JPH032814B2 - - Google Patents
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- JPH032814B2 JPH032814B2 JP57128111A JP12811182A JPH032814B2 JP H032814 B2 JPH032814 B2 JP H032814B2 JP 57128111 A JP57128111 A JP 57128111A JP 12811182 A JP12811182 A JP 12811182A JP H032814 B2 JPH032814 B2 JP H032814B2
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
本発明は、Pbを含む複合ペロブスカイト型化
合物であるPb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3及びPb（Mg1/3
Ta2/3）O3を主成分とする磁器組成物に関するも
のであり、その目的とするところは、高誘電率で
誘電体損失が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ
1000℃以下の低温で焼結が可能な高誘電率系の磁
器組成物を提供することにある。 従来、高誘電率系の磁器組成物としてはチタン
酸バリウムBaTiO3を主成分として、これにジル
コン酸カルシウムCaZrO3、チタン酸カルシウム
CaTiO3、スズ酸カルシウムCaSnO3、チタン酸
ストロンチウムSrTiO3などを適量添加して特性
を改善したものが実用化されている。これらの磁
器の焼結温度は概ね1300℃〜1400℃と高いもので
あつた。 近年、電子機器分野の発展とともに、電子機器
の小形、軽量化が著しく、従来円板形状で用いら
れていた磁器コンデンサにおいても、小形で大容
量を達成するために積層構造を持つた積層セラミ
ツクコンデンサが開発され広く使用されている。
積層セラミツクコンデンサにおいては図面に示す
ように、磁器誘電体１の上下に内部電極２を配し
て、小さな単板コンデンサを多数個並列に接続
し、積み重ねた構造をとつており、内部電極２は
交互に左右いずれかの外部電極３に接続されてい
る。 この積層セラミツクコンデンサでは、その製造
上内部電極をセラミツク誘電体に埋込んだ状態で
焼結する必要があるが、従来の高誘電率系の磁器
組成物では前述のように焼成温度が1300℃以上と
高いため、内部電極の材料としてはこのような高
温でも安定な白金、あるいはパラジウムのような
高価な貴金属を使わざるを得なかつた。従つて
1000℃以下の低温で焼結できる磁器誘電体材料を
開発し、これを積層セラミツクコンデンサに用い
ることができれば、内部電極材料として銀系合
金、ニツケル系合金などの安価な金属材料を使用
することができるため、低コストの積層セラミツ
クコンデンサを供給することが可能となる。 本発明は上記のような背景のもとに、種々の複
合ペロ スカイト型化合物について研究を重ねた
結果、Pb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3で表わされる化合
物とPb（Mg1/3Ta2/3）O3で表わされる化合物を用
いることにより、誘電率が高く、誘電体損失が小
さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ低温で焼結可能
な磁器誘電体材料の開発に成功したものである。 以下本発明の実施例について詳細に説明する。 まず、焼結によりPb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3及び
Pb（Mg1/3Ta2/3）O3の比率が次表に示すモル比と
なるように酸化鉛、酸化鉄、酸化タングステン、
酸化マグネシウム、酸化タンタルを適量秤量し、
これをボールミルを用いて混合した。この粉体原
料を750℃〜850℃で仮焼した後、再びボールミル
を用いて粉砕し、この粉砕原料にポリビニールア
ルコールを加えて造粒し、直径13mm、厚し0.8mm
の円板形状に成形した。その後920〜980℃の温度
で、マグネシア質匡鉢中で焼成したのち、両面に
銀を主成分とする電極を付与し、誘電体試料とし
た。このようにして作成した試料について電気特
性を測定した結果を次表に示す。ここで誘電率εs
及び誘電体損失tanδは周波数1kHzで25℃で測定
した。また絶縁抵抗IRは直流50Vを印加して、室
温中で測定した。なお表中の焼成温度は、焼結し
て誘電体磁器を作成するための最低温度である。
合物であるPb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3及びPb（Mg1/3
Ta2/3）O3を主成分とする磁器組成物に関するも
のであり、その目的とするところは、高誘電率で
誘電体損失が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ
1000℃以下の低温で焼結が可能な高誘電率系の磁
器組成物を提供することにある。 従来、高誘電率系の磁器組成物としてはチタン
酸バリウムBaTiO3を主成分として、これにジル
コン酸カルシウムCaZrO3、チタン酸カルシウム
CaTiO3、スズ酸カルシウムCaSnO3、チタン酸
ストロンチウムSrTiO3などを適量添加して特性
を改善したものが実用化されている。これらの磁
器の焼結温度は概ね1300℃〜1400℃と高いもので
あつた。 近年、電子機器分野の発展とともに、電子機器
の小形、軽量化が著しく、従来円板形状で用いら
れていた磁器コンデンサにおいても、小形で大容
量を達成するために積層構造を持つた積層セラミ
ツクコンデンサが開発され広く使用されている。
積層セラミツクコンデンサにおいては図面に示す
ように、磁器誘電体１の上下に内部電極２を配し
て、小さな単板コンデンサを多数個並列に接続
し、積み重ねた構造をとつており、内部電極２は
交互に左右いずれかの外部電極３に接続されてい
る。 この積層セラミツクコンデンサでは、その製造
上内部電極をセラミツク誘電体に埋込んだ状態で
焼結する必要があるが、従来の高誘電率系の磁器
組成物では前述のように焼成温度が1300℃以上と
高いため、内部電極の材料としてはこのような高
温でも安定な白金、あるいはパラジウムのような
高価な貴金属を使わざるを得なかつた。従つて
1000℃以下の低温で焼結できる磁器誘電体材料を
開発し、これを積層セラミツクコンデンサに用い
ることができれば、内部電極材料として銀系合
金、ニツケル系合金などの安価な金属材料を使用
することができるため、低コストの積層セラミツ
クコンデンサを供給することが可能となる。 本発明は上記のような背景のもとに、種々の複
合ペロ スカイト型化合物について研究を重ねた
結果、Pb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3で表わされる化合
物とPb（Mg1/3Ta2/3）O3で表わされる化合物を用
いることにより、誘電率が高く、誘電体損失が小
さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ低温で焼結可能
な磁器誘電体材料の開発に成功したものである。 以下本発明の実施例について詳細に説明する。 まず、焼結によりPb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3及び
Pb（Mg1/3Ta2/3）O3の比率が次表に示すモル比と
なるように酸化鉛、酸化鉄、酸化タングステン、
酸化マグネシウム、酸化タンタルを適量秤量し、
これをボールミルを用いて混合した。この粉体原
料を750℃〜850℃で仮焼した後、再びボールミル
を用いて粉砕し、この粉砕原料にポリビニールア
ルコールを加えて造粒し、直径13mm、厚し0.8mm
の円板形状に成形した。その後920〜980℃の温度
で、マグネシア質匡鉢中で焼成したのち、両面に
銀を主成分とする電極を付与し、誘電体試料とし
た。このようにして作成した試料について電気特
性を測定した結果を次表に示す。ここで誘電率εs
及び誘電体損失tanδは周波数1kHzで25℃で測定
した。また絶縁抵抗IRは直流50Vを印加して、室
温中で測定した。なお表中の焼成温度は、焼結し
て誘電体磁器を作成するための最低温度である。
【表】
＊ 比較例
表中の試料No.１及び６は本発明の範囲外のもの
であり、比較のため示したものである。即ち、
Pb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3のモル比ｘが0.90を超え
ると誘電体損失tanδが大きく実用的でなく、また
ｘが0.60未満では焼成温度が高くなり、さらに高
価な酸化タンタルの比率が大きくなるため実用的
でない。 以上詳述したように、本発明のPb（Mg1/4Fe1/4
W1/2）O3−Pb（Mg1/3Ta2/3）O3系磁器組成物を用
いれば、誘電率εsが3150〜4100と大きく、誘電体
損失tanδが0.6％〜25％と小さく、また絶縁抵抗
IRが6.2×1010Ω・cm以上と高い値を示し、温度
による容量変化率の小さい高性能の新規な誘電体
磁器組成物が得られる。さらに焼成温度が920℃
〜980℃と低温であるために積層セラミツクコン
デンサに使用した場合に内部電極として銀系合
金、ニツケル系合金などの安価な金属を用いるこ
とができ、積層セラミツクコンデンサの低コスト
化を図る上で非常に有効な価値があるものであ
る。加えて、低温での焼結が可能なため、焼成に
用いる電気炉の保全が容易になるばかりでなく、
使用電力の上からも省エネルギー化が図れるもの
である。従つて、積層セラミツクコンデンサのみ
でなく従来の円板形磁器コンデンサに応用した場
合においても、製造コスト上有利となるものであ
る。
表中の試料No.１及び６は本発明の範囲外のもの
であり、比較のため示したものである。即ち、
Pb（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3のモル比ｘが0.90を超え
ると誘電体損失tanδが大きく実用的でなく、また
ｘが0.60未満では焼成温度が高くなり、さらに高
価な酸化タンタルの比率が大きくなるため実用的
でない。 以上詳述したように、本発明のPb（Mg1/4Fe1/4
W1/2）O3−Pb（Mg1/3Ta2/3）O3系磁器組成物を用
いれば、誘電率εsが3150〜4100と大きく、誘電体
損失tanδが0.6％〜25％と小さく、また絶縁抵抗
IRが6.2×1010Ω・cm以上と高い値を示し、温度
による容量変化率の小さい高性能の新規な誘電体
磁器組成物が得られる。さらに焼成温度が920℃
〜980℃と低温であるために積層セラミツクコン
デンサに使用した場合に内部電極として銀系合
金、ニツケル系合金などの安価な金属を用いるこ
とができ、積層セラミツクコンデンサの低コスト
化を図る上で非常に有効な価値があるものであ
る。加えて、低温での焼結が可能なため、焼成に
用いる電気炉の保全が容易になるばかりでなく、
使用電力の上からも省エネルギー化が図れるもの
である。従つて、積層セラミツクコンデンサのみ
でなく従来の円板形磁器コンデンサに応用した場
合においても、製造コスト上有利となるものであ
る。
図面は積層セラミツクコンデンサの一例を示す
一部切欠斜視図である。 １……磁器誘電体、２……内部電極、３……外
部電極。
一部切欠斜視図である。 １……磁器誘電体、２……内部電極、３……外
部電極。
Claims (1)
- １ マグネシウム・鉄・タングステン酸鉛Pb
（Mg1/4Fe1/4W1/2）O3及びマグネシウム・タンタ
ル酸鉛Pb（Mg1/3Ta2/3）O3からなる二成分組成物
をPb（Mg1/4Fe1/4W1/2）ｘ（Mg1/3Ta2/3）1-xO3と表
わした時に組成比ｘが0.60≦ｘ≦0.90の範囲内に
あることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128111A JPS5918155A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57128111A JPS5918155A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918155A JPS5918155A (ja) | 1984-01-30 |
| JPH032814B2 true JPH032814B2 (ja) | 1991-01-17 |
Family
ID=14976650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57128111A Granted JPS5918155A (ja) | 1982-07-21 | 1982-07-21 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918155A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4704373A (en) * | 1985-10-29 | 1987-11-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and process for producing the same |
| JPH02144277U (ja) * | 1989-04-28 | 1990-12-06 | ||
| EP0603787B1 (de) * | 1992-12-23 | 1998-03-25 | Hoechst Aktiengesellschaft | Hochtemperaturfeste Siliziumnitridkeramik und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
1982
- 1982-07-21 JP JP57128111A patent/JPS5918155A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5918155A (ja) | 1984-01-30 |
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