JPS6121183B2 - - Google Patents
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- JPS6121183B2 JPS6121183B2 JP57042167A JP4216782A JPS6121183B2 JP S6121183 B2 JPS6121183 B2 JP S6121183B2 JP 57042167 A JP57042167 A JP 57042167A JP 4216782 A JP4216782 A JP 4216782A JP S6121183 B2 JPS6121183 B2 JP S6121183B2
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、磁器組成物、特に1050℃以下の低温
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高い磁器組成物に関するものであ
る。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貫
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が
高く、誘電損失が小さく、絶縁低抵が高いことが
基本的に要求される。さらに絶縁抵抗の値に関し
ては、高信頼性の部品を要求する米国防総省の規
格であるミリタリースペシフイケイシヨン(Mili
−tary Speeification)のMIL−C−55681Bにお
いて、室温における値のみならず、125℃におけ
る値も定められているように、信頼性の高い磁器
コンデンサを得るためには、室温における値のみ
ならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値
をとることが必要である。 ところでPb(Mg1/2W1/2)U3−PbTiO3系
磁器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニ
ク、エイ、アイアグラノフスカヤ〔N.N.Krainik
and A.I.Agranovskaya(Fiziko Tverdogo
Tela、Vo.2No.1、pp70〜72、Januara1960)〕よ
り提案があり、また(SrxPb1-xTiO3)a
(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただし、x=0〜0.10、
aは0.35〜0.5、bは0.5〜0.65であり、そしてa
+b=1〕について、モノリシツクコンデンサお
よびその製造方法として特開昭52−21662号公報
に開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭
52−21699号公報に開示されている。しかしなが
らいずれも比抵抗に関する開示は全くされておら
ず、これらの磁器組成物の実用性は明らかでなか
つた。 またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系を含
む三成分系については、特開昭55−111011におい
てPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Mg1
/3Nb2/3)O3系が、特開昭55−117809におい
てPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Mg1
/3Ta2/3)O3系が、それぞれ開示されてい
る。しかしながらいずれも比抵抗に関する開示は
全くされておらず、これらの磁器組成物実用性は
明らかでなかつた。 本発明は、以上の点にかんがみ、900〜1050℃
の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失
が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値
が高い優れた特性を示す磁器組成物を提供しよう
とするものであり、マグネシウム・タングステン
酸鉛〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb(Ni1
/3Nb2/3)O3〕からなる3成分組成物を、〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに(た
だし、x+y+z=1.00)この3成分組成図にお
いて、以下の組成点 (x=0.693、y=0.297、z=0.01) (x=0.495、y=0.495、z=0.01) (x=0.195、y=0.455、z=0.35) (x=0.10、y=0.40、z=0.50) (x=0.06、y=0.24、z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
あることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ニツ
ケル(NiO)および酸化ニオブ(Nb2O3)を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混
合した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末を
ボールミルで粉破し、口別、乾燥後、有機バイン
ダーに入れ整粒後プレスし、直型16mm、厚さ約2
mmの円板4枚を作成した。次に本発明の組成範囲
の試料は空気中900〜1050℃の温度で1時間焼結
した。焼結した円板4枚の上下面に銀電極を600
℃で焼付け、デジタルLCRメーターで周波数
1KHz、電圧1Vr.m.s、温度20℃で容量と誘電
損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵
抗計で50Vの電圧を1分間印加して、絶縁抵抗を
温度20℃と125℃で測定し、比抵抵抗を算出し
た。各組成に対応する特性は試料4点の平均値よ
り求めた。このようにして得られた磁器の配合比
と誘電率、誘電損失、20℃および125℃における
比抵抗の関係を次表に示す。
で焼結でき、誘電率が高く、室温および高温にお
ける絶縁抵抗が高い磁器組成物に関するものであ
る。 従来、誘電体磁器組成物として、チタン酸バリ
ウム(BaTiO3)を主成分とする磁器が広く実用化
されていることは周知のとおりである。しかしな
がら、チタン酸バリウム(BaTiO3)を主成分とす
るものは、焼結温度が通常1300〜1400℃の高温で
ある。このためこれを積層形コンデンサに利用す
る場合には内部電極としてこの焼結温度に耐え得
る材料、例えば白金、パラジウムなどの高価な貫
金属を使用しなければならず、製造コストが高く
つくという欠点がある。積層形コンデンサを安く
作るためには、銀、ニツケルなどを主成分とする
安価な金属が内部電極に使用できるような、でき
るだけ低温、特に1050℃以下で焼結できる磁器が
必要である。 また磁器組成物の電気的特性として、誘電率が
高く、誘電損失が小さく、絶縁低抵が高いことが
基本的に要求される。さらに絶縁抵抗の値に関し
ては、高信頼性の部品を要求する米国防総省の規
格であるミリタリースペシフイケイシヨン(Mili
−tary Speeification)のMIL−C−55681Bにお
いて、室温における値のみならず、125℃におけ
る値も定められているように、信頼性の高い磁器
コンデンサを得るためには、室温における値のみ
ならず、最高使用温度における絶縁抵抗も高い値
をとることが必要である。 ところでPb(Mg1/2W1/2)U3−PbTiO3系
磁器組成物については既にエヌ・エヌ・クライニ
ク、エイ、アイアグラノフスカヤ〔N.N.Krainik
and A.I.Agranovskaya(Fiziko Tverdogo
Tela、Vo.2No.1、pp70〜72、Januara1960)〕よ
り提案があり、また(SrxPb1-xTiO3)a
(PbMg0.5W0.5O3)b〔ただし、x=0〜0.10、
aは0.35〜0.5、bは0.5〜0.65であり、そしてa
+b=1〕について、モノリシツクコンデンサお
よびその製造方法として特開昭52−21662号公報
に開示され、また誘電体粉末組成物として特開昭
52−21699号公報に開示されている。しかしなが
らいずれも比抵抗に関する開示は全くされておら
ず、これらの磁器組成物の実用性は明らかでなか
つた。 またPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3系を含
む三成分系については、特開昭55−111011におい
てPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Mg1
/3Nb2/3)O3系が、特開昭55−117809におい
てPb(Mg1/2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Mg1
/3Ta2/3)O3系が、それぞれ開示されてい
る。しかしながらいずれも比抵抗に関する開示は
全くされておらず、これらの磁器組成物実用性は
明らかでなかつた。 本発明は、以上の点にかんがみ、900〜1050℃
の低温領域で焼結でき、誘電率が高く、誘電損失
が小さく、室温および高温における絶縁抵抗の値
が高い優れた特性を示す磁器組成物を提供しよう
とするものであり、マグネシウム・タングステン
酸鉛〔Pb(Mg1/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛
〔PbTiO3〕およびニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb(Ni1
/3Nb2/3)O3〕からなる3成分組成物を、〔Pb
(Mg1/2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb
(Ni1/3Nb2/3)O3〕zと表わしたときに(た
だし、x+y+z=1.00)この3成分組成図にお
いて、以下の組成点 (x=0.693、y=0.297、z=0.01) (x=0.495、y=0.495、z=0.01) (x=0.195、y=0.455、z=0.35) (x=0.10、y=0.40、z=0.50) (x=0.06、y=0.24、z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
あることを特徴とするものである。 以下本発明を実施例により詳細に説明する。 出発原料として純度99.9%以上の酸化鉛
(PbO)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化タング
ステン(WO3)、酸化チタン(TiO2)、酸化ニツ
ケル(NiO)および酸化ニオブ(Nb2O3)を使用
し、表に示した配合比となるように各々秤量す
る。次に秤量した各材料をボールミル中で湿式混
合した後750〜800℃で予焼を行ない、この粉末を
ボールミルで粉破し、口別、乾燥後、有機バイン
ダーに入れ整粒後プレスし、直型16mm、厚さ約2
mmの円板4枚を作成した。次に本発明の組成範囲
の試料は空気中900〜1050℃の温度で1時間焼結
した。焼結した円板4枚の上下面に銀電極を600
℃で焼付け、デジタルLCRメーターで周波数
1KHz、電圧1Vr.m.s、温度20℃で容量と誘電
損失を測定し、誘電率を算出した。次に超絶縁抵
抗計で50Vの電圧を1分間印加して、絶縁抵抗を
温度20℃と125℃で測定し、比抵抵抗を算出し
た。各組成に対応する特性は試料4点の平均値よ
り求めた。このようにして得られた磁器の配合比
と誘電率、誘電損失、20℃および125℃における
比抵抗の関係を次表に示す。
【表】
【表】
表に示した結果から明らかなようにPb(Mg1/
2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3
三成分組成物で本発明の範囲内のものは、誘電率
が3060〜13400と高く、誘電損失が0.1〜3.8%と
小さく比抵抗が20℃において20×1012〜1.2×1013
と高く、しかも25℃においても4.3×1010〜25×
1012という高い値を示す極めて優れた磁器組成物
であることがかわる。こうした優れた特性を示す
本発明の磁器は焼結温度が1050℃以下の低温であ
るため、積層コンデンサの内部電極の低価格化を
実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約に
もなるという極めて優れた効果も生じる。 なお、本発明の3成分組成物を〔Pb(Mg1/
2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb(Ni1/3Nb2
/3)O3〕zと表わしたときに(ただし、x+
y+z=1.00)、その組成は3成分組成図におけ
る組成点 (x=0.693、y=0.297、z=0.01) (x=0.495、y=0.495、z=0.01) (x=0.195、y=0.455、z=0.35) (x=0.10、y=0.40、z=0.50) (x=0.06、y=0.24、z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
限定される。この3成分組成図において、組成点
2、6および組成点17、19を結ぶ線の外側では高
温における比抵抗が小さくなり実用的でない。組
成点6、13、17を結ぶ線の外側ではキユーリ点が
実用範囲より高温側に大きくずれるため、誘電率
が小さくなり、組成点19、2を結ぶ線の外側では
キユリー点が実用範囲より低温側に大きくずれる
ため、誘電率が小さくなり実用的でない。 なお、図に本発明の3成分組成範囲を示す。図
に示した番号は、表に示した3成分配合比の番号
に対応する。
2W1/2)O3−PbTiO3−Pb(Ni1/3Nb2/3)O3
三成分組成物で本発明の範囲内のものは、誘電率
が3060〜13400と高く、誘電損失が0.1〜3.8%と
小さく比抵抗が20℃において20×1012〜1.2×1013
と高く、しかも25℃においても4.3×1010〜25×
1012という高い値を示す極めて優れた磁器組成物
であることがかわる。こうした優れた特性を示す
本発明の磁器は焼結温度が1050℃以下の低温であ
るため、積層コンデンサの内部電極の低価格化を
実現できると共に、省エネルギーや炉材の節約に
もなるという極めて優れた効果も生じる。 なお、本発明の3成分組成物を〔Pb(Mg1/
2W1/2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔Pb(Ni1/3Nb2
/3)O3〕zと表わしたときに(ただし、x+
y+z=1.00)、その組成は3成分組成図におけ
る組成点 (x=0.693、y=0.297、z=0.01) (x=0.495、y=0.495、z=0.01) (x=0.195、y=0.455、z=0.35) (x=0.10、y=0.40、z=0.50) (x=0.06、y=0.24、z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
限定される。この3成分組成図において、組成点
2、6および組成点17、19を結ぶ線の外側では高
温における比抵抗が小さくなり実用的でない。組
成点6、13、17を結ぶ線の外側ではキユーリ点が
実用範囲より高温側に大きくずれるため、誘電率
が小さくなり、組成点19、2を結ぶ線の外側では
キユリー点が実用範囲より低温側に大きくずれる
ため、誘電率が小さくなり実用的でない。 なお、図に本発明の3成分組成範囲を示す。図
に示した番号は、表に示した3成分配合比の番号
に対応する。
図は、本発明の組成範囲と実施例に示した組成
点を示す図である。
点を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 マグネシウム・タングステン酸鉛〔Pb(Mg1
/2W1/2)O3〕、チタン酸鉛〔PbTiO3〕および
ニツケル・ニオブ酸鉛〔Pb(Ni1/3Nb2/3)
O3〕からなる3成分組成物を〔Pb(Mg1/2W1/
2)O3〕x〔PbTiO3〕y〔PbNi1/3Nb2/3)
O3〕zと表わしたときに(ただしx+y+z=
1.00)この3成分組成図において、以下の組成点 (x=0.693、y=0.297、z=0.01) (x=0.495、y=0.495、z=0.01) (x=0.195、y=0.455、z=0.35) (x=0.10、y=0.40、z=0.50) (x=0.06、y=0.24、z=0.70) を結ぶ線上およびこの5点に囲まれる組成範囲に
あることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57042167A JPS58161972A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 磁器組成物 |
US06/475,538 US4450240A (en) | 1982-03-17 | 1983-03-15 | Ceramic compositions having high dielectric constant and high specific resistivity |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57042167A JPS58161972A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58161972A JPS58161972A (ja) | 1983-09-26 |
JPS6121183B2 true JPS6121183B2 (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=12628405
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57042167A Granted JPS58161972A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58161972A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62113755A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-25 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
JPH0645498B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1994-06-15 | 日本電気株式会社 | 磁器組成物 |
US5219810A (en) * | 1991-04-12 | 1993-06-15 | Nec Corporation | Ceramic composition |
JPH05211008A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-08-20 | Nec Corp | 磁器組成物 |
CN113185289B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-06-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种超低介电损耗的铌锰酸铅-铌镍酸铅-锆钛酸铅高压电性铁电陶瓷及其制备方法 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP57042167A patent/JPS58161972A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58161972A (ja) | 1983-09-26 |
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