JPS58217461A - 高誘電率系磁器組成物 - Google Patents
高誘電率系磁器組成物Info
- Publication number
- JPS58217461A JPS58217461A JP57098871A JP9887182A JPS58217461A JP S58217461 A JPS58217461 A JP S58217461A JP 57098871 A JP57098871 A JP 57098871A JP 9887182 A JP9887182 A JP 9887182A JP S58217461 A JPS58217461 A JP S58217461A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- high dielectric
- ceramic composition
- constant ceramic
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ｐｂを含む複合ペロプスカイト型化合物であ
るＰｂ（Ｍｇ３’ａＦｅＶ４ＷＸｈ）Ｏｓ及びＰｂ（Ｎ
ｉｙ。
るＰｂ（Ｍｇ３’ａＦｅＶ４ＷＸｈ）Ｏｓ及びＰｂ（Ｎ
ｉｙ。
ＮｂＶ５）０５ を主成分とする磁器組成物に関するも
のであシ、その目的とするところは高誘電率であシ、°
誘電体損失が小さく、絶縁抵抗が高い優れた誘電体材料
であり、なおかつ１０００℃以下の低温で焼結が可能な
高誘電率系磁器組成物を提供するための′ものである。
のであシ、その目的とするところは高誘電率であシ、°
誘電体損失が小さく、絶縁抵抗が高い優れた誘電体材料
であり、なおかつ１０００℃以下の低温で焼結が可能な
高誘電率系磁器組成物を提供するための′ものである。
従来、高誘電率系磁器組成物としてはチタン酸バリウム
ＢａＴｉＯｓを主成分として、これにジルコン酸カルシ
ウムＣａＺｒＯ３，チタン酸カルシウムＣａＴｉＯｓ
、 ス、ｚ：酸カルシウムＣａ１ｎ’３． チｐ ン酸
′ストロンチウム５ｒｒ＝ｏｓなどを適量添加し
て特性を改善したものが実用化されている。これらの磁
器の焼結温度は概ね１３００’に〜１４ｏｏ℃と高いも
のであった。
ＢａＴｉＯｓを主成分として、これにジルコン酸カルシ
ウムＣａＺｒＯ３，チタン酸カルシウムＣａＴｉＯｓ
、 ス、ｚ：酸カルシウムＣａ１ｎ’３． チｐ ン酸
′ストロンチウム５ｒｒ＝ｏｓなどを適量添加し
て特性を改善したものが実用化されている。これらの磁
器の焼結温度は概ね１３００’に〜１４ｏｏ℃と高いも
のであった。
近年、電子機器分野の発展とともに電子機器の小形・軽
量化が著しく、従来円板形状で用いられていた磁器コン
デンサにおいても、小形で大容量を達成するだめに図に
示すような構造を持った積層セラミックコンデンサが開
発され、広く使用されてきている。この積層セラミック
コンデンサでは、その製造上内部電極２をセラミック誘
電体１に埋込んだ状態で焼結する必要があるが、従来の
高誘電率系磁器組成物では前述のように焼結温度が１３
００’Ｃ以上と高いため、内部電極２の材料としてはこ
のような高温でも安定な白金あるいはパラジウムのよう
な貴金属を使わざるを得なかった。図で３は外部電極で
ある。
量化が著しく、従来円板形状で用いられていた磁器コン
デンサにおいても、小形で大容量を達成するだめに図に
示すような構造を持った積層セラミックコンデンサが開
発され、広く使用されてきている。この積層セラミック
コンデンサでは、その製造上内部電極２をセラミック誘
電体１に埋込んだ状態で焼結する必要があるが、従来の
高誘電率系磁器組成物では前述のように焼結温度が１３
００’Ｃ以上と高いため、内部電極２の材料としてはこ
のような高温でも安定な白金あるいはパラジウムのよう
な貴金属を使わざるを得なかった。図で３は外部電極で
ある。
従って、１ｏＯｏ℃以下の低温で焼結できる磁器誘電体
材料を開発し、これを積層セラミックコンデンサに用い
ることができれば、′内部電極材料として銀糸合金、ニ
ッケル合金などの安価な金属材料を使用することができ
るため、低コストの積層セラミックコンデンサを供給す
ることができることになる。
材料を開発し、これを積層セラミックコンデンサに用い
ることができれば、′内部電極材料として銀糸合金、ニ
ッケル合金などの安価な金属材料を使用することができ
るため、低コストの積層セラミックコンデンサを供給す
ることができることになる。
本発明は上記のような背景のもとに、種々の複合ペロプ
スカイト型化合物について研究を重ねた結果、 Ｐｂ（
ＭｇＶ４Ｆｅ５／４”７２ ） ”で表わされる化合物
とｐｂ（Ｎｉ ｙ、 ＮｂＶ３） ｏ ５で表わされる
化合物を用いることにより、誘電率が高く、誘電体損失
が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ低温で焼結可能な
磁器誘電体材料の開発に成功したものであり、以下実施
例とともに詳細に説明する。
スカイト型化合物について研究を重ねた結果、 Ｐｂ（
ＭｇＶ４Ｆｅ５／４”７２ ） ”で表わされる化合物
とｐｂ（Ｎｉ ｙ、 ＮｂＶ３） ｏ ５で表わされる
化合物を用いることにより、誘電率が高く、誘電体損失
が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ低温で焼結可能な
磁器誘電体材料の開発に成功したものであり、以下実施
例とともに詳細に説明する。
まず、酸化鉛、酸化マグネシウム、酸化鉄、酸化タング
ステン、酸化ニッケル、酸化ニオブを適量秤量し、これ
をボールミルを用いて混合した。
ステン、酸化ニッケル、酸化ニオブを適量秤量し、これ
をボールミルを用いて混合した。
この粉体′原料を７ ｏＯ’Ｃ〜８６０℃で仮焼した後
再びボールミルを用いて粉砕し、この粉砕原料にポリビ
ニールアルコールを加えて造粒し、直径’１３ｍｍ、厚
み０．８ ｍｍの円板形状に成形した。その後、９２０
’Ｃ〜９８０℃の温度でマグネ７ア質匡鉢中で焼成した
後、両面に銀を主成分とする電極を付与し、誘電体材料
とした。このようにして作成した試料について電気特性
を測定した結果を下記の表に示す。ここで、誘電率ε８
及び誘電体損失−δは周波数１ＫＨ２で２５℃で測定し
た。絶縁抵抗ＩＲは直流６ｏｖを印加して、室温中で測
定した。なお、表中の焼成温度は焼結して誘電体磁器を
作成するだめの最低温度である。
再びボールミルを用いて粉砕し、この粉砕原料にポリビ
ニールアルコールを加えて造粒し、直径’１３ｍｍ、厚
み０．８ ｍｍの円板形状に成形した。その後、９２０
’Ｃ〜９８０℃の温度でマグネ７ア質匡鉢中で焼成した
後、両面に銀を主成分とする電極を付与し、誘電体材料
とした。このようにして作成した試料について電気特性
を測定した結果を下記の表に示す。ここで、誘電率ε８
及び誘電体損失−δは周波数１ＫＨ２で２５℃で測定し
た。絶縁抵抗ＩＲは直流６ｏｖを印加して、室温中で測
定した。なお、表中の焼成温度は焼結して誘電体磁器を
作成するだめの最低温度である。
（以下余白）
上記表中の試料Ｎ１１１及び隘７は本発明の範囲外のも
のであり、比較のため示したものである。すなわち、Ｐ
ｂ（Ｍｇ３／４Ｆｅ３／４Ｗ１７％）０３ノモル比Ｘが
０．９６以上では誘電体損失−δが大きく、また温度に
よる容量変化率ΔＣが大きく実用的でなく、またＸが０
．６６以下では誘電率が低下するため実用的でない。
のであり、比較のため示したものである。すなわち、Ｐ
ｂ（Ｍｇ３／４Ｆｅ３／４Ｗ１７％）０３ノモル比Ｘが
０．９６以上では誘電体損失−δが大きく、また温度に
よる容量変化率ΔＣが大きく実用的でなく、またＸが０
．６６以下では誘電率が低下するため実用的でない。
以上詳述したように、本発明のＰｂ （Ｍｇ ｙ４Ｆｅ
ｙ４Ｗ１／２）０５−Ｐｂ（ＮｉＶ３ＮｂＨ）ｏ３系
高誘電率磁器組成物を用いれば誘電率ε８が２３１０〜
２６３ｏと大きく、誘電体損失−δが０．８％〜２．７
％ と小さく、また絶縁抵抗ＩＲが１．７×１０１００
・α以上と高い値を示し、温度による容量変化率の小さ
い高性能の新規な誘電体磁器組成物が得られる。さらに
、焼成温度が９２０℃〜９８０℃と低温であるために積
層セラミックコンデンサに使用した場合に内部電極とし
て銀系合金、ニッケル系合金などの安価な金属を用いる
ことができるため、積層セラミックコンデンサの低コス
ト化を図る上で非常に有効な価値があるものである。加
えて低温での焼結が可能なため、焼成に用いる電気炉ρ
保全が容易になるばかυでなく、使用電力の上からも省
エネルギー化が図れるものであるろ従って、積層セラミ
ックコンデンサのみでなく、従来の円板形感器コンデン
サまたは円筒形磁器コンデンサに応用した場合において
も、製造コスｈ利となるものである。
ｙ４Ｗ１／２）０５−Ｐｂ（ＮｉＶ３ＮｂＨ）ｏ３系
高誘電率磁器組成物を用いれば誘電率ε８が２３１０〜
２６３ｏと大きく、誘電体損失−δが０．８％〜２．７
％ と小さく、また絶縁抵抗ＩＲが１．７×１０１００
・α以上と高い値を示し、温度による容量変化率の小さ
い高性能の新規な誘電体磁器組成物が得られる。さらに
、焼成温度が９２０℃〜９８０℃と低温であるために積
層セラミックコンデンサに使用した場合に内部電極とし
て銀系合金、ニッケル系合金などの安価な金属を用いる
ことができるため、積層セラミックコンデンサの低コス
ト化を図る上で非常に有効な価値があるものである。加
えて低温での焼結が可能なため、焼成に用いる電気炉ρ
保全が容易になるばかυでなく、使用電力の上からも省
エネルギー化が図れるものであるろ従って、積層セラミ
ックコンデンサのみでなく、従来の円板形感器コンデン
サまたは円筒形磁器コンデンサに応用した場合において
も、製造コスｈ利となるものである。
図は積層セラミックコンデンサの一例を示す一部を切欠
いた状態での斜視図である。
いた状態での斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 マグネシウム・鉄・タンゲステン酸鉛Ｐｂ（ＭｇＪ’ａ
＊ｅ／４ｗｙ２）ｏ３及びニッケル・ニオブ酸鉛Ｐｂ（
Ｎｉｙ。 Ｎｂグ３）０３からなる２成分組成物ヲＰｂ （Ｍｇ）
／４ＦｅＪ’４ＷＶ２）ｘ（Ｎｉ３／３Ｎｂ：？ｚ５）
＋−ｘｏ５ と表わした時に組成比Ｘが０．７０≦Ｘ
≦０．９０ の範囲内にあることを特徴とする高誘電率
系磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098871A JPS58217461A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 高誘電率系磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098871A JPS58217461A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 高誘電率系磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58217461A true JPS58217461A (ja) | 1983-12-17 |
Family
ID=14231242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098871A Pending JPS58217461A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | 高誘電率系磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58217461A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105946A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電磁器組成物 |
| JPS62105947A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電磁器組成物 |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098871A patent/JPS58217461A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62105946A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電磁器組成物 |
| JPS62105947A (ja) * | 1985-10-29 | 1987-05-16 | 日本特殊陶業株式会社 | 誘電磁器組成物 |
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