JPS5918154A - 磁器組成物 - Google Patents
磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5918154A JPS5918154A JP57126951A JP12695182A JPS5918154A JP S5918154 A JPS5918154 A JP S5918154A JP 57126951 A JP57126951 A JP 57126951A JP 12695182 A JP12695182 A JP 12695182A JP S5918154 A JPS5918154 A JP S5918154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- ceramic
- ceramic composition
- temperature
- multilayer ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、Pbk@’b複合ペロプスカイト型化合物で
あるPb (Mcr%Fe5AW%)03及びPb (
Mg、Nb%)03を主成分とする磁器組成物に関する
ものであり、その目的とするところは、高誘電率で誘電
体損失が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ1000℃
以下の低温で焼結が可能な高誘電率系の磁器組成物を提
供することにある。
あるPb (Mcr%Fe5AW%)03及びPb (
Mg、Nb%)03を主成分とする磁器組成物に関する
ものであり、その目的とするところは、高誘電率で誘電
体損失が小さく、絶縁抵抗が高く、なおかつ1000℃
以下の低温で焼結が可能な高誘電率系の磁器組成物を提
供することにある。
従来、高誘電率系の磁器組成分としてはチタン酸バリウ
ムB a T 1O3f主成分として、これにジルコン
酸カルシウムCa ′Z:rO3,チタン酸カルシウム
CaTLO3,スズ酸カルシウムcasnos +チタ
ン酸ストロンチウムS r T z03などを適量添加
して特性を改善したものが実用化されている。これらの
磁器の焼結温度は概数1300℃〜1400℃と高いも
のであった。
ムB a T 1O3f主成分として、これにジルコン
酸カルシウムCa ′Z:rO3,チタン酸カルシウム
CaTLO3,スズ酸カルシウムcasnos +チタ
ン酸ストロンチウムS r T z03などを適量添加
して特性を改善したものが実用化されている。これらの
磁器の焼結温度は概数1300℃〜1400℃と高いも
のであった。
近年、電子機器分野の発展とともに、電子機器の小形・
軽量化が著しく、従来円板形状で用いられていた磁器コ
ンデンサにおいても、小形で大芥量を達成するために積
層構造を持った積層セラミックコンデンサが開発され広
く使用されてきている。積層セラミックコンデンサにお
いては図面に示すように、磁器誘電体1の上下に内部電
極2を配して、小さな単板コンデンサを多数個並列に接
続し、積み重ねた構造をとっており、内部電極2は交互
に左右いずれかの外部電極3に接続されている。
軽量化が著しく、従来円板形状で用いられていた磁器コ
ンデンサにおいても、小形で大芥量を達成するために積
層構造を持った積層セラミックコンデンサが開発され広
く使用されてきている。積層セラミックコンデンサにお
いては図面に示すように、磁器誘電体1の上下に内部電
極2を配して、小さな単板コンデンサを多数個並列に接
続し、積み重ねた構造をとっており、内部電極2は交互
に左右いずれかの外部電極3に接続されている。
この積層セラミックコンデンザでは、その製造上内部電
極をセラミック誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あるが、従来の高誘電率系の磁器組成物では前述のよう
に焼成温度が1000℃以上と高いため、内部電極の材
料としてはこのような高温でも安定な白金、あるいはパ
ラジウムのような高価な貴金属を使わざるを得なかった
。従って1000℃以下の低温で焼結できる磁器誘電体
材料を開発し、これを積層セラミックコンデンサに用い
ることができれば、内部電極材料として銀糸合金、ニッ
ケル系合金などの安価な金属材料を使用することができ
るため、低コストの積層セラミックコンデンサを供給す
ることが可能となる。
極をセラミック誘電体に埋込んだ状態で焼結する必要が
あるが、従来の高誘電率系の磁器組成物では前述のよう
に焼成温度が1000℃以上と高いため、内部電極の材
料としてはこのような高温でも安定な白金、あるいはパ
ラジウムのような高価な貴金属を使わざるを得なかった
。従って1000℃以下の低温で焼結できる磁器誘電体
材料を開発し、これを積層セラミックコンデンサに用い
ることができれば、内部電極材料として銀糸合金、ニッ
ケル系合金などの安価な金属材料を使用することができ
るため、低コストの積層セラミックコンデンサを供給す
ることが可能となる。
本発明は上記のような背景のもとに、種々の複合ペロブ
スカイト型化合物について研究を重ねた結果、Pb(M
gy4Fe3AW%)o3で表わされる化合物とPb(
Mg3ANb%)03で表わされる化合物を用いること
により、誘電率が高く、誘電体損失が小さく、絶縁抵抗
が高く、なおかつ低温で焼結可能な磁器誘電体材料の開
発に成功したものである。
スカイト型化合物について研究を重ねた結果、Pb(M
gy4Fe3AW%)o3で表わされる化合物とPb(
Mg3ANb%)03で表わされる化合物を用いること
により、誘電率が高く、誘電体損失が小さく、絶縁抵抗
が高く、なおかつ低温で焼結可能な磁器誘電体材料の開
発に成功したものである。
以下本発明の実施例について詳細に説明する。
まず焼結によ’) Pb(Mq3AF 1ily4W%
)〇−びpb(yg%Nb%)03の比率が次表に示
すモル比となるように酸化鉛、酸化鉄、酸化タングステ
ン、酸化マグネシウム、酸化ニオブを適量秤量し、これ
をボールミルを用いて混合した。この粉体原料を750
℃〜860℃で仮焼した後、再びボールミルを用いて粉
砕し、この粉砕原料にポリビニールアルコールを加えて
造粒し、直径13wn、厚み08期の円板形状に成形し
た。その後920℃〜980℃の温度で、マグネシア質
匡鉢中で焼成したのち、両面に銀を主成分とする電極を
付与し、誘電体試料とした。このようにして作成した試
料について電気特性を測定した結果を次表に示す。ここ
で誘電率ε8及び誘電体損失tanδは同波数1匹で2
6℃測定した。また絶縁抵抗IRは直流50Vを印加し
て、室温中で測定した。なお表中の焼成温度は、焼結し
て誘電体磁器を作成するための最低温度である。
)〇−びpb(yg%Nb%)03の比率が次表に示
すモル比となるように酸化鉛、酸化鉄、酸化タングステ
ン、酸化マグネシウム、酸化ニオブを適量秤量し、これ
をボールミルを用いて混合した。この粉体原料を750
℃〜860℃で仮焼した後、再びボールミルを用いて粉
砕し、この粉砕原料にポリビニールアルコールを加えて
造粒し、直径13wn、厚み08期の円板形状に成形し
た。その後920℃〜980℃の温度で、マグネシア質
匡鉢中で焼成したのち、両面に銀を主成分とする電極を
付与し、誘電体試料とした。このようにして作成した試
料について電気特性を測定した結果を次表に示す。ここ
で誘電率ε8及び誘電体損失tanδは同波数1匹で2
6℃測定した。また絶縁抵抗IRは直流50Vを印加し
て、室温中で測定した。なお表中の焼成温度は、焼結し
て誘電体磁器を作成するための最低温度である。
(以下余白)
表中試料塵1及び6は本発明の範囲外のものであり、比
較のため示したものである。即ち、pb(Mg 、F
e3AW3A)o3のモル比Xが090を超えると誘電
体損支tanδが大きく実用的でなく、またXが066
未満では焼成温度が高くなり、さらに高価な酸化ニオブ
の比率が大きくなるため、実用的でない。
較のため示したものである。即ち、pb(Mg 、F
e3AW3A)o3のモル比Xが090を超えると誘電
体損支tanδが大きく実用的でなく、またXが066
未満では焼成温度が高くなり、さらに高価な酸化ニオブ
の比率が大きくなるため、実用的でない。
以上詳述したように、本発明のpb(Mg%FeR鶏)
03−pb(MgイNb%)03系磁器組成物を用いれ
ば誘電率ε8が3510〜4日60と大きく、誘電体損
失tanδが07%〜26係と小さく、また絶縁抵抗I
Rが6、lX10 Ω・cmと高い値を示し、温度に
よる容量変化率の小さい高性能の新規な誘電体磁器組成
物が得られる。さらに焼成温度が920℃〜980℃と
低温であるために積層セラミックコンデンサに使用した
場合に内部電極として銀糸合金、ニッケル系合金などの
安価な金属を用いることができるため、積層セラミック
コンデンサの低コスト化を図る上で非常に有効な価値が
あるものである。
03−pb(MgイNb%)03系磁器組成物を用いれ
ば誘電率ε8が3510〜4日60と大きく、誘電体損
失tanδが07%〜26係と小さく、また絶縁抵抗I
Rが6、lX10 Ω・cmと高い値を示し、温度に
よる容量変化率の小さい高性能の新規な誘電体磁器組成
物が得られる。さらに焼成温度が920℃〜980℃と
低温であるために積層セラミックコンデンサに使用した
場合に内部電極として銀糸合金、ニッケル系合金などの
安価な金属を用いることができるため、積層セラミック
コンデンサの低コスト化を図る上で非常に有効な価値が
あるものである。
加えて、低温での焼結が可能なため、焼成に用いる電気
炉の保全が容易になるばかりでなく、使用電力の上から
も省エネルギー化が図れるものである。従って積層セラ
ミソクコンデンザのみでな〈従来の円板形磁器コンデン
ザに応用した場合においても、製造コスト上有利となる
ものである。
炉の保全が容易になるばかりでなく、使用電力の上から
も省エネルギー化が図れるものである。従って積層セラ
ミソクコンデンザのみでな〈従来の円板形磁器コンデン
ザに応用した場合においても、製造コスト上有利となる
ものである。
図面は積層セラミックコンデンサの一例を示す一部切欠
斜視図である。 1・・・・・・磁器誘電体、2・・・・・・内部電極、
3・・・・・・外部電極。
斜視図である。 1・・・・・・磁器誘電体、2・・・・・・内部電極、
3・・・・・・外部電極。
Claims (1)
- (Mg3ANb%)03からなる二成分組成物をpb(
Mq3A ” H”A )” ”q5A”X )1−1
03 ト表b L タ時に組成比Xが065≦X≦09
0の範囲内にあることを特徴とする磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57126951A JPS5918154A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57126951A JPS5918154A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5918154A true JPS5918154A (ja) | 1984-01-30 |
JPH0353267B2 JPH0353267B2 (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=14947927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57126951A Granted JPS5918154A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5918154A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5831918A (en) * | 1994-02-14 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57126951A patent/JPS5918154A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5831918A (en) * | 1994-02-14 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for varying a period of an internal control signal during a test mode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0353267B2 (ja) | 1991-08-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS62138360A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS5918155A (ja) | 磁器組成物 | |
JPS5918154A (ja) | 磁器組成物 | |
JPS6398904A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS58217461A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPS6222942B2 (ja) | ||
JPS6121183B2 (ja) | ||
JPS6042277A (ja) | 磁器組成物 | |
JPS58217462A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
JPS61203506A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS5849661A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPH0332162B2 (ja) | ||
JPS62132755A (ja) | 磁器組成物 | |
JPS6216481B2 (ja) | ||
JP3389830B2 (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPS5849662A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
JPH0238540B2 (ja) | ||
JPH0457632B2 (ja) | ||
JPH0522667B2 (ja) | ||
JPH0566332B2 (ja) | ||
JPS5830002A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS62226858A (ja) | 磁器組成物 | |
JPS62180904A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPS6237804A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
JPH0566331B2 (ja) |