)より提案があり、また
(SrxPb1-XTiO3)a(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただし、
x=0〜0.10、aは0.35〜0.5、bは0.5〜0.65で
あり、そしてa+b=1〕について、モノリシツ
クコンデンサおよびその製造方法として特開昭52
―21662号公報に開示され、また誘電体粉末組成
物として特開昭52―21699号公報に開示されてい
る。 しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は
全くされておらず、これらの磁器組成物の実用性
は明らかでなかつた。また、本発明者達は既に
910〜950℃の温度で焼結でき、Pb
(Mg1/2W1/2)O3とPbTiO3二成分系からなり、
これを〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕X(PbTiO3〕1-X
と表わしたときにxが0.65<x≦1.00の範囲にあ
る組成物を提案している。この組成物は誘電率と
比抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気
的特性を有している。しかしながら、上記組成物
はいずれも機械的強度が低いため、その用途は自
ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた。 また、Pb(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3系を含
む三成分系については、特開昭55―111011号にお
いてPb(Mg1/2W1/2O3)―PbTiO3―Pb
(Mg1/3Nb2/3)O3系が、特開昭55―117809号に
おいてPb(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3―Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系が、それぞれ開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗や機械的強度
に関する開示は全くされておらず、これらの磁器
組成物の実用性は明らかでなかつた。 また、本発明者達は既にPb(Mg1/2W1/2)
O3―PbTiO3―Pb(Ni1/3Nb2/3)O3三成分組成
物を提案している。 この組成物は、900〜1050℃の低温領域で焼結
でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、室温お
よび高温における絶縁抵抗の値が高い優れた特性
を有している。しかしながら、この組成物は機械
的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1050℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕からなる3成分組成物を
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに(ただし
x+y+z=1.00)この3成分組成図において、
以下の組成物 (x=0.693,y=0.297,z=0.01) (x=0.495,y=0.495,z=0.01) (x=0.195,y=0.455,z=0.35) (x=0.10,y=0.40,z=0.50) (x=0.06,y=0.24,z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分として、マンガン・ア
ンチモン酸鉛〔Pb(Mn1/3Sb2/3)O3〕を主成分
に対して、0.05〜6mol%添加含有せしめてなるこ
とを特徴とするものである。 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ニツ
ケル(NiO)および酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化
アンチモン(Sb2O3)および炭酸マンガン
(MnCO3)を使用し、表に示した配合比となるよ
うに各々秤量する。次に秤量した各材料をボール
ミル中で湿式混合した後750〜800℃で予焼を行
い、この粉末をボールミルで粉砕し、口別、乾燥
後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、直
径16mm、厚さ約2mmの円板4枚と、直径16mm、厚
さ約10mmの円柱を作製した。 次に、本発明の組成範囲の試料は空気中900〜
1050℃の温度で1時間焼結した。焼結した円板4
枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デイジタ
ルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.s.温
度20℃で容量と誘電損失を測定し誘電率を算出し
た。 次に、超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加
して、絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比
抵抗を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm、幅2mm、長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を9mmにと
り、二点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を測定し、τ=
3/2Pml/wt2〔Kg/cm2〕なる式に従い、抗折強度
τ 〔Kg/cm2〕を求めた。ただしlは支点間距離、t
は試料の厚み、wは試料の幅である。電気的特性
は円板試料4点の平均値抗折強度は矩形板試料10
点の平均値より求めた。 このようにして得られた磁器の主成分 〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zの配合比x,y,zおよび
副成分添加量と誘電率、誘電損失、20℃および
125℃における比抵抗、および抗折強度の関係を
次表に示す。
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高く、しかも機械的強度の高い磁
器組成物に関するものである。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。 このため、これを積層形コンデンサに利用する
場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得る
材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貴金
属を使用しなければならず、製造コストが高くつ
くという欠点がある。積層形コンデンサを安く作
るためには銀、ニツケルなどを主成分とする安価
な金属が内部電極に使用できるような、できるだ
け低温、特に1050℃以下で焼結できる磁器が必要
である。 また、磁器組成物の電気的特性として、誘電率
が高く、誘電損失が小さく、絶縁抵抗が高いこと
が基本的に要求される。さらに絶縁抵抗の値に関
しては、高信頼性の部品を要求する米国防総省の
規格であるミリタリー・スペシフイケーシヨン
(Military Specification)のMIL―C―55681Bに
おいて、室温における値のみならず、125℃にお
ける値も定められているように、信頼性の高い磁
器コンデンサを得るためには、室温における値の
みならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い
値をとることが必要である。 また、積層形チツプコンデンサの場合は、チツ
プコンデンサを基板に実装したとき、基板とチツ
プコンデンサを構成している磁器との熱膨張係数
の違いにより、チツプコンデンサに機械的な歪み
が加わり、チツプコンデンサにクラツクが発生し
たり、破損したりすることがある。また、エポキ
シ樹脂等を外装したデイツプコンデンサの場合も
外装樹脂の応力でデイツプコンデンサにクラツク
が発生する場合がある。いずれの場合も、コンデ
ンサを形成している磁器の機械的強度が低いほ
ど、クラツクが入りやすく、容易に破損するた
め、信頼性が低くなる。したがつて、磁器の機械
的強度をできるだけ増大させることは実用上極め
て重要なことである。 ところで、Pb(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3系
磁器組成物においては既にエヌ・エヌ・クライニ
ク、エイ・アイ・アグラノフスカヤN.N.Krainik
and A.I.Agranovskaya(Fiziko Tverdogo
Tela,Vol.2,No..1,pp70〜72,
Janvara1960)より提案があり、また
(SrxPb1-XTiO3)a(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただし、
x=0〜0.10、aは0.35〜0.5、bは0.5〜0.65で
あり、そしてa+b=1〕について、モノリシツ
クコンデンサおよびその製造方法として特開昭52
―21662号公報に開示され、また誘電体粉末組成
物として特開昭52―21699号公報に開示されてい
る。 しかしながら、いずれも比抵抗に関する開示は
全くされておらず、これらの磁器組成物の実用性
は明らかでなかつた。また、本発明者達は既に
910〜950℃の温度で焼結でき、Pb
(Mg1/2W1/2)O3とPbTiO3二成分系からなり、
これを〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕X(PbTiO3〕1-X
と表わしたときにxが0.65<x≦1.00の範囲にあ
る組成物を提案している。この組成物は誘電率と
比抵抗の積が高く、誘電損失の小さい優れた電気
的特性を有している。しかしながら、上記組成物
はいずれも機械的強度が低いため、その用途は自
ら狭い範囲に限定せざるを得なかつた。 また、Pb(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3系を含
む三成分系については、特開昭55―111011号にお
いてPb(Mg1/2W1/2O3)―PbTiO3―Pb
(Mg1/3Nb2/3)O3系が、特開昭55―117809号に
おいてPb(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3―Pb
(Mg1/3Ta2/3)O3系が、それぞれ開示されてい
る。しかしながら、いずれも比抵抗や機械的強度
に関する開示は全くされておらず、これらの磁器
組成物の実用性は明らかでなかつた。 また、本発明者達は既にPb(Mg1/2W1/2)
O3―PbTiO3―Pb(Ni1/3Nb2/3)O3三成分組成
物を提案している。 この組成物は、900〜1050℃の低温領域で焼結
でき、誘電率が高く、誘電損失が小さく、室温お
よび高温における絶縁抵抗の値が高い優れた特性
を有している。しかしながら、この組成物は機械
的強度が低いため、その用途は自ら狭い範囲に限
定せざるを得なかつた。 本発明は以上の点にかんがみ、900〜1050℃の
低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失が
小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値が
高い優れた電気的特性を有し、更に機械的強度も
大きい信頼性の高い磁器組成物を提供しようとす
るものであり、マグネシウム・タングステン酸鉛
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕からなる3成分組成物を
〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに(ただし
x+y+z=1.00)この3成分組成図において、
以下の組成物 (x=0.693,y=0.297,z=0.01) (x=0.495,y=0.495,z=0.01) (x=0.195,y=0.455,z=0.35) (x=0.10,y=0.40,z=0.50) (x=0.06,y=0.24,z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分として、マンガン・ア
ンチモン酸鉛〔Pb(Mn1/3Sb2/3)O3〕を主成分
に対して、0.05〜6mol%添加含有せしめてなるこ
とを特徴とするものである。 以下、本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ニツ
ケル(NiO)および酸化ニオブ(Nb2O5)、酸化
アンチモン(Sb2O3)および炭酸マンガン
(MnCO3)を使用し、表に示した配合比となるよ
うに各々秤量する。次に秤量した各材料をボール
ミル中で湿式混合した後750〜800℃で予焼を行
い、この粉末をボールミルで粉砕し、口別、乾燥
後、有機バインダーを入れ、整粒後プレスし、直
径16mm、厚さ約2mmの円板4枚と、直径16mm、厚
さ約10mmの円柱を作製した。 次に、本発明の組成範囲の試料は空気中900〜
1050℃の温度で1時間焼結した。焼結した円板4
枚の上下面に600℃で銀電極を焼付け、デイジタ
ルLCRメーターで周波数1KHz、電圧1Vr.m.s.温
度20℃で容量と誘電損失を測定し誘電率を算出し
た。 次に、超絶縁抵抗計で50Vの電圧を1分間印加
して、絶縁抵抗を温度20℃と125℃で測定し、比
抵抗を算出した。 機械的性質を抗折強度で評価するため、焼結し
た円柱から厚さ0.5mm、幅2mm、長さ約13mmの矩
形板を10枚切り出した。支点間距離を9mmにと
り、二点法で破壊荷重Pm〔Kg〕を測定し、τ=
3/2Pml/wt2〔Kg/cm2〕なる式に従い、抗折強度
τ 〔Kg/cm2〕を求めた。ただしlは支点間距離、t
は試料の厚み、wは試料の幅である。電気的特性
は円板試料4点の平均値抗折強度は矩形板試料10
点の平均値より求めた。 このようにして得られた磁器の主成分 〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zの配合比x,y,zおよび
副成分添加量と誘電率、誘電損失、20℃および
125℃における比抵抗、および抗折強度の関係を
次表に示す。
【表】
【表】
表に示した結果から明らかなように、Pb
(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3―Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3三成分組成物に副成分とし
て、Pb(Mn1/3Sb2/3)O3を添加含有せしめた
本発明の範囲内のものは、誘電率が2950〜12960
と高く、誘電損失が0.3〜2.8%と小さく、比抵抗
が20℃において1.1×1012〜1.7×1013Ω・cmと高
く、しかも125℃においても4.0×1010〜3.8×1012
Ω・cmという高い値を示し、さらに抗折強度も
980〜1410Kg/cm2と実用上十分高い値を示す信頼
性の高い実用性の極めて高い磁器組成物であるこ
とがわかる。 こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結
温度が1050℃以下の低温であるため、積層コンデ
ンサの内部電極の低価格化を実現できると共に、
省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて
優れた効果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに(ただ
し、x+y+z=1.00)、その組成は3成分組成
図における点 (x=0.693,y=0.297,z=0.01) (x=0.495,y=0.495,z=0.01) (x=0.195,y=0.455,z=0.35) (x=0.10,y=0.40,z=0.50) (x=0.06,y=0.24,z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
限定され、副成分の添加含有量は主成分に対して
0.05〜6mol%に限定される。主成分組成範囲を表
わす3成分組成図において、組成点2,6および
組成点17,19を結ぶ線の外側では、高温における
比抵抗が小さくなり、実用的でない。組成点6,
13,17を結ぶ線の外側ではキユリー点が実用範囲
より高温側に大きくずれるため、誘電率が小さく
なり、組成点19,2を結ぶ線の外側では、キユリ
ー点が実用範囲より低温側に大きくずれるため誘
電率が小さくなり、実用的でない。 また、副成分であるPb(Mn1/3Sb2/3)O3の
添加量が0.05mol%未満では抗折強度の改善効果
が小さく、6mol%を超えると逆に抗折強度が小
さくなるため実用的でない。 なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図
に示した番号は、表に示した主成分配合比の番号
に対応する。
(Mg1/2W1/2)O3―PbTiO3―Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3三成分組成物に副成分とし
て、Pb(Mn1/3Sb2/3)O3を添加含有せしめた
本発明の範囲内のものは、誘電率が2950〜12960
と高く、誘電損失が0.3〜2.8%と小さく、比抵抗
が20℃において1.1×1012〜1.7×1013Ω・cmと高
く、しかも125℃においても4.0×1010〜3.8×1012
Ω・cmという高い値を示し、さらに抗折強度も
980〜1410Kg/cm2と実用上十分高い値を示す信頼
性の高い実用性の極めて高い磁器組成物であるこ
とがわかる。 こうした優れた特性を示す本発明の磁器は焼結
温度が1050℃以下の低温であるため、積層コンデ
ンサの内部電極の低価格化を実現できると共に、
省エネルギーや炉材の節約にもなるという極めて
優れた効果も生じる。 なお、本発明の主成分組成物を〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに(ただ
し、x+y+z=1.00)、その組成は3成分組成
図における点 (x=0.693,y=0.297,z=0.01) (x=0.495,y=0.495,z=0.01) (x=0.195,y=0.455,z=0.35) (x=0.10,y=0.40,z=0.50) (x=0.06,y=0.24,z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
限定され、副成分の添加含有量は主成分に対して
0.05〜6mol%に限定される。主成分組成範囲を表
わす3成分組成図において、組成点2,6および
組成点17,19を結ぶ線の外側では、高温における
比抵抗が小さくなり、実用的でない。組成点6,
13,17を結ぶ線の外側ではキユリー点が実用範囲
より高温側に大きくずれるため、誘電率が小さく
なり、組成点19,2を結ぶ線の外側では、キユリ
ー点が実用範囲より低温側に大きくずれるため誘
電率が小さくなり、実用的でない。 また、副成分であるPb(Mn1/3Sb2/3)O3の
添加量が0.05mol%未満では抗折強度の改善効果
が小さく、6mol%を超えると逆に抗折強度が小
さくなるため実用的でない。 なお、図に本発明の主成分組成範囲を示す。図
に示した番号は、表に示した主成分配合比の番号
に対応する。
図は、本発明の主成分組成範囲と実施例に示し
た組成点を示す図である。
た組成点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕およ
びニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb(Ni1/3Nb2/3)
O3〕からなる3成分組成物を 〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに、(ただし
x+y+z=1.00)この3成分組成図において、
以下の組成点 (x=0.693,y=0.297,z=0.01) (x=0.495,y=0.495,z=0.01) (x=0.195,y=0.455,z=0.35) (x=0.10,y=0.40,z=0.50) (x=0.06,y=0.24,z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
ある主成分組成物に副成分としてマンガン・アン
チモン酸鉛〔Pb(Mn1/3Sb2/3)O3〕を主成分に
対して0.05〜6mol%添加含有せしめてなることを
特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058566A JPS58176178A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
US06/475,538 US4450240A (en) | 1982-03-17 | 1983-03-15 | Ceramic compositions having high dielectric constant and high specific resistivity |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57058566A JPS58176178A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58176178A JPS58176178A (ja) | 1983-10-15 |
JPS6224383B2 true JPS6224383B2 (ja) | 1987-05-28 |
Family
ID=13087991
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57058566A Granted JPS58176178A (ja) | 1982-03-17 | 1982-04-08 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58176178A (ja) |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP57058566A patent/JPS58176178A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58176178A (ja) | 1983-10-15 |